JPH03241695A - 多段ｅｌ素子 - Google Patents
多段ｅｌ素子Info
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- JPH03241695A JPH03241695A JP2037384A JP3738490A JPH03241695A JP H03241695 A JPH03241695 A JP H03241695A JP 2037384 A JP2037384 A JP 2037384A JP 3738490 A JP3738490 A JP 3738490A JP H03241695 A JPH03241695 A JP H03241695A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は分散型エレクトロルミネッセント発光素子（以
下、分散型ＥＬ素子と略す）の構造に関する。
下、分散型ＥＬ素子と略す）の構造に関する。
分散型ＥＬ素子は薄型の面発光光源として、液晶表示体
のバンクライトや指示・案内板や看板・ポスター等の広
告メディアとして利用されている。
のバンクライトや指示・案内板や看板・ポスター等の広
告メディアとして利用されている。
従来の分散型ＥＬ素子の構造は、透明導電性薄膜を有す
る透明なガラスもしくは有機フィルムの透明導電性薄膜
側にＺｎＳ等の蛍光体をシアノエチル化されたセルロー
ス、プルラン、ＰＶＡ等のバインダーに分散させペース
ト状にしたものを塗布し、背面電極としてチタン酸バリ
ウム等の無機高誘電率物質層を形成したアルミ板等を熱
圧着することで得られている。なお、通常は蛍光体を湿
気から護るために、低透湿性のフィルムで封入したり、
水分吸収性の高いフィルムを貼り合わせることが多い。
る透明なガラスもしくは有機フィルムの透明導電性薄膜
側にＺｎＳ等の蛍光体をシアノエチル化されたセルロー
ス、プルラン、ＰＶＡ等のバインダーに分散させペース
ト状にしたものを塗布し、背面電極としてチタン酸バリ
ウム等の無機高誘電率物質層を形成したアルミ板等を熱
圧着することで得られている。なお、通常は蛍光体を湿
気から護るために、低透湿性のフィルムで封入したり、
水分吸収性の高いフィルムを貼り合わせることが多い。
また、場合によっては蛍光体層の塗布を背面電極側に行
い、透明導電薄膜側を熱圧着することもある。
い、透明導電薄膜側を熱圧着することもある。
分散型ＥＬ素子の最も重要視される特性の１つに、輝度
が挙げられる。従来の分散型ＥＬ素子が広く利用される
に至っていないのは、光源として蛍光灯の明るさに対し
格段に暗い為である。輝度を高める試みとしては、蛍光
体やバインダーの特性改善や、蛍光体の濃度・厚さの最
適化、駆動電圧・駆動周波数の調整がこれまでに検討さ
れているが、大幅な改善をもたらす解決策は得られてい
ない。この発明の目的とするところは、上′記方法とは
別に他の緒特性を低下させることなく輝度が大幅に改善
された分散型ＥＬ素子を提供するにある。
が挙げられる。従来の分散型ＥＬ素子が広く利用される
に至っていないのは、光源として蛍光灯の明るさに対し
格段に暗い為である。輝度を高める試みとしては、蛍光
体やバインダーの特性改善や、蛍光体の濃度・厚さの最
適化、駆動電圧・駆動周波数の調整がこれまでに検討さ
れているが、大幅な改善をもたらす解決策は得られてい
ない。この発明の目的とするところは、上′記方法とは
別に他の緒特性を低下させることなく輝度が大幅に改善
された分散型ＥＬ素子を提供するにある。
本発明は、金属層を反射板兼用の背面電極とし、透明導
電性薄膜を発光面電極とする分散型ＥＬ素子の発光面側
に、背面・発光面ともに透明導電性薄膜を電極とする分
散型ＥＬ素子を、１層以上積層した多段ＥＬ素子である
。
電性薄膜を発光面電極とする分散型ＥＬ素子の発光面側
に、背面・発光面ともに透明導電性薄膜を電極とする分
散型ＥＬ素子を、１層以上積層した多段ＥＬ素子である
。
本発明において用いられる反射板兼用の背面電極として
は、アルミニウム等の金属箔や、ガラス・金属・有機フ
ィルム等の表面に、蒸着や鍍金等でアルミニウムや銀等
の薄膜を形成したものが用いられる。輝度の向上の為Ｇ
こは、反射率が高いことが望ましい。
は、アルミニウム等の金属箔や、ガラス・金属・有機フ
ィルム等の表面に、蒸着や鍍金等でアルミニウムや銀等
の薄膜を形成したものが用いられる。輝度の向上の為Ｇ
こは、反射率が高いことが望ましい。
本発明において用いられる透明導電性薄膜としては、酸
化インジウム・錫（ＩＴＯ）や金・銀や窒化チタン等を
、蒸着・スパックリング・イオンブレーティング等の薄
膜作成技術によって、ガラスや有機フィルム上に形成し
たものが用いられる。
化インジウム・錫（ＩＴＯ）や金・銀や窒化チタン等を
、蒸着・スパックリング・イオンブレーティング等の薄
膜作成技術によって、ガラスや有機フィルム上に形成し
たものが用いられる。
該ガラス・有機フィルム基板は光源として光が透過する
必要があることから、透明性が高いほど望ましいことは
言うまでもない。本発明においては、分散型ＥＬ素子の
特長である薄さを保持するためと、圧着を強固に行うた
めに有機フィルムを基板に用いる方が望ましい。有機フ
ィルムとしては、透明性・耐熱性・機械強度・耐溶剤性
・熱膨張係数を考慮して選ぶ必要があるが、従来から使
用されているポリエチレングリコールテレフタレート樹
脂を延伸配向させたＰＥＴフィルムであれば、差し支え
ない。
必要があることから、透明性が高いほど望ましいことは
言うまでもない。本発明においては、分散型ＥＬ素子の
特長である薄さを保持するためと、圧着を強固に行うた
めに有機フィルムを基板に用いる方が望ましい。有機フ
ィルムとしては、透明性・耐熱性・機械強度・耐溶剤性
・熱膨張係数を考慮して選ぶ必要があるが、従来から使
用されているポリエチレングリコールテレフタレート樹
脂を延伸配向させたＰＥＴフィルムであれば、差し支え
ない。
以下に、本発明の実施例を図面に従って詳細に説明する
。
。
第１図は本発明による分散型Ｅ Ｌ素子の構造例であり
、アルミニウム基板でなる背面電極１、その上面の絶縁
層２、発光層３及び透明導電薄膜４を有する有機フィル
ム基板５で構成される部分６は従来の分散型ＥＬ素子の
構造と同様である。本発明ではさらに有機フィルム基板
５の外側に、透明導電薄膜４°を有する有機フィルム基
板５゛その上面の絶縁層２゛、発光層３゛及び透明導電
薄膜４゛を有する有機フィルム基板５゛で構成される部
分７が積層されている。さらに、水分による劣化を防ぐ
ためにナイロン−６やＰＶＡ等の”＆水性フィルム８を
貼り、全体を、ポリ３弗化クロルエチレン等の防湿フィ
ルム９で封入している。
、アルミニウム基板でなる背面電極１、その上面の絶縁
層２、発光層３及び透明導電薄膜４を有する有機フィル
ム基板５で構成される部分６は従来の分散型ＥＬ素子の
構造と同様である。本発明ではさらに有機フィルム基板
５の外側に、透明導電薄膜４°を有する有機フィルム基
板５゛その上面の絶縁層２゛、発光層３゛及び透明導電
薄膜４゛を有する有機フィルム基板５゛で構成される部
分７が積層されている。さらに、水分による劣化を防ぐ
ためにナイロン−６やＰＶＡ等の”＆水性フィルム８を
貼り、全体を、ポリ３弗化クロルエチレン等の防湿フィ
ルム９で封入している。
なお背面電極１及び各透明導電性薄膜４．４４”は、外
部の駆動電極と接続するために取り出し電極１０が接続
され、防湿フィルム９に被覆されて、外部に延長されて
いる。
部の駆動電極と接続するために取り出し電極１０が接続
され、防湿フィルム９に被覆されて、外部に延長されて
いる。
発光層３，３゛ として、蛍光体ＺｎＳと付活材Ｃｕを
シアノエチルセルロースに分散させ、ジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）でペースト状にしたものを、ロールコー
タ−により透明導電薄膜４゜４゛を有する有機フィルム
基板５，５°゛に３０／１ｍの厚さに塗布、乾燥し上述
の構造の分散型ＥＬ素子を作成したところ、１００Ｖ／
４００Ｈｚの駆動電圧を印加することによって、１０
０ｃｄ／ｒｒｒの輝度が得られた。第２図に示される本
発明によらない、従来の１層構造では、発光層を同じ３
０１Ｉｍで作成すると５５Ｃｄ／ｒｒｆの輝度しか得ら
れなかった。
シアノエチルセルロースに分散させ、ジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）でペースト状にしたものを、ロールコー
タ−により透明導電薄膜４゜４゛を有する有機フィルム
基板５，５°゛に３０／１ｍの厚さに塗布、乾燥し上述
の構造の分散型ＥＬ素子を作成したところ、１００Ｖ／
４００Ｈｚの駆動電圧を印加することによって、１０
０ｃｄ／ｒｒｒの輝度が得られた。第２図に示される本
発明によらない、従来の１層構造では、発光層を同じ３
０１Ｉｍで作成すると５５Ｃｄ／ｒｒｆの輝度しか得ら
れなかった。
また、発光層を６０μｍにして第２図の分散型ＥＬ素子
を作成したところ、輝度は４０Ｃｄ／ｎｆと、さらに低
（なった。
を作成したところ、輝度は４０Ｃｄ／ｎｆと、さらに低
（なった。
発光層３，３゛は同じものでもよいし、処方・厚さを変
えることもできる。例えば、背面電極側の発光層３に赤
色蛍光染料をいれ、発光側の発光層３゛に通常のブルー
グリーン色の発光体処方を使うことで、外観状はクリー
ム色のブルーグリーン分散型ＥＬ素子に見えても、ホワ
イト発光を行う分散型ＥＬ素子をつくることができる。
えることもできる。例えば、背面電極側の発光層３に赤
色蛍光染料をいれ、発光側の発光層３゛に通常のブルー
グリーン色の発光体処方を使うことで、外観状はクリー
ム色のブルーグリーン分散型ＥＬ素子に見えても、ホワ
イト発光を行う分散型ＥＬ素子をつくることができる。
透明導電性薄膜４．４’、４”′についても同じもので
もよいし、必要に応じ変えても差し支えない。本実施例
では、有機フィルムを用いたが、必要に応し、１部ない
し全てガラスに変えても差し支えない。有機フィルム５
．５’ 、５”についても同じものでもよいし、必要に
応じ変えても差し支えない。さらに、両面に透明導電性
薄膜を有する有機フィルムを用いることで第１図の５あ
るいは５゛の一方を省略することも可能である。
もよいし、必要に応じ変えても差し支えない。本実施例
では、有機フィルムを用いたが、必要に応し、１部ない
し全てガラスに変えても差し支えない。有機フィルム５
．５’ 、５”についても同じものでもよいし、必要に
応じ変えても差し支えない。さらに、両面に透明導電性
薄膜を有する有機フィルムを用いることで第１図の５あ
るいは５゛の一方を省略することも可能である。
第１図では、ＥＬ発光素子部分は、６と７の２段になっ
ているが、７の部分を多段にすることでさらに輝度は向
上できる。
ているが、７の部分を多段にすることでさらに輝度は向
上できる。
第１図は本発明に係わる分散型ＥＬ素子の１実施例の断
面図、 第２図は従来の分散型ＥＬ素子の基本的構造を示す断面
図である。
面図、 第２図は従来の分散型ＥＬ素子の基本的構造を示す断面
図である。
Claims (1)
- （１）金属層を反射板兼用の背面電極とし、透明導電性
薄膜を発光面電極とする分散型ＥＬ素子の発光面側に、
背面・発光面ともに透明導電性薄膜を電極とする分散型
ＥＬ素子を、１層以上積層した多段ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2037384A JPH03241695A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 多段ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2037384A JPH03241695A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 多段ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241695A true JPH03241695A (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=12496033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2037384A Pending JPH03241695A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 多段ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03241695A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002015859A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2009016297A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Dic Corp | 無機エレクトロルミネッセンスパネル |
| US7683535B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP2037384A patent/JPH03241695A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7683535B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| US7745993B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device comprising reflective film |
| US7867053B2 (en) | 2000-02-03 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device |
| JP2014060179A (ja) * | 2000-02-03 | 2014-04-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US9419066B2 (en) | 2000-02-03 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2002015859A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2009016297A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Dic Corp | 無機エレクトロルミネッセンスパネル |
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