JPH0323923U - - Google Patents

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JPH0323923U
JPH0323923U JP8414789U JP8414789U JPH0323923U JP H0323923 U JPH0323923 U JP H0323923U JP 8414789 U JP8414789 U JP 8414789U JP 8414789 U JP8414789 U JP 8414789U JP H0323923 U JPH0323923 U JP H0323923U
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reaction chamber
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JP8414789U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案機構の一実施例を適用した化学
気相生成装置の一例の構成を示す簡略縦断面図、
第2図は搬送用フオークに基板を載置した状態を
示す説明図、第3図は本考案におけるリングの一
例を示す平面図、第4図a,bはそれぞれ本考案
におけるサセプタ周りの側面図及び平面図、第5
図は従来機構の一例を示す簡略縦断面図である。 1……反応室、2……サセプタ、3……基板(
ウエーハ)、4……(石英)ヒータカバー、5…
…ヒータ、6……リング状回転部、7……回転駆
動部、8……ガス導入管、9……排気管、12…
…支承部、15……排気管、17……基板支持棒
用孔、18……溝部、19……基板支承棒、20
……爪部、21……(石英)リング、22……(
石英)リング支持棒、23……シール用フレキシ
ブル管、24……昇降駆動部。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 反応室1内に反応ガスを導入しつつ排気し
    、サセプタ2上の基板3をヒータカバー4で仕切
    られたヒータ5により加熱し、かつ当該サセプタ
    2を回転することにより基板3に薄膜を生成する
    化学気相生成装置において、サセプタ2の複数箇
    所に基板支持棒用孔17を設け、かつこれらの孔
    17に連通してサセプタ2の外周下部に溝部18
    を設け、これらの溝部18において各基板支持棒
    用孔17に挿入した基板支持棒19をそれぞれ爪
    部20で支持するリング21を付設すると共に、
    これらのリング21に、反応室1に貫通せしめた
    リング支持棒22を対向配置し、これらのリング
    支持棒22と反応室1との間はシール用フレキシ
    ブル管23で連接せしめ、各リング支持棒22を
    昇降駆動部24に連結してなる化学気相生成装置
    における基板昇降機構。 (2) 化学気相生成装置は反応室1にリング状回
    転部6を支承し、この回転部6にヒータカバー4
    を取付け、このヒータカバー4上には基板3を載
    置したサセプタ2を設置すると共にリング状回転
    部6に回転駆動部7を連結せしめる請求項第1項
    に記載の化学気相生成装置における基板昇降機構
JP8414789U 1989-07-17 1989-07-17 Pending JPH0323923U (ja)

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JP (1) JPH0323923U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118837A (ja) * 1992-09-07 2001-04-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118837A (ja) * 1992-09-07 2001-04-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置

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