JPH03238630A - Optical disk substrate - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、再生専用型、追記型や書換型光ディスクとし
て情報を記録、再生する上で有用な帯電防止性を有する
光デイスク基板に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical disk substrate having antistatic properties useful for recording and reproducing information as a read-only type, write-once type, or rewritable type optical disk.
［従来の技術と発明が解決しようとする課題］レーザ光
により、高密度にデータを記録再生でき信頼性の高い情
報記録媒体として光ディスクが知られている。この光デ
ィスクは光デイスク基板と該基板に形成された記録膜と
で構成されている。[Prior Art and Problems to be Solved by the Invention] Optical discs are known as highly reliable information recording media that can record and reproduce data at high density using laser light. This optical disk is composed of an optical disk substrate and a recording film formed on the substrate.
この光ディスクへの情報の記録は、通常、レーザ光のス
ポットビームを基板側から照射し、記録信号に対応した
ビット等を形成することにより行なわれている。また情
報の再生は、基板側から入射したレーザ光の反射又は透
過光量の変化に基づいて記録信号を読み出すことにより
行なわれている。Information is usually recorded on the optical disc by irradiating a spot beam of laser light from the substrate side to form bits and the like corresponding to recording signals. Furthermore, information is reproduced by reading recorded signals based on changes in the amount of reflected or transmitted laser light incident from the substrate side.
従って、特に光デイスク基板には、レーザ光に対する透
過率が高く、しかも読取り誤差を小さくするため光学的
に均質であることが要求される。またレーザー光による
情報の記録再生は、通常、対物レンズを用いて集光させ
て行なわれるので、光ディスクへの光は斜め方向から入
射される。従って、光デイスク基板には、特に斜め入射
に対する光学的均質性も要求される。Therefore, especially optical disk substrates are required to have high transmittance to laser light and to be optically homogeneous in order to reduce reading errors. Furthermore, since information recording and reproduction using laser light is usually performed by condensing the light using an objective lens, the light enters the optical disk from an oblique direction. Therefore, the optical disk substrate is also required to have optical homogeneity, especially against oblique incidence.
一方、光デイスク基板用材料として、種々の合成樹脂、
中でも光学的特性か良好なビスフェノールＡ型ポリカー
ボネートが広く使用されている。On the other hand, various synthetic resins,
Among them, bisphenol A polycarbonate, which has good optical properties, is widely used.
しかしながら、このビスフェノールＡ型ポリカーボネー
トは、光弾性定数が大きいため、光弾性定数と残留応力
との積として表される複屈折、特に斜め入射に対する複
屈折が大きく情報の記録再生精度が十分てない。またス
タンバを用いてディスク基板を作製すると、樹脂の冷却
及び流動過程で生じる熱応力、分子配向、ガラス転移点
近傍での容積変化による残留応力等に起因して、複屈折
がさらに大きくなる。However, since this bisphenol A type polycarbonate has a large photoelastic constant, the birefringence expressed as the product of the photoelastic constant and the residual stress, especially the birefringence with respect to oblique incidence, is large, and the accuracy of recording and reproducing information is not sufficient. Furthermore, when a disk substrate is manufactured using a standber, birefringence becomes even larger due to thermal stress generated during the cooling and flow process of the resin, molecular orientation, residual stress due to volume change near the glass transition point, and the like.
また光ディスクは、通常、記録膜を形成した厚み１．２
ｍｍ程度のポリカーボネート製基板を、例えば３６００
ｒｐｍ程度に高速回転させながらピット等を形成するこ
とにより作製されている。しかしながら、上記ビスフェ
ノールＡ型ポリカーボネート製基板で形成した光ディス
クは、帯電性が高いので、埃や塵芥が保存中や使用中に
付着し易く、精度よく情報を記録できず、時には記録不
良という問題が生しる。In addition, optical discs usually have a recording film with a thickness of 1.2 mm.
For example, a polycarbonate substrate of about 3600 mm
It is manufactured by forming pits and the like while rotating at a high speed of about rpm. However, since optical discs formed using the bisphenol A polycarbonate substrate are highly electrostatically charged, dust and debris tend to adhere to them during storage and use, making it impossible to record information accurately and sometimes resulting in poor recording. Sign.
従って、本発明の目的は、斜め入射に対する複屈折が小
さく、光学的均質性に優れると共に、非帯電性に優れた
光デイスク基板を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide an optical disk substrate that has low birefringence with respect to oblique incidence, excellent optical homogeneity, and excellent non-static properties.
［発明の構成］
本発明者らは、鋭意検討の結果、芳香族ポリカポネート
共重合体に、スルホン酸ホスホニウム塩及び亜リン酸エ
ステルを添加する場合には、光学的均質性に優れると共
に帯電防止性能が著しく向上することを見い出し、本発
明を完成した。すなわち、本発明は、芳香族ポリカーボ
ネート共重合体と、下記一般式［Ｉコ
（式中、Ｒ１は炭素数１〜４０のアルキル基、または置
換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｒ２、Ｒ３
Ｒ４及びＲ５は、同一または異なって、水素原子、炭素
数１〜１０のアルキル基、またはアリール基を示す）で
表されるスルホン酸ホスホニウム塩と、亜リン酸エステ
ルとを含有する光デイスク基板を提供する。[Structure of the Invention] As a result of intensive studies, the present inventors have found that when a sulfonic acid phosphonium salt and a phosphite ester are added to an aromatic polycarbonate copolymer, it has excellent optical homogeneity and antistatic performance. The present invention has been completed based on the discovery that the properties of the present invention are significantly improved. That is, the present invention provides an aromatic polycarbonate copolymer and the following general formula [Ico (wherein R1 represents an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms or an aryl group which may have a substituent, R2, R3
R4 and R5 are the same or different and represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an aryl group); and a phosphonium sulfonic acid salt, and a phosphorous acid ester. provide.
上記一般式［１１で表される化合物において、アルキル
基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチル
、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、
イソへブチル、オクチル、イソオクチル、ノニル、デシ
ル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデ
シル、オクチル、トコシル、テトラデシル、トリアトリ
アコンタシル、テトラコンタシル基などの炭素数１〜４
０の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基が例示される。これ
らのアルキル基の中で炭素数１〜２゜のアルキル基か好
ましい。In the compound represented by the above general formula [11], examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, t-butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl, hexyl, heptyl,
1 to 4 carbon atoms such as isohebutyl, octyl, isooctyl, nonyl, decyl, dodecyl, tetradecyl, hexadecyl, octadecyl, octyl, tocosyl, tetradecyl, triatriacontacil, and tetracontacil groups
0 linear or branched alkyl groups are exemplified. Among these alkyl groups, alkyl groups having 1 to 2 carbon atoms are preferred.
アリール基には、例えば、フェニル、ナフチルおよびア
ンスリル基などが含まれる。Aryl groups include, for example, phenyl, naphthyl and anthryl groups.
一般式［Ｉ］で表されるスルホン酸ホスホニウム塩の具
体例としては、例えば、ドデシルスルホン酸ホスホニウ
ム塩、ベンゼンスルホン酸ホスホニウム塩、ドデシルベ
ンゼンスルホン酸ホスホニウム塩、ｐ−）ルエンスルホ
ン酸ホスホニウム塩、ナフタリンスルホン酸ホスホニウ
ム塩、ドデシルスルホン酸トリメチルホスホニウム塩、
ドデシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ドデ
シルスルホン酸ジエチルホスホニウム塩、ドデシルスル
ホン酸トリエチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸
テトラエチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸ジプ
ロピルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸トリプロピ
ルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラプロピル
ホスホニウム塩、Ｆデシルスルホン酸ジブチルホスホニ
ウム塩、ドデシルスルホン酸トリブチルホスホニウム塩
、ドデシルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ド
デシルスルホン酸ジペンチルホスホニウム塩、ドデシル
スルホン酸トリペンチルホスホニウム塩、ドデシルスル
ホン酸テトラペンチルホスホニウム塩、ドデシルスルホ
ン酸ジヘキシルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸ト
リへキシルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラ
ヘキシルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸ジフェニ
ルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸トリフェニルホ
スホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラエチルホスホ
ニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラプロピルホスホニ
ウム塩、ベンゼンスルホン酸ジブチルホスホニウム塩、
ベンゼンスルホン酸トリブチルホスホニウム塩、ベンゼ
ンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ベンゼンス
ルホン酸ジフェニルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン
酸トリフェニルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスル
ホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼン
スルホン酸テトラプロピルホスホニウム塩、ドデシルベ
ンゼンスルホン酸トリブチルホスホニウム塩、ドデシル
ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデ
シルベンゼンスルホン酸ジフェニルホスホニウム塩、ド
デシルベンゼンスルホン酸トリフェニルホスホニウム塩
、ｐ−トルエンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩
、ｐ −トルエンスルホン酸テトラプロピルホスホニウ
ム塩、ｐ−トルエンスルホン酸テトラブチルホスホニウ
ム塩、ｐ−１−ルエンスルホン酸ジフェニルホスホニウ
ム塩、ナフタリンスルホン酸テトラメチルホスホニウム
塩、ナフタリンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩
、ナフタリンスルホン酸テトラプロピルホスホニウム塩
、ナフタリンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩な
どが挙げられる。Specific examples of the sulfonic acid phosphonium salt represented by the general formula [I] include dodecylsulfonic acid phosphonium salt, benzenesulfonic acid phosphonium salt, dodecylbenzenesulfonic acid phosphonium salt, p-)luenesulfonic acid phosphonium salt, naphthalene Sulfonic acid phosphonium salt, dodecylsulfonic acid trimethylphosphonium salt,
Dodecylsulfonate tetramethylphosphonium salt, dodecylsulfonate diethylphosphonium salt, dodecylsulfonate triethylphosphonium salt, dodecylsulfonate tetraethylphosphonium salt, dodecylsulfonate dipropylphosphonium salt, dodecylsulfonate tripropylphosphonium salt, dodecylsulfonate tetrapropyl Phosphonium salt, F-decylsulfonate dibutylphosphonium salt, dodecylsulfonate tributylphosphonium salt, dodecylsulfonate tetrabutylphosphonium salt, dodecylsulfonate dipentylphosphonium salt, dodecylsulfonate tripentylphosphonium salt, dodecylsulfonate tetrapentylphosphonium salt, dodecyl Dihexylphosphonium sulfonate salt, trihexylphosphonium dodecylsulfonate salt, tetrahexylphosphonium dodecylsulfonate salt, diphenylphosphonium dodecylsulfonate salt, triphenylphosphonium dodecylsulfonate salt, tetraethylphosphonium benzenesulfonate salt, tetrapropyl benzenesulfonate Phosphonium salt, dibutylphosphonium benzenesulfonate salt,
Tributylphosphonium benzenesulfonate salt, tetrabutylphosphonium benzenesulfonate salt, diphenylphosphonium benzenesulfonate salt, triphenylphosphonium benzenesulfonate salt, tetraethylphosphonium dodecylbenzenesulfonate salt, tetrapropylphosphonium dodecylbenzenesulfonate salt, dodecylbenzenesulfone acid tributylphosphonium salt, dodecylbenzenesulfonic acid tetrabutylphosphonium salt, dodecylbenzenesulfonic acid diphenylphosphonium salt, dodecylbenzenesulfonic acid triphenylphosphonium salt, p-toluenesulfonic acid tetraethylphosphonium salt, p-toluenesulfonic acid tetrapropylphosphonium salt, p-Toluenesulfonate tetrabutylphosphonium salt, p-1-ruenesulfonate diphenylphosphonium salt, naphthalenesulfonate tetramethylphosphonium salt, naphthalenesulfonate tetraethylphosphonium salt, naphthalenesulfonate tetrapropylphosphonium salt, naphthalenesulfonate tetrabutylphosphonium salt Examples include salt.
好ましいスルホン酸ホスホニウム塩は、アルキルスルホ
ン酸又はアリールスルホン酸のテトラアルキルホスホニ
ウム塩である。Preferred sulfonic acid phosphonium salts are tetraalkylphosphonium salts of alkylsulfonic acids or arylsulfonic acids.
一般式［１１て表される化合物の添加量は、通常、芳香
族ポリカーボネート共重合体１００重量部に対して、０
．１〜２０重量部、好ましくは０゜５〜５重量部である
。一般式［Ｉ］で表される化合物の添加量か０．１重量
部未満である場合には、帯電防止性が十分てなく、２０
重量部を越える場合には、透明性及び機械的特性か低下
し易く、溶融成形品の外観不良が生し易い。The amount of the compound represented by the general formula [11] is usually 0 parts by weight per 100 parts by weight of the aromatic polycarbonate copolymer.
．． The amount is 1 to 20 parts by weight, preferably 0.5 to 5 parts by weight. If the added amount of the compound represented by the general formula [I] is less than 0.1 part by weight, the antistatic property will not be sufficient, and 20
If the amount exceeds 1 part by weight, the transparency and mechanical properties tend to deteriorate, and the melt-molded product tends to have poor appearance.
また本発明では、溶融形成加工による変色とそれに伴う
透明性の低下を防止するため、亜リン酸エステルを添加
する。亜リン酸エステルは、一般式［■−１コ又は［ｌ
ｌ−２］
（式中、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、同−又は異なって、水
素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、およびアラルキル基を示す。Ｒ６Ｒ７
及びＲ８は置換基を有していてもよい。但し、Ｒ６Ｒ７
及びＲ８は同時に水素原子でないものとする）で表され
る。Further, in the present invention, a phosphite is added in order to prevent discoloration due to melt forming processing and the accompanying decrease in transparency. Phosphite ester has the general formula [■-1 or [l
l-2] (wherein R6, R7 and R8 are the same or different and represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a cycloalkyl group, an aryl group, and an aralkyl group. R6R7
and R8 may have a substituent. However, R6R7
and R8 are not hydrogen atoms at the same time).
アルキル基及びアリール基としては、前記と同様の基が
挙げられ、シクロアルキル基には、例えば、シクロペン
チル、シクロヘキシル、シクロオクチル基などが含まれ
る。アラルキル基としては、例えば、ベンジル、フェネ
チル、ベンズヒドリル基などが例示される。Examples of the alkyl group and aryl group include the same groups as mentioned above, and the cycloalkyl group includes, for example, cyclopentyl, cyclohexyl, and cyclooctyl groups. Examples of the aralkyl group include benzyl, phenethyl, and benzhydryl groups.
またアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び
アラルキル基の置換基としては、例えば、炭素数１〜１
８のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基などが挙
げられる。Furthermore, substituents for alkyl groups, cycloalkyl groups, aryl groups, and aralkyl groups include, for example, carbon atoms of 1 to 1.
Examples include an alkyl group having 8 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
好ましい亜リン酸エステルの具体例としては、例えば、
トリオクタデシルフォスファイト、トリオクチルフォス
ファイト、トリフェニルフォスファイト、トリ（２−メ
チルフェニル）フォスファイト、トリ（４−ｔ−ブチル
フェニル）フォスファイト、トリ（２−４−ブチルフェ
ニル）フォスファイト、トリ（２，６−シメチルフエニ
ル）フォスファイト、トリ（２，６−ジニチルフエニル
）フォスファイト、トリ（２−メチル−４−ｔ−ブチル
フェニル）フォスファイト、トリ（２−メトキシ−４−
ｔ−ブチルフェニル）フォスファイト、トリ（２−ノニ
ルフェニル）フォスファイト、トリ（２−ノニル−６−
メチルフェニル）フォスファイト、トリ（２−ドデシル
フェニル）フォスファイト、トリスノニルフェニルフォ
スファイト、モノオクチルジフェニルフォスファイト、
トリ（２−ドデシル−４−ｔ−ブチルフェニル）フォス
ファイト、ジデシルモノフェニルフォスファイト、ジオ
クチルモノフェニルフォスファイト、モノブチルジフェ
ニルフォスファイト、ジイソプロピルモノフェニルフォ
スファイト、モノオクチルジ（４−ｔ−ブチルフェニル
）フォスファイト、モノ−２−メチルフエニルジ（２−
シクロへキシルフェニル）フォスファイト、ジ（４−１
−ブチルフェニル）モノ（２−ノニルフェニル）フォス
ファイト、トリラウリルフォスファイトおよびトリラウ
リルチオフォスファイトなどが挙げられる。Specific examples of preferable phosphites include, for example,
Trioctadecyl phosphite, trioctyl phosphite, triphenyl phosphite, tri(2-methylphenyl) phosphite, tri(4-t-butylphenyl) phosphite, tri(2-4-butylphenyl) phosphite, tri (2,6-dimethylphenyl)phosphite, tri(2,6-dinitylphenyl)phosphite, tri(2-methyl-4-t-butylphenyl)phosphite, tri(2-methoxy-4-
t-butylphenyl) phosphite, tri(2-nonylphenyl) phosphite, tri(2-nonyl-6-
methylphenyl) phosphite, tri(2-dodecylphenyl) phosphite, trisnonylphenyl phosphite, monooctyldiphenyl phosphite,
Tri(2-dodecyl-4-t-butylphenyl)phosphite, didecylmonophenylphosphite, dioctylmonophenylphosphite, monobutyldiphenylphosphite, diisopropylmonophenylphosphite, monooctyldi(4-t-butylphenyl) Phosphite, mono-2-methylphenyl di(2-
cyclohexylphenyl)phosphite, di(4-1
-butylphenyl)mono(2-nonylphenyl)phosphite, trilaurylphosphite, trilaurylthiophosphite, and the like.
特に好ましい亜リン酸エステルは、トリアリールフォス
ファイト、又はモノアルキルジアリールフォスファイト
である。Particularly preferred phosphites are triarylphosphites or monoalkyldiarylphosphites.
亜リン酸エステルは少なくとも一種使用される。At least one phosphite is used.
亜リン酸エステルの使用量は、通常、芳香族ポリカーボ
ネート共重合体１００重量部に対して、０．０１〜１．
０重量部、好ましくは０．０５〜０．２重量部である。The amount of phosphite used is usually 0.01 to 1.0 parts by weight per 100 parts by weight of the aromatic polycarbonate copolymer.
0 parts by weight, preferably 0.05 to 0.2 parts by weight.
亜リン酸エステルの使用量が上記範囲未満である場合に
は、ポリカーボネート共重合体が変色し易く、上記範囲
を越える場合には、成形特の気泡の生成、芳香族ポリカ
ーボネート共重合体の分子量の低下が生じ易くなる。If the amount of phosphite used is less than the above range, the polycarbonate copolymer is likely to discolor, and if it exceeds the above range, it may cause the formation of bubbles during molding or the molecular weight of the aromatic polycarbonate copolymer. decrease is likely to occur.
本発明の光デイスク基板を構成する芳香族ポリカーボネ
ート共重合体は、光学的に均質で、しかも斜め入射に対
する複屈折及び表面固有抵抗が小さなＪｉ−重合体であ
れば特に制限されないが、通常、下記一般式［ｍ］で表
される構成単位と下記一般式［ＩＶ］で表される構成単
位とを有する。The aromatic polycarbonate copolymer constituting the optical disk substrate of the present invention is not particularly limited as long as it is a Ji-polymer that is optically homogeneous and has low birefringence and surface resistivity against oblique incidence, but it is usually as follows. It has a structural unit represented by the general formula [m] and a structural unit represented by the following general formula [IV].
異なって、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、置換
基を有していてもよいアリール基、シクロアルキル基を
示し、Ｒ１３は炭素数１〜６のアルキレン基を示す）、
［式中、Ａは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１
０のアルキレン基、シクロアルキレン基、シクロアルキ
リデン基、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スル
ホニル７基、基
旧−Ｄ−８２
（Ｂ＋及びＢ２は同−又は異なって、酸素原子、スルホ
ニル基を示し、Ｄは炭素数２〜６のアルキレン基、シク
ロアルキリデン基、アリーレン基を示す）
基 −ＣＯＮＨＲＭ ＮＨＣＯ−
（Ｒ１４は炭素数２〜１０のアルキレン基を示す）、９
（Ｒ９及びＲＩＯは前記に同じ）からなる群から選ばれ
た基を示す。Ｘ及びＹは同−又は異なって、ハロゲン原
子、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１
〜６のアルコキシ基又はシクロアルキル基を示す。ｍ及
びｎは１又は２の整数を示す］
（以下、余白）
（Ｒ９ＲＩＯＲ１＋及びＲ党はそれぞれ同−又は［式中
、Ｒ１５Ｒ１６Ｒ＋７及びＲ１１１は、それぞれ同−又
は異なって、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、ア
リール基、シクロアルキル基を示し、Ｅはシクロアルキ
レン基、アリーレン基を示す。(R13 represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms), [in the formula , A has 1 to 1 carbon atoms which may have a substituent
0 alkylene group, cycloalkylene group, cycloalkylidene group, oxygen atom, sulfur atom, sulfinyl group, sulfonyl 7 group, group old -D-82 (B+ and B2 are the same or different, and represent an oxygen atom, a sulfonyl group) , D represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, a cycloalkylidene group, or an arylene group) Group -CONHRM NHCO- (R14 represents an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms), 9 (R9 and RIO are the same as above) ) represents a group selected from the group consisting of X and Y are the same or different, a halogen atom, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a carbon number 1
-6 alkoxy group or cycloalkyl group. m and n represent integers of 1 or 2] (Hereinafter, blank space) (R9RIOR1+ and R are the same - or [wherein, R15R16R+7 and R111 are the same - or different, hydrogen atom, carbon number 1 to 6 represents an alkyl group, an aryl group, or a cycloalkyl group, and E represents a cycloalkylene group or an arylene group.
Ｘ ｓ Ｙ ｓ ｍ及びｎは前記に同じ］上記一般式［
ＩＩＩ］中、二価の基Ａのうち炭素数１〜１ｏのアルキ
レン基としては、例えば、メチレン、エチレン、エチリ
デン、プロピレン、トリメチレン、イソプロピリデン、
プロピルメチレン、イソプロピルメチレン、ジエチルメ
チレン、１−エチル−１−メチルメチレン、１−メチル
−１プロピルメチレン、１−イソプロピル−１−メチル
メチレン、ジプロピルメチレン、１−ブチル−１−メチ
ルメチレン、１−ペンチルー１−メチルメチレン、１−
へキシル−１−メチルメチレン、１−へブチル−１−メ
チルメチレン、テトラメチレン、ヘキサメチレン、デカ
メチレン基等の直鎖又は分岐鎖アルキレン基が例示され
る。X s Y s m and n are the same as above] General formula [
III], among the divalent groups A, examples of the alkylene group having 1 to 1 carbon atoms include methylene, ethylene, ethylidene, propylene, trimethylene, isopropylidene,
Propylmethylene, isopropylmethylene, diethylmethylene, 1-ethyl-1-methylmethylene, 1-methyl-1propylmethylene, 1-isopropyl-1-methylmethylene, dipropylmethylene, 1-butyl-1-methylmethylene, 1- Pentyl-1-methylmethylene, 1-
Straight chain or branched alkylene groups such as hexyl-1-methylmethylene, 1-hebutyl-1-methylmethylene, tetramethylene, hexamethylene, and decamethylene groups are exemplified.
上記アルキレン基の置換基としては、シクロヘキシル、
シクロオクチル、シクロドデシル基等のシクロアルキル
基：フェニル、ｐ−メチルフェニル、ｐ−イソプロピル
フェニル、ナフチル基等の置換基を有していてもよいア
リール基；フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子；メト
キシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカル
ボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニ
ル、イソブトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカル
ボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカ
ルボニル基等のアルコキシカルボニル基などが例示され
る。Substituents for the above alkylene group include cyclohexyl,
Cycloalkyl groups such as cyclooctyl and cyclododecyl groups; aryl groups that may have substituents such as phenyl, p-methylphenyl, p-isopropylphenyl, and naphthyl groups; halogen atoms such as fluorine, chlorine, and bromine; Examples include alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, propoxycarbonyl, isopropoxycarbonyl, butoxycarbonyl, isobutoxycarbonyl, tert-butoxycarbonyl, pentyloxycarbonyl, and hexyloxycarbonyl groups.
シクロアルキレン基としては、例えば、１．４−シクロ
ヘキシレン基等が例示され、シクロアルキリデン基とし
ては、例えば、シクロヘキシリデン、シクロオクチリデ
ン、シクロアルキレン基等が例示される。Examples of the cycloalkylene group include a 1,4-cyclohexylene group, and examples of the cycloalkylidene group include cyclohexylidene, cyclooctylidene, and cycloalkylene groups.
アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル基等か
例示される。アリール基としては、フェニル、ナフチル
基等が例示される。Examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, tert-butyl, pentyl, hexyl, heptyl, and octyl groups. Examples of the aryl group include phenyl and naphthyl groups.
置換基を有していてもよいアリール基の置換基としては
、上記例示のアルキル基；メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキン、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基等
のアルコキシ基が例示される。Examples of the substituent for the aryl group which may have a substituent include the above-mentioned alkyl groups; methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, isobutquine, te
Examples include alkoxy groups such as rt-butoxy, pentyloxy, and hexyloxy groups.
シクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル、
シクロオクチル、シクロドデシル基等が例示される。Examples of the cycloalkyl group include cyclohexyl,
Examples include cyclooctyl and cyclododecyl groups.
アリーレン基としては、例えば、１．４−フェニレン、
１，３−フェニレン、４，４′ −ビフェニレン、ナフ
チレン基等が例示される。Examples of the arylene group include 1,4-phenylene,
Examples include 1,3-phenylene, 4,4'-biphenylene, and naphthylene groups.
一般式［１１１１］で表される構成単位のフェニレン基
に置換する置換基Ｘ及びＹのハロゲン原子、炭素数１〜
１０のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又はシ
クロアルキル基としては、前記と同様の基が例示される
。Halogen atoms of substituents X and Y substituting on the phenylene group of the structural unit represented by general formula [1111], carbon number 1-
Examples of the 10 alkyl group, the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or the cycloalkyl group include the same groups as mentioned above.
上記一般式［ＩＩ［］で表される構成単位を有するビス
フェノール化合物としては、例えば、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、１゜１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ブタン、１゜１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
イソブタン、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブ
タン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−
メチルブタン、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル
）ペンタン、２Ｉ ２−ビス（４−ヒドロキシフェニル
）−４−メチルペンタン、２゜２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ヘキサン、４．４−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）ペンタン、２．２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）オクタン、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ノナン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル
）エタン、１．１０−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
デカン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シクロドデカン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−
メチルフェニル）プロパン、２．２−ビス（４−ヒドロ
キシ−３−エチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（
４−ヒドロキシ−３−プロピルフェニル）プロパン、２
．２−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニ
ル）プロパン、２．２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブ
チルフェニル）プロパン、２．２−ビス（４−ヒドロキ
シ−３−イソブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３−ｓｅＣｌ−ブチルフェニル）プ
ロパン、２．２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−
ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（
４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルフェニル）−２（
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（４
−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルフェニル）プロパン
、２−（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）−２
−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス
（４−ヒドロキシ３−メトキシフェニル）プロパン、２
−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）−２
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１．１ビス（４
−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）メタン、２
，２−ビス（４−ヒドロキシ−３クロロフエニル）プロ
パン、２．２−ビス（４ヒドロキシ−３，５−ジクロロ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキン−
３−フルオロフェニル）プロパン、２．２−ビス（４−
ヒドロキシ−３，５−ジフルオロフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）
プロパン、２．２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジ
ブロモフェニル）プロパン、１゜１−ビス（４−ヒドロ
キ・シー３．５−ジクロロフェニル）シクロヘキサン、
１．１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ビ
ス（ジフルオロクロロメチル）メタン、２．２−ビス（
４−ヒドロキシフェニル）−４−ブトキシカルボニルブ
タン、１，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４
−ヒドロキシフェニルエチル）シクロヘキサン、２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ビシクロ［２，２，
１コヘブタン、２．２ビス（４−ヒドロキシ−３，５−
ジクロロフェニル）ビシクロ「２．２．１］ヘプタン、
４．４′−ジヒドロキシジフェニルエーテル、１．４−
ビス（４−ヒドロキシフェノキシ）ベンゼン、４゜４′
−ビス（４−ヒドロキシフェノキシ）ビフェニル、４．
４′−ジヒドロキシジフェニルサルファイド、４．４′
−ジヒドロキシ−３，３′ −ジメチルジフェニルサル
ファイド、４．４’ −ジヒドロキシジフェニルスルホ
キシド、４．４’ −ジヒドロキシジフェニルスルホン
、４．４’ −ジヒドロキシ−３，３′−ジクロロジフ
ェニルスルホン、１．４−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ルスルホニル）ベンゼン、４．４’−ビス（４−ヒドロ
キシフェニルスルホニル）ベンゼン、１．２−ビス（４
−ヒドロキシフェノキシ）エタン、１．４−ビス（４−
ヒドロキシフェノキシ）ブタン、フェノールフタレイン
等が例示される。なお、一般式［ｍ］で表される構成単
位を有する化合物に代えて、又は一般式［ＩＩ［］で表
される構成単位を有する化合物と共に、ハイドロキノン
、レゾルシノール、０−メチルレゾルシノール、０−ク
ミルレゾルシノールも使用できる。Examples of the bisphenol compound having a structural unit represented by the above general formula [II[] include bis(4-hydroxyphenyl)methane, 1,1-bis(4-hydroxyphenyl)ethane, and 1.1-bis( 4-hydroxyphenyl)propane, 1゜1-bis(4-hydroxyphenyl)butane, 1゜1-bis(4-hydroxyphenyl)
Isobutane, 2,2-bis(4-hydroxyphenyl)
Propane, 2,2-bis(4-hydroxyphenyl)butane, 2,2-bis(4-hydroxyphenyl)-3-
Methylbutane, 2.2-bis(4-hydroxyphenyl)pentane, 2I 2-bis(4-hydroxyphenyl)-4-methylpentane, 2゜2-bis(4-hydroxyphenyl)hexane, 4.4-bis( 4-hydroxyphenyl)pentane, 2.2-bis(4-hydroxyphenyl)octane, 2.2-bis(4-hydroxyphenyl)nonane, 1,2-bis(4-hydroxyphenyl)ethane, 1.10- Bis(4-hydroxyphenyl)
Decane, 1,1-bis(4-hydroxyphenyl)cyclohexane, 1,1-bis(4-hydroxyphenyl)
Cyclododecane, 2,2-bis(4-hydroxy-3-
methylphenyl)propane, 2,2-bis(4-hydroxy-3-ethylphenyl)propane, 2,2-bis(
4-hydroxy-3-propylphenyl)propane, 2
．． 2-bis(4-hydroxy-3-isopropylphenyl)propane, 2.2-bis(4-hydroxy-3-butylphenyl)propane, 2.2-bis(4-hydroxy-3-isobutylphenyl)propane, 2 , 2-bis(4-hydroxy-3-seCl-butylphenyl)propane, 2.2-bis(4-hydroxy-3-tert
-butylphenyl)propane, 2,2-bis(3,5-
dimethyl-4-hydroxyphenyl)propane, 2-(
4-hydroxy-3-cyclohexylphenyl)-2(
4-hydroxyphenyl)propane, 2,2-bis(4
-hydroxy-3-cyclohexylphenyl)propane, 2-(4-hydroxy-3-methoxyphenyl)-2
-(4-hydroxyphenyl)propane, 2.2-bis(4-hydroxy3-methoxyphenyl)propane, 2
-(4-hydroxy-3-isopropylphenyl)-2
(4-hydroxyphenyl)propane, 1.1bis(4
-hydroxy-3,5-dichlorophenyl)methane, 2
, 2-bis(4-hydroxy-3chlorophenyl)propane, 2,2-bis(4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl)propane, 2,2-bis(4-hydroquine-
3-fluorophenyl)propane, 2,2-bis(4-
hydroxy-3,5-difluorophenyl)propane,
2,2-bis(4-hydroxy-3-bromophenyl)
Propane, 2,2-bis(4-hydroxy-3,5-dibromophenyl)propane, 1゜1-bis(4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl)cyclohexane,
1.1-bis(4-hydroxyphenyl)-1,1-bis(difluorochloromethyl)methane, 2.2-bis(
4-hydroxyphenyl)-4-butoxycarbonylbutane, 1,4-bis(4-hydroxyphenyl)cyclohexane, 1-(4-hydroxyphenyl)-4-(4
-hydroxyphenylethyl)cyclohexane, 2,2
-bis(4-hydroxyphenyl)bicyclo[2,2,
1 cohebutane, 2.2 bis(4-hydroxy-3,5-
dichlorophenyl)bicyclo"2.2.1]heptane,
4.4'-dihydroxydiphenyl ether, 1.4-
Bis(4-hydroxyphenoxy)benzene, 4°4'
-bis(4-hydroxyphenoxy)biphenyl, 4.
4'-dihydroxydiphenyl sulfide, 4.4'
-dihydroxy-3,3'-dimethyldiphenyl sulfide, 4.4'-dihydroxydiphenyl sulfoxide, 4.4'-dihydroxydiphenyl sulfone, 4.4'-dihydroxy-3,3'-dichlorodiphenyl sulfone, 1.4- Bis(4-hydroxyphenylsulfonyl)benzene, 4.4'-bis(4-hydroxyphenylsulfonyl)benzene, 1.2-bis(4
-hydroxyphenoxy)ethane, 1,4-bis(4-
Examples include hydroxyphenoxy)butane and phenolphthalein. In addition, instead of the compound having the structural unit represented by the general formula [m] or together with the compound having the structural unit represented by the general formula [II[], hydroquinone, resorcinol, 0-methylresorcinol, 0-methyl Milresorcinol can also be used.
一般式［ＩＩＩ］で表される構成単位を有するビスフェ
ノール化合物の中で、懸垂したアリール基を有するビス
フェノール化合物、すなわち、下記−般式［ｍ］−１で
表される構成単位を有する化合物、特に一般式［ｍ］−
２で表される構成単位を［■コ − １
［ＩＩｒ］−２（式中、Ｒ１９及びＲ２０
は、同−又は異なって、水素原子、炭素数１〜６アルキ
ル基及びアリール基からなる群から選択され、かつＲｍ
及びＲ１９のうち少なくとも一方がアリール基である。Among bisphenol compounds having a structural unit represented by the general formula [III], bisphenol compounds having a pendant aryl group, i.e., compounds having a structural unit represented by the following general formula [m]-1, especially General formula [m]-
The structural unit represented by 2 is [■Co − 1
[IIr]-2 (wherein R19 and R20
are the same or different selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and an aryl group, and Rm
and R19, at least one of which is an aryl group.
Ｘ、Ｙ、ｍ及びｎは前記に同じ）
一般式［ｍ］−１及び一般式［■コー２で表される構成
単位を有するビスフェノール化合物としては、例えば、
４，４′−ジヒドロキシトリフェニルメタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−イソプロ
ピルフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）１−ナフチルメタン、４，４′−ジヒドロキ
ジー２．２．２−）リフェニルエタン、１．１−ビス（
４−ヒドロキシフェニル）−１−ナフチルエタン、４，
４′−ジヒドロキシ−１，１，１−トリフェニルプロパ
ン、４，４′−ジヒドロキシテトラフェニルメタン、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）ジベンジルメタン等が例
示される。(X, Y, m and n are the same as above) As bisphenol compounds having structural units represented by the general formula [m]-1 and the general formula [■-2], for example,
4,4'-dihydroxytriphenylmethane, 1,1-
Bis(4-hydroxyphenyl)-1-(4-isopropylphenyl)methane, 1,1-bis(4-hydroxyphenyl)1-naphthylmethane, 4,4'-dihydroxydi2.2.2-)liphenylethane , 1.1-bis(
4-hydroxyphenyl)-1-naphthylethane, 4,
Examples include 4'-dihydroxy-1,1,1-triphenylpropane, 4,4'-dihydroxytetraphenylmethane, and bis(4-hydroxyphenyl)dibenzylmethane.
一般式［ｍ］で表される構成単位を有するビスフェノー
ル化合物は一種又は二種以上使用される。One or more types of bisphenol compounds having a structural unit represented by the general formula [m] are used.
また一般式［ＩＶ］で表される構成単位を有するビスフ
ェノール化合物としては、例えば、１゜１′−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン
（すなわち１．４−ビス［２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロピル］ベンゼン）、１．１’−ビス（４−ヒド
ロキシ−３クロロフエニル）−ｐ−ジイソプロピルベン
ゼン（すなわち１．４−ビス［２−（４−ヒドロキシ−
３−クロロフェニル）プロピル］ベンゼン）、１．１′
−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−ｐ−
ジイソプロピルベンゼン（すなわち１，４−ビス［２−
（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロピル］ベ
ンゼン）、１．４−ビス［２−（４−ヒドロキシ−３，
５−ジクロロフェニル）プロピル］ベンゼン、１．４−
ビス［２−（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニ
ル）プロピル〕ベンゼン、１．１’−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル） −ｍ−ジイソプロピルベンゼン（すな
わち１．３−ビス［２−（４−ヒドロキシフェニル）プ
ロピル］ベンゼン）、１．３−ビス［２−（４−ヒドロ
キシ−３−１０ロフエニル）プロピル］ベンゼン、１．
３−ビス［２（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）
プロピル］ベンゼン、１．３−ビス［２−（４−ヒドロ
キシ−３−イソプロピルフェニル）プロピル］ベンゼン
、１．３−ビス［２−（４−ヒドロキシ３．５−ジクロ
ロフェニル）プロピル］ベンゼン、１．３−ビス［２−
（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロピ
ル］ベンゼン、１．３ビス［２−（４−ヒドロキシ−３
，５−ジイソプロピルフェニル）プロピル］ベンゼン、
１．４−ビス（４−ヒドロキシフェニルメチル）ベンゼ
ン等が例示される。Further, as a bisphenol compound having a structural unit represented by the general formula [IV], for example, 1゜1'-bis(4
-hydroxyphenyl)-p-diisopropylbenzene (i.e. 1,4-bis[2-(4-hydroxyphenyl)propyl]benzene), 1,1'-bis(4-hydroxy-3chlorophenyl)-p-diisopropylbenzene ( That is, 1,4-bis[2-(4-hydroxy-
3-chlorophenyl)propyl]benzene), 1.1'
-bis(4-hydroxy-3-methylphenyl)-p-
Diisopropylbenzene (i.e. 1,4-bis[2-
(4-hydroxy-3-methylphenyl)propyl]benzene), 1,4-bis[2-(4-hydroxy-3,
5-dichlorophenyl)propyl]benzene, 1.4-
Bis[2-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)propyl]benzene, 1.1'-bis(4-hydroxyphenyl)-m-diisopropylbenzene (i.e. 1.3-bis[2-(4- hydroxyphenyl)propyl]benzene), 1.3-bis[2-(4-hydroxy-3-10lophenyl)propyl]benzene, 1.
3-bis[2(4-hydroxy-3-methylphenyl)
propyl]benzene, 1.3-bis[2-(4-hydroxy-3-isopropylphenyl)propyl]benzene, 1.3-bis[2-(4-hydroxy-3.5-dichlorophenyl)propyl]benzene, 1. 3-bis[2-
(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)propyl]benzene, 1.3bis[2-(4-hydroxy-3
,5-diisopropylphenyl)propyl]benzene,
Examples include 1,4-bis(4-hydroxyphenylmethyl)benzene.
一般式［ＩＶ］て表される構成単位を有するビスフェノ
ール化合物のうち、下記一般式［ＴＶ］−１で表される
ｌ１ｌＩ或単位を有する化合物、特に一般式［ＴＶ］−
２で表される構成単位を有する化合物が好ましい。Among bisphenol compounds having a constitutional unit represented by the general formula [IV], compounds having a l1lI unit represented by the following general formula [TV]-1, especially the general formula [TV]-
A compound having a structural unit represented by 2 is preferred.
る芳香族ポリカーボネート共重合体は、斜め入射に対す
る複屈折や、静的又は高速回転下での帯電量が小さい。The aromatic polycarbonate copolymer has a small birefringence against oblique incidence and a small amount of charge under static or high-speed rotation.
特に構成単位ＣｍＥ−１と構成単位［ＩＶ］−１とを有
する芳香族ポリカーボネート共重合体、中でも構成単位
［ｍ］−２と構成単位［ＩＶ］−２とを有する芳香族ポ
リカーボネート共重合体は、斜め入射に対する複屈折や
、静的又は高速回転下での帯電量が著しく小さい。すな
わち、特に好ましい芳香族ポリカーボネート共重合体は
、下記一般式［ＩＩＩ］−３で表される４、４′−ジヒ
ドロキシ−２，２，２−トリフェニルエタンと、下記一
般式［ＩＶ］−３で表される１、１′−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンとがカ
ーボネート結合した芳香族ポリカーボネート共重合体で
構成されている。In particular, the aromatic polycarbonate copolymer having the structural unit CmE-1 and the structural unit [IV]-1, especially the aromatic polycarbonate copolymer having the structural unit [m]-2 and the structural unit [IV]-2, , birefringence against oblique incidence, and charge amount under static or high-speed rotation are extremely small. That is, particularly preferred aromatic polycarbonate copolymers are 4,4'-dihydroxy-2,2,2-triphenylethane represented by the following general formula [III]-3 and the following general formula [IV]-3. It is composed of an aromatic polycarbonate copolymer in which 1,1'-bis(4-hydroxyphenyl)-m-diisopropylbenzene represented by the formula is carbonate bonded.
［ｒＶ］ −１［ＩＶ］ −２
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１）Ｘ、Ｙ、ｍ及びｎは前記に同し
）
上記構成単位［Ｉ１１］及び構成単位［ＩＶ］を有す［
ｍ］ −３［ＩＶ］ −３
芳香族ポリ力−ボネート共重合体において、前記一般式
［ｍｌで表される構成単位と一般式［ＩＶ］で表される
構成単位との割合は、前記帯電特性及び機械的特性など
を損わない広い範囲、例えば、一般式［ｍｌで表される
構成単位５〜９５モル％、一般式［ｒＶ］で表される構
成単位９５〜５モル％の範囲で選択できる。好ましい割
合は、一般式［Ｉ［［］で表される構成単位５５〜７５
モル％、般式［ＩＶ］で表される構成単位４５〜２５モ
ル％程度である。各構成単位［ｍｌ ［ＩＶ］のモル
％が上記範囲を外れると、斜め入射に対する複屈折が大
きくなり、光デイスク基板や光ディスクが帯電し易くな
る。[rV] -1 [IV] -2 (wherein R15 to R1) X, Y, m and n are the same as above) [
m] -3 [IV] -3 In the aromatic polybonate copolymer, the ratio of the structural units represented by the general formula [ml to the structural units represented by the general formula [IV] Within a wide range that does not impair the properties and mechanical properties, for example, 5 to 95 mol% of the structural unit represented by the general formula [ml], and 95 to 5 mol% of the structural unit represented by the general formula [rV]. You can choose. A preferable ratio is 55 to 75 structural units represented by the general formula [I[[]
The content of the structural unit represented by the general formula [IV] is about 45 to 25 mol%. When the mol% of each structural unit [ml [IV]] is out of the above range, birefringence with respect to oblique incidence becomes large, and the optical disk substrate and the optical disk become easily charged.
芳香族ポリカーボネート共重合体からなる基板の表面固
有抵抗値は、帯電防止性を高めるため、Ｉ Ｘ １０１
０Ω未満、好ましくはＩ Ｘ １０７〜５×１０９Ω、
さらに好ましくは７．５Ｘ１０７〜２×１０９Ω程度で
あるのが好ましい。The surface resistivity value of the substrate made of aromatic polycarbonate copolymer is I
less than 0Ω, preferably I x 107 to 5 x 109Ω,
More preferably, it is about 7.5×10 7 to 2×10 9 Ω.
上記芳香族ポリカーボネート共重合体は、機械的強度及
び成形性等を損わない範囲で適宜の分子量を有していて
もよいが、通常、粘度平均分子量１．３Ｘ１０４〜５．
０Ｘ１０４程度である。粘度平均分子量が１．３Ｘ１０
４未満であると、ポリカーボネート共重合体が脆く、５
．０Ｘ１０４を越えると流動性の低下に伴い成形性が低
下する。The aromatic polycarbonate copolymer may have an appropriate molecular weight within a range that does not impair mechanical strength, moldability, etc., but usually has a viscosity average molecular weight of 1.3 x 104 to 5.
It is about 0x104. Viscosity average molecular weight is 1.3X10
If it is less than 4, the polycarbonate copolymer will be brittle;
．． When it exceeds 0x104, moldability decreases as fluidity decreases.
また芳香族ポリカーボネート共重合体のガラス転移温度
は、通常、１３０℃以上、好ましくは１３０〜１８０℃
、さらに好ましくは１３０〜１６０℃程度である。Further, the glass transition temperature of the aromatic polycarbonate copolymer is usually 130°C or higher, preferably 130 to 180°C.
, more preferably about 130 to 160°C.
光デイスク基板を構成する芳香族ポリカーボネート共重
合体は、従来慣用の方法、例えば、エステル交換法、ホ
スゲン法で製造できる。The aromatic polycarbonate copolymer constituting the optical disk substrate can be produced by conventional methods such as the transesterification method and the phosgene method.
エステル交換法では、一般式［ｍｌで表される構成単位
を有するビスフェノール化合物と一般式［ＩＶ］で表さ
れる構成単位を有するビスフェノール化合物との混合物
に対して化学量論的に当量よりやや過剰のジフェニルカ
ーボネートを添加し、通常のカーボネート化触媒の存在
下で反応させることによりポリカーボネート共重合体が
得られる。In the transesterification method, a mixture of a bisphenol compound having a structural unit represented by the general formula [ml] and a bisphenol compound having a structural unit represented by the general formula [IV] is stoichiometrically in excess of the equivalent amount. A polycarbonate copolymer is obtained by adding diphenyl carbonate and reacting in the presence of a conventional carbonation catalyst.
上記反応に際しては、反応の進行と共に、不活性雰囲気
下で順次、反応温度及び減圧度を大きくするのか好まし
い。より具体的には、反応当初は、約１６０〜１８０℃
の温度で常圧下、不活性ガスを導入しつつ約３０分反応
させ、その後、約２時間〜３時間かけて徐々に減圧しな
がら昇温し、約１８０〜２２０℃の温度下で最終的に１
０Ｔｏｒｒとし前縮合を終了する。その後、温度及び減
圧度を大きくする。例えば、圧力１０Ｔｏｒｒ、温度２
７０℃下で３０分程度、圧力５Ｔｏｒｒ、温度２７０℃
下で２０分程度反応させ、次いで、圧力０ 、 ５ Ｔ
ｏｒｒ以下、好ましくは０ 、 ３ Ｔｏｒｒ〜０ 、
Ｉ Ｔｏｒｒの減圧下、温度２７０℃程度の条・件
で１．５時間〜２゜０時間程度、後縮合することにより
ポリ・カーボネート共重合体が得られる。In the above reaction, it is preferable to gradually increase the reaction temperature and the degree of reduced pressure as the reaction progresses under an inert atmosphere. More specifically, at the beginning of the reaction, the temperature is about 160 to 180°C.
The reaction was carried out for about 30 minutes at a temperature of about 180 to 220 degrees Celsius under normal pressure while introducing an inert gas, and then the temperature was gradually increased over about 2 to 3 hours while reducing the pressure, and the final reaction was carried out at a temperature of about 180 to 220 degrees Celsius. 1
The precondensation is completed at 0 Torr. Thereafter, the temperature and degree of vacuum are increased. For example, pressure 10 Torr, temperature 2
About 30 minutes at 70℃, pressure 5 Torr, temperature 270℃
The reaction was carried out for about 20 minutes at a pressure of 0 and 5 T.
orr or less, preferably 0,3 Torr to 0,
A polycarbonate copolymer is obtained by post-condensation under reduced pressure of I Torr and at a temperature of about 270°C for about 1.5 to 2°C.
なお、カーボネート結合のためのカーボネート化触媒と
しては、リチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム
系触媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属
、アルカリ土類金属触媒が適している。より具体的には
、例えば、水酸化リチウム、炭酸リチウム、水素化ホウ
素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、
水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム、ジブチル
錫オキシド、酸化第１錫等が例示される。これらのうち
、カリウム系触媒が好ましい。As the carbonation catalyst for carbonate bonding, alkali metal or alkaline earth metal catalysts such as lithium-based catalysts, potassium-based catalysts, sodium-based catalysts, calcium-based catalysts, and tin-based catalysts are suitable. More specifically, for example, lithium hydroxide, lithium carbonate, potassium borohydride, potassium hydrogen phosphate, sodium hydroxide,
Examples include sodium borohydride, calcium hydride, dibutyltin oxide, and stannous oxide. Among these, potassium-based catalysts are preferred.
またホスゲン法では、通常、撹拌機、温度計、ガス導入
管、排気管を備えたフラスコ中で、一般式［Ｉ［［］で
表される構成単位を有するビスフェノール化合物と一般
式［ＩＶ］で表される構成単位を有するビスフェノール
化合物との混合物を有機溶媒や水酸化ナトリウム水溶液
等に溶解又は懸濁し、撹拌しながら、ホスゲンを導入す
ることにより、ポリカーボネート共重合体が得られる。In addition, in the phosgene method, usually, in a flask equipped with a stirrer, a thermometer, a gas inlet pipe, and an exhaust pipe, a bisphenol compound having a structural unit represented by the general formula [I[[] and a bisphenol compound having the general formula [IV] are mixed. A polycarbonate copolymer can be obtained by dissolving or suspending a mixture with a bisphenol compound having the structural unit shown in an organic solvent or an aqueous sodium hydroxide solution, and introducing phosgene while stirring.
なお、ホスゲン法は、慣用の方法で行なうことができる
が、具体的には次の通りである。The phosgene method can be carried out by a conventional method, specifically as follows.
上記有機溶媒としては、ピリジン、ジクロロメタン、ク
ロロホルム、テトラヒドロフランやこれらの混合溶媒が
使用できる。また反応に際しては、通常、激しく撹拌し
た状態でホスゲンを導入する。As the organic solvent, pyridine, dichloromethane, chloroform, tetrahydrofuran, or a mixed solvent thereof can be used. During the reaction, phosgene is usually introduced under vigorous stirring.
なお、ホスゲンが猛毒物質であるから強力なドラフト中
で操作する。また排気末端には、通常、例えば１０重量
％水酸化ナトリウム水溶液で余剰ホスゲンを分解して無
毒化するユニットが取付られる。またホスゲンの導入に
際しては、ボンベから、洗気びん、泡散をカウントする
ためのパラフィン等を収容した洗気びん、空の洗気びん
を通してフラスコに導入する。ピリジンのように、有機
溶媒によっては塩が生成する場合がある。この場合、ガ
ス導入管を撹拌機の上側に装着し、析出するピリジン塩
によって閉塞しないようにするため、先端を漏斗状に広
げておくのが好ましい。なお、ガス導入に伴いピリジン
の塩酸塩が析出して内容物が濁ってくる。In addition, since phosgene is a highly toxic substance, it must be operated in a strong fume hood. Further, a unit for decomposing excess phosgene to detoxify it with, for example, a 10% by weight aqueous sodium hydroxide solution is usually attached to the exhaust end. When introducing phosgene, it is introduced from the cylinder into the flask through an air washing bottle, an air washing bottle containing paraffin, etc. for counting foam, and an empty air washing bottle. Salts may be formed depending on the organic solvent, such as pyridine. In this case, it is preferable to install the gas introduction tube above the stirrer and widen the tip into a funnel shape to prevent it from being blocked by the precipitated pyridine salt. Note that as the gas is introduced, pyridine hydrochloride precipitates and the contents become cloudy.
反応温度は適宜設定できるが、通常、水冷等により反応
温度を制御しつつ、３０℃以下の温度で行なわれる。縮
合反応が進行するにつれて、内容物が粘稠になる。反応
終了後、メタノール等の貧溶媒を加えて重合体を沈澱さ
せ、濾別乾燥する。Although the reaction temperature can be set appropriately, it is usually carried out at a temperature of 30° C. or lower while controlling the reaction temperature by water cooling or the like. As the condensation reaction progresses, the contents become viscous. After the reaction is completed, a poor solvent such as methanol is added to precipitate the polymer, which is then filtered and dried.
生成したポリカーボネート共重合体は塩化メチレン、ピ
リジン、クロロホルム、テトラヒドロフラン等に溶解す
るので、これらの溶液からメタノールで再沈して精製す
る。Since the produced polycarbonate copolymer is soluble in methylene chloride, pyridine, chloroform, tetrahydrofuran, etc., it is purified by reprecipitation from these solutions with methanol.
芳香族ポリカーボネート共重合体にスルホン酸ホスホニ
ウム塩及び亜リン酸エステルを配合する方法としては、
最終成形する直前までの任意の段階で種々の手段により
行なうことができる。最も簡便な方法は、芳香族ポリカ
ーボネート共重合体と上記各成分とをトライブレンドす
る方法であるが、このトライブレンド物を溶融混合押出
してペレットとしてもよい。また所定量以上のスルホン
酸ホスホニウム塩及び亜リン酸エステルを練込んだマス
ターペレットを調製し、これを希釈用芳香族ポリカーボ
ネート共重合体と混合してもよい。As a method for blending a sulfonic acid phosphonium salt and a phosphorous acid ester into an aromatic polycarbonate copolymer,
This can be carried out by various means at any stage immediately before final molding. The simplest method is to tri-blend the aromatic polycarbonate copolymer and each of the above components, but this tri-blend may be melt-mixed and extruded to form pellets. Alternatively, a master pellet kneaded with a predetermined amount or more of sulfonic acid phosphonium salt and phosphite may be prepared, and this may be mixed with the aromatic polycarbonate copolymer for dilution.
なお、溶融混合押出しを行なう際、スルホン酸ホスホニ
ウム塩及び亜リン酸エステルの分散性を高めるのが好ま
しい。分散正を高めるには、例えば、−軸押出し機を用
いる場合にはダルメージタイプのスクリューを用いて、
又は二軸押出し機を用いて、溶融混合押出しすればよい
。In addition, when performing melt mixing extrusion, it is preferable to improve the dispersibility of the sulfonic acid phosphonium salt and the phosphite ester. In order to increase the positive dispersion, for example, when using a -screw extruder, use a Dalmage type screw,
Alternatively, melt mixing may be extruded using a twin-screw extruder.
最終成形品を得る場合、上記ブレンド物やペレットを射
出、押出し、ブロー、圧縮などの各種成形機に供給して
、常法に従って、成形すればよいが、場合によっては、
スルホン酸ホスホニウム塩及び亜リン酸エステルを成形
機で添加することもできる。成形時の樹脂温度は、通常
２２０〜３゜Ｏ℃程度に保持するのが好ましい。To obtain the final molded product, the blend or pellets may be fed to various molding machines such as injection, extrusion, blow, and compression, and molded according to conventional methods, but in some cases,
Phosphonium sulfonate salts and phosphite esters can also be added in the molding machine. The resin temperature during molding is usually preferably maintained at about 220-30°C.
スルホン酸ホスホニウム塩及び亜リン酸エステルを含有
する芳香族ポリカーボネート共重合体を用いて厚み１．
２ｍｍ程度の光デイスク基板を成形したとき、該基板の
静的帯電量は、通常５０ｍＶ未満、動的帯電量は、通常
１５０ｍＶ以下であり、高速回転下での帯電量が小さい
。従って、光ディスクの製造に際しては、帯電防止性が
高く、ディスクに塵芥や埃等が付着しないので、情報を
精度よく記録再生できる光学的に均質な光ディスクを製
造できる。なお、静的帯電量は回転前の基板の帯電量を
意味し、動的帯電量は回転速度３８００ｒｐ＊で回転さ
せたときの飽和帯電量を意味する。なお、帯電量は、温
度２０℃、相対湿度５５％の環境下での値である。An aromatic polycarbonate copolymer containing a sulfonic acid phosphonium salt and a phosphorous acid ester is used to obtain a thickness of 1.
When an optical disk substrate of about 2 mm is molded, the static charge amount of the substrate is usually less than 50 mV, the dynamic charge amount is usually 150 mV or less, and the charge amount under high speed rotation is small. Therefore, when manufacturing an optical disk, the antistatic properties are high and dirt and dust do not adhere to the disk, so it is possible to manufacture an optically homogeneous optical disk on which information can be recorded and reproduced with high accuracy. Note that the static charge amount means the charge amount of the substrate before rotation, and the dynamic charge amount means the saturation charge amount when the substrate is rotated at a rotation speed of 3800 rpm*. Note that the amount of charge is a value under an environment of a temperature of 20° C. and a relative humidity of 55%.
また光デイスク基板は、斜め入射に対する複屈折も小さ
い。従って、レーザ光により信号を記録したり、レーザ
光の反射率又は透過率の変化により記録信号を再生する
光学式情報記録用ディスク材料として有用である。The optical disk substrate also has low birefringence with respect to oblique incidence. Therefore, it is useful as an optical information recording disc material for recording signals with laser light and reproducing recorded signals by changing the reflectance or transmittance of the laser light.
なお、光デイスク基板は、従来慣用の方法で製造できる
。例えば、原盤から作製したスタンバに基づいて、特定
の比率て共重合した芳も族ポリカーボネート共重合体を
射出成形機等を用いて射出成形したり、芳香族ポリカー
ボネート共重合体からなる基板に塗布した紫外線硬化型
樹脂層をスタンパに押圧して紫外線照射により硬化させ
る、いわゆる２ Ｐ （Ｐｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒ）
法により、トラッキンググループが形成された光デイス
ク基板を作製できる。なお、基板はトラッキンググルー
プが形成されていない基板であってもよい。基板は、通
常、厚み１．２ｍｍ程度に形成される。Note that the optical disk substrate can be manufactured by a conventional method. For example, an aromatic polycarbonate copolymer copolymerized at a specific ratio may be injection molded using an injection molding machine, or a substrate made of an aromatic polycarbonate copolymer may be coated on the basis of a stand bar made from a master disc. So-called 2P (Photo-Polymer), in which an ultraviolet curable resin layer is pressed against a stamper and cured by ultraviolet irradiation.
By this method, an optical disk substrate on which tracking groups are formed can be manufactured. Note that the substrate may be a substrate on which no tracking group is formed. The substrate is usually formed to have a thickness of about 1.2 mm.
光ディスクは、光デイスク基板上に、反射膜、記録膜等
を形成することにより作製できる。反射膜及び記録膜は
、記録再生方式により適宜選択できる。反射膜は、通常
、アルミニウムのスパッタリング膜や蒸着膜等で構成で
き、記録膜は、追記型記録膜、書換型記録膜で構成でき
る。記録膜は誘電体層や保護膜等を有していてもよい。An optical disc can be manufactured by forming a reflective film, a recording film, etc. on an optical disc substrate. The reflective film and the recording film can be appropriately selected depending on the recording/reproducing method. The reflective film can usually be composed of a sputtered aluminum film or a vapor-deposited film, and the recording film can be composed of a write-once recording film or a rewritable recording film. The recording film may have a dielectric layer, a protective film, etc.
なお、反射膜や記録膜は、蒸着法、スパッタリング法、
ＣＶＤ法等の種々の成膜手段で形成できる。Note that the reflective film and recording film can be formed by vapor deposition method, sputtering method,
It can be formed by various film forming methods such as CVD method.
［発明の効果］
以上のように、本発明の光デイスク基板によれば、斜め
入射に対する複屈折が小さく、光学的均質性及び帯電防
止性に優れている。[Effects of the Invention] As described above, according to the optical disk substrate of the present invention, birefringence against oblique incidence is small, and optical homogeneity and antistatic properties are excellent.
［実施例］
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明する
。[Examples] The present invention will be described in more detail below based on Examples.
実施例１
撹拌機、温度計、ガス導入管及び排気管を備えたフラス
コに、１０重量％の水酸化ナトリウム水溶液を注入する
と共に、４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−トリフ
ェニルエタン５５モル％と、１．１′−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル） −ｍ−ジイソプロピルベンゼン４５
モル％とを投入して均一に溶解させた。次いて、ジクロ
ロメタンを添加し、激しく撹拌しながらホスゲンガスを
導入した。なお、ホスゲンは、ボンベから、空の洗気ビ
ン、水を収容した洗気ビンおよび空の洗気ビンを通して
フラスコに導入した。またホスゲンガス導入中の反応温
度は、水冷により２５℃以下に保った。Example 1 A 10% by weight aqueous sodium hydroxide solution was injected into a flask equipped with a stirrer, a thermometer, a gas inlet pipe, and an exhaust pipe, and 4,4'-dihydroxy-2,2,2-triphenylethane was added. 55 mol% and 1,1'-bis(4-hydroxyphenyl)-m-diisopropylbenzene 45
% by mole was added and uniformly dissolved. Dichloromethane was then added and phosgene gas was introduced with vigorous stirring. Note that phosgene was introduced from the cylinder into the flask through an empty air washing bottle, an air washing bottle containing water, and an empty air washing bottle. Further, the reaction temperature during the introduction of phosgene gas was maintained at 25° C. or lower by water cooling.
反応終了後、反応溶液をメタノールに注入し、濾別、水
洗し、この操作を繰返した。そして、精製した芳香族ポ
リカーボネート共重合体をジクロロメタンに溶解し、メ
タノールに注入して再沈し、精製し、乾燥した。After the reaction was completed, the reaction solution was poured into methanol, filtered, washed with water, and this operation was repeated. Then, the purified aromatic polycarbonate copolymer was dissolved in dichloromethane, poured into methanol, reprecipitated, purified, and dried.
得られた芳香族ポリカーボネート共重合体は、粘度平均
分子量１６５００．熱分解温度４４９℃、ガラス転移温
度１３６℃であった。なお、粘度平均分子量は、ジクロ
ロメタンを溶媒として温度２０℃における溶液粘度から
算出した。熱分解温度はＴＧ−ＤＴＡ （理学電機■製
、商品名サーモフレックス）、ガラス転移温度は示差走
査熱量計（パーキン−エルマー社製、商品名ＤＳＣ−２
Ｃ）を用いて測定した。The obtained aromatic polycarbonate copolymer had a viscosity average molecular weight of 16,500. The thermal decomposition temperature was 449°C, and the glass transition temperature was 136°C. Note that the viscosity average molecular weight was calculated from the solution viscosity at a temperature of 20° C. using dichloromethane as a solvent. Thermal decomposition temperature was measured using TG-DTA (manufactured by Rigaku Denki, trade name: Thermoflex), and glass transition temperature was measured using a differential scanning calorimeter (manufactured by Perkin-Elmer, trade name: DSC-2).
C).
実施例２
４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−）リフェニルエ
タン６０モル％と、１．１’−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル） −ｍ−ジイソプロピルベンゼン４０モル％と
を用いる以外、上記実施例１と同様にして芳香族ポリカ
ーボネート共重合体を得た。この芳香族ポリカーボネー
ト共重合体は、粘度平均分子量１６４００、熱分解温度
４５１℃、ガラス転移温度１３８℃であった。Example 2 Except for using 60 mol% of 4.4'-dihydroxy-2,2,2-)liphenylethane and 40 mol% of 1.1'-bis(4-hydroxyphenyl)-m-diisopropylbenzene. An aromatic polycarbonate copolymer was obtained in the same manner as in Example 1 above. This aromatic polycarbonate copolymer had a viscosity average molecular weight of 16,400, a thermal decomposition temperature of 451°C, and a glass transition temperature of 138°C.
実施例３
４．４′−ジヒドロキシ−２，２，２−トリフェニルエ
タン７５モル％と、１．１’−ビス（４ヒドロキシフエ
ニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン２５モル％とを用
いる以外、上記実施例１と同様にして芳香族ポリカーボ
ネート共重合体を得た。この共重合体は、粘度平均分子
量１７０００、熱分解温度４５３℃、ガラス転移温度１
６０℃であった。Example 3 The above except using 75 mol% of 4.4'-dihydroxy-2,2,2-triphenylethane and 25 mol% of 1.1'-bis(4hydroxyphenyl)-m-diisopropylbenzene. An aromatic polycarbonate copolymer was obtained in the same manner as in Example 1. This copolymer has a viscosity average molecular weight of 17,000, a thermal decomposition temperature of 453°C, and a glass transition temperature of 1.
The temperature was 60°C.
比較例１
１．１′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ｍ−ジイソ
プロピルベンゼンを１００モル％用いる以外、上記実施
例１と同様にして芳香族ポリカーボネートを得た。芳香
族ポリカーボネートは、粘度平均分子量２４８００．熱
分解温度４３５℃、ガラス転移温度１０２℃であった。Comparative Example 1 An aromatic polycarbonate was obtained in the same manner as in Example 1, except that 100 mol% of 1.1'-bis(4-hydroxyphenyl)m-diisopropylbenzene was used. The aromatic polycarbonate has a viscosity average molecular weight of 24,800. The thermal decomposition temperature was 435°C, and the glass transition temperature was 102°C.
比較例２
ビスフェノールＡ型ポリカーボネート（蛮人化成■製、
商品名ＡＤ−５５０３）を用いた。Comparative Example 2 Bisphenol A type polycarbonate (manufactured by Banjin Kasei ■,
(trade name: AD-5503) was used.
各実施例及び各比較例の芳香族ポリカーボネト１００重
量部に対してドデシルスルホン酸テトラブチルホスホニ
ウム塩３重量部、およびモノオクチルジフェニルフォス
ファイト０．１重量部を添加し、射出成形機（名機製作
所製、ダイナメルター）を用いて、成形温度３４０℃、
射出圧力８００ ｋｌｆ ／ ｃｊ、金型温度１２０℃
の条件で、直径１３０ ｍｍ、厚み１．２ｍｍの円盤状
基板を作製した。3 parts by weight of tetrabutylphosphonium dodecylsulfonate and 0.1 part by weight of monooctyl diphenyl phosphite were added to 100 parts by weight of the aromatic polycarbonate of each Example and Comparative Example. Using a Dynamelter manufactured by Seisakusho, the molding temperature was 340°C.
Injection pressure 800klf/cj, mold temperature 120℃
A disk-shaped substrate with a diameter of 130 mm and a thickness of 1.2 mm was prepared under the following conditions.
そして、基板の硬度を鉛筆硬度として調べると共に、吸
水率を、温度２５℃の水中に２４時間浸漬後の値として
求めた。屈折率を、アツベ屈折計（アタゴ社製）を用い
て可視光で測定した。基板の光弾性定数及び複屈折を波
長６３３ｎｓ、入射角３０°の条件で測定した。また基
板の引張強度及び伸びをＡＳＴＭ Ｄ ６３８に準
拠して、アイゾツト衝撃強度をＡＳＴＭ Ｄ ２５
６に準拠して、全光線透過率をＡＳＴＭ Ｄ １０
０３に準拠して測定した。Then, the hardness of the substrate was examined as a pencil hardness, and the water absorption rate was determined as a value after being immersed in water at a temperature of 25° C. for 24 hours. The refractive index was measured using visible light using an Atsbe refractometer (manufactured by Atago Corporation). The photoelastic constant and birefringence of the substrate were measured at a wavelength of 633 ns and an incident angle of 30°. In addition, the tensile strength and elongation of the substrate were determined according to ASTM D 638, and the Izot impact strength was determined according to ASTM D 25.
Total light transmittance in accordance with ASTM D 10
It was measured in accordance with 03.
さらに、光デイスク基板の表面固有抵抗を、１×１Ｏｒ
２Ωまでのものについては、表面固有抵抗測定器（日本
電気■製、タイプＴＲ−２）で測定し、１×１０＋２Ω
以上のものについては、従来慣用の表面固有測定器で測
定した。Furthermore, the surface resistivity of the optical disk substrate is set to 1×1Or
For items up to 2Ω, measure with a surface resistivity measuring device (manufactured by NEC ■, type TR-2), and it will be 1 x 10 + 2Ω.
The above items were measured using a conventional surface specific measuring device.
また光デイスク基板の帯電特性は、静電気帯電減衰測定
器（サイトウ技研■製、商品名タイプＳ−４１０４）を
用いて、温度２０℃、相対湿度５５％の環境下で、基板
を回転させる前の静的帯電量と、３６００ｒｐ−で回転
させた後の動的帯電量である飽和帯電量を測定した。In addition, the charging characteristics of the optical disk substrate were measured using an electrostatic charge attenuation measuring device (manufactured by Saito Giken, product name type S-4104) before rotating the substrate under an environment of a temperature of 20°C and a relative humidity of 55%. A static charge amount and a saturated charge amount, which is a dynamic charge amount after rotating at 3600 rpm, were measured.
結果を表に示す。The results are shown in the table.
（以下、余白）
この表から明らかなように、実施例１〜３の芳香族ポリ
カーボネート共重合体にスルホン酸ホスホニウム塩及び
亜リン酸エステルを添加した基板及び光ディスクは、各
比較例のポリカーボネートに比べて、斜め入射時の複屈
折及び帯電量が著しく小さいたけてなく、機械的特性な
どにも優れている。(Hereinafter, blank space) As is clear from this table, the substrates and optical disks prepared by adding sulfonic acid phosphonium salt and phosphite to the aromatic polycarbonate copolymers of Examples 1 to 3 are superior to the polycarbonate of each comparative example. Therefore, the birefringence and charge amount at oblique incidence are extremely small, and the mechanical properties are also excellent.
Claims (1)
I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ （式中、Ｒ＾１は炭素数１〜４０のアルキル基、または
置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｒ＾２、
Ｒ＾３、Ｒ＾４及びＲ＾５は、同一または異なって、水
素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、またはアリール
基を示す）で表されるスルホン酸ホスホニウム塩と、亜
リン酸エステルとを含有することを特徴とする光ディス
ク基板。 ２、芳香族ポリカーボネート共重合体１００重量部に対
して、スルホン酸ホスホニウム塩０．１〜２０重量部、
および亜リン酸エステル０．０１〜１重量部含有する請
求項１記載の光ディスク基板。 ３、芳香族ポリカーボネート共重合体が、４、４′−ジ
ヒドロキシ−２、２、２−トリフェニルエタン５５〜７
５モル％と、１、１′−ビス（４−ヒドロキシフェニル
）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン４５〜２５モル％とが
カーボネート結合した芳香族ポリカーボネート共重合体
である請求項１または請求項２記載の光ディスク基板。[Scope of Claims] 1. An aromatic polycarbonate copolymer and the following general formula [
I] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼[I] (In the formula, R^1 represents an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms or an aryl group that may have a substituent, and R^2 ,
R^3, R^4 and R^5 are the same or different and represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an aryl group) and a phosphonium sulfonate salt, and a phosphorous acid ester An optical disc substrate comprising: 2. 0.1 to 20 parts by weight of sulfonic acid phosphonium salt per 100 parts by weight of aromatic polycarbonate copolymer,
The optical disc substrate according to claim 1, further comprising 0.01 to 1 part by weight of phosphite. 3. The aromatic polycarbonate copolymer is 4,4'-dihydroxy-2,2,2-triphenylethane 55-7
The optical disc according to claim 1 or 2, which is an aromatic polycarbonate copolymer in which 5 mol % and 45 to 25 mol % of 1,1'-bis(4-hydroxyphenyl)-m-diisopropylbenzene are carbonate bonded. substrate.
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