JPH03238455A - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
- Publication number
- JPH03238455A JPH03238455A JP2035404A JP3540490A JPH03238455A JP H03238455 A JPH03238455 A JP H03238455A JP 2035404 A JP2035404 A JP 2035404A JP 3540490 A JP3540490 A JP 3540490A JP H03238455 A JPH03238455 A JP H03238455A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light shielding
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- pattern
- area
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- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造に使用されるレチクルに
関する。
関する。
半導体集積回路の微細化、高密度化に伴って、ウェハー
に回路パターンを焼き付ける露光機は、コンタクトアラ
イナ−、ミラープロジェクションアライナ−等からステ
ッパーへ変ってきた。ステッパーでは、ウェハー上のパ
ターンサイズの５〜１０倍のパターンサイズを有するレ
チクルか使用される。
に回路パターンを焼き付ける露光機は、コンタクトアラ
イナ−、ミラープロジェクションアライナ−等からステ
ッパーへ変ってきた。ステッパーでは、ウェハー上のパ
ターンサイズの５〜１０倍のパターンサイズを有するレ
チクルか使用される。
このレチクルは、第３図に示すように、透明ガラス基板
上にクロム、酸化クロム等の金属膜で回路パターン領域
１．スクライブ線領域２及び斜線を施した遮光領域３を
形成したものである。レチクルの作成方法は、透明ガラ
ス基板上にクロム。
上にクロム、酸化クロム等の金属膜で回路パターン領域
１．スクライブ線領域２及び斜線を施した遮光領域３を
形成したものである。レチクルの作成方法は、透明ガラ
ス基板上にクロム。
酸化クロム等の金属膜が形成されたマスク基板に放射線
感応レジストを形成した後、電子ビーム描画装置等によ
り所望部分を選択的に描画し、次いで現像、エツチング
、レジスト剥離等のプロセス処理を施すことにより完成
する。
感応レジストを形成した後、電子ビーム描画装置等によ
り所望部分を選択的に描画し、次いで現像、エツチング
、レジスト剥離等のプロセス処理を施すことにより完成
する。
ここで電子ビームが照射された部分が後の現像処理によ
り除去される、いわゆるポジ型電子ビームレジストを用
いた場合、回路パターン領域及びスクライブ線領域を描
画するだけで遮光領域は、未照射のため、完成したレチ
クルはスクライブ線の外周にすべて遮光用金属膜が残っ
た状態になる。
り除去される、いわゆるポジ型電子ビームレジストを用
いた場合、回路パターン領域及びスクライブ線領域を描
画するだけで遮光領域は、未照射のため、完成したレチ
クルはスクライブ線の外周にすべて遮光用金属膜が残っ
た状態になる。
ところでこの遮光領域３は、レチクルをステッパーにセ
ットし、ステップアンドリピートした時に周辺に光がも
れるのを防止するためのものであるから、この領域は回
路パターン領域と同様に欠陥があってはならない。
ットし、ステップアンドリピートした時に周辺に光がも
れるのを防止するためのものであるから、この領域は回
路パターン領域と同様に欠陥があってはならない。
上述したようにレチクルにおいては、遮光領域について
もポジ型レジストを用いて作成した従来のレチクルには
、必要とされる遮光領域を示すパターンがない為、本来
、欠陥検査を行なわなければならないスクライブ線領域
の外周数關の範囲以外の余分な検査をしたり、あるいは
必要な領域を検査せずに欠陥を見逃すという不都合かあ
った。
もポジ型レジストを用いて作成した従来のレチクルには
、必要とされる遮光領域を示すパターンがない為、本来
、欠陥検査を行なわなければならないスクライブ線領域
の外周数關の範囲以外の余分な検査をしたり、あるいは
必要な領域を検査せずに欠陥を見逃すという不都合かあ
った。
本発明のレチクルは、透明基板の一生面に形成された回
路パターン領域と、この回路パターン領域の周囲に設け
られたスクライブ線領域と、このスクライブ線領域の周
囲に設けられた遮光領域とから成るレチクルにおいて、
前記遮光領域内に最小限必要とされる遮光範囲を規定す
る為のパターンを形成したものである。
路パターン領域と、この回路パターン領域の周囲に設け
られたスクライブ線領域と、このスクライブ線領域の周
囲に設けられた遮光領域とから成るレチクルにおいて、
前記遮光領域内に最小限必要とされる遮光範囲を規定す
る為のパターンを形成したものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の上面図である。
ポジ型電子線レジストが形成されたマスク基板に、電子
ビーム描画装置を用いてパターン描画する際に、回路パ
ターン領域１及びスクライブ線領域２に加えて、ステッ
パーで縮少投影露光したときに回路パターン領域１及び
スクライブ線領域２を含むパターン領域の外周からの光
のもれを防止する為の、最小限必要とされる３關〜８
＋ｕ＋幅の遮光領域３Ａの範囲を規定するパターン４を
１０〜２００μｍの幅で描画する０次いで通常のプロセ
ス処理を実施すると、第１図に示したレチクルが完成す
る。
ビーム描画装置を用いてパターン描画する際に、回路パ
ターン領域１及びスクライブ線領域２に加えて、ステッ
パーで縮少投影露光したときに回路パターン領域１及び
スクライブ線領域２を含むパターン領域の外周からの光
のもれを防止する為の、最小限必要とされる３關〜８
＋ｕ＋幅の遮光領域３Ａの範囲を規定するパターン４を
１０〜２００μｍの幅で描画する０次いで通常のプロセ
ス処理を実施すると、第１図に示したレチクルが完成す
る。
このように構成されたレチクルは、遮光領域３の欠陥を
検査する際、遮光範囲規定パターン４の内側のみを検査
すればよいことになり、必要な遮光領域の範囲を短時間
で検査できる。
検査する際、遮光範囲規定パターン４の内側のみを検査
すればよいことになり、必要な遮光領域の範囲を短時間
で検査できる。
第２図は本発明の第２の実施例の上面図である。
本第２の実施例は、遮光範囲を規定するパター＞’４Ａ
を、最小限必要とされる遮光領域３Ａのコーナ一部の４
ケ所に形成したものである。遮光領域の欠陥検査を金属
顕微鏡による肉眼検査で行なわすに自動欠陥検査装置を
用いて行なう場合は本実施例のパターンでも欠陥検査は
可能である。
を、最小限必要とされる遮光領域３Ａのコーナ一部の４
ケ所に形成したものである。遮光領域の欠陥検査を金属
顕微鏡による肉眼検査で行なわすに自動欠陥検査装置を
用いて行なう場合は本実施例のパターンでも欠陥検査は
可能である。
本第２の実施例では遮光範囲規定パターン４Ａの面積が
小さい為、電子ビーム描画装置による描画時間が少なく
てすむという利点がある。
小さい為、電子ビーム描画装置による描画時間が少なく
てすむという利点がある。
以上説明したように本発明は、スクライブ線領域の周囲
に設けられた遮光領域内に、最小限必要とされる遮光範
囲を規定する為のパターンを形成することにより、遮光
領域の欠陥検査を効率よ〈実施できるという効果がある
。
に設けられた遮光領域内に、最小限必要とされる遮光範
囲を規定する為のパターンを形成することにより、遮光
領域の欠陥検査を効率よ〈実施できるという効果がある
。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の上
面図、第３図は従来のレチクルの上面図である。 １・・・回路パターン領域、２・・・スクライブ線領域
、３・・・遮光領域、３Ａ・・・規定された遮光領域、
４．４Ａ・・・遮光範囲規定パターン。
面図、第３図は従来のレチクルの上面図である。 １・・・回路パターン領域、２・・・スクライブ線領域
、３・・・遮光領域、３Ａ・・・規定された遮光領域、
４．４Ａ・・・遮光範囲規定パターン。
Claims (1)
- 透明基板の一主面に形成された回路パターン領域と、こ
の回路パターン領域の周囲に設けられたスクライブ線領
域と、このスクライブ線領域の周囲に設けられた遮光領
域とから成るレチクルにおいて、前記遮光領域内に最小
限必要とされる遮光範囲を規定する為のパターンを形成
したことを特徴とするレチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035404A JPH03238455A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2035404A JPH03238455A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238455A true JPH03238455A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12440966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2035404A Pending JPH03238455A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03238455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477700B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Reticle having discriminative pattern narrower in pitch than the minimum pattern width but wider than minimum width in the pattern recognition |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2035404A patent/JPH03238455A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477700B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Reticle having discriminative pattern narrower in pitch than the minimum pattern width but wider than minimum width in the pattern recognition |
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