JPH03233930A - 半導体装置の洗浄方法 - Google Patents
半導体装置の洗浄方法Info
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- JPH03233930A JPH03233930A JP3003590A JP3003590A JPH03233930A JP H03233930 A JPH03233930 A JP H03233930A JP 3003590 A JP3003590 A JP 3003590A JP 3003590 A JP3003590 A JP 3003590A JP H03233930 A JPH03233930 A JP H03233930A
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- cleaning
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
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- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の洗浄工程における必要にして充分な洗浄時
間の管理方法に関し、 必要にして充分な洗浄時間を定めることが可能となる半
導体装置の洗浄方法の提供を目的とし、洗浄槽の中に被
洗浄物を載置し、前記洗浄槽の洗浄液供給口から洗浄液
を供給し、洗浄液排出口から洗浄液を排出して前記被洗
浄物を洗浄する方法において、前記洗浄槽内に前記洗浄
液の品質を検知する手段を設け、前記洗浄液の品質が初
期状態に復帰したことを検知することにより洗浄時間の
管理を行うよう構成する。
間の管理方法に関し、 必要にして充分な洗浄時間を定めることが可能となる半
導体装置の洗浄方法の提供を目的とし、洗浄槽の中に被
洗浄物を載置し、前記洗浄槽の洗浄液供給口から洗浄液
を供給し、洗浄液排出口から洗浄液を排出して前記被洗
浄物を洗浄する方法において、前記洗浄槽内に前記洗浄
液の品質を検知する手段を設け、前記洗浄液の品質が初
期状態に復帰したことを検知することにより洗浄時間の
管理を行うよう構成する。
本発明は、半導体装置の洗浄工程における必要にして充
分な洗浄時間の管理方法に関するものである。
分な洗浄時間の管理方法に関するものである。
近年の素子パターンが高密度化し、半導体基板が大口径
化した半導体装置の製造工程においては、半導体基板の
適切な洗浄を行うことが必要になってきている。
化した半導体装置の製造工程においては、半導体基板の
適切な洗浄を行うことが必要になってきている。
以上のような状況から、半導体装置の洗浄処理を適切に
行うことが可能な半導体装置の洗浄方法が要望されてい
る。
行うことが可能な半導体装置の洗浄方法が要望されてい
る。
従来の半導体装置の洗浄方法を第2図により説明する。
従来の半導体装置の製造工程における洗浄処理に用いる
洗浄槽11は、第2図に示すような洗浄液供給口11a
と洗浄液排出口11bとを備えており、洗浄槽11の中
の仕切板11cの上には半導体ウェーハ4を搭載したウ
ェーハバスケット3を載置している。仕切Fillcl
こは純水が通過する小孔が設けられ、図において矢印に
て示す上向きの水流が生しるようになっている。
洗浄槽11は、第2図に示すような洗浄液供給口11a
と洗浄液排出口11bとを備えており、洗浄槽11の中
の仕切板11cの上には半導体ウェーハ4を搭載したウ
ェーハバスケット3を載置している。仕切Fillcl
こは純水が通過する小孔が設けられ、図において矢印に
て示す上向きの水流が生しるようになっている。
この洗浄液供給口11aから純水を供給し、仕切板11
cの小孔を通過した純水の上向きの水流によって前工程
において半導体ウェーハ4に付着した薬液等を除去し、
純水を洗浄液排出口11bからオーバーフローさせて排
出している。
cの小孔を通過した純水の上向きの水流によって前工程
において半導体ウェーハ4に付着した薬液等を除去し、
純水を洗浄液排出口11bからオーバーフローさせて排
出している。
この場合の洗浄時間は、被洗浄物の品質を確保するため
に、薬液が半導体ウェー八に残存する障害が発生ずる度
に長くなる傾向があった。
に、薬液が半導体ウェー八に残存する障害が発生ずる度
に長くなる傾向があった。
以上説明した従来の半導体装置の洗浄方法においては適
切な洗浄時間を定めることが困難なために、薬液が半導
体ウェーハに残存する障害が発生する度に洗浄時間が長
くなり、純水の使用量が増加するという問題点があった
。
切な洗浄時間を定めることが困難なために、薬液が半導
体ウェーハに残存する障害が発生する度に洗浄時間が長
くなり、純水の使用量が増加するという問題点があった
。
本発明は以上のような状況から、必要にして充分な洗浄
時間を定めることが可能となる半導体装置の洗浄方法の
提供を目的としたものである。
時間を定めることが可能となる半導体装置の洗浄方法の
提供を目的としたものである。
本発明の半導体装置の洗浄方法は、洗浄槽の中に被洗浄
物を載置し、この洗浄槽の洗浄液供給口から洗浄液を供
給し、洗浄液排出口から洗浄液を排出してこの被洗浄物
を洗浄する方法において、この洗浄槽内に洗浄液の品質
を検知する手段を設け、この洗浄液の品質が初期状態に
復帰したことを検知することにより洗浄時間の管理を行
うよう構成する。
物を載置し、この洗浄槽の洗浄液供給口から洗浄液を供
給し、洗浄液排出口から洗浄液を排出してこの被洗浄物
を洗浄する方法において、この洗浄槽内に洗浄液の品質
を検知する手段を設け、この洗浄液の品質が初期状態に
復帰したことを検知することにより洗浄時間の管理を行
うよう構成する。
4
〔作用)
即ち本発明においては、被洗浄物を洗浄槽の中に載置し
、この洗浄槽の洗浄液供給口から洗浄液を供給し、仕切
板1cの小孔を通過する上向きの水流により被洗浄物を
洗浄して前工程において半導体ウェーハ4に付着した薬
液等を除去しており、この洗浄槽内にこの洗浄液の品質
を検知する手段を設けているから、洗浄液の品質が初期
状態に復帰したことをこの手段によって検知することが
できるので、洗浄時間の適切な管理を行うことが可能と
なる。
、この洗浄槽の洗浄液供給口から洗浄液を供給し、仕切
板1cの小孔を通過する上向きの水流により被洗浄物を
洗浄して前工程において半導体ウェーハ4に付着した薬
液等を除去しており、この洗浄槽内にこの洗浄液の品質
を検知する手段を設けているから、洗浄液の品質が初期
状態に復帰したことをこの手段によって検知することが
できるので、洗浄時間の適切な管理を行うことが可能と
なる。
以下本発明による一実施例の半導体装置の洗浄方法につ
いて第1図により詳細に説明する。
いて第1図により詳細に説明する。
半導体装置の製造工程における本実施例の洗浄処理に用
いる洗浄槽1は、第1図に示すような洗浄液供給口1a
と洗浄液排出口1bとを備えており、洗浄槽1の中の仕
切板ICの上には半導体ウェーハ4を搭載したウェーハ
バスケット3を載置している。仕切板ICには純水が通
過する小孔が設けられ、図において矢印にて示す上向き
の水流が生じるようになっている。
いる洗浄槽1は、第1図に示すような洗浄液供給口1a
と洗浄液排出口1bとを備えており、洗浄槽1の中の仕
切板ICの上には半導体ウェーハ4を搭載したウェーハ
バスケット3を載置している。仕切板ICには純水が通
過する小孔が設けられ、図において矢印にて示す上向き
の水流が生じるようになっている。
この洗浄液供給口1aから洗浄液、本実施例では純水を
供給し、前工程において半導体ウェーハ4に付着した薬
液等を仕切板1cの小孔を通過した純水の上向きの水流
によって除去し、純水を洗浄液排出口1bからオーバー
フローさせて排出している。
供給し、前工程において半導体ウェーハ4に付着した薬
液等を仕切板1cの小孔を通過した純水の上向きの水流
によって除去し、純水を洗浄液排出口1bからオーバー
フローさせて排出している。
本実施例では、洗浄槽1内の洗浄液排出口1bの近傍に
比抵抗検知器2bを設け、洗浄処理中の純水の比抵抗を
比抵抗検知器2bと接続されている比抵抗計本体2aに
より測定している。
比抵抗検知器2bを設け、洗浄処理中の純水の比抵抗を
比抵抗検知器2bと接続されている比抵抗計本体2aに
より測定している。
このような状態で半導体ウェーハ4の洗浄を行うと、半
導体ウェーハ4に付着している薬液が純水中に拡散して
一度比抵抗値が小となり、洗浄工程が進むのに従ってこ
の比抵抗値が大となり、初期状態の純水の比抵抗値とほ
ぼ同じになれば、半導体ウェーハ4が完全に洗浄された
ことになるから、この時点で洗浄工程を終了させると、
最小の純水の使用量で半導体ウェーハ4の薬液による汚
染に起因する半導体ウェーハ4の品質低下を防止するこ
とが可能となる。
導体ウェーハ4に付着している薬液が純水中に拡散して
一度比抵抗値が小となり、洗浄工程が進むのに従ってこ
の比抵抗値が大となり、初期状態の純水の比抵抗値とほ
ぼ同じになれば、半導体ウェーハ4が完全に洗浄された
ことになるから、この時点で洗浄工程を終了させると、
最小の純水の使用量で半導体ウェーハ4の薬液による汚
染に起因する半導体ウェーハ4の品質低下を防止するこ
とが可能となる。
本実施例においては比抵抗値によって洗浄時間を管理し
ているが、P I(計を用いて純水のP H値を測定す
ることにより、洗浄時間の管理を行うことも可能である
。
ているが、P I(計を用いて純水のP H値を測定す
ることにより、洗浄時間の管理を行うことも可能である
。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
簡単な洗浄液の品質を検知する手段を洗浄槽に設けるこ
とにより、洗浄液の品質が初期状態に復帰したことを検
知し、必要かつ充分な洗浄時間で被洗浄物を洗浄するこ
とが可能となり、無駄な洗浄液を使用せずに被洗浄物の
品質を確保できる確実な洗浄を行うことが可能となる等
の利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が
期待できる半導体装置の洗浄方法の提供が可能となる。
簡単な洗浄液の品質を検知する手段を洗浄槽に設けるこ
とにより、洗浄液の品質が初期状態に復帰したことを検
知し、必要かつ充分な洗浄時間で被洗浄物を洗浄するこ
とが可能となり、無駄な洗浄液を使用せずに被洗浄物の
品質を確保できる確実な洗浄を行うことが可能となる等
の利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が
期待できる半導体装置の洗浄方法の提供が可能となる。
第1図は本発明による一実施例に用いる洗浄槽を示す図
、 第2図は従来の半導体装置の洗浄に用いる洗浄槽を示す
図、 である。 図において、 1は洗浄槽、 1aは洗浄液供給口、 1bは洗浄液排出口、 1cは仕切板、 2aは比抵抗計本体、 2bは比抵抗検知器、 3はウェーハバスケット、 4は半導体ウェーハ、 を示す。
、 第2図は従来の半導体装置の洗浄に用いる洗浄槽を示す
図、 である。 図において、 1は洗浄槽、 1aは洗浄液供給口、 1bは洗浄液排出口、 1cは仕切板、 2aは比抵抗計本体、 2bは比抵抗検知器、 3はウェーハバスケット、 4は半導体ウェーハ、 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 洗浄槽(1)の中に被洗浄物(4)を載置し、前記洗浄
槽(1)の洗浄液供給口(1a)から洗浄液を供給し、
洗浄液排出口(1b)から洗浄液を排出して前記被洗浄
物(4)を洗浄する方法において、 前記洗浄槽(1)内に前記洗浄液の品質を検知する手段
(2b)を設け、前記洗浄液の品質が初期状態に復帰し
たことを検知することにより洗浄時間の管理を行うこと
を特徴とする半導体装置の洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3003590A JPH03233930A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3003590A JPH03233930A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体装置の洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03233930A true JPH03233930A (ja) | 1991-10-17 |
Family
ID=12292567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3003590A Pending JPH03233930A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03233930A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5791357A (en) * | 1996-06-06 | 1998-08-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Support jig for thin circular objects |
-
1990
- 1990-02-08 JP JP3003590A patent/JPH03233930A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5791357A (en) * | 1996-06-06 | 1998-08-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Support jig for thin circular objects |
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