JPH03229213A - 光制御素子 - Google Patents
光制御素子Info
- Publication number
- JPH03229213A JPH03229213A JP2220790A JP2220790A JPH03229213A JP H03229213 A JPH03229213 A JP H03229213A JP 2220790 A JP2220790 A JP 2220790A JP 2220790 A JP2220790 A JP 2220790A JP H03229213 A JPH03229213 A JP H03229213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- buffer layer
- band
- control element
- silicon dioxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 6
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 abstract description 5
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、光通信分野、光情報処理分野または光応用計
測分野に使用して好適な、広帯域で動作速度が速（、か
つ駆動電圧が低い光制御素子に関するものである。
測分野に使用して好適な、広帯域で動作速度が速（、か
つ駆動電圧が低い光制御素子に関するものである。
［従来の技術１
従来の光制御素子の一例として、第５図（Ａ）および（
Ｂ）に示すマツハ・ツエンダ形光強度変調器について以
下に述べる。
Ｂ）に示すマツハ・ツエンダ形光強度変調器について以
下に述べる。
第５図（Ａ）および（Ｂ）において、例えばＬｉＮｂＯ
５などの電気光学効果を有する基板１の一方の主面に、
例えばＴｉ拡散法などにより光導波路２を形成し、その
主面の上に、バッファ層３を介在させて中心電極４およ
びアース電極５を形成することにより光変調器が形成さ
れる。これら電極４と５との間に変調用マイクロ波信号
給電線７を通じて電気変調信号を印加することにより、
入力光が変調されて出力光信号が得られる。６は電極４
と５との間に接続した終端抵抗である。
５などの電気光学効果を有する基板１の一方の主面に、
例えばＴｉ拡散法などにより光導波路２を形成し、その
主面の上に、バッファ層３を介在させて中心電極４およ
びアース電極５を形成することにより光変調器が形成さ
れる。これら電極４と５との間に変調用マイクロ波信号
給電線７を通じて電気変調信号を印加することにより、
入力光が変調されて出力光信号が得られる。６は電極４
と５との間に接続した終端抵抗である。
このような構成の光変調器の変調帯域幅（Δｆ）は、主
に光波と電気信号波との素子通過速度により決まり、例
えば井筒、末日により電子通信学会論文誌Ｖｏ１．Ｊ６
４−ＣＮｏ、 ４． ｐｐ、 ２６４−２７１．１９８
１に述べられているように、次式により示される。
に光波と電気信号波との素子通過速度により決まり、例
えば井筒、末日により電子通信学会論文誌Ｖｏ１．Ｊ６
４−ＣＮｏ、 ４． ｐｐ、 ２６４−２７１．１９８
１に述べられているように、次式により示される。
Δｆ＝１．９ｃ／（πｌｎ＋ｍ−ｎａｌＬ）Ｃ：光速
ｎ、、：電気信号波に対する実効屈折率ｎ０：光波に対
する等低屈折率 Ｌ：電極長 なお、ここで変調帯域幅（Δｆ）は、光電力における３
ｄＢ変調帯域幅で示している。上記参考文献では、前記
光電力が受光器により電気に変換されたときの電気レベ
ルにおける３ｄＢ変調帯域幅で表していたため、上式の
係数１．９は参考文献の係数１．４を変換したものであ
る。
する等低屈折率 Ｌ：電極長 なお、ここで変調帯域幅（Δｆ）は、光電力における３
ｄＢ変調帯域幅で示している。上記参考文献では、前記
光電力が受光器により電気に変換されたときの電気レベ
ルにおける３ｄＢ変調帯域幅で表していたため、上式の
係数１．９は参考文献の係数１．４を変換したものであ
る。
上記従来例のような構造では、一般にｎ、≠００であり
、速度差による帯域幅制限を受け、例えば、ＬｉＮｂＯ
５光変調器では進行波形電極を用いて電極損失を無損失
としても、Δｆ＝８．７ＧＨｚ／ｃｍとなり、光制御素
子の高速・広帯域化に限界があった。
、速度差による帯域幅制限を受け、例えば、ＬｉＮｂＯ
５光変調器では進行波形電極を用いて電極損失を無損失
としても、Δｆ＝８．７ＧＨｚ／ｃｍとなり、光制御素
子の高速・広帯域化に限界があった。
光制御素子の広帯域・高速化限界を打破するためには、
ｎ、とｎｏを等しくする、すなわち、完全速度整合を図
る必要がある。第６図（Ａ）および（Ｂ）は本発明者等
が先の出願の特願平１−３９１６２号において開示した
完全速度整合を−る光変調器の一実施例である。第６図
（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、この先願例における
平面図およびそのＡＡ’線断面の一部拡大断面図である
。なお、第６図（Ａ）の平面図ではシールド導体９を省
略している。
ｎ、とｎｏを等しくする、すなわち、完全速度整合を図
る必要がある。第６図（Ａ）および（Ｂ）は本発明者等
が先の出願の特願平１−３９１６２号において開示した
完全速度整合を−る光変調器の一実施例である。第６図
（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、この先願例における
平面図およびそのＡＡ’線断面の一部拡大断面図である
。なお、第６図（Ａ）の平面図ではシールド導体９を省
略している。
かかる先願の実施例では、２本の光導波路２を具えた電
気光学効果を有するＬｉＮｂ０ｍ基板１の一方の主面上
に、厚いバッファ層３を介して進行波電極としての中心
電極４およびアース電極５を配置し、さらに、光導波路
２と進行波電極４，５とが相互作用する領域の近傍にオ
ーバレイ８を介してシールド導体９を配置する。このよ
うな構造の光変調器において、中心電極４の幅２Ｗを８
μｍ、電極４と５の間のギャップ幅２Ｇを１５μｍ、
Ｓｉｎ、であるバッファ層３の厚みＤを１．２μｍとし
た場合、空気であるオーバレイ８の厚さを１０μｍ以下
の適切な値に設定したときに、数ｌＯ〜数１００ＧＨｚ
の広帯域光変調器を実現できることを示した。
気光学効果を有するＬｉＮｂ０ｍ基板１の一方の主面上
に、厚いバッファ層３を介して進行波電極としての中心
電極４およびアース電極５を配置し、さらに、光導波路
２と進行波電極４，５とが相互作用する領域の近傍にオ
ーバレイ８を介してシールド導体９を配置する。このよ
うな構造の光変調器において、中心電極４の幅２Ｗを８
μｍ、電極４と５の間のギャップ幅２Ｇを１５μｍ、
Ｓｉｎ、であるバッファ層３の厚みＤを１．２μｍとし
た場合、空気であるオーバレイ８の厚さを１０μｍ以下
の適切な値に設定したときに、数ｌＯ〜数１００ＧＨｚ
の広帯域光変調器を実現できることを示した。
〔発明が解決しようとする課題Ｊ
このような先願実施例の光制御素子では、速度不整合を
軽減するために厚いバッファ層３が必要となるので、光
波とマイクロ波の相互作用が疎になり、動作波長１．５
μｍ帯において駆動電圧を５Ｖ以下とするために相互作
用長（電極長：Ｌ）を２．７ｃｍ以上に長くする必要が
あった。したがって、この先願実施例による完全速度整
合形速度・広帯域光制御素子では、駆動電圧を５ｖ以下
とする場合、主に電極長を長くしたことによるマイクロ
波損失の増加に起因する帯域制限を受け、変調帯域は高
々２０ＧＨｚであった。
軽減するために厚いバッファ層３が必要となるので、光
波とマイクロ波の相互作用が疎になり、動作波長１．５
μｍ帯において駆動電圧を５Ｖ以下とするために相互作
用長（電極長：Ｌ）を２．７ｃｍ以上に長くする必要が
あった。したがって、この先願実施例による完全速度整
合形速度・広帯域光制御素子では、駆動電圧を５ｖ以下
とする場合、主に電極長を長くしたことによるマイクロ
波損失の増加に起因する帯域制限を受け、変調帯域は高
々２０ＧＨｚであった。
そこで、本発明の目的は、以上に述べた従来例および先
願例の欠点を解決して、マイクロ波損失の増加に起因す
る帯域制限を緩和した速度整合形超高速・広帯域光制御
素子を提供することにある。
願例の欠点を解決して、マイクロ波損失の増加に起因す
る帯域制限を緩和した速度整合形超高速・広帯域光制御
素子を提供することにある。
［課題を解決するための手段１
このような目的を達成するために、本発明は、少なくと
も１本の光導波路を設けた電気光学効果を有する基板と
、該基板の上に配設されたバッファ層と、該バッファ層
の上に配設された中心電極とアース電極とからなる進行
波電極とを具えて構成された光制御素子において、前記
バッファ層を二酸化シリコンよりも誘電率の低い物質で
構成したことを特徴とする。
も１本の光導波路を設けた電気光学効果を有する基板と
、該基板の上に配設されたバッファ層と、該バッファ層
の上に配設された中心電極とアース電極とからなる進行
波電極とを具えて構成された光制御素子において、前記
バッファ層を二酸化シリコンよりも誘電率の低い物質で
構成したことを特徴とする。
］作 用１
本発明によれば、少なくとも１本の光導波路を設けた電
気光学効果を有する基板の表面上に、該光導波路の近傍
にバッファ層を介して進行波電極を形成して少なくとも
１つの光制御部を配置した光制御素子において、前記バ
ッファ層な、従来用いられている二酸化シリコン（Ｓｉ
ｎｓ：比誘電率ε→３．９）やアルミナ（，１１，０８
：比誘電率ε≠９．６）に比べて低誘電率（例えばテフ
ロン系樹脂：比誘電率ε→１．９）である物質で構成す
ることによって、バッファ層の厚さを従来の二酸化シリ
コンを用いる場合に比べて大幅に減少させることができ
る。したがって、駆動電圧を従来例と同等にする場合は
、電極長を短（できるので、変調帯域を大幅に広げるこ
とが可能となり、また、電極長を従来例と同等にする場
合は、駆動電圧を大幅に減少させることが可能となる。
気光学効果を有する基板の表面上に、該光導波路の近傍
にバッファ層を介して進行波電極を形成して少なくとも
１つの光制御部を配置した光制御素子において、前記バ
ッファ層な、従来用いられている二酸化シリコン（Ｓｉ
ｎｓ：比誘電率ε→３．９）やアルミナ（，１１，０８
：比誘電率ε≠９．６）に比べて低誘電率（例えばテフ
ロン系樹脂：比誘電率ε→１．９）である物質で構成す
ることによって、バッファ層の厚さを従来の二酸化シリ
コンを用いる場合に比べて大幅に減少させることができ
る。したがって、駆動電圧を従来例と同等にする場合は
、電極長を短（できるので、変調帯域を大幅に広げるこ
とが可能となり、また、電極長を従来例と同等にする場
合は、駆動電圧を大幅に減少させることが可能となる。
［実施例１
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図（Ａ）および（Ｂ）は本発明光制御素子の一実施
例を示す、それぞれ、平面図およびＡＡ’線断面図であ
る。
例を示す、それぞれ、平面図およびＡＡ’線断面図であ
る。
第１図（Ａ）および（Ｂ）において、上述した第５図（
Ａ）、（Ｂ）および第６図（Ａ）、（Ｂ）の構成との差
異は、この実施例では、バッファ層３として、二酸化シ
リコン（Ｓｉｎｇ：比誘電率εＬ９３．９）を用いる代
りに、二酸化シリコンより誘電率の低い材料、たとえば
テフロン系樹脂（比誘電率８４１．９）を用いたことに
ある。テフロン系樹脂としては、例えば「日経ニューマ
テリアルＪ 、 ８−７．ｐ、１７（１９８９）に述べ
られている比誘電率ε岬１．９．屈折率ｎ岬１．３のよ
うな樹脂を、スピンコーティングやスパッタなどの方法
を用いて１μｍ以下の厚さに形成することにより適用で
きる。
Ａ）、（Ｂ）および第６図（Ａ）、（Ｂ）の構成との差
異は、この実施例では、バッファ層３として、二酸化シ
リコン（Ｓｉｎｇ：比誘電率εＬ９３．９）を用いる代
りに、二酸化シリコンより誘電率の低い材料、たとえば
テフロン系樹脂（比誘電率８４１．９）を用いたことに
ある。テフロン系樹脂としては、例えば「日経ニューマ
テリアルＪ 、 ８−７．ｐ、１７（１９８９）に述べ
られている比誘電率ε岬１．９．屈折率ｎ岬１．３のよ
うな樹脂を、スピンコーティングやスパッタなどの方法
を用いて１μｍ以下の厚さに形成することにより適用で
きる。
第２図（Ａ）および（Ｂ）は第１図（Ａ）および（Ｂ）
に示した実施例において、バッファ層３上に幅２Ｗ＝８
μｌの中心電極４．中心電極４とアース電極５の間のギ
ャップ幅２Ｇ＝ １５μｍに定めた進行波電極４．５を
形成したときの深さ方向のマイクロ波電界強度分布を示
したものであり、第２図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞ
れ、バッファ層の厚さが０．５μｍおよび１．２μｍに
対応する計算値である。第２図（Ａ）および（Ｂ）より
、バッファ層３の厚さがマイクロ波と光波との相互作用
の大きさに影響を及ぼすことが明らかである。
に示した実施例において、バッファ層３上に幅２Ｗ＝８
μｌの中心電極４．中心電極４とアース電極５の間のギ
ャップ幅２Ｇ＝ １５μｍに定めた進行波電極４．５を
形成したときの深さ方向のマイクロ波電界強度分布を示
したものであり、第２図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞ
れ、バッファ層の厚さが０．５μｍおよび１．２μｍに
対応する計算値である。第２図（Ａ）および（Ｂ）より
、バッファ層３の厚さがマイクロ波と光波との相互作用
の大きさに影響を及ぼすことが明らかである。
第３図は半波長電圧（駆動電圧）・電極長積（■π・Ｌ
）のバッファ層厚さ依存性に関する計算結果である。本
発明において、従来例と同じｎｌを得るために必要なバ
ッファ層３の厚さを比誘電率の違いから概算すると、従
来例の厚さから約３０％減少させることが可能である。
）のバッファ層厚さ依存性に関する計算結果である。本
発明において、従来例と同じｎｌを得るために必要なバ
ッファ層３の厚さを比誘電率の違いから概算すると、従
来例の厚さから約３０％減少させることが可能である。
したがって、第３図からＶπ・Ｌが従来例の約３７４と
なること、すなわち、電極長を同一にした時、駆動電圧
を約１／４低下できることが推測される。
なること、すなわち、電極長を同一にした時、駆動電圧
を約１／４低下できることが推測される。
第４図は、第６図（Ａ）、（Ｂ）の先願例の構成に本発
明を適用した場合の変調帯域の計算例である。
明を適用した場合の変調帯域の計算例である。
従来例では、動作波長１．５μｍにおいて、駆動電圧を
５Ｖ以下に設計した場合、２．７ｃｍ程度の電極長が必
要であり、変調帯域は２０〜３０ＧＨｚであったが、本
発明を適用することにより、電極長を２．０ｃｍ程度に
できるので、変調帯域は５０ＧＨｚ以上となることが推
測できる。
５Ｖ以下に設計した場合、２．７ｃｍ程度の電極長が必
要であり、変調帯域は２０〜３０ＧＨｚであったが、本
発明を適用することにより、電極長を２．０ｃｍ程度に
できるので、変調帯域は５０ＧＨｚ以上となることが推
測できる。
［発明の効果１
以上説明したように、本発明の光制御素子によれば、バ
ッファ層を、二酸化シリコンよりも誘電率の低い物質、
たとえばテフロン系樹脂で構成することによって、マイ
クロ波と光波の完全速度整合性と低駆動電圧性を確保し
ながら、電極長を短（できるので、マイクロ波損失に起
因する帯域制限の軽減が可能となり、５０ＧＨｚ以上の
変調帯域を有する低駆動電圧光制御素子を実現できる。
ッファ層を、二酸化シリコンよりも誘電率の低い物質、
たとえばテフロン系樹脂で構成することによって、マイ
クロ波と光波の完全速度整合性と低駆動電圧性を確保し
ながら、電極長を短（できるので、マイクロ波損失に起
因する帯域制限の軽減が可能となり、５０ＧＨｚ以上の
変調帯域を有する低駆動電圧光制御素子を実現できる。
本発明は上記実施例に示したマツハ・ツエンダ形光強度
変調器に限定されるものではなく、同一原理による光強
度変調器、光位相変調器、光スィッチ等の各種光制御素
子に適用できる。
変調器に限定されるものではなく、同一原理による光強
度変調器、光位相変調器、光スィッチ等の各種光制御素
子に適用できる。
本発明に用いる電気−光変換効果を有する基板材料、導
波路形状、電極形状および速度整合用シールド導体材料
は、上記実施例に限定されるものでな（、電気−光変換
効果を有する基板材料としてはＬｉＮｂＯ５以外の材料
を用い、導波路形状としては熱拡散導波路以外の埋め込
み形、リッジ形等に形成し、電極形状としては、コプレ
ーナ・ウニイブガイド形態外のコプレーナ・ストリップ
形等を用いることもできる。
波路形状、電極形状および速度整合用シールド導体材料
は、上記実施例に限定されるものでな（、電気−光変換
効果を有する基板材料としてはＬｉＮｂＯ５以外の材料
を用い、導波路形状としては熱拡散導波路以外の埋め込
み形、リッジ形等に形成し、電極形状としては、コプレ
ーナ・ウニイブガイド形態外のコプレーナ・ストリップ
形等を用いることもできる。
第１図（Ａ）および（Ｂ）は本発明光制御素子の一実施
例の構造を示す、それぞれ、平面図およびＡＡ’線断面
図、 第２図は第１図（Ａ）、（Ｂ）に示した実施例における
深さ方向マイクロ波電界強度分布の計算例を示す分布図
、 第３図は第１図（Ａ）、（Ｂ）に示した実施例における
半波長電圧（駆動電圧）・電極長積（■π・Ｌ）のバッ
ファ層厚さ依存性に関する計算例を示す図、第４図は本
発明を第６図（Ａ）、（Ｂ）の先願例に適用して構成し
た光制御素子の変調帯域の計算例を示す図、 第５図（Ａ）および（Ｂ）は光制御素子の一従来例を示
す、それぞれ、平面図およびＡＡ’線断面図、第６図（
Ａ）および（Ｂ）は先の出願（特願平１−３９１６２号
）の速度整合形光変調器の一実施例を示す、それぞれ、
平面図およびＡＡ’線断面図である。 １・・・基板、 ２・・・光導波路、 ３・・・バッファ層、 ４・・・中心電極、 ５・・・アース電極、 ６・・・終端抵抗、 ８・・・オーバレイ、 ９・・・シールド導体。
例の構造を示す、それぞれ、平面図およびＡＡ’線断面
図、 第２図は第１図（Ａ）、（Ｂ）に示した実施例における
深さ方向マイクロ波電界強度分布の計算例を示す分布図
、 第３図は第１図（Ａ）、（Ｂ）に示した実施例における
半波長電圧（駆動電圧）・電極長積（■π・Ｌ）のバッ
ファ層厚さ依存性に関する計算例を示す図、第４図は本
発明を第６図（Ａ）、（Ｂ）の先願例に適用して構成し
た光制御素子の変調帯域の計算例を示す図、 第５図（Ａ）および（Ｂ）は光制御素子の一従来例を示
す、それぞれ、平面図およびＡＡ’線断面図、第６図（
Ａ）および（Ｂ）は先の出願（特願平１−３９１６２号
）の速度整合形光変調器の一実施例を示す、それぞれ、
平面図およびＡＡ’線断面図である。 １・・・基板、 ２・・・光導波路、 ３・・・バッファ層、 ４・・・中心電極、 ５・・・アース電極、 ６・・・終端抵抗、 ８・・・オーバレイ、 ９・・・シールド導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）少なくとも１本の光導波路を設けた電気光学効果を
有する基板と、 該基板の上に配設されたバッファ層と、 該バッファ層の上に配設された中心電極とアース電極と
からなる進行波電極と を具えて構成された光制御素子において、 前記バッファ層を二酸化シリコンよりも誘電率の低い物
質で構成したことを特徴とする光制御素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220790A JPH03229213A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 光制御素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220790A JPH03229213A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 光制御素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03229213A true JPH03229213A (ja) | 1991-10-11 |
Family
ID=12076350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2220790A Pending JPH03229213A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 光制御素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03229213A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07234391A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Nec Corp | 光制御デバイス |
| JP2016161661A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 導波路型光素子 |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2220790A patent/JPH03229213A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07234391A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Nec Corp | 光制御デバイス |
| JP2016161661A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 導波路型光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5129017A (en) | Electrically controlled optical device | |
| KR0124464B1 (ko) | 주기적 도메인 반전 전기 광학 변조기 및 변조 방법 | |
| US5005932A (en) | Electro-optic modulator | |
| US4866406A (en) | Wide-band optical modulator | |
| US5076655A (en) | Antenna-fed electro-optic modulator | |
| US6304685B1 (en) | Low drive voltage LiNbO3 intensity modulator with reduced electrode loss | |
| US6356673B1 (en) | Low loss coplanar waveguide horn for low drive LiNbO3 modulators | |
| JP2612948B2 (ja) | 光変調素子 | |
| US5647029A (en) | Traveling wave quantum well waveguide modulators using velocity matching for improved frequency performance | |
| US5801871A (en) | Wide band and low driving voltage optical modulator with improved connector package | |
| US7088874B2 (en) | Electro-optic devices, including modulators and switches | |
| JPH03229213A (ja) | 光制御素子 | |
| JPH0713711B2 (ja) | 高速光変調器 | |
| GB2152688A (en) | Velocity matching apparatus | |
| JPH10142567A (ja) | 導波型光デバイス | |
| JPH05264937A (ja) | 光制御デバイス | |
| JP2773492B2 (ja) | 進行波電極形導波形光デバイス | |
| JPH03229215A (ja) | 光変調素子 | |
| JP2692715B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JP2848455B2 (ja) | 導波型光デバイス | |
| JPH11316359A (ja) | 光制御デバイス | |
| JPH04304415A (ja) | 光制御素子 | |
| JPH06300995A (ja) | リッジ型光導波路デバイスおよび光変調器 | |
| JPH04269706A (ja) | 光変調素子 | |
| JP2004133311A (ja) | 光変調器 |