JPH03228348A - 半導体ウエハ用真空チャック - Google Patents
半導体ウエハ用真空チャックInfo
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- JPH03228348A JPH03228348A JP2023986A JP2398690A JPH03228348A JP H03228348 A JPH03228348 A JP H03228348A JP 2023986 A JP2023986 A JP 2023986A JP 2398690 A JP2398690 A JP 2398690A JP H03228348 A JPH03228348 A JP H03228348A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、シリコンウェハ等の半導体ウニへの平坦度測
定、ラッピング又は研削加工等のため、半導体ウェハを
真空吸着する半導体ウェハ用真空チャックに関する。
定、ラッピング又は研削加工等のため、半導体ウェハを
真空吸着する半導体ウェハ用真空チャックに関する。
［従来の技術］
従来、この種の半導体ウェハ用真空チャックは、被吸着
物である半導体ウェハの吸着面との間に介在するダスト
による密着不良等を防止するため、例えば第４図に示す
ように、底部に吸引孔１１を開設した複数の吸着溝１２
を、チャック本体１３の吸着面１４に同心状に設け、か
つこれらの吸着溝１２の周辺を残して吸着面１４に同心
状の凹部１５を設けて構成したり（実開昭６０−１９２
４４５号公報参照）、又は第５図に示すように、上記構
成のものにおいて、凹部１５の底部に人気と連通するリ
ーク孔１６を設けて構成されている（実開昭６２−２３
４４７号公報参照）。
物である半導体ウェハの吸着面との間に介在するダスト
による密着不良等を防止するため、例えば第４図に示す
ように、底部に吸引孔１１を開設した複数の吸着溝１２
を、チャック本体１３の吸着面１４に同心状に設け、か
つこれらの吸着溝１２の周辺を残して吸着面１４に同心
状の凹部１５を設けて構成したり（実開昭６０−１９２
４４５号公報参照）、又は第５図に示すように、上記構
成のものにおいて、凹部１５の底部に人気と連通するリ
ーク孔１６を設けて構成されている（実開昭６２−２３
４４７号公報参照）。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来の各半導体ウェハ用真空チャッ
クにおいては、凹部１５が設けられているので、ダスト
の影響を排除し得るものの、第４図に示すものの場合は
、凹部１５内も吸着溝１２を介して真空吸引されるため
、同図に示すように、半導体ウェハＷが凹部１５内に突
出するように湾曲して変形する問題があり、又、第５図
に示すものの場合は、凹部１５内が大気と連通して吸着
溝１２内より圧力が大きくなるため、同図に示すように
、半導体ウェハＷの凹部１５の対応する部分が外方へ突
出するように湾曲して変形する問題かある。
クにおいては、凹部１５が設けられているので、ダスト
の影響を排除し得るものの、第４図に示すものの場合は
、凹部１５内も吸着溝１２を介して真空吸引されるため
、同図に示すように、半導体ウェハＷが凹部１５内に突
出するように湾曲して変形する問題があり、又、第５図
に示すものの場合は、凹部１５内が大気と連通して吸着
溝１２内より圧力が大きくなるため、同図に示すように
、半導体ウェハＷの凹部１５の対応する部分が外方へ突
出するように湾曲して変形する問題かある。
そこで、本発明は、ダストの影響を排除しつつ、半導体
ウェハの変形を防止してチャッキングし得る半導体ウェ
ハ用真空チャックの提供を目的とする。
ウェハの変形を防止してチャッキングし得る半導体ウェ
ハ用真空チャックの提供を目的とする。
［課題を解決するための手段］
前記課題を解決するため、本発明の半導体ウェハ用真空
チャックは、底部に吸引孔を開設した複数の吸着溝を吸
着面に同心状に設けてなる半導体ウェハ用真空チャック
において、前記隣り合う吸着溝間の吸着面に、この吸着
溝と同し溝幅の複数のダスト溝を同心状に設けたもので
ある。
チャックは、底部に吸引孔を開設した複数の吸着溝を吸
着面に同心状に設けてなる半導体ウェハ用真空チャック
において、前記隣り合う吸着溝間の吸着面に、この吸着
溝と同し溝幅の複数のダスト溝を同心状に設けたもので
ある。
［作用］
上記手段においては、吸着面と半導体ウェハとの間に介
在するダストが、真空吸引の際の吸着溝に向う移動に伴
ってダスト溝に捕捉されると共に、半導体ウェハが、隣
り合うダスト溝間又はダスト溝と吸引溝との間の吸着面
によって支持される。
在するダストが、真空吸引の際の吸着溝に向う移動に伴
ってダスト溝に捕捉されると共に、半導体ウェハが、隣
り合うダスト溝間又はダスト溝と吸引溝との間の吸着面
によって支持される。
ダスト溝の溝幅が、吸着溝の溝幅より小さくなるとダス
トの捕捉効率が低下し、吸着溝の溝幅より大きくなると
半導体ウェハの変形を生ずる。
トの捕捉効率が低下し、吸着溝の溝幅より大きくなると
半導体ウェハの変形を生ずる。
［実施例コ
以下、本発明の一実施例を図面と共に説明する。
第１図、第２図は本発明に係る半導体ウェハ用真空チャ
ックの平面図、断面図である。
ックの平面図、断面図である。
図中１は金属又はセラミックス等からなる円板状のチャ
ック本体で、その吸着面２には、２条の吸着溝３が中心
部及び外周部に位置して同心円状に設けられている。各
吸着溝３の底部には、チャック本体１の内部に設けた連
通室４を介して互いに連通された複数の吸引孔５が、周
方向へ等間隔て離隔して開設されており、連通室４は、
チャック本体１の裏面に設けた真空吸引口６を介して図
示しない真空ポンプと接続自在に設けられている。
ック本体で、その吸着面２には、２条の吸着溝３が中心
部及び外周部に位置して同心円状に設けられている。各
吸着溝３の底部には、チャック本体１の内部に設けた連
通室４を介して互いに連通された複数の吸引孔５が、周
方向へ等間隔て離隔して開設されており、連通室４は、
チャック本体１の裏面に設けた真空吸引口６を介して図
示しない真空ポンプと接続自在に設けられている。
そして、面吸着溝３間には、この吸着溝３と同じ溝幅と
深さを有する複数（図においては２条）のダスト溝７か
適宜間隔を存して同心円状に設けられている。
深さを有する複数（図においては２条）のダスト溝７か
適宜間隔を存して同心円状に設けられている。
上記構成の半導体ウェハ用真空チャックにおいて、半導
体ウェハＷの真空吸着に際し、真空ポンプを作動して真
空吸引口６、連通室４及び吸引口５を介して吸着溝３内
を真空吸引すると、吸着面２と半導体ウェハＷとの間に
介在するダストＤは、第３図に詳記するように、その吸
着溝３方向への移動に伴ってそれぞれのダスト溝７内に
捕捉され、又、半導体ウェハＷは、隣り合うゲス８１フ
間又はダスト溝７と吸着溝３との間等に存在する吸着面
によって支持される。
体ウェハＷの真空吸着に際し、真空ポンプを作動して真
空吸引口６、連通室４及び吸引口５を介して吸着溝３内
を真空吸引すると、吸着面２と半導体ウェハＷとの間に
介在するダストＤは、第３図に詳記するように、その吸
着溝３方向への移動に伴ってそれぞれのダスト溝７内に
捕捉され、又、半導体ウェハＷは、隣り合うゲス８１フ
間又はダスト溝７と吸着溝３との間等に存在する吸着面
によって支持される。
従って、吸着面２と半導体ウェハＷとの間にダストＤを
介在させることなく、かつ半導体ウェハＷを変形させる
ことなくチャッキングできる。
介在させることなく、かつ半導体ウェハＷを変形させる
ことなくチャッキングできる。
なお、上記実施例においては、吸着溝３を２条とした場
合について述べたが、これに限定されるものではなく、
例えは半導体ウェハＷか大口径となった場合には、吸着
溝３を３条以上とし、隣り合う吸着溝３間の吸着面２に
、この吸着？＊３と同し溝幅の２条又は３条以上のダス
ト溝７を同心円状に設けてもよい。
合について述べたが、これに限定されるものではなく、
例えは半導体ウェハＷか大口径となった場合には、吸着
溝３を３条以上とし、隣り合う吸着溝３間の吸着面２に
、この吸着？＊３と同し溝幅の２条又は３条以上のダス
ト溝７を同心円状に設けてもよい。
又、吸着溝３及びダスト溝７は、円形のものに限らす、
円弧を円形状に連ねたものとしてもよい。
円弧を円形状に連ねたものとしてもよい。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、吸着面と半導体ウェハと
の間に介在するダストが、真空吸引の際の吸着溝に向う
移動に伴ってダスト溝に捕捉されると共に、半導体ウェ
ハが、隣り合うダスト溝間又はダスト溝と吸引溝との間
等の吸着面によりて支持されるので、吸着面と半導体ウ
ェハとの間にダストを介在させることなく、半導体ウェ
ハの変形を防止してチャッキングすることができる。
の間に介在するダストが、真空吸引の際の吸着溝に向う
移動に伴ってダスト溝に捕捉されると共に、半導体ウェ
ハが、隣り合うダスト溝間又はダスト溝と吸引溝との間
等の吸着面によりて支持されるので、吸着面と半導体ウ
ェハとの間にダストを介在させることなく、半導体ウェ
ハの変形を防止してチャッキングすることができる。
第１図、第２図は本発明の一実施例を示す半導体ウェハ
用真空チャックの平面図、断面図で、第３図はその作用
を示す断面図、第４図及び第５図はそれぞれ従来の半導
体ウェハ用真空チャックの作用を示す断面図である。 １ ・・チャ ツタ本体 ２・・・吸着面 ３・・・吸着溝 ５・・・吸弓 孔 ７・・・ダスト溝 Ｗ・・・半導体ウェハ Ｄ・・・ダス ト
用真空チャックの平面図、断面図で、第３図はその作用
を示す断面図、第４図及び第５図はそれぞれ従来の半導
体ウェハ用真空チャックの作用を示す断面図である。 １ ・・チャ ツタ本体 ２・・・吸着面 ３・・・吸着溝 ５・・・吸弓 孔 ７・・・ダスト溝 Ｗ・・・半導体ウェハ Ｄ・・・ダス ト
Claims (1)
- １）底部に吸引孔を開設した複数の吸着溝を吸着面に同
心状に設けてなる半導体ウェハ用真空チャックにおいて
、前記隣り合う吸着溝間の吸着面に、この吸着溝と同じ
溝幅の複数のダスト溝を同心状に設けたことを特徴とす
る半導体ウェハ用真空チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023986A JP2873598B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 半導体ウエハ用真空チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023986A JP2873598B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 半導体ウエハ用真空チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228348A true JPH03228348A (ja) | 1991-10-09 |
| JP2873598B2 JP2873598B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=12125901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023986A Expired - Fee Related JP2873598B2 (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 半導体ウエハ用真空チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873598B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997008741A1 (de) * | 1995-08-22 | 1997-03-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Ansaugplatte für wafer |
| JP2006245079A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Yaskawa Electric Corp | アライナー装置 |
| US7355420B2 (en) | 2001-08-21 | 2008-04-08 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
| US7420381B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
| US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| WO2010068294A1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-17 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic chuck with compliant coat |
| JP2014153302A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Murata Mfg Co Ltd | 基板厚測定装置 |
| CN104637854A (zh) * | 2013-11-13 | 2015-05-20 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 一种用于吸附硅片的吸盘 |
| JP2016062990A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社デンソー | ウェハプローバ装置 |
| US9429638B2 (en) | 2008-11-21 | 2016-08-30 | Cascade Microtech, Inc. | Method of replacing an existing contact of a wafer probing assembly |
| CN115547913A (zh) * | 2022-09-19 | 2022-12-30 | 嘉兴市耐思威精密机械有限公司 | 一种光伏电池片用多片式吸盘组的吸盘结构 |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2023986A patent/JP2873598B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1997008741A1 (de) * | 1995-08-22 | 1997-03-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Ansaugplatte für wafer |
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| TWI479538B (zh) * | 2008-12-10 | 2015-04-01 | Axcelis Tech Inc | 具有順服披覆的靜電夾盤 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2873598B2 (ja) | 1999-03-24 |
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