JPH03228348A - 半導体ウエハ用真空チャック - Google Patents
半導体ウエハ用真空チャックInfo
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- JPH03228348A JPH03228348A JP2023986A JP2398690A JPH03228348A JP H03228348 A JPH03228348 A JP H03228348A JP 2023986 A JP2023986 A JP 2023986A JP 2398690 A JP2398690 A JP 2398690A JP H03228348 A JPH03228348 A JP H03228348A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
定、ラッピング又は研削加工等のため、半導体ウェハを
真空吸着する半導体ウェハ用真空チャックに関する。
物である半導体ウェハの吸着面との間に介在するダスト
による密着不良等を防止するため、例えば第4図に示す
ように、底部に吸引孔11を開設した複数の吸着溝12
を、チャック本体13の吸着面14に同心状に設け、か
つこれらの吸着溝12の周辺を残して吸着面14に同心
状の凹部15を設けて構成したり(実開昭60−192
445号公報参照)、又は第5図に示すように、上記構
成のものにおいて、凹部15の底部に人気と連通するリ
ーク孔16を設けて構成されている(実開昭62−23
447号公報参照)。
クにおいては、凹部15が設けられているので、ダスト
の影響を排除し得るものの、第4図に示すものの場合は
、凹部15内も吸着溝12を介して真空吸引されるため
、同図に示すように、半導体ウェハWが凹部15内に突
出するように湾曲して変形する問題があり、又、第5図
に示すものの場合は、凹部15内が大気と連通して吸着
溝12内より圧力が大きくなるため、同図に示すように
、半導体ウェハWの凹部15の対応する部分が外方へ突
出するように湾曲して変形する問題かある。
ウェハの変形を防止してチャッキングし得る半導体ウェ
ハ用真空チャックの提供を目的とする。
チャックは、底部に吸引孔を開設した複数の吸着溝を吸
着面に同心状に設けてなる半導体ウェハ用真空チャック
において、前記隣り合う吸着溝間の吸着面に、この吸着
溝と同し溝幅の複数のダスト溝を同心状に設けたもので
ある。
在するダストが、真空吸引の際の吸着溝に向う移動に伴
ってダスト溝に捕捉されると共に、半導体ウェハが、隣
り合うダスト溝間又はダスト溝と吸引溝との間の吸着面
によって支持される。
トの捕捉効率が低下し、吸着溝の溝幅より大きくなると
半導体ウェハの変形を生ずる。
ックの平面図、断面図である。
ック本体で、その吸着面2には、2条の吸着溝3が中心
部及び外周部に位置して同心円状に設けられている。各
吸着溝3の底部には、チャック本体1の内部に設けた連
通室4を介して互いに連通された複数の吸引孔5が、周
方向へ等間隔て離隔して開設されており、連通室4は、
チャック本体1の裏面に設けた真空吸引口6を介して図
示しない真空ポンプと接続自在に設けられている。
深さを有する複数(図においては2条)のダスト溝7か
適宜間隔を存して同心円状に設けられている。
体ウェハWの真空吸着に際し、真空ポンプを作動して真
空吸引口6、連通室4及び吸引口5を介して吸着溝3内
を真空吸引すると、吸着面2と半導体ウェハWとの間に
介在するダストDは、第3図に詳記するように、その吸
着溝3方向への移動に伴ってそれぞれのダスト溝7内に
捕捉され、又、半導体ウェハWは、隣り合うゲス81フ
間又はダスト溝7と吸着溝3との間等に存在する吸着面
によって支持される。
介在させることなく、かつ半導体ウェハWを変形させる
ことなくチャッキングできる。
合について述べたが、これに限定されるものではなく、
例えは半導体ウェハWか大口径となった場合には、吸着
溝3を3条以上とし、隣り合う吸着溝3間の吸着面2に
、この吸着?*3と同し溝幅の2条又は3条以上のダス
ト溝7を同心円状に設けてもよい。
円弧を円形状に連ねたものとしてもよい。
の間に介在するダストが、真空吸引の際の吸着溝に向う
移動に伴ってダスト溝に捕捉されると共に、半導体ウェ
ハが、隣り合うダスト溝間又はダスト溝と吸引溝との間
等の吸着面によりて支持されるので、吸着面と半導体ウ
ェハとの間にダストを介在させることなく、半導体ウェ
ハの変形を防止してチャッキングすることができる。
用真空チャックの平面図、断面図で、第3図はその作用
を示す断面図、第4図及び第5図はそれぞれ従来の半導
体ウェハ用真空チャックの作用を示す断面図である。 1 ・・チャ ツタ本体 2・・・吸着面 3・・・吸着溝 5・・・吸弓 孔 7・・・ダスト溝 W・・・半導体ウェハ D・・・ダス ト
Claims (1)
- 1)底部に吸引孔を開設した複数の吸着溝を吸着面に同
心状に設けてなる半導体ウェハ用真空チャックにおいて
、前記隣り合う吸着溝間の吸着面に、この吸着溝と同じ
溝幅の複数のダスト溝を同心状に設けたことを特徴とす
る半導体ウェハ用真空チャック。
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Publications (2)
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- 1990-02-02 JP JP2023986A patent/JP2873598B2/ja not_active Expired - Fee Related
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