JPH03228052A - Production of printed wiring board - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To unnecessitate the treatment of used developing and etching solns. and to obtain a printed wiring board having high accuracy by vapor-depositing an evaporating material on a substrate with a specified metal mask. CONSTITUTION:A first photoresist layer 12 having a pattern is formed on a base film 11. A first plating layer 13 is formed in the openings 12' in the layer 12. After the thin metal film is formed by treatment with a plating catalyst and electroless plating or vapor deposition, a second resist layer 14 having a mesh pattern is formed with a patterned mask for forming the mesh pattern. A second plating layer 15 is formed in the openings 14' in the layer 14. The base film 11 is removed and vapor deposition is carried out on a substrate 25 with the resulting metal mask to obtain a printed wiring board having a vapor-deposited film as circuit parts 28, 29 corresponding to the meshes.

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は気相法により基材表面に回路パターンを形成す
るプリント配線板の製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board in which a circuit pattern is formed on the surface of a substrate by a vapor phase method.

（従来の技術およびその課題） プリント配線板はコンピュータ、オーディオ機器、ビデ
オ機器、自動車電装品、電話交換器、ワードプロセッサ
、ファクシミリ、レーザディスクプレイヤー、カメラ、
電子時計、または液晶デイスプレィ用カラーフィルター
など、種々の用途に使用されているが小型化、性能向上
のため高密度化した精度のよいプリント配線板が望まれ
ている。(Prior art and its problems) Printed wiring boards are used in computers, audio equipment, video equipment, automobile electrical equipment, telephone exchanges, word processors, facsimile machines, laser disc players, cameras,
Although they are used in various applications such as electronic watches and color filters for liquid crystal displays, printed wiring boards with high density and high precision are desired for miniaturization and improved performance.

従来、プリント配線板は、通常基板材料に導電性金属板
を貼着し、その上に７オトレジストを塗布したものに、
フォトマスクを介して露光し、現像することによってパ
ターンを形成した後、エツチングにより回路を形成する
ことから成る方法にて作成されている。Conventionally, printed wiring boards are usually made by pasting a conductive metal plate on a board material and coating it with 7-otoresist.
It is produced by a method that involves forming a pattern by exposing to light through a photomask and developing it, and then forming a circuit by etching.

しかしながら、この方法においては、■工程が煩雑であ
る、■エツチング液が導電性金属板とフォトレジスト膜
との界面に侵入し、侵食するなどの理由によって得られ
る回路の精度が悪い、■現像液やエツチング液の廃液処
理が必要である等の問題がある。However, in this method, (1) the process is complicated, (2) the accuracy of the circuit obtained is poor because the etching solution invades and erodes the interface between the conductive metal plate and the photoresist film, and (2) the developing solution There are problems such as the need to dispose of etching solution waste.

これらの問題のうち、上記■の問題の改良方法としては
、フォトレジストとしてポジ型のものを使用する方法、
レーザーによってレジストを直描する方法、露光・現像
によってレジスト層に凹凸パターンを形成した後、凹部
をメッキする、いわゆるアディティブ法などが挙げられ
るが、いずれにしても上記■、■の問題が残る。また、
スクリーン印刷法を用いれば、上記■、■の問題を解決
することができるが、今度は精度が十分ではないという
問題が生ずる。このように、これまで上記■〜■の３つ
の問題を同時に解決できる方法は存在しないのが現状で
ある。Among these problems, methods to improve the above problem (■) include using a positive type photoresist;
Examples include a method in which a resist is directly drawn with a laser, and a so-called additive method in which a concave-convex pattern is formed on a resist layer by exposure and development, and then the concave portions are plated, but in either case, the above-mentioned problems (1) and (2) remain. Also,
If the screen printing method is used, the above-mentioned problems (1) and (3) can be solved, but the problem arises that the accuracy is not sufficient. As described above, the current situation is that there is no method that can simultaneously solve the three problems (1) to (2) above.

（課題を解決するだめの手段） 本発明者らは、上記■〜■の問題がすべてを同時に解決
することができるプリント配線板の製造方法について鋭
意検討を行なった結果、特定のメタルマスクを用い、基
板上に気相法により蒸着物質を蒸着させることによって
上記■〜■の問題がすべて解決できることを見出し、本
発明に完成するに至った。(Failure to Solve the Problems) The inventors of the present invention have conducted intensive studies on a method for manufacturing printed wiring boards that can solve all of the above problems (■ to ■) at the same time. The inventors discovered that all of the problems (1) to (4) above can be solved by depositing a deposition substance onto a substrate by a vapor phase method, and the present invention was completed.

かくして、本発明によれば、プリント配線板用基材表面
にパターンを有するメタルマスクを密着させ、蒸着物質
を気相法により基材表面に蒸着させて回路を形成するプ
リント配線板の製造方法であって、上記メタルマスクが
、 （ｉ）　　ベースフィルム上番こフォトレジスト層を形
成し、該フォトレジスト層をパターンマスクを介して差
別化して露光した後、現像ヲ行ない、ベースフィルム上
にパターンを有するレジスト層を形成する工程； （ｕ）ベースフィルムの該現像によりフォトレジスト層
が除去された部分４こメッキ層を形成する工程；および （ｉｉ）　　残存レジスト層およびベースフィルムを除
去する工程； を順次行なって得られるメタルマスクであることを特徴
とするプリント配線板の製造方法が提供される。Thus, according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board in which a metal mask having a pattern is brought into close contact with the surface of a base material for a printed wiring board, and a vapor deposition substance is deposited on the surface of the base material by a vapor phase method to form a circuit. (i) forming a photoresist layer on the base film, exposing the photoresist layer to light through a pattern mask, and then developing it to form a pattern on the base film; (u) forming a plating layer on the portions of the base film from which the photoresist layer has been removed by the development; and (ii) removing the remaining resist layer and the base film; A method for manufacturing a printed wiring board is provided, which is characterized in that the metal mask is obtained by sequential steps.

また、本発明によれば、プリント配線板基材表面にパタ
ーンを形成したメタルマスクを密着させ、蒸着物質を気
相法により基材表面に蒸着させて回路を形成するプリン
ト配線板の製造方法であって、上記メタルマスクが （１）ベースフィルム上に第１のフォトレジスト層を形
成し、第１の７オトレジスト層を第１のパターンマスク
を介して差別化して露光した後、現像を行ない、パター
ンを有する第１のレジスト層を形成する工程： （２）ベースフィルムの該現像によりフォトレジスト層
が除去された部分に第１のメッキ層を形成する工程； （３）第１のレジスト層および第１のメッキ層とに第２
のフォトレジスト層を形成し、第２のフォトレジスト層
を第２のパターンマスクを介して差別化して露光した後
、第２（４） のフォトレジスト層を現像して、第１のレジスト層及び
第１のメッキ層上に、パターンを有する第２のレジスト
層を形成し、その際、第２のパターンマスクは、第１の
メッキ層をそのパターンどおりに固定できるように、第
１のメッキ層に連結する形で第１のレジスト層上の少な
くとも一部にメツシュパターンを形成するものであるか
、または第１のメッキ層が全部もしくは一部にメツシュ
を有するメッキ層であって第２のパターンマスクは、第
１のメッキ層のメツシュに連結する形でパターンどおり
に固定できるように第２のパターンを形成するものであ
り、また第２のフォトレジスト層の現像は第１のレジス
ト層が実質的に除去されない条件下に行なう工程； 第１のレジスト層及び第１のメッキ層上の現像により第
２の７オトレジスト層が除去された部分に第２のメッキ
層を形成する工程； （５）残存する第１及び第２のレジスト層並びにベース
フィルムを除去する工程； を順次行なって得られるメツシュ部分を有するメタルマ
スクを使用することを特徴とするプリント配線板の製造
方法が提供される。Further, according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board, in which a metal mask with a pattern formed thereon is closely attached to the surface of a printed wiring board substrate, and a vapor deposition substance is deposited on the surface of the substrate by a vapor phase method to form a circuit. and the metal mask (1) forms a first photoresist layer on the base film, differentiates and exposes the first seven photoresist layers through the first pattern mask, and then develops; Step of forming a first resist layer having a pattern: (2) Step of forming a first plating layer on the portion of the base film from which the photoresist layer has been removed by the development; (3) Step of forming the first resist layer and The first plating layer and the second plating layer.
After forming a photoresist layer and exposing the second photoresist layer to light differentially through a second pattern mask, the second (4) photoresist layer is developed and the first resist layer and A second resist layer having a pattern is formed on the first plating layer, and the second pattern mask is formed on the first plating layer so that the first plating layer can be fixed according to the pattern. A mesh pattern is formed on at least a part of the first resist layer in a manner connected to The pattern mask forms a second pattern so as to be connected to the mesh of the first plating layer so that it can be fixed according to the pattern, and the development of the second photoresist layer is performed when the first resist layer is A step performed under conditions where the resist layer is not substantially removed; A step of forming a second plating layer in a portion where the second seven photoresist layers have been removed by development on the first resist layer and the first plating layer; (5 ) removing the remaining first and second resist layers and the base film; and a metal mask having a mesh portion obtained by sequentially performing the following steps is provided.

本発明方法においては、メタルマスクを介してプリント
配線板用基材表面に蒸着物質を蒸着させて回路を形成す
る。上記基材の材料の種類には特に制限はなく各種の材
料を使用することができ、例えば、ポリイミド、ポリエ
ーテルポリイミド、ポリアミドポリイミド、ポリエステ
ルなどの耐熱性、剛性、寸法安定性等の物性に優れた有
機樹脂材料；セラミックス、シリコンなどの無機質材料
が挙げられる。In the method of the present invention, a circuit is formed by depositing a vapor deposition substance on the surface of a printed wiring board substrate through a metal mask. There are no particular restrictions on the type of material for the base material, and various materials can be used.For example, polyimide, polyether polyimide, polyamide polyimide, polyester, etc. have excellent physical properties such as heat resistance, rigidity, and dimensional stability. organic resin materials; inorganic materials such as ceramics and silicon;

この基材表面に蒸着させる蒸着物質としては、金属や金
属酸化物などが挙げられ、具体例としては、銅、ニッケ
ル、銀、金、白金、クロム、アルミニウム、錫、亜鉛お
よびこれらの金属の合金や酸化物（たとえば酸化錫）な
どが挙げられる。これらの蒸着物質は、真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンブレーティング、電子サイクロトロ
ン共鳴等を用いて、膜厚が０．０１〜１０μｍ程度、好
ましくは０．１〜３μｍ程度となるように蒸着させるこ
とができる。また蒸着の際、２種以上の蒸着物質を同時
に蒸着させて混合物としてもよく、また蒸着物質を蒸着
させた後、さらに別の蒸着物質を蒸着させて複層の蒸着
膜を形成してもよい。The vapor deposition substance to be vapor deposited on the surface of this substrate includes metals and metal oxides, and specific examples include copper, nickel, silver, gold, platinum, chromium, aluminum, tin, zinc, and alloys of these metals. and oxides (for example, tin oxide). These vapor deposition substances can be vapor-deposited to a film thickness of about 0.01 to 10 μm, preferably about 0.1 to 3 μm, using vacuum evaporation, sputtering, ion blating, electron cyclotron resonance, etc. . Further, during vapor deposition, two or more types of vapor deposition substances may be vapor-deposited at the same time to form a mixture, or after vapor-depositing one vapor-deposition substance, another vapor-deposition substance may be vapor-deposited to form a multilayer vapor deposition film. .

本発明方法に用いられるメタルマスクは、目的とする回
路パターンの形状に対応して透孔を有する金属板であり
、透孔から蒸着物質が基材表面に蒸着され、透孔以外の
部分では遮へいされて金属が基材表面に蒸着されないた
め透孔の形状に応じた回路パターンを有する蒸着膜を形
成することができる。メタルマスクの材質は蒸着物質を
遮へいするものであれば特に制限はなく、例えば、銅、
ニッケル、銀、金、アルミニウム、クロム、錫およびこ
れらの金属の合金などが挙げられ、これらのうち磁力に
よって吸引される磁性体、殊に二・ンケルがプリント配
線板基材の裏面から磁石などの磁力を利用して基材表面
に密着させることができ、かつ錆びにくい点から好まし
い。メタルマスクの厚さはｌＯ〜５００μｍ程度が好ま
しく、さらには２０〜２００μｍの範囲であることが好
ましい。The metal mask used in the method of the present invention is a metal plate having through holes corresponding to the shape of the intended circuit pattern, and the vapor deposition substance is deposited on the surface of the base material through the through holes, and the parts other than the through holes are shielded. Since the metal is not deposited on the surface of the base material, it is possible to form a deposited film having a circuit pattern corresponding to the shape of the through hole. There is no particular restriction on the material of the metal mask as long as it can shield the deposited substance; for example, copper,
Examples include nickel, silver, gold, aluminum, chromium, tin, and alloys of these metals. Among these, magnetic substances that are attracted by magnetic force, especially nickel, are attracted by magnets etc. from the back side of the printed wiring board substrate. It is preferable because it can be brought into close contact with the surface of the base material using magnetic force and is resistant to rust. The thickness of the metal mask is preferably about 10 to 500 μm, and more preferably in the range of 20 to 200 μm.

メタルマスクは金属板をレーザーによって直描する方法
や、後述する実施例６に示すように金属類、特に磁性を
もつ金属板表面にレジストパターンを形成した後、薬液
にてエツチングする方法などによっても作成できる。し
かし、本発明において好ましくは、精度の点などからア
ディティブ法によって作成したメタルマスクを使用する
。Metal masks can be made by directly drawing on a metal plate with a laser, or by forming a resist pattern on the surface of a metal, especially a magnetic metal plate, and then etching it with a chemical solution, as shown in Example 6 below. Can be created. However, in the present invention, a metal mask produced by an additive method is preferably used from the viewpoint of accuracy.

本発明に従うアディティブ法によるメタルマスクの製造
方法について説明する。A method for manufacturing a metal mask using an additive method according to the present invention will be explained.

まず、−段のアディティブ法によるメタルマスクは、 （１）　　ベースフィルム上にフォトレジスト層を形成
し、該フォトレジスト層をパターンマスクを介して差別
化して露光した後、現像を行すい、ベースフィルム上に
パターンを有するレジスト層を形成する工程： （２）ベースフィルムの該現像によりレジスト層が除去
された部分にメッキ層を形成する工程；および （３）残存レジスト層およびベースフィルムを除去する
工程； を順次行なう方法によって得ることができる。First, the metal mask produced by the -stage additive method is as follows: (1) A photoresist layer is formed on a base film, the photoresist layer is differentiated and exposed through a pattern mask, and then developed. Step of forming a resist layer having a pattern thereon: (2) Step of forming a plating layer on the portion of the base film from which the resist layer has been removed by the development; and (3) Step of removing the remaining resist layer and the base film. ; can be obtained by sequentially performing the following.

上記一般アデイテイブ法におけるベースフィルムは、上
記工程（２）におけるメッキ層がうまく形成されるため
には、導電性表面を有するものであるか、又は塩化白金
系等のメッキ触媒入りのものもしくはメッキ触媒塗布ベ
ースフィルムであることが望ましい。ベースフィルムの
基板としては、例えば、ポリイミドフィルム、ポリエス
テルフィルム、アラミドペーパー、ガラス布基材エポキ
シ樹脂シート、紙基材エポキシ樹脂シート、紙基材フェ
ノール樹脂シート、金属板（例えばアルミニウム板、ス
テンレス板）などが挙げられる。上記導電性表面を有す
るベースフィルムは、これらの基板の表面に銅などの金
属薄板を積層したものや、土泥基板の表面に導電性塗料
を塗布したもの等である。この導電性塗料は現像によっ
て除去されず、メッキをする際、残存していることが必
要である。In order for the plating layer in step (2) to be successfully formed, the base film in the above general additive method must have a conductive surface, or must contain a plating catalyst such as platinum chloride, or a plating catalyst. Preferably, it is a coated base film. Examples of the base film substrate include polyimide film, polyester film, aramid paper, glass cloth-based epoxy resin sheet, paper-based epoxy resin sheet, paper-based phenol resin sheet, metal plate (e.g. aluminum plate, stainless steel plate) Examples include. The above-mentioned base film having a conductive surface is made by laminating thin metal plates such as copper on the surface of these substrates, or by applying a conductive paint to the surface of a clay substrate. This conductive paint is not removed by development and must remain during plating.

また上記メッキ触媒入りベースフィルムは上記基板にメ
ッキ触媒を練り込むことなどによって得られ、メッキ触
媒塗布ベースフィルムは、例えば、基板表面にメッキ触
媒を分散ないし溶解させた液体を塗布、乾燥させること
によって得られる。The plating catalyst-containing base film can be obtained by kneading the plating catalyst into the substrate, and the plating catalyst-coated base film can be obtained by, for example, applying a liquid in which the plating catalyst is dispersed or dissolved onto the substrate surface and drying it. can get.

上記ベースフィルムにフォトレジスト層が形成されるが
、この層の形成に使用されるフォトレジストとしては、
液状フォトレジスト、電着フォトレジスト、ドライフィ
ルムフォトレジストなどが挙げられる。これらのフォト
レジストはポジ型、ネガ型のいずれであってもよい。A photoresist layer is formed on the above base film, and the photoresist used to form this layer is as follows:
Examples include liquid photoresists, electrodeposition photoresists, dry film photoresists, and the like. These photoresists may be either positive type or negative type.

ネガ型液状フォトレジストとしては、例えば部分環化し
たポリイソプレン樹脂とジアジド化合物との組合せ；重
合性不飽和基を有するアクリル樹脂、光重合性モノマー
および光重合開始剤との組合せなどが挙げられる。Examples of the negative liquid photoresist include a combination of a partially cyclized polyisoprene resin and a diazide compound; a combination of an acrylic resin having a polymerizable unsaturated group, a photopolymerizable monomer, and a photopolymerization initiator.

ポジ型液状フォトレジストとしては、例えば、ノボラッ
ク型フェノール樹脂とキノンジアジド化合物とのエステ
ル化物；フェノール樹脂とキノンジアジド化合物との混
合物：分子構造中に感光基を有する樹脂（樹脂種として
は、エポキシ樹脂ニアクリル系樹脂又はビニルエステル
系樹脂とエポキシ樹脂との共重合物）などが挙げられる
。Positive liquid photoresists include, for example, esterified products of novolak-type phenolic resins and quinonediazide compounds; mixtures of phenolic resins and quinonediazide compounds; resins that have a photosensitive group in their molecular structure (resin types include epoxy resins, acrylic resins, etc.); resin or a copolymer of a vinyl ester resin and an epoxy resin).

電着フォトレジストは、ベースフィルムが導電性表面を
有する場合に使用でき、例えば、アニオン電着塗装又は
カチオン電着塗装できる感光性電着塗料組成物を電着塗
装し、膜形成して得られるものである。この感光性電着
塗料組成物は、基本的には樹脂を水溶性もしくは水分散
性にするための塩形成基及び感光性基を有する樹脂を主
成分として含有する組成物であり、この組成物には洋ガ
型の電着塗料組成物とポジ型の電着塗料組成物が包含さ
れる。（例えば、米国特許第３９５４５８７号、同第４
５９２８１６号、同第４６３２９００号、同第４６７３
４５８号、特開昭６０−２０７１３９号公報、同６１−
２０６２９３号公報、同６３−６０７０号公報、同６４
−４６７１号公報、同６１４６７２号公報参照） ドライフィルムフォトレジストとしては、カバーフィル
ム／レジスト／キャリヤフィルムの三層からなるものが
一般的である。このものは、カバーフィルムを剥がして
、レジスト面を露出させ、この面をラミネート装置によ
ってベースフィルムに密着させ、使用前にキャリアフィ
ルムを剥離することによって、フォトレジスト層が形成
される。Electrodeposition photoresists can be used when the base film has a conductive surface, and are obtained, for example, by electrodepositing a photosensitive electrodeposition coating composition that can be applied by anionic electrodeposition or cationic electrodeposition to form a film. It is something. This photosensitive electrodeposition coating composition is basically a composition containing as a main component a resin having a salt-forming group and a photosensitive group to make the resin water-soluble or water-dispersible. This includes Western-type electrodeposition coating compositions and positive-type electrodeposition coating compositions. (For example, U.S. Pat. No. 3,954,587, U.S. Pat.
No. 592816, No. 4632900, No. 4673
No. 458, JP-A-60-207139, JP-A No. 61-
No. 206293, No. 63-6070, No. 64
(Refer to Japanese Patent Nos. 4671 and 614672) Dry film photoresists are generally composed of three layers: cover film/resist/carrier film. In this product, a photoresist layer is formed by peeling off the cover film to expose the resist surface, bringing this surface into close contact with the base film using a laminating device, and peeling off the carrier film before use.

このフォトレジスト層の厚さは、１０〜５００μｍであ
ることが好ましく、さらに好ましくは２０〜２００μｍ
である。The thickness of this photoresist layer is preferably 10 to 500 μm, more preferably 20 to 200 μm.
It is.

上記の如くして調整されるフォトレジスト層を備えたベ
ースフィルムから本発明に従いメタルマスクが製造され
る。その製造工程工程について以下さらに説明する。A metal mask is manufactured according to the invention from a base film provided with a photoresist layer prepared as described above. The manufacturing process will be further explained below.

露光工程 フォトレジスト層にパターンマスクを介して１ｍａｇｅ
ｗｉｓｅに活性光線を露光する。Exposure process 1mage is applied to the photoresist layer through a pattern mask.
Expose to actinic rays wisely.

露光に使用しうる活性光線は、一般には３０００〜４，
５００人の波長を有する光線が適している。そのような
光線を発する光源としては、例えば、太陽光、水銀灯、
キセノンランプ、アーク灯およびレーザー光線などがあ
り、水銀灯としては高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタル
ハライドランプ、ケミカルランプなどが使用される。活
性光線の照射によるフォトレジスト層の硬化は１秒〜２
０分の範囲、通常は数分以内で行なわれる。The active light rays that can be used for exposure are generally 3000 to 4,
A light beam with a wavelength of 500 nm is suitable. Examples of light sources that emit such light rays include sunlight, mercury lamps,
There are xenon lamps, arc lamps, and laser beams, and mercury lamps include high-pressure mercury lamps, ultra-high-pressure mercury lamps, metal halide lamps, and chemical lamps. The curing of the photoresist layer by irradiation with actinic light takes 1 to 2 seconds.
0 minute range, usually within a few minutes.

現像工程 露光についで現像が行なわれる。現像は、フォトレジス
トがネガ型の場合には未露光部を、そしてポジ型の場合
には露光部を除去することによって行われる。場合によ
っては、現像処理に先立ち表面温度６０°Ｃ−１８０°
Ｃ１好ましくは８０°Ｃ〜１６０°Ｃの温度で１秒〜３
０分間加熱処理を行なってもよく、こうすることにより
、除去されないレジスト層部分の現像液に対する難溶化
が促進され、パターンの解像性をさらに向上させること
ができる。Development process: Development is performed after exposure. Development is performed by removing the unexposed areas if the photoresist is of negative type and the exposed areas if it is of positive type. In some cases, the surface temperature may be 60°C-180° prior to development.
C1 Preferably at a temperature of 80°C to 160°C for 1 second to 3
The heat treatment may be performed for 0 minutes. By doing so, the portion of the resist layer that is not removed is promoted to become less soluble in the developer, and the resolution of the pattern can be further improved.

通常、現像は露光したフォトレジスト層を現像液で処理
することにより行なわれるが、現像液としてはフォトレ
ジストの種類に応じて、有機溶剤、アルカリ水溶液、酸
水溶液などの中から適当なものを選定して使用すること
ができる。現像液として用いられる有機溶剤としては、
例えば、１．１゜１−トリクロロエタンなどが挙げられ
る。アルカリ水溶液に用いるアルカリとしては、水酸化
ナトリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、水酸化
カリウム、アンモニアおよびアミン類などの、レジスト
膜中に存在する遊離カルボキシル基を中和して未露光部
又は露光部のフォトレジストを水溶化せしめることがで
きるものが使用可能である。Usually, development is carried out by treating the exposed photoresist layer with a developer, and the appropriate developer is selected from among organic solvents, alkaline aqueous solutions, acid aqueous solutions, etc., depending on the type of photoresist. and can be used. Organic solvents used as developing solutions include:
For example, 1.1°1-trichloroethane may be used. Examples of the alkali used in the aqueous alkali solution include sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, potassium hydroxide, ammonia, and amines, which neutralize free carboxyl groups present in the resist film and remove the unexposed or exposed areas. Any material that can make the photoresist soluble in water can be used.

酸水溶液に用いる酸としては、塩酸、リン酸、酢酸、ギ
酸、乳酸などの、レジスト膜中に存在するアミノ基など
の塩基性基を中和して未露光部又は露光部の７オトレジ
ストを水溶化せしめることができるものが使用可能であ
る。The acids used in the acid aqueous solution include hydrochloric acid, phosphoric acid, acetic acid, formic acid, and lactic acid, which neutralize basic groups such as amino groups present in the resist film and dissolve the 7-otoresist in the unexposed or exposed areas in water. Anything that can be morphed can be used.

メンキ工程 現像によってベースフィルム上にレジストパターンが形
成されるが、この現像によってフォトレジスト層が除去
され露出した部分のベースフィルム上には次いでメッキ
が行なわれる。メッキはそれ自体既知のメッキ浴組成及
び方法を用いて、電解メッキまたは無電解メッキのいず
れかの方法で行なうことができる。電解メッキを行なう
場合には、ベースフィルムの表面は導電性を有している
ことが必要であるが、無電解メッキの場合には、ベース
フィルム表面は必ずしも導電性を有している必要はない
。メッキしうる金属としては、例えば、ニッケル、銅、
アルミニウム、銀、金、白金、クロム、錫及びこれらの
金属の合金などが挙げられる。これらのうちニッケルが
前述した理由により特に好適である。A resist pattern is formed on the base film by the Menki process development, and the photoresist layer is removed by this development, and the exposed portions of the base film are then plated. Plating can be carried out either electrolytically or electrolessly, using plating bath compositions and methods known per se. When performing electrolytic plating, the surface of the base film must be conductive, but in the case of electroless plating, the base film surface does not necessarily need to be conductive. . Examples of metals that can be plated include nickel, copper,
Examples include aluminum, silver, gold, platinum, chromium, tin, and alloys of these metals. Among these, nickel is particularly suitable for the reasons mentioned above.

また、メッキ層は通常ｌＯ〜５００μｍ程度、殊に２０
〜２００μｍの範囲内であることが好ましい。メッキは
複数回行なってもよく、またその際、金属の種類を変え
て複層となってもよい。In addition, the plating layer is usually about 10 to 500 μm, especially about 20 μm.
It is preferably within the range of ~200 μm. Plating may be performed multiple times, and at that time, the type of metal may be changed to form multiple layers.

除去工程 メッキされたベースフィルムから次いで残存レジスト層
及びベースフィルムが除去される。この除去は、例えば
、メッキされた金属は実質的に溶解せず、ベースフィル
ム及び残存レジスト層をそれぞれ溶解しうる溶剤又はア
ルカリ液で処理するか、或いは残存レジスト層をその溶
剤又はアルカリ−液で溶解除去し且つベースフィルム基
板、例えば金属板を電解エツチングによって選択的に除
去する、等の方法によって行なうことができる。Removal Step The remaining resist layer and base film are then removed from the plated base film. This removal may be accomplished, for example, by treating the plated metal with a solvent or alkaline solution that does not substantially dissolve the base film and the remaining resist layer, respectively, or by treating the remaining resist layer with the solvent or alkaline solution. This can be done by a method such as dissolving and removing and selectively removing the base film substrate, such as a metal plate, by electrolytic etching.

また、本発明に使用するメタルマスクは、下記に述べる
二段のアディティブ法によっても得られる。すなわち （１）ベースフィルム上に第１の７オトレジスト層を形
成し、第１のフォトレジスト層を第１のパターンマスク
を介して差別化して露光した後、現像を行ない、パター
ンを有する第１のレジスト層を形成する工程： （２）ベースフィルムの該現像によりフォトレジスト層
が除去された部分に第１のメッキ層を形成する工程： （３）第１のレジスト層および第１のメッキ層上に第２
のフォトレジスト層を形成し、第２の７オトレジスト層
を第２のパターンマスクを介して、差別化して露光した
後、第２の７オトレジスト層を現像して、＄１のしく４
） （５） シスト層及び第１のメッキ層上に、パターンを有する第
２のレジスト層を形成し、その際第２のパターンマスク
は、第１のメツキ層をそのパターンどおりに固定できる
ように、第１のメッキ層に連結する形で第１のレジスト
層上の全部もしくは一部にメツシュパターンを形成する
ものであるか、または第１のメッキ層が全部もしくは一
部にメンシュを有するメッキ層であって第２のパターン
マスクは、第１のメッキ層のメツシュに連結する形でパ
ターンどおりに固定できるように第２のパターンを形成
するものであり、また第２のフォトレジスト層の現像は
第１のレジスト層が実質的に除去されなし１条件下に行
なう工程； 第１のレジスト層及び第１のメッキ層上の、現像ｔこよ
り第２のフォトレジスト層が除去された部分に第２のメ
ッキ層を形成する工程： 残存する第１及び第２のレジスト層並びにベースフィル
ムを除去する工程； を順次行なうことによってメツシュ部分によってパター
ンが固定されたメタルマスクが得られる。Further, the metal mask used in the present invention can also be obtained by a two-stage additive method described below. Specifically, (1) a first seven photoresist layers are formed on a base film, the first photoresist layer is differentiated and exposed through a first pattern mask, and then developed to form a patterned first photoresist layer. Step of forming a resist layer: (2) Step of forming a first plating layer on the portion of the base film from which the photoresist layer has been removed by the development: (3) On the first resist layer and the first plating layer second to
After forming a photoresist layer and exposing a second 7-photoresist layer to light differentially through a second pattern mask, the second 7-photoresist layer is developed to form a photoresist layer of $1.
) (5) A second resist layer having a pattern is formed on the cyst layer and the first plating layer, and at this time, the second pattern mask is used so that the first plating layer can be fixed according to the pattern. , a mesh pattern is formed on all or part of the first resist layer in connection with the first plating layer, or the first plating layer has a mensch on all or part of the first resist layer. The second pattern mask is a layer that forms a second pattern so that it can be fixed according to the pattern by connecting to the mesh of the first plating layer, and a second pattern mask that is connected to the mesh of the first plating layer to form a second pattern, and a second pattern mask that is connected to the mesh of the first plating layer to form a second pattern so as to be fixed in accordance with the pattern. is a process carried out under one condition in which the first resist layer is not substantially removed; By sequentially performing the steps of forming the second plating layer: removing the remaining first and second resist layers and the base film, a metal mask with a pattern fixed by the mesh portion can be obtained.

上記二段アディティブ法においては、１回目又は２回目
のメッキによって形成される回路部分を２回目又は１回
目のメッキによって形成されるメツシュによって連結し
て、固定するものである。例えば、リング状のパターン
を蒸着させる場合、メタルマスクにおけるリング状の中
央部に浮いた円形マスクが固定されず、また細長い形状
で端部が固定されていないマスク（例、第９図の２２）
は、マスクが薄いため自重などによって曲がり、不安定
なためメツシュ（例、第９図の２３）によって周辺部と
連結して固定するものである。In the two-stage additive method, circuit parts formed by the first or second plating are connected and fixed by a mesh formed by the second or first plating. For example, when depositing a ring-shaped pattern, a circular mask floating in the center of the ring-shaped metal mask is not fixed, and a mask with an elongated shape whose ends are not fixed (for example, 22 in Fig. 9)
Because the mask is thin, it bends due to its own weight and is unstable, so it is fixed by connecting it to the surrounding area with a mesh (for example, 23 in FIG. 9).

上記２段アディティブ法においては、１回目のメッキに
よって回路部分を形成して、２回目のメッキによってメ
ツシュを形成する方法（以下、「後メツシュ形成方法」
と略称する。）でもよいし、逆に１回目のメッキによっ
てメツシュを形成して２回目のメッキによって回路部分
を形成する方法（以下、「前メッシュ形成方法」と略称
する。）でもよいが、後メツシュ形成方法のほうがより
好ましい。その理由は、後メツシュ形成方法において第
１層目の回路部形成用のメッキ層はベースフィルム上に
形成されるが、ベースフィルムとして表面の平滑なもの
を用いることによって、これに接して形成されるメッキ
面（蒸着によって回路を形成する際、ベースフィルムへ
密着するメタルマスクの密着面となる面）が平滑性に優
れたものにできるため蒸着によって得られる回路が精度
の高いものとできる。一方、前メッシュ形成方法におい
ては、蒸着によって回路を形成する際にベースフィルム
へ密着するメタルマスクの密着面となる面は、第２層目
の回路部形成用メッキ面（空気に面する最終自由表面）
であって、後メツシュ形成方法によるものより一般に平
滑性が劣り、このため蒸着によって得られる回路の精度
が若干力るものとなる。In the above two-stage additive method, a circuit part is formed by the first plating, and a mesh is formed by the second plating (hereinafter referred to as "post-mesh forming method").
It is abbreviated as. ), or conversely, a method in which a mesh is formed by the first plating and a circuit part is formed by the second plating (hereinafter referred to as the "pre-mesh forming method"), but the post-mesh forming method is also acceptable. is more preferable. The reason for this is that in the post-mesh forming method, the first plating layer for forming the circuit section is formed on the base film, but by using a base film with a smooth surface, the plating layer is formed in contact with this. Since the plating surface (the surface that becomes the contact surface of the metal mask that adheres to the base film when forming a circuit by vapor deposition) has excellent smoothness, the circuit obtained by vapor deposition can be made with high precision. On the other hand, in the pre-mesh forming method, when forming a circuit by vapor deposition, the surface of the metal mask that comes into close contact with the base film is the plating surface for forming the circuit portion of the second layer (the final free surface facing the air). surface)
However, the smoothness is generally inferior to that obtained by the post-mesh forming method, and therefore the accuracy of the circuit obtained by vapor deposition is slightly reduced.

本発明の方法ｌ二おいて使用できる二段アディティブ法
の後メンツユ形成方法によるメタルマスクの製造工程を
図面を参照しながら以下にさらに具体的に説明する。The manufacturing process of a metal mask by the two-stage additive post-mention forming method that can be used in method 12 of the present invention will be explained in more detail below with reference to the drawings.

工程（１）によって第１図に示すようにベースフィルム
ｌｌ上に第１のフォトレジスト層１２が形成され、前記
−段のアディティブ法で説明したと同様にしてパターン
マスクを介して差別化して露光し、かつ現像を行なうこ
とによって第２図に示すようにパターンを宵する第１の
レジス１１２が形成される。この第１のレジスト層は後
述する第２のメッキ層のためのメッキ触媒を含有してい
てもよい。In step (1), the first photoresist layer 12 is formed on the base film 11 as shown in FIG. Then, by performing development, a first resist 112 having a pattern is formed as shown in FIG. This first resist layer may contain a plating catalyst for a second plating layer, which will be described later.

ついで工程（２）に従い第３図に示すように、ベースフ
ィルムの現像により第１の７オトレジスト層が除去され
た部分１２’に無電解メッキ法により前述した如き金属
をメッキして第１のメッキ層１３を形成する。Then, according to step (2), as shown in FIG. 3, the portion 12' from which the first seven photoresist layers have been removed by developing the base film is plated with the metal as described above by electroless plating to complete the first plating. Form layer 13.

次いで工程（３）によって、この層１２．１３上に適宜
メッキ触媒処理を施すか、又は無電解メッキもしくは蒸
着によって０．５〜２μｍ程度の金属薄膜層を形成した
後、第４区に示すように第２のフォトレジスト層１４を
好ましくは５〜１００μｍ、さらに好ましくは１０〜８
０μｍの厚さとなるように形成し、さらにメツシュパタ
ーン形成用のパターンマスクを介して差別化して露光し
、かつ現像することによって第５図に示すようにメツシ
ュパターンを有する第２のレジスト層１４を形成させる
。Next, in step (3), a metal thin film layer of about 0.5 to 2 μm is formed on this layer 12.13 by appropriate plating catalyst treatment or by electroless plating or vapor deposition, and then as shown in Section 4. The thickness of the second photoresist layer 14 is preferably 5 to 100 μm, more preferably 10 to 8 μm.
A second resist layer having a mesh pattern as shown in FIG. 5 is formed by forming the resist layer to have a thickness of 0 μm, exposing it to light through a pattern mask for mesh pattern formation, and developing it. 14 is formed.

このメツシュパターンは、例えば、第５図に示すように
、第一のメッキ層１３（ａ）と１３（ｂ）を連結するよ
うに、その間にある第一のレジスト層１２（ａ）上に形
成することができる。For example, as shown in FIG. 5, this mesh pattern is formed on the first resist layer 12(a) between the first plating layers 13(a) and 13(b) so as to connect them. can be formed.

上記第２のフォトレジスト層の現像によって第１のレジ
スト層１２は、実質的に除去されないことが必要である
。このため、第１のレジスト層１２は前もって、焼付け
などによって硬化させて、第２のフォトレジスト層の現
像における耐現像液性を向上させてもよい。また、第１
のフォトレジスト層を形成するだめのフォトレジスト材
と第２のフォトレジスト層を形成するだめのフォトレジ
スト材とは同じものであっても異なっていてもよく、例
えば第１の７オトレジスト層用の７オトレジスト材とし
てアニオン性のものを用い、第２のフォトレジスト層用
のフォトレジスト材としてカチオン性のものを用いる方
法、又、その逆の方法などによって第２のレジスト層１
４の現像の際に第１のレジスト層１２が実質的に除去さ
れないようにしてもよい。It is necessary that the first resist layer 12 is not substantially removed by the development of the second photoresist layer. For this reason, the first resist layer 12 may be hardened in advance by baking or the like to improve developer resistance during development of the second photoresist layer. Also, the first
The primary photoresist material for forming the first photoresist layer and the secondary photoresist material for forming the second photoresist layer may be the same or different, for example, 7. The second resist layer 1 is formed by using an anionic photoresist material and a cationic photoresist material for the second photoresist layer, or vice versa.
The first resist layer 12 may not be substantially removed during the development of step 4.

工程（４）では、工程（３）で得られたパターンを有す
る第２のレジスト層１４の凹部１４′（すなわち第２の
７オトレジスト層が除去された部分）に第６図に示すよ
うに、それ自体既知の無電解メッキ法又は電解メッキ法
により第２のメッキ層１５が形成される。この第２のメ
ッキ層を形成する金属としては、第１のメッキ層の形成
に使用する金属と同種のものであっても又は異種のもの
であってもよいが、第一のメッキ層との接着性に優れた
ものが望ましい。第２のメッキ層の厚さは通常５〜１０
０μｍ程度、殊に１０〜４０μｍの範囲内が好ましい。In step (4), as shown in FIG. The second plating layer 15 is formed by an electroless plating method or an electrolytic plating method which is known per se. The metal forming this second plating layer may be the same kind of metal as the metal used to form the first plating layer, or it may be a different kind of metal, but it may be different from the metal used for forming the first plating layer. A material with excellent adhesiveness is desirable. The thickness of the second plating layer is usually 5-10
It is preferably about 0 μm, particularly within the range of 10 to 40 μm.

最後に工程（５）において、−段アディティブ法で述べ
たと同様にして、残存する第１及び第２のレジスト層１
２及び１４並びにベースフィルムｌｌを除去することに
よって、第７図に示すようにメツシュ部分を有するメタ
ルマスクが得られる。Finally, in step (5), the remaining first and second resist layers 1 are removed in the same manner as described in the -stage additive method.
By removing 2 and 14 and the base film 11, a metal mask having a mesh portion as shown in FIG. 7 is obtained.

本発明の方法において使用できる二段アディティブ法の
前メソシュ形成方法によるメタルマスクの製造工程は、
上記の後メソシュ形成方法による製造工程の工程（１）
および（２）において、第１のメンキ層１３の少なくと
も一部がメン／ユであること、工程（３）においてメソ
シュパターン形成用のパターンマスクのかわりに回路パ
ターン部を形成用のパターンマスクを使用して回路パタ
ーン部のレジスト・層を形成すること、また、メツツユ
を形成する第１のメッキ層の厚さが５〜１００μｍ程度
、殊に１０〜４０μｍの範囲内が好ましく、回路パター
ン部を形成する第２のメッキ層の厚さが通常１０〜５０
０μｍ程度、殊に２０〜２００μｍの範囲内が好ましい
こと以外は、上記の後メツシュ形成方法による製造工程
に準することができる。The metal mask manufacturing process using the two-stage additive pre-metosh formation method that can be used in the method of the present invention is as follows:
Step (1) of the manufacturing process using the above-mentioned post-metosh forming method
and (2), at least a part of the first coating layer 13 is a thin layer, and in step (3), a pattern mask for forming a circuit pattern portion is used instead of a pattern mask for forming a mesh pattern. It is preferable that the thickness of the first plating layer forming the layer is about 5 to 100 μm, particularly 10 to 40 μm, and the thickness of the first plating layer forming the layer is preferably in the range of 10 to 40 μm. The thickness of the second plating layer to be formed is usually 10 to 50 mm.
The manufacturing process according to the above-mentioned post-mesh forming method can be followed except that the thickness is preferably about 0 μm, particularly within the range of 20 to 200 μm.

第９図は第８図に示す如き部分パターンをもつメタルマ
スク２１を得るための、その部分をメツシュ部分２３で
固定したメタルマスクの一例の平面図を示したものであ
り、メツシュ部分２３がメタルマスクの細長い形状部２
２を周辺部２４と結合させて固定する役目をしている。FIG. 9 is a plan view of an example of a metal mask whose portions are fixed with mesh portions 23 in order to obtain a metal mask 21 having a partial pattern as shown in FIG. Elongated shape part 2 of the mask
2 and the peripheral portion 24 to fix it.

このメツシュ部分２３は、メタルマスク面に対して垂直
方向からみて空隙率５０％以上、さらには７０〜９０％
の範囲内であることが好ましい。空隙率が極端に低いメ
タルマスクを使用してプリント配線板を作成すると、メ
ツシュ部分に対応する回路部分が他の回路部分に比べて
厚さが極端に薄くなって強度が弱くなったり、電気の導
通性が悪くなるおそれがある。またメツシュ部分に対応
する回路部分は薄くなるため他の回路部分に比べ幅を広
くしておくことが導通性および強度の点から好ましい。This mesh portion 23 has a porosity of 50% or more, more preferably 70 to 90%, when viewed from the direction perpendicular to the metal mask surface.
It is preferable that it is within the range of . If a printed wiring board is created using a metal mask with extremely low porosity, the circuit part corresponding to the mesh part will be extremely thin compared to other circuit parts, resulting in weaker electrical strength. There is a risk of poor conductivity. Further, since the circuit portion corresponding to the mesh portion is thin, it is preferable to make the width wider than other circuit portions from the viewpoint of conductivity and strength.

二段アディティブ法によって得られるメタルマスクは極
めて精度が高いものであり、特にメツシュ部分のメツツ
ユ１つの幅を約２０μ市程度まで小さくできるため、メ
ツシュ部分の空隙率を大きくできる。したがって蒸着後
における、メツシュ部分に対応する部分の蒸着膜と他の
部分の蒸着膜との厚さの差を小さくできる。The metal mask obtained by the two-stage additive method has extremely high precision, and in particular, since the width of each mesh in the mesh portion can be reduced to about 20 μm, the porosity of the mesh portion can be increased. Therefore, after vapor deposition, the difference in thickness between the vapor deposited film in the portion corresponding to the mesh portion and the vapor deposited film in other portions can be reduced.

またメタルマスクのメツシュ部分は、蒸着時、プリント
配線板基板から離れて存在していることが好ましく、メ
タルマスクを磁石などの磁力によって基板に密着させる
場合にはメツシュ部分の素材は、銅、アルミニウム等の
非磁性体であることが好ましい。In addition, it is preferable that the mesh part of the metal mask exists apart from the printed wiring board substrate during vapor deposition, and when the metal mask is attached to the board by magnetic force such as a magnet, the material of the mesh part is copper, aluminum, etc. It is preferable that it is a non-magnetic material such as.

第１０Ｂはメツシュ部分を有するニッケル族のメタルマ
スク２７を用いてプリント配線板基材２５の裏面から磁
石２６によってメタルマスク２７を密着させ（その際メ
ツシュ部分は、基材との間に所定の間隙ｈ１例えば５０
〜１５０μｍ程度を有することが望ましい。）、蒸着装
置によって蒸着を行なっている状態を示す概略モデル図
であり、蒸着によって第１１図に示すように、メツシュ
部対応回路部分２８や他の回路部分２９の蒸着膜が形成
され、プリント配線板が得られる。No. 10B uses a nickel group metal mask 27 having a mesh portion to closely adhere the metal mask 27 to the back surface of the printed wiring board base material 25 using a magnet 26 (at this time, the mesh portion is attached with a predetermined gap between it and the base material). h1 e.g. 50
It is desirable to have a thickness of about 150 μm. ) is a schematic model diagram showing a state in which vapor deposition is performed by a vapor deposition apparatus, and as shown in FIG. A board is obtained.

上記、蒸着は、蒸着装置を移動させながら異なる角度か
ら均一に蒸着させることが好ましく、また複数の蒸着装
置で蒸着を行なってもよい。また、本発明方法によって
メタルマスク表面にも蒸着物質が蒸着されるが、メタル
マスクを溶解させず、蒸着物質のみを選択的に溶解する
洗浄液などによって蒸着物質を除去することによってメ
タルマスクは何度も再使用することができる。In the above-mentioned vapor deposition, it is preferable to perform the vapor deposition uniformly from different angles while moving the vapor deposition apparatus, and the vapor deposition may be performed using a plurality of vapor deposition apparatuses. Furthermore, although the method of the present invention also deposits a vapor deposition substance on the surface of the metal mask, the metal mask can be removed many times by removing the vapor deposition substance with a cleaning solution that selectively dissolves only the vapor deposition substance without dissolving the metal mask. can also be reused.

（発明の効果） 本発明のプリント配線板の製造方法は、工程が簡単で、
現像液や工・Ｚチンダ液の廃液処理が不要であり、しか
もこの方法によって精度の高いプリント配線板が得られ
る。(Effects of the Invention) The method for manufacturing a printed wiring board of the present invention has simple steps;
There is no need to treat waste liquids such as developer and process/Z binder liquid, and moreover, a printed wiring board with high precision can be obtained by this method.

また本発明方法において、特に二段アディティブ法によ
って得られるメツシュ部分を有するメタルマスクは極め
て精度が高くメツシュ部の空隙率を大きくできるため、
このメタルマスクを用いることによって蒸着後のプリン
ト配線板回路におけるメツシュ部対応部分と他の部分と
の厚さの差を小さくできる。In addition, in the method of the present invention, the metal mask having a mesh part obtained by the two-stage additive method has extremely high precision and can increase the porosity of the mesh part.
By using this metal mask, it is possible to reduce the difference in thickness between the portion corresponding to the mesh portion and other portions of the printed wiring board circuit after vapor deposition.

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.

なお、以下、「部」は「重量部」を意味する。In addition, hereinafter, "part" means "part by weight".

感光性樹脂溶液の製造 製造例１ エピコートＥ１８０Ｓ６５（油化シエルエポキン社製、
エポキシ樹脂）１０００部を酢酸ブチル１３００部に溶
解し、ハイドロキノン０．１部を加えて１１０°Ｃに加
熱し、同温度に保持しながらアクリル酸３００部を加え
、同温度で酸価が１゜０以下になるまで反応させて樹脂
溶液を得た。Production of photosensitive resin solution Production example 1 Epicote E180S65 (manufactured by Yuka Ciel Epokin Co., Ltd.,
Dissolve 1,000 parts of epoxy resin in 1,300 parts of butyl acetate, add 0.1 part of hydroquinone, heat to 110°C, maintain the same temperature, add 300 parts of acrylic acid, and at the same temperature the acid value reaches 1°. The reaction was carried out until the concentration became 0 or less to obtain a resin solution.

得られた樹脂溶液１００部にベンゾフェノン１部を加え
、混合して感光性樹脂溶液Ａを得た。1 part of benzophenone was added to 100 parts of the obtained resin solution and mixed to obtain a photosensitive resin solution A.

製造例２ スチレン　　　　　　　　　　　　　　　３０部メチル
メタクリレート　　　　　　　　　３０部アクリル酸　
　　　　　　　　　　　　　４０部ｔ−ブチルパーオク
トエート　　　　　　３部上記混合物を１１０°Ｃに加
熱した２−エトキシエチルアセテート１４５部中に２時
間かけて滴下し、同温度で８時間保持した。得られたア
クリル樹脂は、酸価：３１２、ガラス転移温度：１０４
℃、数平均分子量：１６，０００であった。Production example 2 Styrene 30 parts Methyl methacrylate 30 parts Acrylic acid
40 parts t-butyl peroctoate 3 parts The above mixture was added dropwise over 2 hours to 145 parts of 2-ethoxyethyl acetate heated to 110°C, and maintained at the same temperature for 8 hours. The obtained acrylic resin had an acid value of 312 and a glass transition temperature of 104.
℃, number average molecular weight: 16,000.

次いで、上記樹脂にグリシジルメタクリレート４５部、
テトラエチルアンモニウムブロマイド０．１部及びハイ
ドロキノンｏ、ｏｏｓ部を加工、１１０℃で４時間反応
せしめメタクリロイル基２゜２モル／ｋｇ（固形分）及
び酸価９２を有する不飽和樹脂溶液を得た。Next, 45 parts of glycidyl methacrylate was added to the resin,
0.1 part of tetraethylammonium bromide and o and oos parts of hydroquinone were processed and reacted at 110°C for 4 hours to obtain an unsaturated resin solution having 2.2 mol/kg (solid content) of methacryloyl groups and an acid value of 92.

この不飽和樹脂溶液１６０部にエポキシ当量１７３のフ
ェノールノボラックエポキシ樹脂２０部、α−ヒドロキ
シイソブチルフェノン３部及びモダフロー（米国モンサ
ント社製表面調整剤）１．５部を加え、混合して感光性
樹脂溶液Ｂを得た。To 160 parts of this unsaturated resin solution, 20 parts of a phenol novolac epoxy resin with an epoxy equivalent of 173, 3 parts of α-hydroxyisobutylphenone, and 1.5 parts of Modaflow (a surface conditioner manufactured by Monsanto, Inc., USA) were added and mixed to form a photosensitive resin. Solution B was obtained.

実施例１ 塩化白金にて活性化処理したアルミニウム板に製造例１
で得た感光性樹脂溶液Ａを塗布し、９０°Ｃで２０分間
加熱して膜厚約８０μｍの第１のレジスト層を形成した
。次いで所定の回路形成用パターンマスクを通して、高
圧水銀灯にて３００ｍ１／ｃｍ’露光した。ついで混合
溶剤（酢酸ブチル／イソプロパノ−ルー１／ｌ）にて３
０℃で現像を行ない、さらに１２０°Ｃで２０分間乾燥
させてパターンを有する第１のレジスト層の強度を向上
させ　を二　。Example 1 Production example 1 was applied to an aluminum plate activated with platinum chloride.
The photosensitive resin solution A obtained in step 1 was applied and heated at 90° C. for 20 minutes to form a first resist layer having a thickness of about 80 μm. Next, the film was exposed to light at 300 m1/cm' using a high-pressure mercury lamp through a predetermined circuit-forming pattern mask. Then, with a mixed solvent (butyl acetate/isopropanol 1/l)
Developing was carried out at 0°C and further dried at 120°C for 20 minutes to improve the strength of the patterned first resist layer.

次いで、アルミニウム板上の第１層のレジスト層が除去
された部分の表面にニッケルメッキを行ない、アルミニ
ウム板上にニッケルを析出させた。Next, the surface of the portion of the aluminum plate from which the first resist layer was removed was plated with nickel to deposit nickel on the aluminum plate.

次いで第１のレジスト層とニッケルメッキ層の上、全面
に０．１％塩化白金水溶液を塗布、乾燥させた後、さら
にこの上に製造例２で得た感光性樹脂溶液Ｂを塗布し、
９０°Ｃで２０分間加熱して膜厚約４０μｍの第２のレ
ジスト層形成した。次いで所定のメツシュ形成用マスク
を通して高圧水銀灯にて３００　ｒｎ」／　ｃｍ”Ｈ光
し、次いで１％炭酸ナトリウム水溶液にて３０℃で現像
を行なつＩ：。この現像によって第２のレジスト層にメ
ツシュパターンが形成されたが、第１のレジスト層は溶
解されることはなかった。次いで第２のレジスト層の凹
部（第２の）オドレジストが除去された部分）に銀メッ
キを行ない凹部を埋めて基板を得た。Next, a 0.1% platinum chloride aqueous solution was applied to the entire surface of the first resist layer and the nickel plating layer, and after drying, the photosensitive resin solution B obtained in Production Example 2 was further applied on top of this,
A second resist layer having a thickness of about 40 μm was formed by heating at 90° C. for 20 minutes. Next, 300 rn''/cm''H light was applied using a high-pressure mercury lamp through a predetermined mesh-forming mask, and development was then performed at 30°C with a 1% aqueous sodium carbonate solution.This development caused a mesh to be formed on the second resist layer. A pattern was formed, but the first resist layer was not dissolved.Next, silver plating was applied to the recesses in the second resist layer (the parts where the second resist was removed), and the recesses were filled. A substrate was obtained.

次いで、この基板を５０℃の５％水酸化カリウム水溶液
中に浸漬して残存する第１および第２のレジスト層を除
去し、水洗後、この基板を陰極として、エツチング液中
で選択エツチングを行ない、アルミニウム板を除去して
ニッケル族のメタルマスクを得た。このメタルマスクは
メツシュ部分の空隙率がメタルマスクの垂直方向からみ
て約７０％であった。またメタルマスクの回路形成部分
表面（プリント配線板基材表面に密着させる面）は平滑
であった 得られたメタルマスクをアルミナ族のプリント配線板基
材（基セラ（株）製、商品名ＫＹＯＣＥＲＡ　　Ａ−４
９３）表面に位置を合せて載せ、基材の裏面から電磁石
による磁力によってメタルマスクを基材表面に密着させ
、この基材表面に向がって真空蒸着装置ＥＸ−４００Ｃ
日本真空（株）製）を使用して真空度２　Ｘｌ　０−’
　ｍｍＨｇｘ電子銃のＥｍｉｓｓｉｏｎ　Ｃｕｒｒｅｎ
ｔ　３０ｍＡの条件で銅を真空蒸着することによって銅
を厚さ約１μｍとなるよう蒸着させ回路を得た。メツシ
ュ部分対応部における銅の厚さは約０．７μｍであった
。得られた回路は精度の高いものであった。Next, this substrate was immersed in a 5% potassium hydroxide aqueous solution at 50° C. to remove the remaining first and second resist layers, and after washing with water, selective etching was performed in an etching solution using this substrate as a cathode. , the aluminum plate was removed to obtain a nickel group metal mask. This metal mask had a porosity of about 70% in the mesh portion when viewed from the vertical direction of the metal mask. In addition, the surface of the circuit forming part of the metal mask (the surface to be brought into close contact with the surface of the printed wiring board substrate) was smooth.The obtained metal mask was used as an alumina group printed wiring board substrate (manufactured by Kicera Co., Ltd., product name: KYOCERA). A-4
93) Align and place the metal mask on the surface, bring the metal mask into close contact with the surface of the substrate from the back side of the substrate by the magnetic force of the electromagnet, and apply the vacuum evaporation device EX-400C toward the surface of the substrate.
Vacuum degree 2Xl 0-' using Nippon Vacuum Co., Ltd.)
Emission Curren of mmHgx electron gun
A circuit was obtained by vacuum evaporating copper to a thickness of about 1 μm under the condition of t 30 mA. The thickness of the copper in the corresponding mesh portion was approximately 0.7 μm. The obtained circuit was highly accurate.

実施例２ ０．１％塩化白金水溶液を塗布、乾燥させたアルミニウ
ム板に製造例２で得た感光性樹脂溶液Ｂを塗布し、９０
°Ｃで２０分間加熱して膜厚約８０μｍのレジスト層を
形成した。次いで所定の回路形成用パターンマスクを通
して、高圧水銀灯にて３００　ｍｊ／　ｃｍ’ｉＥｌ光
した。次いで１％炭酸ナトリウム水溶液にて３０°Ｃで
現像を行ないアルミニウム板上にレジストパターンを形
成した。このレジスト層の凹部（フォトレジスト層が除
去された部分）に銅メッキを行ない凹部を埋めて基板を
得た。Example 2 Photosensitive resin solution B obtained in Production Example 2 was applied to an aluminum plate coated with a 0.1% platinum chloride aqueous solution and dried.
A resist layer having a thickness of about 80 μm was formed by heating at °C for 20 minutes. Next, 300 mj/cm'iEl light was emitted from a high-pressure mercury lamp through a predetermined circuit-forming pattern mask. Next, development was performed at 30°C with a 1% aqueous sodium carbonate solution to form a resist pattern on the aluminum plate. Copper plating was applied to the recesses of this resist layer (portions from which the photoresist layer was removed) to fill the recesses and obtain a substrate.

次いで、この基板を５０°Ｃの５％水酸化カリウム水溶
液中に浸漬して残存レジスト層を除去し、水洗後、この
基板を陰極として、８０°Ｃの５％リン酸−３％クロム
酸水溶液中で選択エツチングを行ない、アルミニウム板
を除去して銅製のメタルマスクを得た。Next, this substrate was immersed in a 5% potassium hydroxide aqueous solution at 50°C to remove the remaining resist layer, and after washing with water, the substrate was immersed in a 5% phosphoric acid-3% chromic acid aqueous solution at 80°C using the substrate as a cathode. Selective etching was carried out inside and the aluminum plate was removed to obtain a copper metal mask.

得られたメタルマスクの片面に粘着剤を塗布して、塗布
面をプリント配線板基材表面に粘着させた。この基材表
面に向かって真空蒸着によって銅を厚さ約０，９μｍと
なるよう蒸着させ、回路を得た。得られた回路は精度の
高いものであった。An adhesive was applied to one side of the obtained metal mask to adhere the applied side to the surface of the printed wiring board substrate. Copper was deposited onto the surface of this base material by vacuum evaporation to a thickness of about 0.9 μm to obtain a circuit. The obtained circuit was highly accurate.

実施例３ 実施例１において、感光性樹脂溶液Ａによる第１のレジ
スト層の膜厚を約４０μｍとし、このレジスト層に回路
形成用パターンマスクのがわりに所定のメツシュ形成用
パターンマスクを通して露光する以外同様にしてアルミ
ニウム板上に加熱によって強度を向上させたパターンを
有する第１のレジスト層を形成した。Example 3 In Example 1, except that the thickness of the first resist layer made of photosensitive resin solution A was set to about 40 μm, and this resist layer was exposed through a predetermined pattern mask for mesh formation instead of the pattern mask for circuit formation. Similarly, a first resist layer having a pattern whose strength was improved by heating was formed on an aluminum plate.

次いで、アルミニウム板上の第１層のレジスト層が除去
された部分の表面に銀メッキを行ない、アルミニウム板
上に銀を析出させた。次いで第１のレジスト層と銀メッ
キ層の上に、全面に０．１％塩化白金水溶液を塗布、乾
燥させた後、さらにこの上に製造例２で得た感光性樹脂
溶液Ｂを塗布し、９０°Ｃで２０分間加熱して膜厚約８
０μｍの第２のレジスト層を形成した。次いで所定の回
路形成用パターンマスクを通して高圧水銀灯にて３００
　ｍｊ／　ｃｍ”ｇ光し、次いで１％炭酸ナトリウム水
溶液にて３０°Ｃで現像を行なった。この現像によって
第２のレジスト層に回路パターンが形成されたが、第１
のレジスト層は溶解されることはなかった。次いで第２
のレジスト層の凹部（第２のフォトレジストが除去され
た部分）にニッケルメッキを行ない凹部を埋めて基板を
得た。Next, silver plating was performed on the surface of the portion of the aluminum plate from which the first resist layer was removed, and silver was deposited on the aluminum plate. Next, a 0.1% platinum chloride aqueous solution was applied to the entire surface of the first resist layer and the silver plating layer, and after drying, the photosensitive resin solution B obtained in Production Example 2 was further applied on top of this, Heat at 90°C for 20 minutes to achieve a film thickness of approximately 8.
A second resist layer of 0 μm was formed. Next, a high-pressure mercury lamp was used for 300 min through a predetermined pattern mask for circuit formation.
mj/cm"g, and then developed with a 1% aqueous sodium carbonate solution at 30°C. Through this development, a circuit pattern was formed on the second resist layer, but the first
The resist layer was never dissolved. Then the second
Nickel plating was performed on the recessed portions of the resist layer (portions from which the second photoresist was removed) to fill the recessed portions to obtain a substrate.

次いで、この基板のレジスト層およびアルミニウム板の
除去を実施例１と同様に行ないメタルマスクを得た。Next, the resist layer and aluminum plate of this substrate were removed in the same manner as in Example 1 to obtain a metal mask.

このメタルマスクはメツシュ部分の間隙率がメタルマス
クの垂直方向からみて約７０％であった。In this metal mask, the porosity of the mesh portion was about 70% when viewed from the vertical direction of the metal mask.

またメタルマスクの回路形成部分表面（プリント配線板
基材表面に密着させる面）は実施例１で使用したメタル
マスクの表面に比較して平滑性は少し劣っていた。Further, the surface of the circuit forming portion of the metal mask (the surface that is in close contact with the surface of the printed wiring board substrate) was slightly inferior in smoothness compared to the surface of the metal mask used in Example 1.

次いで実施例１と同様に、上記のようにして得られたメ
タルマスクをプリント配線板基材表面に載せ、銅を真空
蒸着することによって銅を厚さ約１μｍの回路を得た。Next, in the same manner as in Example 1, the metal mask obtained as described above was placed on the surface of the printed wiring board substrate, and copper was vacuum-deposited to obtain a copper circuit with a thickness of about 1 μm.

メツシュ部分対応部における銅の厚さは約０．７μｍで
あった。得られた回路は精度の高いものであったが、実
施例１で得られた回路に比較して精度が少し劣っていた
。The thickness of the copper in the corresponding mesh portion was approximately 0.7 μm. Although the obtained circuit had high precision, the precision was slightly inferior to that of the circuit obtained in Example 1.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図〜第７図は、二段アディティブ法によるメタルマ
スクの製造工程の一例を示す要部の断面図であり、 第８図は目的とする回路の一例を示す要部の平面図であ
り、 第９図は第８図の回路形成用メタルマスクの要部の平面
図である。 第１Ｏ図は本発明のプリント配線板の製造方法における
蒸蒼時のモデル図（断面図）を示し、第１１図は第１Ｏ
図の方法によって得られた回路の断面図を示す。 図中、 １１・・・ベースフィルム、１２・・・フォトレジスト
層（Ｉ）、１３・・・メッキ層（Ａ）、１４・・・フォ
トレジスト層（ｎ）、１５・・・メッキ層（Ｂ）、２１
・・・回路、２２・・・メタルマスク（細長い形状部）
、２３・・・メタルマスクのメツシュ部分、２４・・・
メタルマスク（周辺部）、２５・・・プリント配線板基
材、２６・・・磁石、２７・・・メタルマスク、２８・
・・蒸着装置、２９・・・蒸着膜（回路）ＦＩＧ　８ ＦＩＧ、　９ ８ ９1 to 7 are cross-sectional views of the main parts showing an example of the manufacturing process of a metal mask by the two-stage additive method, and FIG. 8 is a plan view of the main parts showing an example of the target circuit. , FIG. 9 is a plan view of the main part of the metal mask for circuit formation shown in FIG. 8. FIG. 1O shows a model diagram (cross-sectional view) during evaporation in the printed wiring board manufacturing method of the present invention, and FIG.
A cross-sectional view of a circuit obtained by the method shown in the figure is shown. In the figure, 11... Base film, 12... Photoresist layer (I), 13... Plating layer (A), 14... Photoresist layer (n), 15... Plating layer (B ), 21
...Circuit, 22...Metal mask (elongated shape part)
, 23...Mesh part of metal mask, 24...
Metal mask (peripheral part), 25... Printed wiring board base material, 26... Magnet, 27... Metal mask, 28.
... Vapor deposition equipment, 29... Vapor deposited film (circuit) FIG 8 FIG, 9 8 9

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １．プリント配線板基材表面にパターンを形成したメタ
ルマスクを密着させ、蒸着物質を気相法により基材表面
に蒸着させて回路を形成するプリント配線板の製造方法
であって、上記メタルマスクが、 （ｉ）ベースフィルム上にフォトレジスト層を形成し、
該フォトレジスト層をパターンマ スクを介して差別化して露光した後、現像 を行ない、ベースフィルム上にパターンを 有するレジスト層を形成する工程； （ｉｉ）ベースフィルム上の該現像によりレジスト層が
除去された部分にメッキ層を形成す る工程：および （ｉｉｉ）残存レジスト層およびベースフィルムを除去
する工程； により得られるメタルマスクであることを特徴とするプ
リント配線板の製造方法。 ２．プリント配線板基材表面にパターンを形成したメタ
ルマスクを密着させ、蒸着物質を気相法により基材表面
に蒸着させて回路を形成するプリント配線板の製造方法
であって、上記メタルマスクが、 （１）ベースフィルム上に第１のフォトレジスト層を形
成し、第１のフォトレジスト層を第 １のパターンマスクを介して差別化して露 光した後現像を行ない、パターンを有する 第１のレジスト層を形成する工程： （２）ベースフィルムの該現像によりフォトレジスト層
が除去された部分に第１のメッキ層 を形成する工程： （３）第１のフォトレジスト層および第１のメッキ層上
に第２のフォトレジスト層を形成し、第２のフォトレジ
スト層を第２のパターン マスクを介して、差別化して露光した後、 第２のフォトレジスト層を現像して、第１ のレジスト層及び第１のメッキ層上に、パ ターンを有する第２のレジスト層を形成し、その際第２
のパターンマスクは、第１のメッキ層をそのパターンど
おりに固定できるよ うに、第１のメッキ層に連結する形で第１ のレジスト層上の全部もしくは一部にメッ シュパターンを形成するものであるか、ま たは第１のメッキ層が全部もしくは一部に メッシュを有するメッキ層であって第２の パターンマスクは、第１のメッキ層のメッ シュに連結する形でパターンどおりに固定 できるように第２のパターンを形成するも のであり、また第２のフォトレジスト層の 現像は第１のレジスト層が実質的に除去さ れない条件下に行なう工程； （４）第１のレジスト層及び第１のメッキ層上の、現像
により第２のフォトレジスト層が除去 された部分に第２のメッキ層を形成する工 程； （５）残存する第１及び第２のレジスト層並びにベース
フィルムを除去する工程； により得られるメッシュ部分を有するメタルマスクであ
ることを特徴とするプリント配線板の製造方法。 ３．メタルマスクが、メッシュ部分の空隙率がメタルマ
スクの垂直方向からみて５０％以上である請求項２記載
のプリント配線板の製造方法。 ４．メタルマスクの全部又は一部がニッケル製である請
求項１又は２記載のプリント配線板の製造方法。 ５．第１のメッキ層が回路部形成用のメッキ層であって
、第２のメッキ層が全部もしくは一部にメッシュを有す
るメッキ層であるメタルマスクを使用する請求項２記載
のプリント配線板の製造方法。 ６．プリント配線板の材表面へのメタルマスクの密着を
磁力によって行なう請求項４記載のプリント配線板の製
造方法。 ７．請求項１又は２の方法に使用するメタルマスク。 ８．請求項１又は２の方法によって製造されたプリント
配線板。[Claims] 1. A method for manufacturing a printed wiring board, in which a metal mask with a pattern formed thereon is closely attached to the surface of a printed wiring board base material, and a vapor deposition substance is deposited on the surface of the base material by a vapor phase method to form a circuit, the metal mask comprising: (i) forming a photoresist layer on the base film;
After the photoresist layer is differentiated and exposed through a pattern mask, the resist layer is developed to form a patterned resist layer on the base film; (ii) the resist layer is removed by the development on the base film; and (iii) removing the remaining resist layer and base film. 2. A method for manufacturing a printed wiring board, in which a metal mask with a pattern formed thereon is closely attached to the surface of a printed wiring board base material, and a vapor deposition substance is deposited on the surface of the base material by a vapor phase method to form a circuit, the metal mask comprising: (1) A first photoresist layer is formed on a base film, the first photoresist layer is differentiated and exposed through a first pattern mask, and then developed to form a first resist layer having a pattern. (2) Forming a first plating layer on the portion of the base film from which the photoresist layer has been removed by the development: (3) On the first photoresist layer and the first plating layer. After forming a second photoresist layer and differentially exposing the second photoresist layer to light through a second pattern mask, the second photoresist layer is developed and the first resist layer and forming a second resist layer having a pattern on the first plating layer;
The pattern mask forms a mesh pattern on all or part of the first resist layer in a manner connected to the first plating layer so that the first plating layer can be fixed according to the pattern. Alternatively, the first plating layer is a plating layer having a mesh in whole or in part, and the second pattern mask is a plating layer having a mesh in the first plating layer so that the second pattern mask can be fixed according to the pattern in a form connected to the mesh of the first plating layer. (4) The first resist layer and the first plated layer. (5) forming a second plating layer on the portion where the second photoresist layer has been removed by development; (5) removing the remaining first and second resist layers and the base film; 1. A method for manufacturing a printed wiring board, characterized in that the mask is a metal mask having a mesh portion. 3. 3. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 2, wherein the metal mask has a mesh portion having a porosity of 50% or more when viewed in a vertical direction of the metal mask. 4. 3. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein all or part of the metal mask is made of nickel. 5. 3. The production of a printed wiring board according to claim 2, wherein a metal mask is used, wherein the first plating layer is a plating layer for forming a circuit section, and the second plating layer is a plating layer having a mesh in all or a part. Method. 6. 5. The method of manufacturing a printed wiring board according to claim 4, wherein the metal mask is brought into close contact with the surface of the printed wiring board by magnetic force. 7. A metal mask used in the method according to claim 1 or 2. 8. A printed wiring board manufactured by the method according to claim 1 or 2.