JPH0322533A - Atomizing processor - Google Patents
Atomizing processorInfo
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置製造工程に使用される半導体基板
（半導体ウェハー：以下、ウェハーと称す）の薬液処理
に関し、特に剥離・洗浄に用いられる半導体基板処理装
置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to chemical processing of semiconductor substrates (semiconductor wafers: hereinafter referred to as wafers) used in semiconductor device manufacturing processes, and in particular, to chemical processing used for peeling and cleaning. The present invention relates to a semiconductor substrate processing apparatus.
従来、この種の噴霧式処理装置は、処理物を回転させな
がら、噴霧状態にした処理液を吹きかけて処理するもの
であった。Conventionally, this type of spray-type processing apparatus sprays a sprayed processing liquid onto the object while rotating the object.
以下に、図面に添って従来技術の説明を行う。The prior art will be explained below with reference to the drawings.
第８図は、従来の処理装置の側面図である。密閉型のボ
ウル１６−の内に設けたローター１７に、複数のウェハ
ーを収納したカセット１８をセットし、ローター１７を
回転させながらボウル１６内に設けられたスプレーポス
｝１９から濾過された薬液を噴霧状態にし、吹き付ける
ものであった。FIG. 8 is a side view of a conventional processing device. A cassette 18 containing a plurality of wafers is set in a rotor 17 provided in a closed bowl 16-, and while the rotor 17 is rotated, a filtered chemical solution is sprayed from a spray port 19 provided in the bowl 16. It was made into a spray and sprayed on.
例えば特公昭６１−４２３５２号公報は、従来技術のボ
ウルの特許であり、特公昭６１−２１７５６号公報は、
スプレポストの特許である。For example, Japanese Patent Publication No. 61-42352 is a patent for a conventional bowl, and Japanese Patent Publication No. 61-21756 is a patent for a conventional bowl.
This is a patent for Sprepost.
上述した従来の噴霧式処理装置は、ウェハーを収納した
キャリアを回転させながら処理するため、キャリアを回
転させる機構部が必要となる。The above-described conventional spray-type processing apparatus performs processing while rotating a carrier containing a wafer, and thus requires a mechanism unit for rotating the carrier.
従って、回転部からの発塵が避けられない、ウェハーの
破損率が高い回転機構部の故障による稼働率低下及びメ
ンテナンスの必要性がある等の欠点がある。Therefore, there are disadvantages such as unavoidable dust generation from the rotating part, high wafer breakage rate, lower operating rate due to failure of the rotating mechanism part, and the need for maintenance.
本発明は、前記問題点を解消し、ＩＣ製造上の歩留り向
上生産性向上をもたらすものである。すなわち本発明の
目的は、ウェハーを回転することなく処理できそれによ
りウェハーの破損および発塵をなくしＩＣ製造歩留を向
上し、回転をなくすことによる装置の故障による稼働率
低下を低減でき、メンテナンス費用及び工数削減による
コスト低下を実現できる噴霧式処理装置を提供するとと
にある。The present invention solves the above problems and improves yield and productivity in IC manufacturing. In other words, an object of the present invention is to be able to process wafers without rotating them, thereby eliminating wafer damage and dust generation, thereby improving IC manufacturing yields, and by eliminating rotation, reducing the reduction in operating rate due to equipment failure, which reduces maintenance costs. It is an object of the present invention to provide a spray-type treatment device that can realize cost reduction by reducing costs and man-hours.
本発明の噴霧式処理装置は、密閉式のチャンバーと、チ
ャンバー内に複数の並列したウェハーを保持し、かつあ
るウェハーの上端とそれに隣接するウェハーの下端が垂
直方向で重ならない角度まで全ウェハーを一方向に傾け
るガイドと、薬液を噴霧するアトマイザーの噴霧口の中
心線が整列した複数枚のウェハーの上端から円周方向に
同一距離離れた点を結んだ線と直交し、かつ、整列した
複数枚のウェハー面の中心点を結んだ線と直交する位置
に配置したアトマイザーと、噴霧状態を乱さないように
チャンバー内の排気・排液を行なう排気孔と、アトマイ
ザーに薬液を供給する手段を有する。The spray processing apparatus of the present invention includes a closed chamber and a plurality of wafers arranged in parallel within the chamber, and all wafers are heated to an angle where the upper end of one wafer and the lower end of an adjacent wafer do not overlap in the vertical direction. A guide that tilts in one direction and a plurality of aligned wafers that are perpendicular to a line connecting points the same distance apart in the circumferential direction from the upper ends of the multiple wafers in which the center line of the spray port of the atomizer that sprays the chemical solution are aligned. It has an atomizer placed at a position perpendicular to a line connecting the center points of the two wafer surfaces, an exhaust hole for exhausting and draining liquid from the chamber so as not to disturb the atomization state, and a means for supplying a chemical solution to the atomizer. .
さらに本発明の噴霧式処理装置は、処理液を噴霧状にし
、かつ処理物にむらなく照射できるように配置したアト
マイザーと、処理液を貯液し、かつ液温を制御する機能
を有する貯液槽と、該貯液槽内の処理液を前記アトマイ
ザーに濾過供給する５一
機能と、前記アトマイザーにより作られた噴霧状態をみ
ださないような密閉型で、かつ排出口を有する処理槽と
、その排出口に接続され薬液と空気を分離し、それぞれ
排出するミストセパレータと、処理槽内に配置し処理物
を固定するガイドとを有し、処理物を複数枚同時に処理
し、かつ処理中に処理物が動かないことを特徴として構
或される。Furthermore, the spray-type processing apparatus of the present invention includes an atomizer arranged to atomize the processing liquid and uniformly irradiate the object to be processed, and a storage liquid having a function of storing the processing liquid and controlling the temperature of the liquid. a tank, a function of filtering and supplying the processing liquid in the liquid storage tank to the atomizer, and a processing tank that is of a closed type and has a discharge port so that the atomized state produced by the atomizer is not exposed. , has a mist separator that is connected to the discharge port and separates the chemical solution and air and discharges them respectively, and a guide that is placed in the processing tank and fixes the processed material, and processes multiple processed materials at the same time. It is characterized in that the processed material does not move during the process.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は、本発明の第１の実施例の構戒図である。薬液
供給バルブ１は、調合槽２に薬液を供給するものであり
、フィルター３は調合槽２に供給される薬液の塵埃を除
去するものであり、温調器４は、調合槽２の薬液温度を
任意の設定値に保つためのものである。FIG. 1 is a structural diagram of a first embodiment of the present invention. The chemical solution supply valve 1 supplies the chemical solution to the mixing tank 2, the filter 3 removes dust from the chemical solution supplied to the mixing tank 2, and the temperature controller 4 controls the temperature of the chemical solution in the mixing tank 2. This is to maintain the value at an arbitrary setting value.
供給ポンプ５は、調合槽２の薬液をアトマイザ−６に供
給し、かつ、噴霧するに必要な吐出圧及び吐出流量を出
しうるものであり、ファイナルフィルター７は、アトマ
イザー６に供給される薬液を完全に濾過された状態にす
るものであり、アー６一
トマイザ−６は、カセット８内に収納したウェハー９に
薬液を均一に噴霧照射するためのものである。The supply pump 5 is capable of supplying the chemical solution in the mixing tank 2 to the atomizer 6 and producing the necessary discharge pressure and discharge flow rate for atomization, and the final filter 7 supplies the chemical solution supplied to the atomizer 6 The atomizer 6 is used to uniformly spray and irradiate the wafer 9 housed in the cassette 8 with the chemical solution.
チャンバー１０は噴霧化された薬液が外部にリークしな
いように蓋１１とリッドシール１２で密閉されており、
チャンバ１０内の雰囲気を排出するための排出口１３を
有している。The chamber 10 is sealed with a lid 11 and a lid seal 12 to prevent the atomized chemical solution from leaking to the outside.
It has an exhaust port 13 for exhausting the atmosphere inside the chamber 10.
カセットガイドｌ４は、チャンバー１０内にカセット８
を入れたときの位置決め及び固定するためのものであり
、カセット８をウェハー９の面に対して垂直方向に傾斜
するように傾けてある。The cassette guide l4 is connected to the cassette 8 in the chamber 10.
The cassette 8 is tilted in a direction perpendicular to the surface of the wafer 9.
次に第２図及び第３図はウェハー９とアトマイザー６の
位置関係のみを表わした図であり、それぞれウェハー９
の面を正面からみた図と側面からみた部分図である。Next, FIGS. 2 and 3 are diagrams showing only the positional relationship between the wafer 9 and the atomizer 6, respectively.
These are a front view and a partial side view of the surface.
これらの図には、アトマイザ−６とウェハー９の位置関
係を明確にするためカセット８を除いた形で表わしてあ
る。アトマイザー６は、ウェノ１一９の直径方向に対し
て、ウェ／％−９の直径以上でかつカセット８の幅以上
の範囲をカバーできる。In these figures, the cassette 8 is removed to clarify the positional relationship between the atomizer 6 and the wafer 9. The atomizer 6 can cover a range in the diametrical direction of the wafers 1-9 with a diameter of wa/%-9 or more and a width of the cassette 8 or more.
スプレーパターンのものを使い、ウエノ）−９の厚さ方
向では、１枚分以上の範囲をカバーできるものとする。Use a spray pattern that can cover more than one sheet of Ueno-9 in the thickness direction.
第３図では、３枚のウェ／％−９ａ，９ｂ，９ｃをカバ
ーする場合を例として揚げた。ここでウェハー９ａの上
端とウェハー９ｂの下端，ウェハー９ｂの上端とウェハ
ー９０の下端が鉛直方向で重ならないようにウェハー９
ａ，９ｂ，９Ｃの全てを同一方向に、同一角度傾けるた
めに、カセットガイド１４を傾斜させてある。この傾斜
角を第３図上でθと表わし、例えばウェ／％−が４る。In FIG. 3, an example is shown in which three wafers/%-9a, 9b, and 9c are covered. Here, the wafer 9a is placed so that the upper end of the wafer 9a and the lower end of the wafer 9b, and the upper end of the wafer 9b and the lower end of the wafer 90 do not overlap in the vertical direction.
The cassette guide 14 is tilted in order to tilt all of a, 9b, and 9C in the same direction and at the same angle. This angle of inclination is represented as θ in FIG. 3, and, for example, w/%- is 4.
第４図は、第１図に於いて、液を噴霧した状態の図であ
り、その際カセット８とカセットガイド１４は、噴霧状
態とウェハーの関係を明確にするため省いた。FIG. 4 shows a state in which the liquid is sprayed in FIG. 1, and the cassette 8 and cassette guide 14 are omitted in order to clarify the relationship between the spray state and the wafer.
次に動作について説明する。薬液バルブ１を開けること
により、複数の濾過された薬液が調合槽２に供給される
。調合槽２で温調された薬液は供給ポンプ５によりファ
イナルフィルター７を通り、アトマイザ−６により、ア
トマイズされる。そのアトマイズ状の薬液がウェハー９
の処理したい面に効率良く触れることにより処理がなさ
れる。Next, the operation will be explained. By opening the chemical liquid valve 1, a plurality of filtered chemical liquids are supplied to the mixing tank 2. The chemical liquid whose temperature has been adjusted in the mixing tank 2 passes through a final filter 7 by a supply pump 5 and is atomized by an atomizer 6. The atomized chemical liquid is on the wafer 9.
The treatment is carried out by efficiently touching the surface to be treated.
第５図は、本発明の第２の実施例の処理部の断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view of a processing section according to a second embodiment of the present invention.
ウェハーホルダー１５は、任意のウェハー９の上端とそ
れに隣接するウェハーの下端が鉛直方向で重ならないだ
けの角度を有した溝を有しており、ウェハー９がそれ以
上傾斜しないようにかつ、下方向に落下しないように保
持するものである。この実施例では、カセットを使用し
ないため、実施例１では考えられた、カセットによるウ
ェハーの死角がなく、死角となる面積を最小限にとどめ
ることかできるという利点がある。The wafer holder 15 has a groove that is angled enough to prevent the upper end of any wafer 9 and the lower end of an adjacent wafer from overlapping in the vertical direction, and to prevent the wafer 9 from tilting any further and to prevent the wafer 9 from tilting downward. to prevent it from falling. In this embodiment, since no cassette is used, there is no blind spot of the wafer caused by the cassette, which was considered in the first embodiment, and there is an advantage that the area that becomes the blind spot can be kept to a minimum.
第６図は第３の実施例を示す横成図である。FIG. 6 is a horizontal diagram showing the third embodiment.
第６図において、薬液供給バルブ３１は、恒温貯液槽３
２に薬液を供給するものであり、フィルター３は、恒温
貯液槽３２に供給する薬液の塵埃量を低減するものであ
り、温調器３４は、恒温貯リー
液槽３２内の薬液の温度を設定値に保つためのものであ
る。供給ポンプ３５は、恒温貯液槽３２の薬液を超音波
アトマイザー３６に供給するためのものであり、ファイ
ナルフィルター３７は、超音波アトマイザー３６に供給
される薬液を１００％濾過された状態にするものであり
、ファイナルフィルター３７は、超音波アトマイザ−３
６は、ウェハー３８に無駄なく、均一に薬液を噴霧状に
照射するためのものである。処理槽３９は、ウェハー３
８を噴霧処理するための密閉型構造であり、槽内の雰囲
気を排出するための排出口４０を有している。ミストセ
パレータ４１は、排出口４０から排出された雰囲気を薬
液と空気に分離するためのものであり、排気口４２と排
気口４３を有している。ガイド４４は、ウェハー３８を
固定するものである。In FIG. 6, the chemical supply valve 31 is connected to the constant temperature liquid storage tank 3.
The filter 3 is for reducing the amount of dust in the chemical solution supplied to the constant temperature storage tank 32, and the temperature controller 34 is for controlling the temperature of the chemical solution in the constant temperature storage tank 32. This is to maintain the set value. The supply pump 35 is for supplying the chemical liquid in the constant temperature liquid storage tank 32 to the ultrasonic atomizer 36, and the final filter 37 is for making the chemical liquid supplied to the ultrasonic atomizer 36 100% filtered. The final filter 37 is the ultrasonic atomizer 3
Reference numeral 6 is for uniformly irradiating the wafer 38 with the chemical solution in the form of a spray without waste. The processing tank 39 contains the wafer 3
It has a closed structure for spraying 8 and has an outlet 40 for discharging the atmosphere inside the tank. The mist separator 41 is for separating the atmosphere discharged from the discharge port 40 into a chemical solution and air, and has an exhaust port 42 and an exhaust port 43. The guide 44 is for fixing the wafer 38.
次に、基本的動作について説明する。フィルター３３及
びファイナルフィルターにより濾過され温調器３４によ
り温調された薬液を超音波アトマイザ−３６により無駄
なく均一に噴霧状にして、−１０一
ウェハー３８の処理に用いる。そして、処理後の噴霧状
薬液〜は、ミストセパレータ４１にヨリ、薬液と空気に
分離されそれぞれ排出されるものである。Next, the basic operation will be explained. The chemical liquid that has been filtered by the filter 33 and the final filter and whose temperature is controlled by the temperature controller 34 is uniformly atomized by the ultrasonic atomizer 36 without waste, and used for processing the -101 wafer 38. After the treatment, the atomized chemical liquid is passed through the mist separator 41, where it is separated into the chemical liquid and air, which are then discharged.
第７図は本発明の第４の実施例を説明するための構造図
である。エアー供給バルブ４５はアスピレータ４６にエ
アーを供給するものであり、アスピレータ４６は、エア
ーの流速により恒温貯液槽３２の内の薬液を吸い上げノ
ズル４７に供給するものである。ノズル４７は、送られ
てきた気体・薬液混合物の流速によりアトマイズするも
のである。FIG. 7 is a structural diagram for explaining a fourth embodiment of the present invention. The air supply valve 45 is for supplying air to an aspirator 46, and the aspirator 46 is for sucking up the chemical liquid in the constant temperature liquid storage tank 32 and supplying it to the nozzle 47 according to the flow rate of the air. The nozzle 47 atomizes the gas/chemical mixture sent thereto by the flow rate.
この実施例では、アトマイザーに摺動部がないためユー
スポイントでの発塵要素が皆無であるという利点がある
。This embodiment has the advantage that there is no dust generation at the point of use because the atomizer has no sliding parts.
以上説明したように本発明は、薬液を噴霧するアトマイ
ザーに対して、ウェハーの処理したい面の死角が完全に
無く、複数のウェハーが均一に処理でき、かつ、処理し
たくない面の影響をなくす・ことができる効果がある。As explained above, the present invention completely eliminates blind spots on the surface of the wafer to be processed in an atomizer that sprays a chemical solution, allows multiple wafers to be processed uniformly, and eliminates the influence of surfaces that are not desired to be processed.・There is an effect that can be done.
さらに、ウェハー及びカセットを処理中に動かすことが
ないため、発塵及び故障の可能性がない。Furthermore, since the wafers and cassettes are not moved during processing, there is no possibility of dust generation or failure.
又、本発明は、処理液を超音波アトマイザー等の噴霧装
置により微細な噴霧状態にしてむらなく均一にウェハー
表面に照射することにより、ウェハーを静止したままで
処理できる。従って、ウェハーを回転させることによる
破損が解消できる上、発塵部が皆無になるため、ＩＣ製
造上の歩留りが向上する効果がある。Further, according to the present invention, the wafer can be processed while the wafer remains stationary by turning the processing liquid into a fine atomized state using a spraying device such as an ultrasonic atomizer and irradiating the wafer surface evenly and uniformly. Therefore, damage caused by rotating the wafer can be eliminated, and there are no dust-generating parts, which has the effect of improving the yield in IC manufacturing.
このように本発明は、回転機構部がないため、故障によ
る稼働率低下の発生を低減し、メンテナンス費用及び工
数の削減の実現をもたらすという効果もある。As described above, the present invention has the effect of reducing the occurrence of a decrease in operating rate due to failure and reducing maintenance costs and man-hours because there is no rotating mechanism part.
第１図は本発明の第１の実施例の構或図、第２図及び第
３図はアトマイザーとウェハーの位置関係を示した側面
図及び正面図の部分図であり、第４図は第１図に於いて
液を噴霧した状態を示す図である。第５図は本発明の第
２の実施例の処理部だけを示す断面図である。第６図は
本発明の第３の実施例を示す構威図である。第７図は本
発明の第４の実施例を示す構成図である。第８図は従来
の処理装置の一例を示す側面構威図である。
尚、図において、
１・・・・・・薬液供給バルブ、２・・・・・・調合槽
、３・・・・・・フィルター ４・・・・・・温調器、
５・・・・・・供給ポンプ、６・・・・・・アトマイザ
ヲ、７・・・・・・ファイナルフィルター ８ ．
１ ８−−−−・−カセット、９．９ａ，９ｂ，９ｃ・
・・・・・ウェハー １０・・・・・・チャンバー １
１・・・・・・蓋、１２・・・・・・リッドシール、１
３・・・・・・排出口、１４・・・・・・カセットガイ
ド、１５・・・・・・ウェハーホルダー １６・・・・
・・ボウル、１７・・・・・・ローター １９・・・・
・・スプレーポスト、３１・・・・・・薬液供給バルブ
、３２・・・・・・恒温貯液槽、３３・・・・・・フィ
ルター ３４・・・・・・温調器、３５・・・・・・ポ
ンプ、３６・・・・・・超音波アトマイザー ３７・・
・・・・ファイナルフィルター、３８・・・・・・ウェ
ハー ３９・・・・・・処理槽、４０・・・・・・排出
口、４１・・・・・・ミストセパレータ、４２・・・・
・・排気１３
口、４３・・・・・・排液口、４４・・・・・・ガイド
、４５・・・・・エアー供給ハルフ、４６・・・・・ア
スプレータ、４７・・・ノズルである。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of the first embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are partial views of a side view and a front view showing the positional relationship between an atomizer and a wafer, and FIG. FIG. 1 is a diagram showing a state in which the liquid is sprayed in FIG. 1; FIG. 5 is a sectional view showing only the processing section of the second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a structural diagram showing a third embodiment of the present invention. FIG. 7 is a configuration diagram showing a fourth embodiment of the present invention. FIG. 8 is a side view showing an example of a conventional processing device. In addition, in the figure, 1... Chemical supply valve, 2... Preparation tank, 3... Filter 4... Temperature controller,
5... Supply pump, 6... Atomizer, 7... Final filter 8.
1 8-----Cassette, 9.9a, 9b, 9c・
...Wafer 10 ...Chamber 1
1... Lid, 12... Lid seal, 1
3...Discharge port, 14...Cassette guide, 15...Wafer holder 16...
... Bowl, 17 ... Rotor 19 ...
... Spray post, 31 ... Chemical supply valve, 32 ... Constant temperature liquid storage tank, 33 ... Filter 34 ... Temperature controller, 35 ... ...Pump, 36...Ultrasonic atomizer 37...
... Final filter, 38 ... Wafer 39 ... Processing tank, 40 ... Discharge port, 41 ... Mist separator, 42 ...
...Exhaust 13 port, 43...Drain port, 44...Guide, 45...Air supply half, 46...Aspractor, 47...Nozzle be.
Claims (6)
列した平面状処理物を同時処理する噴霧式処理装置に於
いて、ある平面状処理物の上端部と該平面状処理物に隣
接する平面状処理物の下端部が垂直方向で重なり合わな
いように前記平面状処理物を一方向に傾けたことを特徴
とする噴霧式処理装置。(1) In a spray-type processing device in which a flat object remains stationary during processing and simultaneously processes a plurality of parallel planar objects, the upper end of a certain planar object and the planar object A spray-type processing apparatus characterized in that the planar processing objects are tilted in one direction so that the lower ends of adjacent planar processing objects do not overlap in the vertical direction.
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の噴霧式処
理装置。(2) The spray type processing apparatus according to claim (1), wherein the planar processing object is a semiconductor wafer.
が、整列した複数枚の半導体ウェハーの上端を結んだ線
と交わり、かつ鉛直方向となる位置に配置したことを特
徴とする特許請求の範囲第（２）項記載の噴霧式処理装
置。(3) A patent claim characterized in that the center line of the spray port of the atomizer that sprays the processing liquid intersects with a line connecting the upper ends of a plurality of aligned semiconductor wafers and is arranged in a vertical direction. The spray treatment device according to scope (2).
複数枚の半導体ウェハーの上端から円周上に同一方向で
同一距離離れた点を結んだ線と直交し、かつ、整列した
複数枚の半導体ウェハーの中心を結んだ線と交わるよう
に前記アトマイザーを配置したことを特徴とする特許請
求の範囲第（２）項記載の噴霧式処理装置。(4) The center line of the spray nozzle of the atomizer is perpendicular to a line connecting points spaced in the same direction and the same distance on the circumference from the upper ends of the plurality of aligned semiconductor wafers, and 2. The spray processing apparatus according to claim 2, wherein the atomizer is arranged so as to intersect with a line connecting the centers of semiconductor wafers.
特許請求の範囲第（１）項、第（２）項、第（３）項又
は第（４）項記載の噴霧式処理装置。(5) The spray-type treatment device according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the atomizer is plural.
できるように配置したアトマイザーと、処理液を貯液し
、かつ液温を制御する機能を有する貯液槽と、該貯液槽
内の処理液を前記アトマイザーに濾過供給する機能と、
前記アトマイザーにより作られた噴霧状態をみださない
ような密閉型で、かつ排出口を有する処理槽と、該排出
口に接続され薬液と空気を分離し、それぞれ排出するミ
ストセパレータと、処理槽内に配置し、処理物を固定す
るガイドとを有し、処理物を複数枚同時処理し、かつ処
理中に処理物が動かないことを特徴とする噴霧式処理装
置。(6) An atomizer arranged to atomize the processing liquid and uniformly irradiate the object to be processed, a liquid storage tank that stores the processing liquid and has a function of controlling the temperature of the liquid, and the liquid storage tank. a function of filtering and supplying the processing liquid in the atomizer to the atomizer;
A treatment tank that is a closed type that does not leak the atomized state produced by the atomizer and has a discharge port, a mist separator that is connected to the discharge port and separates a chemical solution and air and discharges each of them, and a treatment tank. What is claimed is: 1. A spray-type processing device, characterized in that it has a guide disposed inside the interior of the machine and that fixes a workpiece to be processed, it processes a plurality of workpieces at the same time, and the workpiece does not move during processing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158581A JPH0793286B2 (en) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Spray processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158581A JPH0793286B2 (en) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Spray processing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322533A true JPH0322533A (en) | 1991-01-30 |
| JPH0793286B2 JPH0793286B2 (en) | 1995-10-09 |
Family
ID=15674818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1158581A Expired - Lifetime JPH0793286B2 (en) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Spray processing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793286B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669176A (en) * | 1992-01-17 | 1994-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | Wafer cleaner |
| US7314054B2 (en) | 2000-02-29 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus with nozzle having planar ejecting orifices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56149446U (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-10 | ||
| JPS6030535U (en) * | 1983-08-09 | 1985-03-01 | 富士通株式会社 | Washing holder |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP1158581A patent/JPH0793286B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56149446U (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-10 | ||
| JPS6030535U (en) * | 1983-08-09 | 1985-03-01 | 富士通株式会社 | Washing holder |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669176A (en) * | 1992-01-17 | 1994-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | Wafer cleaner |
| US7314054B2 (en) | 2000-02-29 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus with nozzle having planar ejecting orifices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0793286B2 (en) | 1995-10-09 |
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