JPH03224246A - プローブ装置 - Google Patents

プローブ装置

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Publication number
JPH03224246A
JPH03224246A JP2018030A JP1803090A JPH03224246A JP H03224246 A JPH03224246 A JP H03224246A JP 2018030 A JP2018030 A JP 2018030A JP 1803090 A JP1803090 A JP 1803090A JP H03224246 A JPH03224246 A JP H03224246A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
pin
wafer
contact
needle
Prior art date
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Pending
Application number
JP2018030A
Other languages
English (en)
Inventor
Takuo Uchida
内田 拓男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2018030A priority Critical patent/JPH03224246A/ja
Publication of JPH03224246A publication Critical patent/JPH03224246A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の目的 (産業上の利用分野) 本発明は、プローブ装置に関するものである。
(従来の技術) 半導体素子の製造工程において、半導体ウェハに形成さ
れた多数のチップを測定するには、第4図に示したよう
に、プローブ針1の固定端部をプリント基板2の導体パ
ターンに半田付けし、遊端部を半導体ウェハに電気的に
接触させるプローブカード3がある。上記プローブ針1
を半導体ウェハ4の各チップの電極パッド列に接触させ
ることにより各チップ毎に各種の電気的特性をテスタで
測定するようにしている。
この測定方法は、プローブ針が被測定物例えば半導体ウ
ェハの各チップの電極パッド列に接触した後に半導体ウ
ェハを更に上昇させ、一定量の上昇ストロークでオーバ
ードライブを与えてプローブ針の針圧によりプローブ針
を半導体ウェハに確実に接触させて接触不良が起きない
ように講じている。
(発明が解決しようとする課題) 然し乍ら、上記の技術によると、次のような問題が存在
していた。
即ち、オーバドライブをかけても接触不良が多い欠点が
あった。
この点において本発明者等は検討した結果、例えば、上
記したオーバードライブ量(0,0)を50μmかける
と、プリント基板2のたわみ量が30μmに達する場合
がある。この場合、実質的なオーバードライブ量は20
μm程度であり、プローブ針1の針圧を2gfと設定し
ても、実際の針圧は、 0.8gfとなり、実際の針圧
は、設定針圧よりも低いために、プローブ針1は接触不
良を生じて測定精度の低い結果しか得られないことが判
った。
本発明は、上記の実情に鑑みて開発したもので、オーバ
ドライブをかけても接触不良が発生することのないよう
に構成したプローブ装置の提供を目的としたものである
1尻■豊或 (課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するため、本発明は、プローブ針を被
測定物に接触させて電気的特性を測定するプローブ装置
であって、プローブ針の受ける針圧を剛性部材で受ける
ようにしたプローブ装置である。
また、剛性部材の構造は、基板の下部に設けた剛性の高
い金属性補強体とこの補強体を剛性の高い補強リングを
介して装置本体の一部に固定するようにするのが好まし
い。
(作 用) 従って、本発明によると、被測定物の測定時に、プロー
ブカードのプローブ針を被測定物に対して所定の力で押
し付けて針圧を与えて、プローブ針と被測定物の電極パ
ッドとの電気的接触を良好に保持させて高精度の測定結
果を得るようにしている。この場合、プローブ針の針圧
を基板の下部に設けた剛性の高い補強体とこの補強体に
設けた補強リングで受けるようにしたので、針圧は基板
等に影響を与えることが極めて少ないため、針圧による
プローブカードのたわみ量を極力小さくすることができ
、プローブ針と被測定物との接触不良を起こすことがな
い。
(実施例) 本発明をウエハプローバに適用した一実施例を図面に従
って説明する。
上記ウエハプローバは、既に周知なので、全体の説明を
省略し、ウェハプローブの主要部から説明する。第1図
において、プローブカードを取付けるためのリングイン
サート10にソケットリング11を取付リングを介して
設け、このソケットリング11にプリント基板12bを
取付け、このプリント基板12bとプリント基板12a
を配線25により電気的に接続する。上記プリント基板
12aの下部に第2図に示すごとく剛性の高い例えばア
ルミニウム等の金属性補強体(上部ブロック)13を固
定ネジ13a等で固着する。ここで。
上記補強体13はドーナツ形状を呈し、プリント基板1
2bと対向した基準面を有している。この補強体13の
中央部に充填したエポキシ樹脂等の接着剤14と固定板
16により多数本のプローブ針15をZ方向に位置決め
されて固着され、更に、補強体13の下部に中間ブロッ
ク17と下部ブロック18とが固定ネジ17a、18a
を介して固着され、中間ブロック17と下部ブロック1
8には、上部案内板19と下部案内板2oとを設けてプ
ローブ針15を上下に案内してXYに位置決めされるよ
うにしている。また、位置決めピン21は、補強体13
、中間ブロック17及び下部ブロック18に挿通させて
各ブロックのXYの相対位置を規制するようにしている
上記した全導性補強体13の下面外周に剛性の高いアル
ミニュウム製等の補強リング22の内周面を固定ネジを
介して固着し、補強リング22の外周面を装置本体10
のプローブカードを取付けるための開口部下面に固定ネ
ジにより固着している。
次に、上記実施例の作用を説明する。
第3図(a)に示すように、被測定物である半導体ウェ
ハ23の電極パッドにプローブ針15を接触させて電気
的特性を測定する場合、チャックトップ24を上昇させ
てウェハ23をプローブ針15に接触させ1次いで、同
図(b)に示すようにチャックトップ24更に例えば7
0μm上向きのストロークでオーバドライブを加えると
、固定板16と案内板19.20の間のプローブ針15
に長さ方向の力が加わり、針15は、座屈して変形する
ので、プローブ針15は半導体ウェハ23に対して所定
の力で押し付けられて針圧が与えられ、プローブ針15
とウェハ23の電極パッドとの電気的接触を良好に保持
させて高精度の測定結果を得ることができる。この場合
、プローブ針15の針圧を基板12aの下部に設けた剛
性の高い補強体13とこの補強体13に設けた補強リン
グ22で受けるようにしたので、針圧は基板12a等に
影響を与えることが極めて少ないため、針圧によるプロ
ーブカードのたわみ量を極力小さくすることができ、プ
ひ−ブ針15と被測定物との接触不良を起こすことがな
い。
本例において、例えば70μm上向きのストロークで半
導体ウェハ23を上昇させてプローブ針15ににオーバ
ドライブを加えると、従来の構造のプリント基板には4
0μI11〜45μm程度のたわみ量が生じるが、本例
に依れば、剛性の高い補強体13とこの補強体13に設
けた補強リング22により針圧を受けるので、プリント
基板12は、5μ道のたわみ量を受けるのみであって、
プリント基板12のたわみ量を極力小さくできることが
確認された。
プローブ針の針圧を基板の下部に設けた剛性の高い補強
体とこの補強体に設けた補強リングで受けるようにした
ので、針圧は基板等に影響を与えることが極めて少なく
、針圧によるプローブカードのたわみ量を極力小さくす
ることができるため、プローブ針と被測定物とは確実に
接触し精度の極めて高い測定結果を得ることができる 見匪勿免來 以上のことから明らかなように、本発明によると次のよ
うな優れた効果がある。
従来プローブ針と測定端の接触不良を検知できず、IC
の歩留まりを悪くしていたが、本発明のプローブ装置に
よりICの歩留まりが60%から90%に向上した。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明におけるプローブ装置の一実施例を示した
もので、第1図はプローブ装置の垂直釘型プローブカー
ドの装着位置を示した部分断面図、第2図は同上の一部
拡大断面図、第3図(a)、(b)は同上のプローブ針
にオーバードライブをかけた状態を示す断面説明図であ
り、第4図は従来のプローブカードを示した断面図であ
る。 10 ・ ・ 12a 、 13 ・ ・ 15 ・ ・ 22 ・ ・ 23 ・ ・ ・リン−ゲインサート 12b・・・プリント基板 ・補強体 ・プローブ針 ・補強リング ・半導体ウェハ 特 許 出 願 人 東京エレクトロン株式会社第 図 (α] (わ) 第 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)プローブ針を被測定物に接触させて電気的特性を
    測定するプローブ装置において、プローブ針の受ける針
    圧を剛性部材で受けるようにしたことを特徴とするプロ
    ーブ装置。
  2. (2)上記した剛性部材の構造は、基板の下部に設けた
    剛性の高い金属性補強体とこの補強体を剛性の高い補強
    リングを介して装置本体の一部に設けるようにした請求
    項1記載のプローブ装置。
JP2018030A 1990-01-30 1990-01-30 プローブ装置 Pending JPH03224246A (ja)

Priority Applications (1)

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JP2018030A JPH03224246A (ja) 1990-01-30 1990-01-30 プローブ装置

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JP2018030A JPH03224246A (ja) 1990-01-30 1990-01-30 プローブ装置

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JPH03224246A true JPH03224246A (ja) 1991-10-03

Family

ID=11960271

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JP2018030A Pending JPH03224246A (ja) 1990-01-30 1990-01-30 プローブ装置

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JP (1) JPH03224246A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5325052A (en) * 1990-11-30 1994-06-28 Tokyo Electron Yamanashi Limited Probe apparatus
JPH06273445A (ja) * 1993-03-18 1994-09-30 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JPH07221143A (ja) * 1995-02-20 1995-08-18 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JPH07221144A (ja) * 1995-02-20 1995-08-18 Tokyo Electron Ltd プローブ装置

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JPH07221144A (ja) * 1995-02-20 1995-08-18 Tokyo Electron Ltd プローブ装置

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