JPH03222287A - 薄膜el素子 - Google Patents
薄膜el素子Info
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- JPH03222287A JPH03222287A JP2017599A JP1759990A JPH03222287A JP H03222287 A JPH03222287 A JP H03222287A JP 2017599 A JP2017599 A JP 2017599A JP 1759990 A JP1759990 A JP 1759990A JP H03222287 A JPH03222287 A JP H03222287A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- -1 Ti2O5 Chemical compound 0.000 abstract 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000009333 weeding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、交流電流を印加することによりEL発光が得
られる薄膜EL素子に関する。
られる薄膜EL素子に関する。
近年、情報化社会の進展にともなってフラットデイスプ
レィのニーズは益々高まっており、その一つとして薄膜
EL素子もここ数年で実用期に入ってきている。
レィのニーズは益々高まっており、その一つとして薄膜
EL素子もここ数年で実用期に入ってきている。
従来の代表的な薄膜EL素子の構造は、例えば特開昭6
2−150690号公報に記載されるようなもので、第
5図に示すように、透明なガラス基板1の上に透明電極
2.第1絶縁層3.EL発光層4.第2絶縁層5および
背面電極6を順次積層して構成されている。ここで、透
明電極2としてはITO等の透明導電膜が草着により形
成され、また第1絶縁層3および第2絶縁層5には、発
光特性を改善する目的から高絶縁耐圧かつ高誘電率のバ
ランスのとれた材料としてYzO1A7!zos。
2−150690号公報に記載されるようなもので、第
5図に示すように、透明なガラス基板1の上に透明電極
2.第1絶縁層3.EL発光層4.第2絶縁層5および
背面電極6を順次積層して構成されている。ここで、透
明電極2としてはITO等の透明導電膜が草着により形
成され、また第1絶縁層3および第2絶縁層5には、発
光特性を改善する目的から高絶縁耐圧かつ高誘電率のバ
ランスのとれた材料としてYzO1A7!zos。
TazOs+SiJ’n等が採用され、主にスパッタリ
ングにより形成されている。EL発光層4としては発光
センターとしてMnをドープしたZnS等が蒸着により
形成され、背面電極6には1等の蒸着膜が用いられてい
る。
ングにより形成されている。EL発光層4としては発光
センターとしてMnをドープしたZnS等が蒸着により
形成され、背面電極6には1等の蒸着膜が用いられてい
る。
このようなFR膜EL素子に関しては、高輝度化をいか
に実現するかが他のフラットデイスプレィ方式であるプ
ラズマデイスプレィ、液晶デイスプレィ等に対しての優
位性、即ち広範囲での実用化につながるとの判断から鋭
意研究がなされている。
に実現するかが他のフラットデイスプレィ方式であるプ
ラズマデイスプレィ、液晶デイスプレィ等に対しての優
位性、即ち広範囲での実用化につながるとの判断から鋭
意研究がなされている。
一方、薄膜EL素子については、高輝度発光とは別の観
点から、デイスプレィパネルとしての視認性を改善しよ
うという狙いがあり、これに関しては発光体層の後側に
光吸収率の高い層を設けることにより、発光部と非発光
部間とのコントラストを高める方法があり、実用化され
つつある。
点から、デイスプレィパネルとしての視認性を改善しよ
うという狙いがあり、これに関しては発光体層の後側に
光吸収率の高い層を設けることにより、発光部と非発光
部間とのコントラストを高める方法があり、実用化され
つつある。
しかしながら、一般に光吸収性と電気絶縁性とを兼ね備
えた材料は非常に少なく、長期安定性生産性等も考慮す
ると、最適なものはまだ見出されていない。
えた材料は非常に少なく、長期安定性生産性等も考慮す
ると、最適なものはまだ見出されていない。
また、ガラス基板の前面に偏光フィルターを設けて外光
からの反射をカントすることにより、視認性を改善する
方法がデイスプレィパネルとして一般に用いられでいる
が、薄膜EL素子においては少しでも高くしたい発光強
度を低下させることになり、最適な方法とはいえない。
からの反射をカントすることにより、視認性を改善する
方法がデイスプレィパネルとして一般に用いられでいる
が、薄膜EL素子においては少しでも高くしたい発光強
度を低下させることになり、最適な方法とはいえない。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、薄膜EL素子からの発光強度を低下させずに、外光か
らの反射をカントし、デイスプレィパネルとしての視認
性を向上させることをができる薄[EL素子を提供する
ことを目的とする。
、薄膜EL素子からの発光強度を低下させずに、外光か
らの反射をカントし、デイスプレィパネルとしての視認
性を向上させることをができる薄[EL素子を提供する
ことを目的とする。
〔課題を解決するための手段および作用〕上記目的を達
成するために、本発明は、透明なガラス基板に透明電極
、第1絶縁層、EL発光層。
成するために、本発明は、透明なガラス基板に透明電極
、第1絶縁層、EL発光層。
第2絶縁層および背面電極を順次積層してなる薄膜EL
素子において、そのガラス基板の反対側に多層反射防止
膜を設けた。
素子において、そのガラス基板の反対側に多層反射防止
膜を設けた。
また本発明において、上記多層反射防止膜は空気側より
低屈折率材料と高屈折率材料とのくり返しにより構成さ
れており、その低屈折材料としてMgPzまたはSiO
□のいずれかを、高屈折率材料としてZr0z+Taz
Os+ Ti0zまたはCe0tのいずれかあるいはそ
れらの組合わせからなる混合物を用いるととよい。
低屈折率材料と高屈折率材料とのくり返しにより構成さ
れており、その低屈折材料としてMgPzまたはSiO
□のいずれかを、高屈折率材料としてZr0z+Taz
Os+ Ti0zまたはCe0tのいずれかあるいはそ
れらの組合わせからなる混合物を用いるととよい。
このように、ガラス基板の反対側に多層反射防止膜を形
成することにより、可視光全域にわたる外光からの反射
光を大幅に低減することができる。
成することにより、可視光全域にわたる外光からの反射
光を大幅に低減することができる。
具体的には、従来の反射防止膜のないガラス基板面に入
射してくる外光は約4%が反射される。
射してくる外光は約4%が反射される。
これは、発光部、非発光部に拘らず、−律の反射光とな
るため、外光が強い環境においては大きく視認性を損ね
る原因となっている。これに対し、反射防止膜を設けた
本発明の場合、ガラス基板面からの反射は最大でも1%
以下となるため、その視認性は大幅に改善されることに
なる。
るため、外光が強い環境においては大きく視認性を損ね
る原因となっている。これに対し、反射防止膜を設けた
本発明の場合、ガラス基板面からの反射は最大でも1%
以下となるため、その視認性は大幅に改善されることに
なる。
(実施例)
(第1実施例)
第1図に示すように、透明なガラス基+7i 1の上に
ITO透明導電M1000λを蒸着により形成し、スト
ライプ状にパターン化して透明電極2とした。
ITO透明導電M1000λを蒸着により形成し、スト
ライプ状にパターン化して透明電極2とした。
次に、その透明電極2上に、第1絶縁層3としてY!0
33000人をスパッタリングにより形成した後、EL
発光層4としてMnをドープしたZnS5000Åを電
子ビーム蒸着により形成し、さらに第2絶縁層5として
hOs3000人をスパッタリングにより形成した。そ
の後、発光層の輝度向上のため、真空中アニールを55
0°Cにて30分行った。そして、次に背面電極6とし
てA 12000人を蒸着により形成し、前記透明電極
2と直交するようにストライブ状にパターン化した。
33000人をスパッタリングにより形成した後、EL
発光層4としてMnをドープしたZnS5000Åを電
子ビーム蒸着により形成し、さらに第2絶縁層5として
hOs3000人をスパッタリングにより形成した。そ
の後、発光層の輝度向上のため、真空中アニールを55
0°Cにて30分行った。そして、次に背面電極6とし
てA 12000人を蒸着により形成し、前記透明電極
2と直交するようにストライブ状にパターン化した。
こうして作成した従来タイプの薄膜EL素子に対し、そ
のガラス基Fi1の反対側に電子ビーム蒸着により多層
反射防止膜7を形成した。この多層反射防止膜は、表1
に膜構成を示すように、空気側から順に第1層71.第
2層72.第3層73第4層74.および第5層75と
した5層構造で構成されている。
のガラス基Fi1の反対側に電子ビーム蒸着により多層
反射防止膜7を形成した。この多層反射防止膜は、表1
に膜構成を示すように、空気側から順に第1層71.第
2層72.第3層73第4層74.および第5層75と
した5層構造で構成されている。
(以下余白)
表1
このようにして得られた多層反射防止膜70反射率特性
を第2図に示す。可視域(400〜700r+m)での
反射率は、0.5%以下と低レベルにあり、視認性の改
善に十分な効果あることが判る。
を第2図に示す。可視域(400〜700r+m)での
反射率は、0.5%以下と低レベルにあり、視認性の改
善に十分な効果あることが判る。
(第2実施例)
第3図に示すように、最初の工程として透明なガラス基
Fi、lの上に電子ビーム蒸着により多層反射防止膜8
を形威した。この多層反射防止膜8の膜構成は表2に示
すようなもので、空気側から順に第1層81.第2層8
2.第3層83および第4層84とした4層構造で横取
されている。
Fi、lの上に電子ビーム蒸着により多層反射防止膜8
を形威した。この多層反射防止膜8の膜構成は表2に示
すようなもので、空気側から順に第1層81.第2層8
2.第3層83および第4層84とした4層構造で横取
されている。
表2
このようにして得られた多層反射防止膜8の反射率特性
を第4図に示す。可視域(400〜bの反射率は1%以
下であり、視認性の改善に十分な効果があることが判る
。
を第4図に示す。可視域(400〜bの反射率は1%以
下であり、視認性の改善に十分な効果があることが判る
。
ここでの多層反射防止膜8においては、後工程でのエツ
チング液による影響および真空アニールによる熱的影響
を考慮し、低屈折率材料としてMgF、より耐性の大き
いSiO□を採用している。
チング液による影響および真空アニールによる熱的影響
を考慮し、低屈折率材料としてMgF、より耐性の大き
いSiO□を採用している。
このように多層反射防止膜8を形威した後、透明なガラ
ス基板lの反対側にITO透明導電膜1000人を蒸着
により形威し、ストライブ状にパターン化して透明電極
2とした。次に、その透明電極2上に第1wA縁層3と
してY!033000人をスパッタリングにより形成し
た後、EL発光層4としてMnをドープしたZnS50
00Åを電子ビーム蒸着により形威し、さらに第2絶縁
層5としてhOJOOO人をスパッタリングにより形成
した。
ス基板lの反対側にITO透明導電膜1000人を蒸着
により形威し、ストライブ状にパターン化して透明電極
2とした。次に、その透明電極2上に第1wA縁層3と
してY!033000人をスパッタリングにより形成し
た後、EL発光層4としてMnをドープしたZnS50
00Åを電子ビーム蒸着により形威し、さらに第2絶縁
層5としてhOJOOO人をスパッタリングにより形成
した。
この後、発光層の輝度向上のため、真空中アニールを5
50°Cにて30分行った。最後に、背面電極6として
A Q 2000人を蒸着により形威し、前記透明電極
2と直交するようにストライプ状にパターン化して薄膜
EL素子を得た。
50°Cにて30分行った。最後に、背面電極6として
A Q 2000人を蒸着により形威し、前記透明電極
2と直交するようにストライプ状にパターン化して薄膜
EL素子を得た。
なお、本実施例では多層反射防止膜8の形成を最初に行
っているが、これに限ったものではなく、前後の工程と
の関係で任意に設定できる性質のものである。
っているが、これに限ったものではなく、前後の工程と
の関係で任意に設定できる性質のものである。
また、両実施例においては、発光材料としてZns、ド
ーパントとしてMnを用いた場合について述べたが、本
発明は他の組合わせ、即ち前者ではSrS、 CaS等
を、後者ではTb、Eu、Ce等を用いてもよい。
ーパントとしてMnを用いた場合について述べたが、本
発明は他の組合わせ、即ち前者ではSrS、 CaS等
を、後者ではTb、Eu、Ce等を用いてもよい。
以上のように、本発明の薄膜EL素子によれば、EL素
子とは反対側のガラス基板面に多層反射防止膜を設けて
いるので、EL素子からの発光強度を低下させることな
しに外光からの反射をカットし、デイスプレィパネルと
しての視認性を向上させることができる。また、本発明
における多層反射防止膜は、安価で安定した材料から成
り、蒸着時にEL素子にダメージを及ぼす心配も無いた
め、高い生産性を有するものである。
子とは反対側のガラス基板面に多層反射防止膜を設けて
いるので、EL素子からの発光強度を低下させることな
しに外光からの反射をカットし、デイスプレィパネルと
しての視認性を向上させることができる。また、本発明
における多層反射防止膜は、安価で安定した材料から成
り、蒸着時にEL素子にダメージを及ぼす心配も無いた
め、高い生産性を有するものである。
第1図は本発明の薄膜EL素子の第1実施例を示す縦断
面図、第2図は第1図に示す薄膜EL素子における多層
反射防止膜の反射率特性を示すグラフ、第3図は本発明
の第2実施例を示す縦断面図、第4図は第3図に示す薄
膜EL素子における多層反射防止膜の反射率特性を示す
グラフ、第5図は従来の薄膜EL素子を示す縦断面図で
ある。 1・・・ガラス基板 2・・・透明電極 3・・・第1絶縁層 4・・・EL発光層 5・・・第2絶縁層 6・・・背面電極 7.8・・・多層反射防止膜
面図、第2図は第1図に示す薄膜EL素子における多層
反射防止膜の反射率特性を示すグラフ、第3図は本発明
の第2実施例を示す縦断面図、第4図は第3図に示す薄
膜EL素子における多層反射防止膜の反射率特性を示す
グラフ、第5図は従来の薄膜EL素子を示す縦断面図で
ある。 1・・・ガラス基板 2・・・透明電極 3・・・第1絶縁層 4・・・EL発光層 5・・・第2絶縁層 6・・・背面電極 7.8・・・多層反射防止膜
Claims (2)
- (1) 透明なガラス基板に透明電極,第1絶縁層,E
L発光層,第2絶緑層および背面電極を順次積層してな
る薄膜EL素子において、そのガラス基板の反対側に多
層反射防止膜を設けたことを特徴とする薄膜EL素子。 - (2) 前記多層反射防止膜は空気側より低屈折率材料
と高屈折率材料とのくり返しにより構成されており、そ
の低屈折材料としてMgF_2またはSiO_2のいず
れかを、高屈折率材料としてZrO_2,Ta_2O_
5,TiO_2またはCeO_2のいずれかあるいはそ
れらの組合わせからなる混合物を用いたことを特徴とす
る請求項1記載の薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017599A JPH03222287A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017599A JPH03222287A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 薄膜el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03222287A true JPH03222287A (ja) | 1991-10-01 |
Family
ID=11948351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017599A Pending JPH03222287A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 薄膜el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03222287A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
WO2002073248A2 (en) * | 2001-03-07 | 2002-09-19 | Axsun Technologies, Inc. | Controlled stress optical coatings for membranes |
JP2003195775A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、回路基板、回路基板の製造方法、電子機器 |
KR20050026845A (ko) * | 2003-09-10 | 2005-03-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 소자 기판 및 이를 이용한 발광 소자 |
EP1026924A4 (en) * | 1997-05-08 | 2005-07-20 | Sanyo Electric Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE |
JP2007261373A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Denso Corp | 車両用空気質成分供給装置 |
WO2016142579A1 (en) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | Beneq Oy | A display device and a method for manufacturing such device |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP2017599A patent/JPH03222287A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
US5965981A (en) * | 1994-06-10 | 1999-10-12 | Nippondenso Co., Ltd | Transparent thin-film EL display apparatus |
EP1026924A4 (en) * | 1997-05-08 | 2005-07-20 | Sanyo Electric Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE |
WO2002073248A2 (en) * | 2001-03-07 | 2002-09-19 | Axsun Technologies, Inc. | Controlled stress optical coatings for membranes |
WO2002073248A3 (en) * | 2001-03-07 | 2003-04-10 | Axsun Tech Inc | Controlled stress optical coatings for membranes |
US6692850B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-02-17 | Axsun Technologies, Inc. | Controlled stress optical coatings for membranes |
EP1324642A3 (en) * | 2001-12-27 | 2004-06-16 | Seiko Epson Corporation | Electro-optic device, method for manufacturing electro-optic device and use in an electronic apparatus |
JP2003195775A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、回路基板、回路基板の製造方法、電子機器 |
US7211838B2 (en) | 2001-12-27 | 2007-05-01 | Seiko Epson Corporation | Apparatus and method for manufacturing electro-optical devices |
US7714328B2 (en) | 2001-12-27 | 2010-05-11 | Seiko Epson Corporation | Apparatus and method for manufacturing electro-optical devices |
KR20050026845A (ko) * | 2003-09-10 | 2005-03-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 소자 기판 및 이를 이용한 발광 소자 |
JP2007261373A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Denso Corp | 車両用空気質成分供給装置 |
WO2016142579A1 (en) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | Beneq Oy | A display device and a method for manufacturing such device |
US10111300B2 (en) | 2015-03-09 | 2018-10-23 | Beneq Oy | Display device and a method for manufacturing such device |
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