JPH0321112A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0321112A JPH0321112A JP15611289A JP15611289A JPH0321112A JP H0321112 A JPH0321112 A JP H0321112A JP 15611289 A JP15611289 A JP 15611289A JP 15611289 A JP15611289 A JP 15611289A JP H0321112 A JPH0321112 A JP H0321112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric substrate
- comb
- air gap
- surface acoustic
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009333 weeding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(概要]
弾性表面波素子の製造方法に関し、
弾性表面波素子の電極の質量効果をなくし、41}域内
特性やスプリアス特性を向上さ一吐ることを11的とし
、 圧電体基板と、非圧電体基板上に形成された櫛形電極と
が、エアギャップを介して対面配置されてなる弾性表面
波素子の製造方法において、非圧電体基板上に櫛形電極
およびリード導出部を形成し、前記非圧電体基板と圧電
体基板の間の、前記櫛形電極と表面波伝播部を除く複数
箇所に、前記エアギャップを形成するために必要な高さ
を有するスペース形成部を配設し、前記j1圧電休払板
と前記圧電体基板とを前記スペース形成部を挟んて接着
固定ずるように弾性表面波素子の製造方法を構成する。
特性やスプリアス特性を向上さ一吐ることを11的とし
、 圧電体基板と、非圧電体基板上に形成された櫛形電極と
が、エアギャップを介して対面配置されてなる弾性表面
波素子の製造方法において、非圧電体基板上に櫛形電極
およびリード導出部を形成し、前記非圧電体基板と圧電
体基板の間の、前記櫛形電極と表面波伝播部を除く複数
箇所に、前記エアギャップを形成するために必要な高さ
を有するスペース形成部を配設し、前記j1圧電休払板
と前記圧電体基板とを前記スペース形成部を挟んて接着
固定ずるように弾性表面波素子の製造方法を構成する。
〔産業上の利用分野]
本発明は弾性表面波素子、とくに、エアギャ,ブ電極型
の弾性表面波素子の製造方法に関する。
の弾性表面波素子の製造方法に関する。
近年、情報処理機器や通信機器の高速化にともなって、
搬送波や信号波の周波数411fは益h高周波域にソフ
トしてきており、それに対応して高周波における安定度
の高い基準信号の発生や.位相同期用の素子,あるいは
、フィルタなどが必要となり、最近はこれらの用途に弾
性表面波素子、たとえば、弾性表面波フィルタや弾性表
面波共振子が使用されるようになってぎた。
搬送波や信号波の周波数411fは益h高周波域にソフ
トしてきており、それに対応して高周波における安定度
の高い基準信号の発生や.位相同期用の素子,あるいは
、フィルタなどが必要となり、最近はこれらの用途に弾
性表面波素子、たとえば、弾性表面波フィルタや弾性表
面波共振子が使用されるようになってぎた。
今後、その小形、安価という特徴を生かして、自動車電
話,携帯電話などの移動体無線への展開が期待されてお
り、より一層の高周波化と帯域特性や電力特性の優れた
弾性表面波素子の開発が求められている。
話,携帯電話などの移動体無線への展開が期待されてお
り、より一層の高周波化と帯域特性や電力特性の優れた
弾性表面波素子の開発が求められている。
弾性表面波素子,たとえば、弾性表面波フィルタは、電
気一機械結合係数が大きく、しかも周波数の温度係数が
比較的小さい基板、たとえば、36゜回転YカットーX
伝播LiTa03 (36゜Y X LiTaO:+
)単結晶基板の上に、励振および受信用の櫛型電極を設
けた3端子あるいは4端子型素子である。
気一機械結合係数が大きく、しかも周波数の温度係数が
比較的小さい基板、たとえば、36゜回転YカットーX
伝播LiTa03 (36゜Y X LiTaO:+
)単結晶基板の上に、励振および受信用の櫛型電極を設
けた3端子あるいは4端子型素子である。
櫛型電極の櫛歯の巾(L),櫛歯間のスペース(S)櫛
歯ピ・ノチ(P)は表面波の波長をλとすると、通常、
L=S一λ/4,P一λ/2といった設計値のものが多
い。たとえば、中心周波数1 6 0 M I−1 z
を得るためには、前記基板1のX伝播表面波の音速40
90m/sからλ−26μmが算出され、電極ピッチは
13μm,電極中および電極間隔は6.5μmとなる。
歯ピ・ノチ(P)は表面波の波長をλとすると、通常、
L=S一λ/4,P一λ/2といった設計値のものが多
い。たとえば、中心周波数1 6 0 M I−1 z
を得るためには、前記基板1のX伝播表面波の音速40
90m/sからλ−26μmが算出され、電極ピッチは
13μm,電極中および電極間隔は6.5μmとなる。
第7図は従来の弾性表面波素子の構或の2つの例を示す
図で、同図(イ)は従来例の斜視図、同図(ロ)は従来
例のA−A’断面図、同図(ハ)は他の従来例の八一八
′断面図である。図中、100(よ圧電体基板で,たと
えば、36゜Y −X LiTaOa板である。110
は励振用櫛形電極、111および1124;1そのリー
ド導出部、120は受信用櫛形電極、121および12
2はそのリード導出部である。
図で、同図(イ)は従来例の斜視図、同図(ロ)は従来
例のA−A’断面図、同図(ハ)は他の従来例の八一八
′断面図である。図中、100(よ圧電体基板で,たと
えば、36゜Y −X LiTaOa板である。110
は励振用櫛形電極、111および1124;1そのリー
ド導出部、120は受信用櫛形電極、121および12
2はそのリード導出部である。
これら電極の材料にはAuのような電気抵抗の小さい金
属が好ましいが、密度の高い金属は表面波振動に対する
質量効果によって、帯域内リンプル特性や挿入損失特性
への悪影響が生じる。このため通常は軽いAlあるいは
A42合金)を用い、?おかつ、100〜150nmと
薄い膜を蒸着などにより被着している。
属が好ましいが、密度の高い金属は表面波振動に対する
質量効果によって、帯域内リンプル特性や挿入損失特性
への悪影響が生じる。このため通常は軽いAlあるいは
A42合金)を用い、?おかつ、100〜150nmと
薄い膜を蒸着などにより被着している。
同図(口)の断面図に示した従来例は、圧電体基板10
0の表面に櫛型電極110および120を直接に密着形
成した最も一般的な表面波フィルタの電極構成法である
。
0の表面に櫛型電極110および120を直接に密着形
成した最も一般的な表面波フィルタの電極構成法である
。
一方、同図(ハ)の断面図に示した他の従来例は、圧電
体基板100の表面と櫛型電極110および120の間
に非圧電体からなる絶8!1101を介在さセた電極構
或をとっている。このような構威の例として最もよく知
られているのは、LiTaO3を圧電体基+ti 1o
oとして用いた場合の絶縁層101として厚さ数μm
の二酸化シリコン(SiO■)膜を介在させた例で、S
iO■膜の表面波伝播速度の温度係数がLiTa03の
それとと逆符号であり、周波数温度特性の改善を行なう
ために提案された素子構戒である(たとえばIEEE+
1975 Ultrasonics Symposiu
mProceedings,pp 503−507,S
ept.,1975参照)。
体基板100の表面と櫛型電極110および120の間
に非圧電体からなる絶8!1101を介在さセた電極構
或をとっている。このような構威の例として最もよく知
られているのは、LiTaO3を圧電体基+ti 1o
oとして用いた場合の絶縁層101として厚さ数μm
の二酸化シリコン(SiO■)膜を介在させた例で、S
iO■膜の表面波伝播速度の温度係数がLiTa03の
それとと逆符号であり、周波数温度特性の改善を行なう
ために提案された素子構戒である(たとえばIEEE+
1975 Ultrasonics Symposiu
mProceedings,pp 503−507,S
ept.,1975参照)。
上記従来例では、いずれも櫛形電極は表面波伝達基板上
に密着形成されているので、軽いAlとはいえ櫛形電極
の重量が、直接あるいはSiO。膜を介して、圧電体表
面にか一っており質量効果の影響が生じてしまう。
に密着形成されているので、軽いAlとはいえ櫛形電極
の重量が、直接あるいはSiO。膜を介して、圧電体表
面にか一っており質量効果の影響が生じてしまう。
そこで、最近になって圧電体基板と櫛形電極の間にエア
ギャップを設ける構或の弾性表面波素子が提案されてい
る。
ギャップを設ける構或の弾性表面波素子が提案されてい
る。
第6図はエアギャップ型弾性表面波素子の従来の製造方
法を説明する図で、既に本発明者らにより提案されたも
のである。
法を説明する図で、既に本発明者らにより提案されたも
のである。
図中、1は圧電帯基板で,たとえば、36゜Y一X L
iTa03板である。200はエアギャップ、130a
,130bはそれぞれ励振用および受信用の櫛形電極、
13L 132はそれぞれのリード導出部、140ぱ圧
電体ブリッジ、150ば圧電体ブリッジ140にあ番ノ
られた開口部である。
iTa03板である。200はエアギャップ、130a
,130bはそれぞれ励振用および受信用の櫛形電極、
13L 132はそれぞれのリード導出部、140ぱ圧
電体ブリッジ、150ば圧電体ブリッジ140にあ番ノ
られた開口部である。
図からわかるように、リード導出部131,132は圧
電体基板1の上に直接固着されており、これに対して櫛
形電極130 a , 130bの部分は圧電体ブリソ
ジ140の裏面に懸垂されるごとくに固着され、圧電体
基板1との間にエアギャップ200を形成し?いる。
電体基板1の上に直接固着されており、これに対して櫛
形電極130 a , 130bの部分は圧電体ブリソ
ジ140の裏面に懸垂されるごとくに固着され、圧電体
基板1との間にエアギャップ200を形成し?いる。
この従来例におけるエアギャップ200を形成するには
、先ず、圧電体基板1の上にエアギャップ200に相当
する厚さと範囲に、図には示してないが、あとで選択エ
ソチングにより除去できるような材料、たとえば、ポリ
シリコンをスペース材としてスバソタリングあるいはC
VD法などで膜形成し、その」二に電極金属膜,たとえ
ば、厚さ2amのAuを電子ビーム蒸着法で被着する。
、先ず、圧電体基板1の上にエアギャップ200に相当
する厚さと範囲に、図には示してないが、あとで選択エ
ソチングにより除去できるような材料、たとえば、ポリ
シリコンをスペース材としてスバソタリングあるいはC
VD法などで膜形成し、その」二に電極金属膜,たとえ
ば、厚さ2amのAuを電子ビーム蒸着法で被着する。
次に、前記電極金属膜を公知のホトエンチング法,ある
いは、イオンエンチング法により、櫛形電極130a,
130bおよびリート導出部13L 132をパター
ン形成ずる。
いは、イオンエンチング法により、櫛形電極130a,
130bおよびリート導出部13L 132をパター
ン形成ずる。
次いで、前記処理済基板の櫛形電極130a, 130
bの全てと、リード導出部13], 132の一部を覆
うように絶縁膜を,たとえば、前記図示してないポリシ
リコン膜の選択エソチンダ液に強いSiOz膜を約5μ
mの厚さに蒸着する。
bの全てと、リード導出部13], 132の一部を覆
うように絶縁膜を,たとえば、前記図示してないポリシ
リコン膜の選択エソチンダ液に強いSiOz膜を約5μ
mの厚さに蒸着する。
次いで、前記処理済基板の櫛形電極130aと130b
の中間のSiO■からなる絶縁膜に、電極部にか\らな
い程度の適度の大きさの開口部150を、たとえば、C
F,の中でイオンエンチングにより形成ずる。
の中間のSiO■からなる絶縁膜に、電極部にか\らな
い程度の適度の大きさの開口部150を、たとえば、C
F,の中でイオンエンチングにより形成ずる。
最後に、前記処理済基板の開口部150および両側の側
面部の、図には示してないスペース材の商出部分から、
選択工冫チング,たとえば、rillW液(エチレンシ
ア≧ン1−ピテカロール+水)または80’CのKO}
1溶液の中で、図示してないポリシリコンのスペース材
だけを選択的に溶解除去すれば、図示してないポリシリ
コンのスペース祠の部分が厚さ約50〜150nmのエ
アギャップ200として残り、櫛形電極130a,13
0bは空中に浮いた状態となって、圧電体基板1には全
く質量効果を及ぼさないエアギャップ電極型の弾性表面
波素子が形成される。
面部の、図には示してないスペース材の商出部分から、
選択工冫チング,たとえば、rillW液(エチレンシ
ア≧ン1−ピテカロール+水)または80’CのKO}
1溶液の中で、図示してないポリシリコンのスペース材
だけを選択的に溶解除去すれば、図示してないポリシリ
コンのスペース祠の部分が厚さ約50〜150nmのエ
アギャップ200として残り、櫛形電極130a,13
0bは空中に浮いた状態となって、圧電体基板1には全
く質量効果を及ぼさないエアギャップ電極型の弾性表面
波素子が形成される。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、上記従来のエアギャップ電極型の弾性表面波素
子では製造工程が多く、かつ、複雑であるので、高い歩
留りで製造することが難しく、製品が高価になるという
問題があり、その解決が必要であった。
子では製造工程が多く、かつ、複雑であるので、高い歩
留りで製造することが難しく、製品が高価になるという
問題があり、その解決が必要であった。
」二記の課題は、圧電体基板1と、非圧電体基板4」二
に形成された櫛形電極3とがエアギャップ2を介して対
面配置されてなる弾性表面波素子の製造方法において、
非圧電体基板4上に櫛形電極3およびリート導出部30
を形成し、前記非圧電体基4Fl./Iと圧電体基仮1
の間の、前記櫛形電極3と表面波伝播部を除く複数箇所
に、前記エアギャップ2を形成するために必要な高さを
有するスペース形成部5を配設し、前記非圧電体基板4
と前記圧電体基板1とを前記スペース形成部5を挟んで
接着固定することを特徴とした弾性表面波素子の製造方
法によって解決することができる。
に形成された櫛形電極3とがエアギャップ2を介して対
面配置されてなる弾性表面波素子の製造方法において、
非圧電体基板4上に櫛形電極3およびリート導出部30
を形成し、前記非圧電体基4Fl./Iと圧電体基仮1
の間の、前記櫛形電極3と表面波伝播部を除く複数箇所
に、前記エアギャップ2を形成するために必要な高さを
有するスペース形成部5を配設し、前記非圧電体基板4
と前記圧電体基板1とを前記スペース形成部5を挟んで
接着固定することを特徴とした弾性表面波素子の製造方
法によって解決することができる。
本発明の製造方法によれば、圧電体基板1と櫛形電極3
との間に介在させるエアギャップ2は、非圧電体基板4
と圧電体基板1の間の所定の複数箇所に、前記エアギャ
ップ2を形成するために必要な高さを有するスペース形
成部5を配設し、前記非圧電体基板4と前記圧電体基板
lとを前記スペース形成部5を挟んで接着固定するだけ
なので、極めて簡単に形成することができる。
との間に介在させるエアギャップ2は、非圧電体基板4
と圧電体基板1の間の所定の複数箇所に、前記エアギャ
ップ2を形成するために必要な高さを有するスペース形
成部5を配設し、前記非圧電体基板4と前記圧電体基板
lとを前記スペース形成部5を挟んで接着固定するだけ
なので、極めて簡単に形成することができる。
〔実施例]
第■図は本発明の第1実施例を示す図で、同図(イ)は
組立て斜視図、同図(lっ)は側面図である。
組立て斜視図、同図(lっ)は側面図である。
図中、■は圧電体基板で,たとえば、36゜Y−X L
iTa03板である。2はエアギャップ、3a3bはそ
れぞれ励振用および受信用の櫛形電極、31.32はそ
れぞれのリード導出部、4は非圧電体基板、5はスペー
ス形成部、6は凹部である。
iTa03板である。2はエアギャップ、3a3bはそ
れぞれ励振用および受信用の櫛形電極、31.32はそ
れぞれのリード導出部、4は非圧電体基板、5はスペー
ス形成部、6は凹部である。
図からわかるように、非圧電体基板4に形成されたスペ
ース形戊部5の高さから櫛形電極3の電極厚さを引いた
距離Sがエアギャップ2となる。
ース形戊部5の高さから櫛形電極3の電極厚さを引いた
距離Sがエアギャップ2となる。
次に、上記製造工程の実施例を順を追って説明する。
先ず、同図(イ)において、非圧電体基板4たとえば、
厚さ0.45mmのガラス基板の一面に、櫛形電極3a
とそのリード導出部31,櫛形電極3bとそのリード導
出部32とを形成するための凹部6を平滑な底面を持つ
ように形成する。
厚さ0.45mmのガラス基板の一面に、櫛形電極3a
とそのリード導出部31,櫛形電極3bとそのリード導
出部32とを形成するための凹部6を平滑な底面を持つ
ように形成する。
凹部6は,たとえば、36゜YX LiTaOs板の表
面波伝播速度を4090m/秒としで、中心周波数が1
60MHzの表面波フィルタの場合には、約2.6μm
の深さとする。すなわち、櫛形電極3aとそのリード導
出部31,櫛形電極3bとそのリード導出部32、およ
び櫛形電極3aと櫛形電極3bとの間の表面波伝播部を
除く6箇所に高さ2.6 μmのスペース形成部5が形
成されるように加工する。加工はレジストワークを行な
ったのち弗酸による化学エッチング あるいは適当なエ
ンチングガスによるイオンエソチングなどを用いて実施
すればよい。
面波伝播速度を4090m/秒としで、中心周波数が1
60MHzの表面波フィルタの場合には、約2.6μm
の深さとする。すなわち、櫛形電極3aとそのリード導
出部31,櫛形電極3bとそのリード導出部32、およ
び櫛形電極3aと櫛形電極3bとの間の表面波伝播部を
除く6箇所に高さ2.6 μmのスペース形成部5が形
成されるように加工する。加工はレジストワークを行な
ったのち弗酸による化学エッチング あるいは適当なエ
ンチングガスによるイオンエソチングなどを用いて実施
すればよい。
次に、前記四部6に電極金属膜,たとえば、厚さ2μm
のAuを電子ビーム草着法で被着する。
のAuを電子ビーム草着法で被着する。
次いで、前記電極金属膜を公知のホ1・エッチング法
あるいは、イオンエッチング法によりエッチングして、
櫛形電極3a,3h、リート導出部3132をパターン
形成ずる。
あるいは、イオンエッチング法によりエッチングして、
櫛形電極3a,3h、リート導出部3132をパターン
形成ずる。
一方、圧電体基板1として、前記非圧電体基板4よりも
大きさかや\小さく、厚さが0.35mmの表面を平滑
に研磨した36゜Y −X LiTa03板を別途用意
する。
大きさかや\小さく、厚さが0.35mmの表面を平滑
に研磨した36゜Y −X LiTa03板を別途用意
する。
次に、前記処理済みの非圧電体基板4ど前記圧電体基板
1を、櫛形電極3a,3bと圧電体基板Iの平滑面とを
対面配置させ、スペース形成部5の面に塗布した接着材
,たとえば、エボキシ樹脂接着材で接着固定する。
1を、櫛形電極3a,3bと圧電体基板Iの平滑面とを
対面配置させ、スペース形成部5の面に塗布した接着材
,たとえば、エボキシ樹脂接着材で接着固定する。
かくして、この実施例により形成されるエアギャップ型
の弾性表面波素子のエアギャップ2の間隔Sは、2.6
−2 =0.6μmとなり表面波の波長をλとすると
、Sぱ約λ/40となる。
の弾性表面波素子のエアギャップ2の間隔Sは、2.6
−2 =0.6μmとなり表面波の波長をλとすると
、Sぱ約λ/40となる。
すなわち、櫛形電極3a,3bは空中に浮いた状態とな
り、圧電体基板1には全く質量効果を及ぼさない。
り、圧電体基板1には全く質量効果を及ぼさない。
最後に、リード導出部3L32からリードを引出し、必
要に応して外装を施したのち検査して完或11 12 ずる。
要に応して外装を施したのち検査して完或11 12 ずる。
なお、本発明におけるエアギャップ2は、等角写像法に
よる電界分布の計算から、λ/40程度であれば、弾性
表面波の励振電力が充分に人力でき、また、同様に受信
電極から電気信号への変換が可能である。
よる電界分布の計算から、λ/40程度であれば、弾性
表面波の励振電力が充分に人力でき、また、同様に受信
電極から電気信号への変換が可能である。
第2図は本発明の第2実施例を示す図で、同図(イ)は
組立て斜視図、同図(ロ)は側面図である。
組立て斜視図、同図(ロ)は側面図である。
この例では非圧電体基板4は平面をなし、その平面上に
櫛形電極3a,3b、リード導出部3L 32が第1実
施例と同様の方法でパターン形成される。
櫛形電極3a,3b、リード導出部3L 32が第1実
施例と同様の方法でパターン形成される。
一方、圧電体基板1の方に凹部6が約2.6μmの深さ
になるようCこ加工する.すなわち、櫛形電極3aとそ
のリート導出部3LIi!’il形電極3bとそのリー
ド導出部32、および櫛形電極3aと櫛形電極3bとの
間の表面波伝播部を除く6箇所に高さ2.6μmのスペ
ース形成部5が形成されるように加工する。
になるようCこ加工する.すなわち、櫛形電極3aとそ
のリート導出部3LIi!’il形電極3bとそのリー
ド導出部32、および櫛形電極3aと櫛形電極3bとの
間の表面波伝播部を除く6箇所に高さ2.6μmのスペ
ース形成部5が形成されるように加工する。
以上の両者を対面させてエボキシ樹脂接着材で接着すれ
ば、第1実施例と同様にエアギャップ型の弾性表面波素
子を製造することができる。
ば、第1実施例と同様にエアギャップ型の弾性表面波素
子を製造することができる。
第3図は本発明の第3実施例を示す図で、同図(イ)は
組立て斜視図、同図(口)は側面図でちる。
組立て斜視図、同図(口)は側面図でちる。
本実施例では、圧電体基板1と非圧電体基仮4のいずれ
も平滑面を利用できることが特徴である。
も平滑面を利用できることが特徴である。
すなわち、非圧電体基板4は平面をなし、その平面上に
櫛形電極3a,3b、リード導出部31. 32が第1
実施例と同様の方法でパターン形成される。
櫛形電極3a,3b、リード導出部31. 32が第1
実施例と同様の方法でパターン形成される。
そして、櫛形電極3aとそのリード導出部3L櫛形電極
3bとそのリード導出部32、および櫛形電極3aと櫛
形電極3bとの間の表面波伝播部を除く6箇所に高さ2
.6μmの,たとえば、電子ビーム蒸着によるSiO膜
からなるスペース形成部5を形成する。
3bとそのリード導出部32、および櫛形電極3aと櫛
形電極3bとの間の表面波伝播部を除く6箇所に高さ2
.6μmの,たとえば、電子ビーム蒸着によるSiO膜
からなるスペース形成部5を形成する。
一方、圧電体基板1としては平滑板を別途用意して、以
上の両者を対面さセてエボキシ樹脂接着材で接着すれば
、第l実施例と同様にエアギャップ型の弾性表面波素子
を製造することができる。
上の両者を対面さセてエボキシ樹脂接着材で接着すれば
、第l実施例と同様にエアギャップ型の弾性表面波素子
を製造することができる。
第4図は本発明の第4実施例を示す図で、同図(イ)は
&Il立て斜視図、同図(口)し4側面図である。
&Il立て斜視図、同図(口)し4側面図である。
本実施例でも、圧電体基仮1と非圧電体基仮4のいずれ
も平滑而を利用できることが特徴であり、しかも、非圧
電体基仮4の側に電極膜と同一の厚さ,たとえば、2.
071mのAu膜を、電極膜と同時形成して一方のスペ
ース形成部5aとし、他方、圧電体基仮1の側にはエア
ギャップ2に相当するdさ,たとえば、0.6 μmの
SiO膜からなるもう−・方のスペース形成部5bを形
成して、両者を合わせればスペース形成部5の所要高さ
2.6μmが得られる。
も平滑而を利用できることが特徴であり、しかも、非圧
電体基仮4の側に電極膜と同一の厚さ,たとえば、2.
071mのAu膜を、電極膜と同時形成して一方のスペ
ース形成部5aとし、他方、圧電体基仮1の側にはエア
ギャップ2に相当するdさ,たとえば、0.6 μmの
SiO膜からなるもう−・方のスペース形成部5bを形
成して、両者を合わせればスペース形成部5の所要高さ
2.6μmが得られる。
本実施例てはSiO膜の厚さを0.6 μmと低減でき
るので、第3実施例に比較して生産性が向上ずる。
るので、第3実施例に比較して生産性が向上ずる。
第5図は木発明の第5実施例を示す図で、同図(イ)は
組立て斜視図、同図(口)は側面図である。
組立て斜視図、同図(口)は側面図である。
本実施例でも、圧電体基板1と非圧電体基板4のいずれ
も平滑面を利用できることが特徴であり、しかも、上記
第4実施例乙こお(Jるスペース形成部5a,5t+を
非圧電体2S板4の土−に連続形成していくことができ
るので、さらに、住産性をliilヒさせることができ
る。
も平滑面を利用できることが特徴であり、しかも、上記
第4実施例乙こお(Jるスペース形成部5a,5t+を
非圧電体2S板4の土−に連続形成していくことができ
るので、さらに、住産性をliilヒさせることができ
る。
以」二の実施例に示した以外の+A料,あるいし4、そ
れらの組の合わせ、また、膜形成技術についても他の方
法を適宜用いて、木発明の弾性表面波素子製造方法を構
成してもよいことは勿論である。
れらの組の合わせ、また、膜形成技術についても他の方
法を適宜用いて、木発明の弾性表面波素子製造方法を構
成してもよいことは勿論である。
また、スペース形成部5の数1大きさ,P′1さや電極
の膜厚なとは以」二の実施例に限るもので番上なく、所
望の素子性能に応して適宜設81された値を用いればよ
い。
の膜厚なとは以」二の実施例に限るもので番上なく、所
望の素子性能に応して適宜設81された値を用いればよ
い。
なお、上記実施例では弾性表面波フィルタの場合を示し
たが、その他表面波共振子や遅延素子なども、本発明の
製造方法が同様に適用できることはいうまでもない。
たが、その他表面波共振子や遅延素子なども、本発明の
製造方法が同様に適用できることはいうまでもない。
(発明の効果]
以七詳しく述べたように、本発明の製造方法によれば、
圧電体基板1と櫛形電極3との間に介在15 16 さセるエアギャ・7プ2は、非圧電体基板4と圧電体基
仮1の間の所定の複数箇所に、前記エアギャップ2を形
成するために必要な高さを有するスペス形成部5を配設
し、前記非圧電体基板4と前記圧電体基板1とを前記ス
ペース形成部5を挾んで接着固定するだけなので、エア
ギャップ2を極めて簡単に形成することができる。した
がって、エアギャップ型の弾性表面波素子の品質安定性
生産性,歩留りの向上ならびに低価格化に寄与するとこ
ろが極めて大きい。
圧電体基板1と櫛形電極3との間に介在15 16 さセるエアギャ・7プ2は、非圧電体基板4と圧電体基
仮1の間の所定の複数箇所に、前記エアギャップ2を形
成するために必要な高さを有するスペス形成部5を配設
し、前記非圧電体基板4と前記圧電体基板1とを前記ス
ペース形成部5を挾んで接着固定するだけなので、エア
ギャップ2を極めて簡単に形成することができる。した
がって、エアギャップ型の弾性表面波素子の品質安定性
生産性,歩留りの向上ならびに低価格化に寄与するとこ
ろが極めて大きい。
例を示す図である。
図において、
1は圧電体基板、
2はエアギャップ、
3 (3a.3b)は櫛形電極、
4は非圧電体基板、
5 (5a,5b)はスペース形成部、6は四部、
3L 32はリード導出部である。
第1図は木発明の第1実施例を示す図、第2図は本発明
の第2実施例を示す図、第3図は本発明の第3実施例を
示す図、第4図は本発明の第4実施例を示す図、第5図
は本発明の第5実施例を示す図、第6図はエアギャンプ
型弾性表面波素子の従来の製造方法を説明する図、 第7図は従来の弾性表面波素子の構成の2つのMi−1 代一 喚
の第2実施例を示す図、第3図は本発明の第3実施例を
示す図、第4図は本発明の第4実施例を示す図、第5図
は本発明の第5実施例を示す図、第6図はエアギャンプ
型弾性表面波素子の従来の製造方法を説明する図、 第7図は従来の弾性表面波素子の構成の2つのMi−1 代一 喚
Claims (1)
- 圧電体基板(1)と、非圧電体基板(4)上に形成さ
れた櫛形電極(3)とがエアギャップ(2)を介して対
面配置されてなる弾性表面波素子の製造方法において、
非圧電体基板(4)上に櫛形電極(3)およびリード導
出部(30)を形成し、前記非圧電体基板(4)と圧電
体基板(1)の間の、前記櫛形電極(3)と表面波伝播
部を除く複数箇所に、前記エアギャップ(2)を形成す
るために必要な高さを有するスペース形成部(5)を配
設し、前記非圧電体基板(4)と前記圧電体基板(1)
とを前記スペース形成部(5)を挟んで接着固定するこ
とを特徴とした弾性表面波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15611289A JPH0321112A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15611289A JPH0321112A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0321112A true JPH0321112A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15620574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15611289A Pending JPH0321112A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0321112A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8883936B2 (en) | 2010-11-24 | 2014-11-11 | Kaneka Corporation | Curable composition |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP15611289A patent/JPH0321112A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8883936B2 (en) | 2010-11-24 | 2014-11-11 | Kaneka Corporation | Curable composition |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI762832B (zh) | 聲表面波器件 | |
US5446330A (en) | Surface acoustic wave device having a lamination structure | |
US4456850A (en) | Piezoelectric composite thin film resonator | |
US5448126A (en) | Surface acoustic wave-semiconductor composite device | |
JP2018506930A (ja) | 波閉じ込め構造を有する板波デバイス及び作製方法 | |
JP2018506930A5 (ja) | ||
US20080292127A1 (en) | Electroacoustic Component | |
JP3514224B2 (ja) | 圧電共振子、フィルタ及び電子機器 | |
WO2021102640A1 (zh) | 声波器件及其制作方法 | |
JP6025850B2 (ja) | 微細加工された垂直構造上に形成された周期的強誘電分極を有する電気−音響トランスデューサ | |
JP3514222B2 (ja) | 圧電共振子、電子部品及び電子機器 | |
EP0483358B1 (en) | Ultra thin quartz crystal filter element of multiple mode | |
KR100902802B1 (ko) | 탄탈산리튬으로 이루어지는 인터페이스 음파 장치 | |
JPH07263998A (ja) | 端面反射型表面波共振子 | |
US4076987A (en) | Multiple resonator or filter vibrating in a coupled mode | |
JP2000278087A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JPH036912A (ja) | 弾性表面波素子 | |
JPH02295211A (ja) | エネルギー閉じ込め型弾性表面波素子 | |
JPH08204493A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JPH0211043B2 (ja) | ||
JPH0321112A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
JPH0640611B2 (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
JPS6281807A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
JPH0131728B2 (ja) | ||
JPS6346605B2 (ja) |