JPH03203273A - ｐｉｎホトダイオード - Google Patents
ｐｉｎホトダイオードInfo
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- JPH03203273A JPH03203273A JP1344279A JP34427989A JPH03203273A JP H03203273 A JPH03203273 A JP H03203273A JP 1344279 A JP1344279 A JP 1344279A JP 34427989 A JP34427989 A JP 34427989A JP H03203273 A JPH03203273 A JP H03203273A
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はｐｉｎホトダイオードに関するものである。
ｐｉｎホトダイオードは真性もしくは低キャリア密度の
半導体領域（ｌ領域）を、ｎ＋型領領域カソード領域）
とｐ 型領域（アノード領域）で挟んで構成され、ｐ”
−ｐ’−−ｎ＋槽構造ｐ＋−ｎ−−ｎ＋槽構造ものを
含んでｐｉｎホトダイオードと総称される。ところで、
ｐｉｎホトダイオードの特性においては動作速度の高速
化が重要であり、従来から高速化のため種々の工夫がさ
れている。
半導体領域（ｌ領域）を、ｎ＋型領領域カソード領域）
とｐ 型領域（アノード領域）で挟んで構成され、ｐ”
−ｐ’−−ｎ＋槽構造ｐ＋−ｎ−−ｎ＋槽構造ものを
含んでｐｉｎホトダイオードと総称される。ところで、
ｐｉｎホトダイオードの特性においては動作速度の高速
化が重要であり、従来から高速化のため種々の工夫がさ
れている。
一般に、ｐｉｎホトダイオードの動作速度はｌ領域にお
けるキャリアの走行時間と、いわゆるＣＲ時定数により
与えられる。すなわち、キャリアの走行時間は正弦波変
調された信号光 Ｐ （ｔ）−Ｐ −ｅｘｐ、（ｊｗｔ）ｔ
ｉ。
けるキャリアの走行時間と、いわゆるＣＲ時定数により
与えられる。すなわち、キャリアの走行時間は正弦波変
調された信号光 Ｐ （ｔ）−Ｐ −ｅｘｐ、（ｊｗｔ）ｔ
ｉ。
がｐｉｎホトダイオードの空乏層に入射されると、時刻
ｔでの充電流密度Ｊ （ｔ）は、位置Ｘで時刻（ｔ
ｘ ／ ｖ ａ、）に発生した電子が空乏層端λ−〇
に到達した数で表わされるから、 で与えられる。従って、この振幅が １／２ （１／２） すなわち電力が１／２になる周波数ｆ
は、 ｆ （ｔ、ρ−２．７８／（２πｔｔｒ）−０，４４
／ｌｔｒ で与えられる。シリコンルミｎホトダイオードの場合、
飽和速度は空乏層幅が３０μｍのときに１０ ｔ −３ｘ１０ （ｓ ｅ ｃ） ｒ であるため、 ｆ ＝１．５Ｘ１０” （Ｈｚ） ・・・
（１）となる。
ｔでの充電流密度Ｊ （ｔ）は、位置Ｘで時刻（ｔ
ｘ ／ ｖ ａ、）に発生した電子が空乏層端λ−〇
に到達した数で表わされるから、 で与えられる。従って、この振幅が １／２ （１／２） すなわち電力が１／２になる周波数ｆ
は、 ｆ （ｔ、ρ−２．７８／（２πｔｔｒ）−０，４４
／ｌｔｒ で与えられる。シリコンルミｎホトダイオードの場合、
飽和速度は空乏層幅が３０μｍのときに１０ ｔ −３ｘ１０ （ｓ ｅ ｃ） ｒ であるため、 ｆ ＝１．５Ｘ１０” （Ｈｚ） ・・・
（１）となる。
一方、ＣＲ時定数について検討すると、負荷抵抗Ｒの両
端に発生する電圧が ｑ ｖ （ｔ）＝ ｆｉ ◆Ｒ／ （１＋ｊｗｃｊＯｅ９ Ｒ）ｌ ・ｅｊゞ１ ｑ となるための遮断周波数ｆ は、 ｆ （ＣＲ）−１／２πＣＪＲｏ。
端に発生する電圧が ｑ ｖ （ｔ）＝ ｆｉ ◆Ｒ／ （１＋ｊｗｃｊＯｅ９ Ｒ）ｌ ・ｅｊゞ１ ｑ となるための遮断周波数ｆ は、 ｆ （ＣＲ）−１／２πＣＪＲｏ。
で与えられる。ここで、シリコンルミｎホトダイオード
の場合には、空乏層幅が３０μｍでｐｎ接合面積が２５
０μｍφのとき接合容量Ｃ２−０，１７ｐＦであり、負
荷がＲＬ −５０Ωとすると、上記ｆ の値は ｆ （ＣＲ）−１，８Ｘ１０１０（Ｈｚ）−・・（
２）となる。上記（２）式と前述の（１）式を比較すれ
ば明らかな通り、ｐｉｎホトダイオードの動作速度を規
制しているのは主としてキャリアの走行時間であり、こ
れを短くすることにより動作速度の高速化を可能にでき
ることがわかる。
の場合には、空乏層幅が３０μｍでｐｎ接合面積が２５
０μｍφのとき接合容量Ｃ２−０，１７ｐＦであり、負
荷がＲＬ −５０Ωとすると、上記ｆ の値は ｆ （ＣＲ）−１，８Ｘ１０１０（Ｈｚ）−・・（
２）となる。上記（２）式と前述の（１）式を比較すれ
ば明らかな通り、ｐｉｎホトダイオードの動作速度を規
制しているのは主としてキャリアの走行時間であり、こ
れを短くすることにより動作速度の高速化を可能にでき
ることがわかる。
キャリアの走行時間を短くするためには、ｐ″型デアノ
ード領域ｎ＋＋カソード領域に挟まれるｌ領域を薄層化
することが考えられる。しかし、ｌ領域を薄くすると光
電変換領域での信号光のパス（光路）が必然的に短くな
り、検出感度の低下は避けられない。
ード領域ｎ＋＋カソード領域に挟まれるｌ領域を薄層化
することが考えられる。しかし、ｌ領域を薄くすると光
電変換領域での信号光のパス（光路）が必然的に短くな
り、検出感度の低下は避けられない。
そこで本発明は、光の応答性を高くしながら、しかも高
速動作を可能にしたｐ１ｎホトダイオードを提供するこ
とを目的とする。
速動作を可能にしたｐ１ｎホトダイオードを提供するこ
とを目的とする。
本発明に係るｐｉｎホトダイオードは、受光面に入射さ
れた信号光を光電変換して電気信号として出力するｐｉ
ｎホトダイオードにおいて、アノードをなすｎ型領域と
カソードをなすｎ型領域の少なくともいずれか一方が、
信号光の入射方向と略平行方向に伸びる長尺形状となる
よう低キャリア密度の半導体領域中に形成されているこ
とを特徴とする。ここで、アノードをなすｎ型領域とカ
ソードをなすｎ型領域のそれぞれが長尺形状となるよう
複数ずつ形成され、かつ複数のｎ型領域と複数のｎ型領
域がそれぞれ電気的に共通接続されているようにしても
よく、アノードをなすｎ型領域とカソードをなすｎ型領
域域のそれぞれが低キャリア密度の半導体領域中に伸び
る棒形状となるよう複数本づつ形成され、かつ複数のｎ
型領域と複数のｎ型領域は交互に千鳥状に配置されるよ
うにしてもよい。
れた信号光を光電変換して電気信号として出力するｐｉ
ｎホトダイオードにおいて、アノードをなすｎ型領域と
カソードをなすｎ型領域の少なくともいずれか一方が、
信号光の入射方向と略平行方向に伸びる長尺形状となる
よう低キャリア密度の半導体領域中に形成されているこ
とを特徴とする。ここで、アノードをなすｎ型領域とカ
ソードをなすｎ型領域のそれぞれが長尺形状となるよう
複数ずつ形成され、かつ複数のｎ型領域と複数のｎ型領
域がそれぞれ電気的に共通接続されているようにしても
よく、アノードをなすｎ型領域とカソードをなすｎ型領
域域のそれぞれが低キャリア密度の半導体領域中に伸び
る棒形状となるよう複数本づつ形成され、かつ複数のｎ
型領域と複数のｎ型領域は交互に千鳥状に配置されるよ
うにしてもよい。
本発明の構成によれば、信号光の入射方向と略平行な長
尺状のｐ＋型デアノード領域よびｎ＋＋カソード領域で
ｌ領域が挾まれるので、信号光のバスを長くしなからｐ
＋型デアノード領域ｎ＋＋カソード領域を接近させるこ
とができる。
尺状のｐ＋型デアノード領域よびｎ＋＋カソード領域で
ｌ領域が挾まれるので、信号光のバスを長くしなからｐ
＋型デアノード領域ｎ＋＋カソード領域を接近させるこ
とができる。
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施例の概略構成を示している。高濃
度ｎ型のシリコンからなるｎ＋＋基板１０の上には、非
常に低濃度ｎ型のシリコンエビタキシャル戊長層からな
るｎ−領域２０が形成され、このｎ”−領域２０が高濃
度ｎ型のｎ＋＋アイソレーション領域２１に囲まれてｐ
ｌｎホトダイオードの受光領域が構成されている。この
受光領域には、ｎ−一領域２０中に伸びるｐ＋型デアノ
ード領域３０ｎ＋＋カソード領域４０が形成され、図示
しない配線によりｐ＋型アノード領域３０同士、ｎ＋型
カソード領域４０同士が共通接続される。
度ｎ型のシリコンからなるｎ＋＋基板１０の上には、非
常に低濃度ｎ型のシリコンエビタキシャル戊長層からな
るｎ−領域２０が形成され、このｎ”−領域２０が高濃
度ｎ型のｎ＋＋アイソレーション領域２１に囲まれてｐ
ｌｎホトダイオードの受光領域が構成されている。この
受光領域には、ｎ−一領域２０中に伸びるｐ＋型デアノ
ード領域３０ｎ＋＋カソード領域４０が形成され、図示
しない配線によりｐ＋型アノード領域３０同士、ｎ＋型
カソード領域４０同士が共通接続される。
上記のようなｐｉｎホトダイオードに対し、信号光が上
方から入射されると、ｉ領域すなわちｎ−領域２０中で
光キャリアが生成される。このとき、ｐｉｎホトダイオ
ードのｉ領域の入射方向の幅は、ｐ＋型デアノード領域
３０よびｎ＋＋カソード領域４０の伸びる長さ（ｎ−領
域２０中での深さ）に応じて十分に大きくできるので、
信号光は十分に検出することが可能になる。一方、発生
した光キャリアは、信号光の入射する方向と直交する方
向に走行するので、ｐ１型アノード領域３０とｎ＋＋カ
ソード領域４０の間隔を小さくすることにより、キャリ
アの走行時間を十分に短くできる。従って、光の応答性
を高くしながら、同時に動作の高速化を達成することが
可能になる。
方から入射されると、ｉ領域すなわちｎ−領域２０中で
光キャリアが生成される。このとき、ｐｉｎホトダイオ
ードのｉ領域の入射方向の幅は、ｐ＋型デアノード領域
３０よびｎ＋＋カソード領域４０の伸びる長さ（ｎ−領
域２０中での深さ）に応じて十分に大きくできるので、
信号光は十分に検出することが可能になる。一方、発生
した光キャリアは、信号光の入射する方向と直交する方
向に走行するので、ｐ１型アノード領域３０とｎ＋＋カ
ソード領域４０の間隔を小さくすることにより、キャリ
アの走行時間を十分に短くできる。従って、光の応答性
を高くしながら、同時に動作の高速化を達成することが
可能になる。
第２図は実施例に係るｐｉｎホトダイオードの詳細な構
成を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ線
断面図である。
成を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ線
断面図である。
ｎ＋＋基板１０の上に形成されたｎ−領域２０中には、
棒状のｐ”型アノード領域３０とｎ＋＋カソード領域４
０が埋め込まれる。このようなｐ＋型デアノード領域３
０よびｎ＋＋カソード領域４０の埋め込みは、例えば次
のようにして行なう。
棒状のｐ”型アノード領域３０とｎ＋＋カソード領域４
０が埋め込まれる。このようなｐ＋型デアノード領域３
０よびｎ＋＋カソード領域４０の埋め込みは、例えば次
のようにして行なう。
まず、ｎ−領域２０を選択的に異方性エツチングして棒
状の深い溝を形成し、この溝中にポリシリコンを埋め込
む。ここで、ｐ＋型デアノード領域３０形成するための
溝中にはｐ型不純物を含むポリシリコンを埋め込み、ｎ
＋＋カソード領域４０を形成するため溝中にはｎ型不純
物を含むポリシリコンを埋み込むと、後の熱工程で上記
不純物がｎ−領域２０に拡散される。このため、第１図
（ｂ）に示すように、ｐ＋型デアノード領域３０ｐ型ポ
リシリコン３１とｐ型拡散層３２で構成され、ｎ＋＋カ
ソード領域４０はｎ型ポリシリコン４１とｎ型拡散層４
２で構成されるようになる。
状の深い溝を形成し、この溝中にポリシリコンを埋め込
む。ここで、ｐ＋型デアノード領域３０形成するための
溝中にはｐ型不純物を含むポリシリコンを埋め込み、ｎ
＋＋カソード領域４０を形成するため溝中にはｎ型不純
物を含むポリシリコンを埋み込むと、後の熱工程で上記
不純物がｎ−領域２０に拡散される。このため、第１図
（ｂ）に示すように、ｐ＋型デアノード領域３０ｐ型ポ
リシリコン３１とｐ型拡散層３２で構成され、ｎ＋＋カ
ソード領域４０はｎ型ポリシリコン４１とｎ型拡散層４
２で構成されるようになる。
このようなｐｉｎホトダイオードの受光領域はｎ＋＋ア
イソレーション領域２１で囲まれ、その上にＣＶＤ法な
どによる５１０２膜５ｏが被着される。そして、５ＩＯ
２膜５０はｐ＋型デアノード領域３０よびｎ＋＋カソー
ド領域４０の位置で開口が形成され、ここにアノードコ
ンタクト３３およびカソードコンタクト４３がｐ型ポリ
シリコン３１およびｎ型ポリシリコン４１とオーミック
接触するように設けられる。上記のアノードコンタクト
３３は例えばアルミニウムからなるアノード配線３４で
共通接続され、更に信号取出用のアノード電極３５に接
続される。一方、カソードコンタクト４３についてはカ
ソード配線４４で共通接続され、信号取出用のカソード
電極４５に接続される。
イソレーション領域２１で囲まれ、その上にＣＶＤ法な
どによる５１０２膜５ｏが被着される。そして、５ＩＯ
２膜５０はｐ＋型デアノード領域３０よびｎ＋＋カソー
ド領域４０の位置で開口が形成され、ここにアノードコ
ンタクト３３およびカソードコンタクト４３がｐ型ポリ
シリコン３１およびｎ型ポリシリコン４１とオーミック
接触するように設けられる。上記のアノードコンタクト
３３は例えばアルミニウムからなるアノード配線３４で
共通接続され、更に信号取出用のアノード電極３５に接
続される。一方、カソードコンタクト４３についてはカ
ソード配線４４で共通接続され、信号取出用のカソード
電極４５に接続される。
上記実施例において、アノード配線３４およびカソード
配線４４を透明導電材料で形成すれば、受光感度を更に
高めことが可能になる。また、アノード配線３４および
カソード配線４４をｎ−領域２０の表面に形成した線状
のｐ＋層およびｎ＋層で実現することも可能であるが、
このようにすると空乏層による容量が生じるという問題
が生じる。
配線４４を透明導電材料で形成すれば、受光感度を更に
高めことが可能になる。また、アノード配線３４および
カソード配線４４をｎ−領域２０の表面に形成した線状
のｐ＋層およびｎ＋層で実現することも可能であるが、
このようにすると空乏層による容量が生じるという問題
が生じる。
次に、本発明の実施例に係るｐｉｎホトダイオードの変
形例を説明する。
形例を説明する。
第３図（ａ）は第２図の実施例に対応するｐｉｎホトダ
イオードのうち、ｐ＋型デアノード領域３０よびｎ＋＋
カソード領域４０の配置を示している。これに対し、同
図（ｂ）はその変形例を示し、ｐ＋型デアノード領域３
０ｎ＋＋カソード領域４０が千鳥状に配置されている。
イオードのうち、ｐ＋型デアノード領域３０よびｎ＋＋
カソード領域４０の配置を示している。これに対し、同
図（ｂ）はその変形例を示し、ｐ＋型デアノード領域３
０ｎ＋＋カソード領域４０が千鳥状に配置されている。
このようにすると、ｐｎ接合容量が小さくなるので、更
なる高速化が図れる。また、ｐ＋型デアノード領域３同
士とｎ＋型カソード領域４０同士の距離が同図（ａ）に
比べて更に大きくなるので、検出感度の一層の向上が可
能になる。同図（ｃ）は板状のｐ＋型デアノード領域３
０ｎ＋＋カソード領域４０が交互に配設された例を示す
。このようにす ０ ると、空乏層による容量が大きくなるため、高速性は若
干低下するが、従来のｐｉｎホトダイオードに比べれば
十分な程度以上の光応答性と高速性が実現される。
なる高速化が図れる。また、ｐ＋型デアノード領域３同
士とｎ＋型カソード領域４０同士の距離が同図（ａ）に
比べて更に大きくなるので、検出感度の一層の向上が可
能になる。同図（ｃ）は板状のｐ＋型デアノード領域３
０ｎ＋＋カソード領域４０が交互に配設された例を示す
。このようにす ０ ると、空乏層による容量が大きくなるため、高速性は若
干低下するが、従来のｐｉｎホトダイオードに比べれば
十分な程度以上の光応答性と高速性が実現される。
第４図はいわゆる裏面入射型としたｐｉｎホトダイオー
ドの断面図である。図示の通り、上面にｎ−一領域２０
が形成されたｎ＋＋基板１０は、裏面からのエツチング
により除去されており、この薄くなった部分ら信号光が
入射される。この場合には、ｎ−領域２０の上面にＡｇ
等の配線が設けられていても、これが信号光の入射を遮
ることがないので、検出感度の更なる向上が可能である
。
ドの断面図である。図示の通り、上面にｎ−一領域２０
が形成されたｎ＋＋基板１０は、裏面からのエツチング
により除去されており、この薄くなった部分ら信号光が
入射される。この場合には、ｎ−領域２０の上面にＡｇ
等の配線が設けられていても、これが信号光の入射を遮
ることがないので、検出感度の更なる向上が可能である
。
以上、詳細に説明した通り本発明では、信号光の入射方
向と略平行な長尺状のｐ 型アノード領域およびｎ＋＋
カソード領域でｐｉｎホトダイオードのｉ領域が挟まれ
るので、信号光のバスを長くしなからｐ＋型デアノード
領域ｎ＋＋カソード領域を接近させることができる。こ
のため、光の応答性を高くしながら、しかも高速動作を
可能にしたｐｉｎホトダイオードを提供することができ
る。
向と略平行な長尺状のｐ 型アノード領域およびｎ＋＋
カソード領域でｐｉｎホトダイオードのｉ領域が挟まれ
るので、信号光のバスを長くしなからｐ＋型デアノード
領域ｎ＋＋カソード領域を接近させることができる。こ
のため、光の応答性を高くしながら、しかも高速動作を
可能にしたｐｉｎホトダイオードを提供することができ
る。
第１図は本発明の実施例に係るｐｉｎホトダイオードの
概略構成を示す図、第２図はその詳細な構成を示す図、
第３図および第４図は変形例に係るｐ１ｎホトダイオー
ドの構成を示す図である。 １０・・・ｎ＋＋基板、２０・・・ｎ−領域、２１・・
・ｎ＋＋アイソレーション領域、３０・・・ｐ＋型デア
ノード領域３１・・・ｐ型ポリシリコン、３２・・・ｐ
型拡散層、３３・・・アノードコンタクト、３４・・・
アノード配線、３５・・・アノード電極、４０・・・ｎ
＋＋カソード領域、４１・・・ｎ型ポリシリコン、４２
・・・ｎ型拡散層、４３・・・カソードコンタクト、４
４・・・カソード配線、４５・・・カソード電極、５０
・・・Ｓ１０□膜。
概略構成を示す図、第２図はその詳細な構成を示す図、
第３図および第４図は変形例に係るｐ１ｎホトダイオー
ドの構成を示す図である。 １０・・・ｎ＋＋基板、２０・・・ｎ−領域、２１・・
・ｎ＋＋アイソレーション領域、３０・・・ｐ＋型デア
ノード領域３１・・・ｐ型ポリシリコン、３２・・・ｐ
型拡散層、３３・・・アノードコンタクト、３４・・・
アノード配線、３５・・・アノード電極、４０・・・ｎ
＋＋カソード領域、４１・・・ｎ型ポリシリコン、４２
・・・ｎ型拡散層、４３・・・カソードコンタクト、４
４・・・カソード配線、４５・・・カソード電極、５０
・・・Ｓ１０□膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、受光面に入射された信号光を光電変換して電気信号
として出力するｐｉｎホトダイオードにおいて、 アノードをなすｐ型領域とカソードをなすｎ型領域の少
なくともいずれか一方が、前記信号光の入射方向と略平
行方向に伸びる長尺形状となるよう低キャリア密度の半
導体領域中に形成されていることを特徴とするｐｉｎホ
トダイオード。 ２、前記アノードをなすｐ型領域と前記カソードをなす
ｎ型領域のそれぞれが前記長尺形状となるよう複数ずつ
形成され、かつ前記複数のｐ型領域と前記複数のｎ型領
域がそれぞれ電気的に共通接続されている請求項１記載
のｐｉｎホトダイオード。 ３、前記アノードをなすｐ型領域と前記カソードをなす
ｎ型領域のそれぞれが前記低キャリア密度の半導体領域
中に伸びる棒形状となるよう複数本づつ形成され、かつ
前記複数のｐ型領域と前記複数のｎ型領域は交互に千鳥
状に配置されている請求項１記載のｐｉｎホトダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1344279A JPH03203273A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ｐｉｎホトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1344279A JPH03203273A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ｐｉｎホトダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03203273A true JPH03203273A (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=18368009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1344279A Pending JPH03203273A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ｐｉｎホトダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03203273A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005150723A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトダイオード及びその製造方法 |
| JP2014107562A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-09 | Imec | 光信号を電気信号に変換するアバランシェ光検出器素子、アバランシェ光検出器の使用およびアバランシェ光検出器の製造方法 |
| JP2016207807A (ja) * | 2015-04-21 | 2016-12-08 | マイクロシグナル株式会社 | 光電変換素子 |
| US9960308B2 (en) | 2016-05-20 | 2018-05-01 | Micro Signal Co., Ltd. | Photoelectric conversion element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63287077A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-24 | Hitachi Ltd | 光電変換デバイス |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1344279A patent/JPH03203273A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63287077A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-24 | Hitachi Ltd | 光電変換デバイス |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005150723A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトダイオード及びその製造方法 |
| JP2014107562A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-09 | Imec | 光信号を電気信号に変換するアバランシェ光検出器素子、アバランシェ光検出器の使用およびアバランシェ光検出器の製造方法 |
| JP2016207807A (ja) * | 2015-04-21 | 2016-12-08 | マイクロシグナル株式会社 | 光電変換素子 |
| US9960308B2 (en) | 2016-05-20 | 2018-05-01 | Micro Signal Co., Ltd. | Photoelectric conversion element |
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