JPH03201492A - レーザ発振器の光量制御装置 - Google Patents
レーザ発振器の光量制御装置Info
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- JPH03201492A JPH03201492A JP1338418A JP33841889A JPH03201492A JP H03201492 A JPH03201492 A JP H03201492A JP 1338418 A JP1338418 A JP 1338418A JP 33841889 A JP33841889 A JP 33841889A JP H03201492 A JPH03201492 A JP H03201492A
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
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- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K15/00—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers
- G06K15/02—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers
- G06K15/12—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers
- G06K15/1204—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers involving the fast moving of an optical beam in the main scanning direction
- G06K15/1219—Detection, control or error compensation of scanning velocity or position, e.g. synchronisation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
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- G06K15/1204—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers involving the fast moving of an optical beam in the main scanning direction
- G06K15/1209—Intensity control of the optical beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、たとえばレーザプリンタやディジタル複写機
などの画像形成装置に用いられるレーザ発振器の光量制
御装置に関する。
などの画像形成装置に用いられるレーザ発振器の光量制
御装置に関する。
（従来の技術）
最近、たとえばレーザ発振器から出力されるレーザビー
ムによる走査露光と電子写真プロセスとによって印字す
る電子写真方式のレーザプリンタが開発されている。
ムによる走査露光と電子写真プロセスとによって印字す
る電子写真方式のレーザプリンタが開発されている。
この種のレーザプリンタにおいては、レーザビームを得
るためのレーザ発振器として半導体レーザ発振器が用い
られている。一般に、半導体レーザ発振器の光量は、温
度に対して非常に不安定であるため、通常、光量制御装
置などにより半導体レーザ発振器の光量を安定化してい
る。
るためのレーザ発振器として半導体レーザ発振器が用い
られている。一般に、半導体レーザ発振器の光量は、温
度に対して非常に不安定であるため、通常、光量制御装
置などにより半導体レーザ発振器の光量を安定化してい
る。
半導体レーザ発振器の光量制御方式には種々の方式が有
るか、安価な方式として周知の汎用マイクロコンピュー
タ（以下マイコンと称する）を利用して、半導体レーザ
発振器が発光している間に、半導体レーザ発振器の光量
を光量検出器で検出し、検出した光量と光量目標値とを
比較して、その比較結果に応じて半導体レーザ発振器の
駆動電流を設定する制御を一定の周期で行なうことによ
り、半導体レーザ発振器の光量を安定化していた。
るか、安価な方式として周知の汎用マイクロコンピュー
タ（以下マイコンと称する）を利用して、半導体レーザ
発振器が発光している間に、半導体レーザ発振器の光量
を光量検出器で検出し、検出した光量と光量目標値とを
比較して、その比較結果に応じて半導体レーザ発振器の
駆動電流を設定する制御を一定の周期で行なうことによ
り、半導体レーザ発振器の光量を安定化していた。
（発明が解決しようとする課題）
従来は半導体レーザ発振器の光量制御を一定の周期で行
なっているため、光量制御を開始してから光量目標値に
達するまでの時間が短時間を要求される場合においては
、光量制御の周期もそれに合わせて短くする必要があり
、また光量目標値に達した後の光量制御の周期もそれに
合わせて行なう必要がある。上記光量制御を画像形成装
置の画像形成制御用のマイコンで並行して行なった場合
、常に一定の周期で光量制御を行ないながら画像形成制
御を行なう必要があるため、汎用のマイコンでは処理時
間が遅すぎ、高速のマイコンが必要となり、高価となっ
てしまう。
なっているため、光量制御を開始してから光量目標値に
達するまでの時間が短時間を要求される場合においては
、光量制御の周期もそれに合わせて短くする必要があり
、また光量目標値に達した後の光量制御の周期もそれに
合わせて行なう必要がある。上記光量制御を画像形成装
置の画像形成制御用のマイコンで並行して行なった場合
、常に一定の周期で光量制御を行ないながら画像形成制
御を行なう必要があるため、汎用のマイコンでは処理時
間が遅すぎ、高速のマイコンが必要となり、高価となっ
てしまう。
そこで、本発明は、高速のマイコンなどを使用すること
なく、光量制御を開始してから光量目標値に達するまで
の時間が短時間で制御できるレーザ発振器の光量制御装
置を提供することを目的とする。
なく、光量制御を開始してから光量目標値に達するまで
の時間が短時間で制御できるレーザ発振器の光量制御装
置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明のレーザ発振器の光量制御装置は、レーザビーム
を発生させるレーザ発振器と、このレーザ発振器を電流
駆動する駆動手段と、前記レーザ発振器の光量を検出す
る光量検出手段と、この光量検出手段の光量検出信号と
あらかじめ設定される光量目標値とを比較する比較手段
と、この比較手段の比較結果に応じて前記レーザ発振器
の光量が目標値に達するまでは第１の周期で前記駆動手
段の駆動電流を設定し、目標値に達した後は前記第１の
周期よりも長い第２の周期で前記駆動手段の駆動電流を
設定することにより、前記レーザ発振器の光量を制御す
る光量制御手段とを具備している。
を発生させるレーザ発振器と、このレーザ発振器を電流
駆動する駆動手段と、前記レーザ発振器の光量を検出す
る光量検出手段と、この光量検出手段の光量検出信号と
あらかじめ設定される光量目標値とを比較する比較手段
と、この比較手段の比較結果に応じて前記レーザ発振器
の光量が目標値に達するまでは第１の周期で前記駆動手
段の駆動電流を設定し、目標値に達した後は前記第１の
周期よりも長い第２の周期で前記駆動手段の駆動電流を
設定することにより、前記レーザ発振器の光量を制御す
る光量制御手段とを具備している。
また、本発明のレーザ発振器の光量制御装置は、レーザ
ビームを発生させるレーザ発振器と、このレーザ光振器
を電流駆動する駆動手段と、前記レーザ発振器の光量を
検出する光量検出手段と、この光量検出手段の光量検出
信号とあらかじめ設定される光量目標値とを比較する比
較手段と、前記走査されたレーザビームの位置を検出す
るビーム検出手段と、このビーム検出手段のビーム検出
信号に基づいて前記比較手段の比較結果を保持する保持
手段と、前記レーザ発振器の光量が目標値に達するまで
は所定の周期で前記駆動手段の駆動電流を設定し、目標
値に達した後は前記保持手段で保持された比較結果に応
じて前記駆動手段の駆動電流を設定することにより、前
記レーザ発振器の光量を制御する光量制御手段とを具備
している。
ビームを発生させるレーザ発振器と、このレーザ光振器
を電流駆動する駆動手段と、前記レーザ発振器の光量を
検出する光量検出手段と、この光量検出手段の光量検出
信号とあらかじめ設定される光量目標値とを比較する比
較手段と、前記走査されたレーザビームの位置を検出す
るビーム検出手段と、このビーム検出手段のビーム検出
信号に基づいて前記比較手段の比較結果を保持する保持
手段と、前記レーザ発振器の光量が目標値に達するまで
は所定の周期で前記駆動手段の駆動電流を設定し、目標
値に達した後は前記保持手段で保持された比較結果に応
じて前記駆動手段の駆動電流を設定することにより、前
記レーザ発振器の光量を制御する光量制御手段とを具備
している。
（作用）
本発明のレーザ発振器の光量制御装置は、レーザ発振器
の光量が目標値に達するまでは、短時間周期で光量制御
を行ない、レーザ発振器の光量が目標値に達した後は、
長時間周期で光量制御を行なうものである。
の光量が目標値に達するまでは、短時間周期で光量制御
を行ない、レーザ発振器の光量が目標値に達した後は、
長時間周期で光量制御を行なうものである。
また、本発明のレーザ発振器の光量制御装置は、レーザ
発振器の光量が目標値に達するまでは、所定の周期で光
量制御を行ない、レーザ発振器の光量が目標値に達した
後は、ビーム検出信号に基づいて光量制御を行なうもの
である。
発振器の光量が目標値に達するまでは、所定の周期で光
量制御を行ない、レーザ発振器の光量が目標値に達した
後は、ビーム検出信号に基づいて光量制御を行なうもの
である。
（実施例）
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明に係る半導体レーザ発振器の光量制御
装置の概要を示すブロック図である。図において、ポリ
ゴンミラー９は、半導体レーザ発振器１１から出力され
るレーザビーム１２を画像形成装置における像担持体と
してのドラム状の感光体１０上に矢印方向に走査する。
装置の概要を示すブロック図である。図において、ポリ
ゴンミラー９は、半導体レーザ発振器１１から出力され
るレーザビーム１２を画像形成装置における像担持体と
してのドラム状の感光体１０上に矢印方向に走査する。
ポリゴンミラー９により走査されたレーザビーム１３は
、感光体１０の記録領域外（画像形成領域外）でビーム
検出手段１８によって検出される。
、感光体１０の記録領域外（画像形成領域外）でビーム
検出手段１８によって検出される。
駆動手段２２は、ビーム検出手段１８で検出したビーム
検出信号に基づいて出力される変調信号を入力し、半導
体レーザ発振器１１を電流駆動して感光体１０上の所定
位置に情報記録を行なう。
検出信号に基づいて出力される変調信号を入力し、半導
体レーザ発振器１１を電流駆動して感光体１０上の所定
位置に情報記録を行なう。
光量検出手段１５は、半導体レーザ発振器１１から出力
されるレーザビーム１４の光量を検出するものである。
されるレーザビーム１４の光量を検出するものである。
比較手段］７は、光量検出手段１５の検出信号とあらか
じめ設定される光量目標値１６とを比較する。
じめ設定される光量目標値１６とを比較する。
ラッチ信号発生手段１９は、ビーム検出手段１８からの
ビーム検出信号に基づいて記録領域外でラッチ信号２３
を発生する。保持手段としてのラッチ回路２０は、比較
手段１７の比較結果をラッチ信号２３のタイミングでラ
ッチする。
ビーム検出信号に基づいて記録領域外でラッチ信号２３
を発生する。保持手段としてのラッチ回路２０は、比較
手段１７の比較結果をラッチ信号２３のタイミングでラ
ッチする。
光量制御手段２１は、たとえばマイコンを主体に構成さ
れており、比較手段１７の比較結果に応じて第１の周期
で駆動手段２２の駆動電流を設定し、比較手段１７の比
較結果が光量目標値に達したとき、ラッチ回路２０でラ
ッチされた比較結果に応じて第１の周期よりも長い第２
の周期で駆動手段２２の駆動電流を設定することにより
、半導体レーザ発振器１１から出力されるレーザビーム
の光量を均一に制御する。
れており、比較手段１７の比較結果に応じて第１の周期
で駆動手段２２の駆動電流を設定し、比較手段１７の比
較結果が光量目標値に達したとき、ラッチ回路２０でラ
ッチされた比較結果に応じて第１の周期よりも長い第２
の周期で駆動手段２２の駆動電流を設定することにより
、半導体レーザ発振器１１から出力されるレーザビーム
の光量を均一に制御する。
第２図は、本発明に係る半導体レーザ発振器の光量制御
装置の一部を詳細に示すブロック図である。図において
、３０は半導体レーザ発振器で、その構成は、レーザビ
ームを出力するレーザダイオード３１と、レーザダイオ
ード３１から出力されるレーザビームの強度を検出する
モニタ用のフォトダイオード３２からなっている。レー
ザダイオード３１は、トランジスタ３３と抵抗３４で構
成される定電流回路により定電流駆動される。
装置の一部を詳細に示すブロック図である。図において
、３０は半導体レーザ発振器で、その構成は、レーザビ
ームを出力するレーザダイオード３１と、レーザダイオ
ード３１から出力されるレーザビームの強度を検出する
モニタ用のフォトダイオード３２からなっている。レー
ザダイオード３１は、トランジスタ３３と抵抗３４で構
成される定電流回路により定電流駆動される。
トランジスタ３３のベースには、Ｄ／Ａ変換回路３５の
出力とトランジスタ３６のコレクタが接続されている。
出力とトランジスタ３６のコレクタが接続されている。
半導体レーザ発振器３ｏに流れる駆動電流は、Ｄ／Ａ変
換回路３５の出力電圧に比例する。
換回路３５の出力電圧に比例する。
トランジスタ３６は、レーザ変調制御回路３７から出力
されるレーザ変調信号に応じてオン−オフを繰り返すこ
とにより、レーザダイオード３１が変調される。この場
合、レーザ変調信号がハイレベルでレーザダイオード３
１が消灯し、ロウレベルで発光する。Ｄ／Ａ変換回路３
５は、入出力レジスタ３８から出力されるレーザ駆動電
流出力のディジタル値をアナログ電圧に変換するもので
ある。
されるレーザ変調信号に応じてオン−オフを繰り返すこ
とにより、レーザダイオード３１が変調される。この場
合、レーザ変調信号がハイレベルでレーザダイオード３
１が消灯し、ロウレベルで発光する。Ｄ／Ａ変換回路３
５は、入出力レジスタ３８から出力されるレーザ駆動電
流出力のディジタル値をアナログ電圧に変換するもので
ある。
一方、モニタ用フォトダイオード３２には、レーザダイ
オード３１のビーム強度に比例した電流が流れる。抵抗
３つは、フォトダイオード３２に流れる電流を電圧に変
換する。変換された電圧は、オペアンプ４０、抵抗４１
、可変抵抗器４２から構成される非反転増幅器により非
反転増幅される。
オード３１のビーム強度に比例した電流が流れる。抵抗
３つは、フォトダイオード３２に流れる電流を電圧に変
換する。変換された電圧は、オペアンプ４０、抵抗４１
、可変抵抗器４２から構成される非反転増幅器により非
反転増幅される。
ここで、可変抵抗器４２は増幅率を調整するもので、目
的はレーザダイオード３１のビーム強度に対するモニタ
用フォトダイオード３２に流れる電流特性が半導体レー
ザ発振器３ｏのばらつきにより異なるのを補正するもの
である。
的はレーザダイオード３１のビーム強度に対するモニタ
用フォトダイオード３２に流れる電流特性が半導体レー
ザ発振器３ｏのばらつきにより異なるのを補正するもの
である。
オペアンプ４０の出力は、比較器４３の一側入力端子に
人力されており、＋側端子に人力される基準電圧Ｖｒｅ
ｆ２と比較される。この基準電圧Ｖｒｅｆ２は、レーザ
ダイオード３１の目標光量を設定するもので、オペアン
プ４０の出力がＶｒｅｆ２未満のときは目標光量未達と
して比較器４３の出力はハイレベルとなり、オペアンプ
４０の出力がＶｒｅｆ２を越えたとき目標光量到達とし
て比較器４３の出力がロウレベルとなる。
人力されており、＋側端子に人力される基準電圧Ｖｒｅ
ｆ２と比較される。この基準電圧Ｖｒｅｆ２は、レーザ
ダイオード３１の目標光量を設定するもので、オペアン
プ４０の出力がＶｒｅｆ２未満のときは目標光量未達と
して比較器４３の出力はハイレベルとなり、オペアンプ
４０の出力がＶｒｅｆ２を越えたとき目標光量到達とし
て比較器４３の出力がロウレベルとなる。
比較器４３の比較結果は、ラッチ回路４４に入力される
。ラッチ回路４４は、セレクタ４５から出力される入力
ラッチパルスに同期したタイミングで比較器４３の出力
をラッチするもので、ランチ回路４４の出力は人出力レ
ジスタ３８に人力され、図示しないプリンタ全体の制御
を司るＣＰＵで処理される。
。ラッチ回路４４は、セレクタ４５から出力される入力
ラッチパルスに同期したタイミングで比較器４３の出力
をラッチするもので、ランチ回路４４の出力は人出力レ
ジスタ３８に人力され、図示しないプリンタ全体の制御
を司るＣＰＵで処理される。
セレクタ４５は、入出力レジスタ３８から出力される入
力ラッチパルスＡとレーザ変調制御回路３７から出力さ
れる人力ラッチパルスＢを、人出力レジスタ３８から出
力されるラッチパルス切換え信号によりセレクトするセ
レクタで、ラッチパルス切換え信号がロウレベルで入力
ラッチパルスＡを、ハイレベルで人力ラッチパルスＢを
セレクトする。
力ラッチパルスＡとレーザ変調制御回路３７から出力さ
れる人力ラッチパルスＢを、人出力レジスタ３８から出
力されるラッチパルス切換え信号によりセレクトするセ
レクタで、ラッチパルス切換え信号がロウレベルで入力
ラッチパルスＡを、ハイレベルで人力ラッチパルスＢを
セレクトする。
４６は走査されたレーザビーム１３の位置を検出するビ
ーム検出器で、たとえばビンダイオードを使用している
。走査されたレーザビーム１３が入射すると、ビンダイ
オード４６には入射したレーザビームの強度に比例した
電流が流れる。抵抗４７は、ビンダイオード４６に流れ
る電流を電圧に変換する。変換された電圧は比較器４８
の一側端子に入力されており、＋側端子に人力される基
準電圧Ｖｒｅ ｆ １と比較されて、負のパルスのビー
ム検出信号としてレーザ変調制御回路３７に人力される
。
ーム検出器で、たとえばビンダイオードを使用している
。走査されたレーザビーム１３が入射すると、ビンダイ
オード４６には入射したレーザビームの強度に比例した
電流が流れる。抵抗４７は、ビンダイオード４６に流れ
る電流を電圧に変換する。変換された電圧は比較器４８
の一側端子に入力されており、＋側端子に人力される基
準電圧Ｖｒｅ ｆ １と比較されて、負のパルスのビー
ム検出信号としてレーザ変調制御回路３７に人力される
。
前記ビーム検出信号が連続的にパルス出力したのを受け
て、レーザ変調制御回路３７は人出力レジスタ３８に対
してビーム検出レディとしてビーム検出レディ信号をロ
ウレベルからハイレベルにする（第３図ｅ、ｇ参照）。
て、レーザ変調制御回路３７は人出力レジスタ３８に対
してビーム検出レディとしてビーム検出レディ信号をロ
ウレベルからハイレベルにする（第３図ｅ、ｇ参照）。
入出力レジスタ３８から出力されるラッチパルス切換え
信号は、ビーム検出レディ信号がロウレベルの時にロウ
レベルを、ハイレベルの時にハイレベルを出力する（第
３図り参照）。
信号は、ビーム検出レディ信号がロウレベルの時にロウ
レベルを、ハイレベルの時にハイレベルを出力する（第
３図り参照）。
また、ビーム検出信号が出力されると、レーザ変調制御
回路３７からビーム検出信号に基づいて記録領域外で人
力ラッチパルスＢが出力される（第３図１参照）。また
、この人力ラッチパルスＢはＣＰＵの割込み入力に割込
み信号として入力される。
回路３７からビーム検出信号に基づいて記録領域外で人
力ラッチパルスＢが出力される（第３図１参照）。また
、この人力ラッチパルスＢはＣＰＵの割込み入力に割込
み信号として入力される。
なお、第２図において、４９．５０はＣＰＵの内部バス
で、それぞれ図示しないＣＰＵに接続されている。また
、５１はインクフェイス信号で、図示しないプリンタ制
御回路に接続されている。
で、それぞれ図示しないＣＰＵに接続されている。また
、５１はインクフェイス信号で、図示しないプリンタ制
御回路に接続されている。
次に、第３図に示すタイミングチャートおよび第４図に
示すフローチャートを参照して動作を説明する。まず、
電源がオンされると、定着ヒータの加熱を開始しくＳｌ
）、入出力レジスタ３８から出力されるレーザ駆動電流
を初期化する（Ｓ２）。次に、セレクタ４５を人出力レ
ジスタ３８から出力されるラッチパルス切換え信号によ
り人力ラッチパルスＡをセレクトする（Ｓ３）。
示すフローチャートを参照して動作を説明する。まず、
電源がオンされると、定着ヒータの加熱を開始しくＳｌ
）、入出力レジスタ３８から出力されるレーザ駆動電流
を初期化する（Ｓ２）。次に、セレクタ４５を人出力レ
ジスタ３８から出力されるラッチパルス切換え信号によ
り人力ラッチパルスＡをセレクトする（Ｓ３）。
次に、レーザ変調制御回路３７から出力されるレーザ変
調信号を強制オンする（Ｓ４）。次に、レーザ駆動電流
をインクリメントして（Ｓ５）、人出力レジスタ３８か
ら出力すると、Ｄ／Ａ変換回路３５でＤ／Ａ変換されて
、レーザダイオード３１に電流が流れ始める。
調信号を強制オンする（Ｓ４）。次に、レーザ駆動電流
をインクリメントして（Ｓ５）、人出力レジスタ３８か
ら出力すると、Ｄ／Ａ変換回路３５でＤ／Ａ変換されて
、レーザダイオード３１に電流が流れ始める。
所定時間デイレイ（Ｓ６）後、入出力レジスタ３８から
入力ラッチパルスＡを出力すると（Ｓ７）、比較器４３
の比較結果がラッチ回路４４にラッチされる。次に、ラ
ッチ回路４４にラッチされた比較結果が目標光量に到達
したか否かを判別する（Ｓ８）。ここで、目標光量とは
、オペアンプ４０の出力電圧が比較器４３の基準電圧Ｖ
ｒｅｆ２に到達した時であり、このとき比較器４３の出
力は１″から”０′に変化する。
入力ラッチパルスＡを出力すると（Ｓ７）、比較器４３
の比較結果がラッチ回路４４にラッチされる。次に、ラ
ッチ回路４４にラッチされた比較結果が目標光量に到達
したか否かを判別する（Ｓ８）。ここで、目標光量とは
、オペアンプ４０の出力電圧が比較器４３の基準電圧Ｖ
ｒｅｆ２に到達した時であり、このとき比較器４３の出
力は１″から”０′に変化する。
ステップＳ８で目標光量に未達のときはステップＳ５に
戻り、目標光量に到達するまで繰り返す。ステップＳ８
で目標光量に到達したときは、レーザ駆動電流値を図示
しないＲＡＭで記憶しておき（Ｓ９）、レーザ変調信号
を強制オフする（Ｓ １０）。
戻り、目標光量に到達するまで繰り返す。ステップＳ８
で目標光量に到達したときは、レーザ駆動電流値を図示
しないＲＡＭで記憶しておき（Ｓ９）、レーザ変調信号
を強制オフする（Ｓ １０）。
ステップＳｌｌで定着ヒータレディになるまでループし
て、定着ヒータレディになると、プリント指令を待つ（
Ｓ １２）。プリント指令が来ると、ミラーモータをオ
ンしく５１３） 、ステップＳ９でＲＡＭに記憶したレ
ーザ駆動電流値を読出し（Ｓ１４）、読出したレーザ駆
動電流値の１ ／ ｎを人出力レジスタ３８から出力す
る（Ｓ １５）。
て、定着ヒータレディになると、プリント指令を待つ（
Ｓ １２）。プリント指令が来ると、ミラーモータをオ
ンしく５１３） 、ステップＳ９でＲＡＭに記憶したレ
ーザ駆動電流値を読出し（Ｓ１４）、読出したレーザ駆
動電流値の１ ／ ｎを人出力レジスタ３８から出力す
る（Ｓ １５）。
次に、レーザ変調信号を強制オンしくＳ １６）、レー
ザ駆動電流をインクリメントする（Ｓ １７）。
ザ駆動電流をインクリメントする（Ｓ １７）。
所定時間デイレイ（８１８）後、ラッチ回路４４にラッ
チされた比較結果が目標光量に到達したか否かを判別す
る（Ｓ １９）。目標光量に未達のときはステップＳ１
７に戻り、目標光量に到達するまで繰り返す。ステップ
Ｓ１９で目標光量に到達したときは、レーザ変調信号を
強制オフする（Ｓ ２０）。レーザ変調制御回路３７は
、この時点でレーザ変調信号をビーム検出信号に基づい
て記録領域外でサンプリング発光し、同様にビーム検出
信号に基づいて記録領域外で入力ラッチパルスＢを出力
する（第３図ｆ、１参照）。
チされた比較結果が目標光量に到達したか否かを判別す
る（Ｓ １９）。目標光量に未達のときはステップＳ１
７に戻り、目標光量に到達するまで繰り返す。ステップ
Ｓ１９で目標光量に到達したときは、レーザ変調信号を
強制オフする（Ｓ ２０）。レーザ変調制御回路３７は
、この時点でレーザ変調信号をビーム検出信号に基づい
て記録領域外でサンプリング発光し、同様にビーム検出
信号に基づいて記録領域外で入力ラッチパルスＢを出力
する（第３図ｆ、１参照）。
次に、ステップＳ２１において、セレクタ４５を人出力
レジスタ３８から出力されるラッチパルス切換え信号に
より入力ラッチパルスＢをセレクトする（第３図り参照
）。次に、ＣＰＵの割込みを解除して（Ｓ２２）、割込
信号の人力ラッチパルスＢが発生するまでループを繰返
す（３２３）。
レジスタ３８から出力されるラッチパルス切換え信号に
より入力ラッチパルスＢをセレクトする（第３図り参照
）。次に、ＣＰＵの割込みを解除して（Ｓ２２）、割込
信号の人力ラッチパルスＢが発生するまでループを繰返
す（３２３）。
ここで、割込み信号が発生すると、人力ラッチパルスＢ
により比較器４３の比較結果がラッチ回路４４にラッチ
される。
により比較器４３の比較結果がラッチ回路４４にラッチ
される。
次に、ラッチ回路４４でラッチされた比較結果が目標光
量に到達したかを判別する（Ｓ２４）。
量に到達したかを判別する（Ｓ２４）。
目標光量に未達の時は、レーザ駆動電流をインクリメン
トして（Ｓ２５） 、Ｄ／Ａ変換回路３５へ出力する。
トして（Ｓ２５） 、Ｄ／Ａ変換回路３５へ出力する。
その後、ステップＳ２３に戻り、目標光量に到達するま
で繰返す。目標光量に到達した時は、レーザ駆動電流を
ディクリメントして（Ｓ２６）、ステップ３２３に戻る
。
で繰返す。目標光量に到達した時は、レーザ駆動電流を
ディクリメントして（Ｓ２６）、ステップ３２３に戻る
。
目標光量に到達してからは、割込信号が発生するごとに
半導体レーザ発振器３０の光量制御を継続して行なう。
半導体レーザ発振器３０の光量制御を継続して行なう。
［発明の効果コ
以上詳述したように本発明のレーザ発振器の光量制御装
置によれば、レーザ発振器の光量が目標値に達するまで
は、短時間周期で光量制御を行ない、レーザ発振器の光
量が目標値に達した後は、長時間周期で光量制御を行な
うものである。これにより、高速のマイコンなどを使用
することなく、光量制御を開始してから光量目標値に達
するまでの時間が短時間で制御できる。
置によれば、レーザ発振器の光量が目標値に達するまで
は、短時間周期で光量制御を行ない、レーザ発振器の光
量が目標値に達した後は、長時間周期で光量制御を行な
うものである。これにより、高速のマイコンなどを使用
することなく、光量制御を開始してから光量目標値に達
するまでの時間が短時間で制御できる。
また、本発明のレーザ発振器の光量制御装置によれば、
レーザ発振器の光量が目標値に達するまでは、所定の周
期で光量制御を行ない、レーザ発振器の光量が目標値に
達した後は、ビーム検出信号に基づいて光量制御を行な
うものである。これにより、高速のマイコンなどを使用
することなく、光量制御を開始してから光量目標値に達
するまでの時間が短目間で制御できる。また、レーザ発
振器を破壊もしくは劣化させることなく、画像形成領域
外で確実にレーザ発振器の光量制御が行なえる。
レーザ発振器の光量が目標値に達するまでは、所定の周
期で光量制御を行ない、レーザ発振器の光量が目標値に
達した後は、ビーム検出信号に基づいて光量制御を行な
うものである。これにより、高速のマイコンなどを使用
することなく、光量制御を開始してから光量目標値に達
するまでの時間が短目間で制御できる。また、レーザ発
振器を破壊もしくは劣化させることなく、画像形成領域
外で確実にレーザ発振器の光量制御が行なえる。
図は本発明の一実施例を説明するためのもので、第１図
はレーザ発振器の光量制御装置の概要を示すブロック図
、第２図はレーザ発振器の光量制御装置の一部を詳細に
示すブロック図、第３図は動作を説明するタイミングチ
ャート、第４図は動作を説明するフローチャートである
。 ９・・・・・・ポリゴンミラー １０・・・・・・感光
体（像担持体）、１１・・・・・・レーザ発振器、１２
・・・・・・レーザビーム、１５・・・・・・光量検出
手段、１６・・・・・・基準信号発生手段、１７・・・
・・・比較手段、１８・・・・・・ビーム検出手段、１
つ・・・・・・ラッチ信号発生手段、２０・・・・・・
ラッチ回路（保持手段）、２１・・・・・・光量制御手
段、２２・・・・・・駆動手段。
はレーザ発振器の光量制御装置の概要を示すブロック図
、第２図はレーザ発振器の光量制御装置の一部を詳細に
示すブロック図、第３図は動作を説明するタイミングチ
ャート、第４図は動作を説明するフローチャートである
。 ９・・・・・・ポリゴンミラー １０・・・・・・感光
体（像担持体）、１１・・・・・・レーザ発振器、１２
・・・・・・レーザビーム、１５・・・・・・光量検出
手段、１６・・・・・・基準信号発生手段、１７・・・
・・・比較手段、１８・・・・・・ビーム検出手段、１
つ・・・・・・ラッチ信号発生手段、２０・・・・・・
ラッチ回路（保持手段）、２１・・・・・・光量制御手
段、２２・・・・・・駆動手段。
Claims (2)
- （１）レーザビームを発生させるレーザ発振器と、 このレーザ発振器を電流駆動する駆動手段と、前記レー
ザ発振器の光量を検出する光量検出手段と、 この光量検出手段の光量検出信号とあらかじめ設定され
る光量目標値とを比較する比較手段と、この比較手段の
比較結果に応じて前記レーザ発振器の光量が目標値に達
するまでは第１の周期で前記駆動手段の駆動電流を設定
し、目標値に達した後は前記第１の周期よりも長い第２
の周期で前記駆動手段の駆動電流を設定することにより
、前記レーザ発振器の光量を制御する光量制御手段とを
具備したことを特徴とするレーザ発振器の光量制御装置
。 - （２）レーザビームを発生させるレーザ発振器と、 このレーザ発振器を電流駆動する駆動手段と、前記レー
ザ発振器の光量を検出する光量検出手段と、 この光量検出手段の光量検出信号とあらかじめ設定され
る光量目標値とを比較する比較手段と、前記走査された
レーザビームの位置を検出するビーム検出手段と、 このビーム検出手段のビーム検出信号に基づいて前記比
較手段の比較結果を保持する保持手段と、前記レーザ発
振器の光量が目標値に達するまでは所定の周期で前記駆
動手段の駆動電流を設定し、目標値に達した後は前記保
持手段で保持された比較結果に応じて前記駆動手段の駆
動電流を設定することにより、前記レーザ発振器の光量
を制御する光量制御手段と を具備したことを特徴とするレーザ発振器の光量制御装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1338418A JPH03201492A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | レーザ発振器の光量制御装置 |
| US07/634,436 US5159184A (en) | 1989-12-28 | 1990-12-27 | Apparatus for controlling the intensity of a laser beam emitted from a semiconductor laser unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1338418A JPH03201492A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | レーザ発振器の光量制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201492A true JPH03201492A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18317971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1338418A Pending JPH03201492A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | レーザ発振器の光量制御装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5159184A (ja) |
| JP (1) | JPH03201492A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308450A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Fujitsu Ltd | 光出力制御回路 |
| JP2003060289A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動回路及び画像形成装置 |
| US8368075B2 (en) | 2007-08-17 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD apparatus |
| US8778745B2 (en) | 2010-06-29 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8859404B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
| US9048327B2 (en) | 2011-01-25 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microcrystalline semiconductor film, method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device |
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| JPH0933832A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Asahi Optical Co Ltd | 光走査装置および光走査装置におけるレーザビーム変調方法 |
| US7053920B1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-05-30 | Nuelight Corporation | Feedback control apparatus and method for an emissive printhead |
| JP5064833B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2012-10-31 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
| US8101444B2 (en) * | 2007-08-17 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8247315B2 (en) * | 2008-03-17 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| JP5669424B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2015-02-12 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザの駆動方法及び電子写真装置 |
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| JPS5337029A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-05 | Canon Inc | Beam recorder |
| US4443695A (en) * | 1980-01-25 | 1984-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for controlling the quantity of light |
| JPS59146069A (ja) * | 1983-02-08 | 1984-08-21 | Canon Inc | 光源安定化装置 |
| US4853710A (en) * | 1985-11-29 | 1989-08-01 | Ricoh Co., Ltd. | Imaging by laser beam scanning |
| JPH0799584B2 (ja) * | 1985-12-24 | 1995-10-25 | 株式会社日立製作所 | 光学式情報記録再生装置 |
| JPS63296559A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Ricoh Co Ltd | レ−ザ−プリンタ−同期装置 |
| JPS6446724A (en) * | 1987-08-17 | 1989-02-21 | Canon Kk | Image recorder |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1338418A patent/JPH03201492A/ja active Pending
-
1990
- 1990-12-27 US US07/634,436 patent/US5159184A/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2001308450A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Fujitsu Ltd | 光出力制御回路 |
| JP4701473B2 (ja) * | 2000-04-24 | 2011-06-15 | 富士通株式会社 | 光出力制御回路 |
| JP2003060289A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動回路及び画像形成装置 |
| JP4698086B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2011-06-08 | 株式会社リコー | 半導体レーザ駆動回路及び画像形成装置 |
| US8368075B2 (en) | 2007-08-17 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD apparatus |
| US8778745B2 (en) | 2010-06-29 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8859404B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
| US9048327B2 (en) | 2011-01-25 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microcrystalline semiconductor film, method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5159184A (en) | 1992-10-27 |
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