JPH03200924A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
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- JPH03200924A JPH03200924A JP34407589A JP34407589A JPH03200924A JP H03200924 A JPH03200924 A JP H03200924A JP 34407589 A JP34407589 A JP 34407589A JP 34407589 A JP34407589 A JP 34407589A JP H03200924 A JPH03200924 A JP H03200924A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光変調器に関し、
高速駆動の外部光変調において、動作電圧が低く、かつ
、変調周波数帯域中が広い簡易な構成の光変調器を実現
することを目的とし、 平面に加工した電気光学効果を有する基板上に、第1お
よび第2の分岐光導波路を有する光導波路を設け、前記
第1の分岐光導波路と第2の分岐光導波路を伝播する光
の間に位相差を生じさせるように信号電極および接地電
極を対向対称配置してなるマツハツエンダ型光変調器に
おいて、前記接地電極の外側に補助接地電極を分離して
形成し、前記接地電極と補助接地電極との間を、複数の
接地電極ブリッジで電気的に接続して光変調器を構成す
る。さらに、前記接地電極と補助接地電極との間の基板
に細長い溝を形成した光変調器を構成する。
、変調周波数帯域中が広い簡易な構成の光変調器を実現
することを目的とし、 平面に加工した電気光学効果を有する基板上に、第1お
よび第2の分岐光導波路を有する光導波路を設け、前記
第1の分岐光導波路と第2の分岐光導波路を伝播する光
の間に位相差を生じさせるように信号電極および接地電
極を対向対称配置してなるマツハツエンダ型光変調器に
おいて、前記接地電極の外側に補助接地電極を分離して
形成し、前記接地電極と補助接地電極との間を、複数の
接地電極ブリッジで電気的に接続して光変調器を構成す
る。さらに、前記接地電極と補助接地電極との間の基板
に細長い溝を形成した光変調器を構成する。
本発明は、高速・高安定・低動作電圧で光変調を行い、
かつ、簡易な構成の光変調器、とくに、その電極構成に
関する。
かつ、簡易な構成の光変調器、とくに、その電極構成に
関する。
最近の光通信システムの光送信系において、たとえば、
1.6GHz程度までの光通信システムにおいては、レ
ーザダイオード(LD)を直接変調する方式を用いてき
たが、変調周波数がより高くなると変調光波長の時間的
微小変動、いわゆる、チャーピング現象が起こり高速化
と長距離通信への限界となる。
1.6GHz程度までの光通信システムにおいては、レ
ーザダイオード(LD)を直接変調する方式を用いてき
たが、変調周波数がより高くなると変調光波長の時間的
微小変動、いわゆる、チャーピング現象が起こり高速化
と長距離通信への限界となる。
一方、今後ますます大容量・長距離通信の要求が強まっ
てくるので、より高速、かつ、高安定で動作電圧が低い
光変調器の開発が求められている。
てくるので、より高速、かつ、高安定で動作電圧が低い
光変調器の開発が求められている。
高速光変調方式としては、半導体レーザ光を外部で変調
する外部変調方式、とくに、電気光学結晶基板上に分岐
光導波路を設け、進行波電極で駆動するマッハツーエン
ダ型光変調器が知られている。
する外部変調方式、とくに、電気光学結晶基板上に分岐
光導波路を設け、進行波電極で駆動するマッハツーエン
ダ型光変調器が知られている。
第4図は従来の光変調器の例を示す図(非対称電極配置
型)で、同図(イ)は平面図、同図(ロ)はY−Y’断
面図である。
型)で、同図(イ)は平面図、同図(ロ)はY−Y’断
面図である。
図中、lは平面に加工した電気光学効果を有する基板、
たとえば、LtNbOs基板である。2は光導波路で中
間に分岐光導波路2a、 2bが形成されている。この
光導波路は通常基板の表面にTiなとの金属を、光導波
路部分だけに選択的に拡散させ、その部分の屈折率を回
りの部分よりも少し大きくなるようにしである。3は信
号電極で、たとえば、進行波信号電極、4′は接地電極
である。5は光導波路上の金属電極層への光の吸収を小
さくするためのバッファ層で、通常、SiO□などの薄
膜が用いられている。信号電極3と接地電極4′はノ<
・ソファ層5を介して先導波路上に、Auなどの金属を
蒸着あるいはメツキによって形成している。
たとえば、LtNbOs基板である。2は光導波路で中
間に分岐光導波路2a、 2bが形成されている。この
光導波路は通常基板の表面にTiなとの金属を、光導波
路部分だけに選択的に拡散させ、その部分の屈折率を回
りの部分よりも少し大きくなるようにしである。3は信
号電極で、たとえば、進行波信号電極、4′は接地電極
である。5は光導波路上の金属電極層への光の吸収を小
さくするためのバッファ層で、通常、SiO□などの薄
膜が用いられている。信号電極3と接地電極4′はノ<
・ソファ層5を介して先導波路上に、Auなどの金属を
蒸着あるいはメツキによって形成している。
いま、たとえば、こ\には図示してない半導体レーザか
ら発した直流光が左側の光導波路2から入り、分岐光導
波路2a、 2bで2つに分けられ、その間に、信号電
極3に高周波変調信号源7から信号電圧を印加すると、
基板上に設けられた前記分岐光導波路2a、 2bにお
ける電気光学効果によって分岐された両光に位相差が生
じる。この両光を再び合流させて、右側の一本の光導波
路2から変調された光信号出力を取り出し、こ\に図示
してない光検知器で電気信号に変換するように構成され
ている。前記分岐光導波路2a、 2bにおける両光の
位相差が0.あるいは、πになるように駆動電圧を印加
すれば、たとえば、光信号出力は0N−OFFのパルス
信号として得られる。なお、RTは終端抵抗である。
ら発した直流光が左側の光導波路2から入り、分岐光導
波路2a、 2bで2つに分けられ、その間に、信号電
極3に高周波変調信号源7から信号電圧を印加すると、
基板上に設けられた前記分岐光導波路2a、 2bにお
ける電気光学効果によって分岐された両光に位相差が生
じる。この両光を再び合流させて、右側の一本の光導波
路2から変調された光信号出力を取り出し、こ\に図示
してない光検知器で電気信号に変換するように構成され
ている。前記分岐光導波路2a、 2bにおける両光の
位相差が0.あるいは、πになるように駆動電圧を印加
すれば、たとえば、光信号出力は0N−OFFのパルス
信号として得られる。なお、RTは終端抵抗である。
この例では、図からもわかるように信号電極3に比較し
て、接地電極4′を大きく形成してありその抵抗値が低
いので、誘導などによる両電極間の相互作用が小さく、
比較的周波数帯域が広く取れるという特徴がある。
て、接地電極4′を大きく形成してありその抵抗値が低
いので、誘導などによる両電極間の相互作用が小さく、
比較的周波数帯域が広く取れるという特徴がある。
第5図は従来の光変調器の例を示す図(対称電極配置型
)で、同図(イ)は平面図、同図(ロ)はY−Y’断面
図である。図中、4”は接地電極である。
)で、同図(イ)は平面図、同図(ロ)はY−Y’断面
図である。図中、4”は接地電極である。
なお、前記従来例の図面で説明したものと同等の部分に
ついては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説
明は省略する。
ついては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説
明は省略する。
この例の構成の場合は、信号電極3と接地電極4”とは
同一の巾で形成されているので、2つの分岐光導波路2
a、 2bにか\る実効的な変調電界は等しく、プッシ
ュプル動作による低電圧駆動が可能である。また、両分
岐光導波路間に温度差に基づく歪みが生じることがない
ので、変調器動作点が変動する恐れもないという特徴が
ある。
同一の巾で形成されているので、2つの分岐光導波路2
a、 2bにか\る実効的な変調電界は等しく、プッシ
ュプル動作による低電圧駆動が可能である。また、両分
岐光導波路間に温度差に基づく歪みが生じることがない
ので、変調器動作点が変動する恐れもないという特徴が
ある。
しかし、上記の非対称電極配置型の従来例の場合、接地
電極4°は高周波電気信号の伝達をよくするため、信号
電極3よりも大きくしてあり、したがって、分岐光導波
路2a、 2bに印加される電界分布は等しくなく、そ
のために、それぞれでの光に作用する実効的な電界の大
きさE、およびE、は非対称で、通常E、はE、の3〜
6倍程度になる。
電極4°は高周波電気信号の伝達をよくするため、信号
電極3よりも大きくしてあり、したがって、分岐光導波
路2a、 2bに印加される電界分布は等しくなく、そ
のために、それぞれでの光に作用する実効的な電界の大
きさE、およびE、は非対称で、通常E、はE、の3〜
6倍程度になる。
変調効率は(E、 + Eb )に比例するので、上記
の如く、E、がE、に比較して非常に小さいことは変調
効率が上がらず、結局、変調用の駆動電圧を大きくしな
ければならないことになる。
の如く、E、がE、に比較して非常に小さいことは変調
効率が上がらず、結局、変調用の駆動電圧を大きくしな
ければならないことになる。
さらに、信号電極3と接地電極4′にか\る電界の非対
称性のために、分岐光導波路2a、 2bに温度差が生
じ、それに基づく歪みによって光変調特性の動作点がシ
フトしてしまうという問題がある。
称性のために、分岐光導波路2a、 2bに温度差が生
じ、それに基づく歪みによって光変調特性の動作点がシ
フトしてしまうという問題がある。
一方、対称電極配置型の従来例の場合には、信号電極3
と同一の巾の接地電極4”が狭い間隔gを置いて近接・
対向して配置されているので、電気的誘導などに基づく
相互干渉が大きく、変調信号のS/Nが劣化し、変調帯
域中が広く取れないなどといった問題があり、その解決
が必要であった。
と同一の巾の接地電極4”が狭い間隔gを置いて近接・
対向して配置されているので、電気的誘導などに基づく
相互干渉が大きく、変調信号のS/Nが劣化し、変調帯
域中が広く取れないなどといった問題があり、その解決
が必要であった。
上記の課題は、平面に加工した電気光学効果を有する基
板l上に、第1および第2の分岐光導波路2a、 2b
を有する光導波路2を設け、前記第1の分岐光導波路2
aと第2の分岐光導波路2bを伝播する光の間に位相差
を生じさせるように信号電極3および接地電極4を対向
対称配置してなるマツハツエンダ型光変調器において、
前記接地電極4の外側に補助接地電極40を分離して形
成し、前記接地電極4と補助接地電極40との間を、複
数の接地電極ブリッジ41で電気的に接続して光変調器
を構成することによって解決することができる。さらに
、前記接地電極4と補助接地電極40との間の基板lに
細長い溝6を形成した前記光変調器により一層効果を高
めることができる。
板l上に、第1および第2の分岐光導波路2a、 2b
を有する光導波路2を設け、前記第1の分岐光導波路2
aと第2の分岐光導波路2bを伝播する光の間に位相差
を生じさせるように信号電極3および接地電極4を対向
対称配置してなるマツハツエンダ型光変調器において、
前記接地電極4の外側に補助接地電極40を分離して形
成し、前記接地電極4と補助接地電極40との間を、複
数の接地電極ブリッジ41で電気的に接続して光変調器
を構成することによって解決することができる。さらに
、前記接地電極4と補助接地電極40との間の基板lに
細長い溝6を形成した前記光変調器により一層効果を高
めることができる。
本発明の構成によれば、接地電極4は信号電極3と同じ
狭い巾に形成されているので、分岐光導波路2a、 2
bに印加される電界分布はほり等しく。
狭い巾に形成されているので、分岐光導波路2a、 2
bに印加される電界分布はほり等しく。
したがって、プッシュプル動作による駆動が可能で低電
圧駆動ができる。しかも、接地電極4の外側には離れた
位置に巾の広い補助接地電極40が形成され、接地電極
4と補助接地電極40との間を接地電極ブリッジ41で
電気的に接続しているので、アースが浮いて誘導を受け
るといった心配がなく。
圧駆動ができる。しかも、接地電極4の外側には離れた
位置に巾の広い補助接地電極40が形成され、接地電極
4と補助接地電極40との間を接地電極ブリッジ41で
電気的に接続しているので、アースが浮いて誘導を受け
るといった心配がなく。
したがって、変調周波数帯域が劣化することがない。さ
らに、接地電極3の直ぐ外側の補助接地電極40との間
の基板lに溝6を形成して、高誘電率の基板LiNbO
5を通して電気力線が補助接地電極40側に洩れるのを
防げばより一層効果を上げることができる。
らに、接地電極3の直ぐ外側の補助接地電極40との間
の基板lに溝6を形成して、高誘電率の基板LiNbO
5を通して電気力線が補助接地電極40側に洩れるのを
防げばより一層効果を上げることができる。
第1図は本発明の実施例を示す図で、同図(イ)は平面
図、同図(ロ)はY−Y’断面図である。
図、同図(ロ)はY−Y’断面図である。
基板lには大きさ30mmX2 mm、厚さ1mmのL
tNbO3のZ板の表面を鏡面研磨して使用した。
tNbO3のZ板の表面を鏡面研磨して使用した。
この基板の上にTiを約90nmの厚さに真空蒸着し、
分岐光導波路2aおよび2bを含む光導波路2に相当す
る部分にTiが残るように通常のホトエツチング法で処
理したのち、約800°CでTiをLiNbO5中に熱
拡散して全光導波路2を形成した。
分岐光導波路2aおよび2bを含む光導波路2に相当す
る部分にTiが残るように通常のホトエツチング法で処
理したのち、約800°CでTiをLiNbO5中に熱
拡散して全光導波路2を形成した。
分岐光導波路部分の長さは20m m 、光導波路の幅
は全て7μmになるように調整した。
は全て7μmになるように調整した。
次いで、バッファ層として5iOzを300nmの厚さ
にスパッタ法で形成した。
にスパッタ法で形成した。
信号電極3はAu/T iの2層膜を蒸着したのち、分
岐光導波路2aおよび2bの上に巾9μmの電極形状に
パターンエツチングし、さらに、その上に厚さ3μmの
Auをメツキにより付着形成した。
岐光導波路2aおよび2bの上に巾9μmの電極形状に
パターンエツチングし、さらに、その上に厚さ3μmの
Auをメツキにより付着形成した。
接地電極4は信号電極3と同様のプロセスで9μmの巾
で信号電極形成と同時形成する。補助接地電極40は接
地電極4の外側に0.4mm離して平行に配置し、接地
電極ブリッジ41は接地電極4と補助接地電極40の間
を、たとえば、4個所で巾IOμmの導体膜により電気
的に接続する。補助接地電極40と接地電極ブリッジ4
1の形成には、たとえば、接地電極4および信号電極3
と同様のプロセスで3μmの厚さのAuメツキ膜を9図
示したごとき形状に信号電極形成と同時形成する。
で信号電極形成と同時形成する。補助接地電極40は接
地電極4の外側に0.4mm離して平行に配置し、接地
電極ブリッジ41は接地電極4と補助接地電極40の間
を、たとえば、4個所で巾IOμmの導体膜により電気
的に接続する。補助接地電極40と接地電極ブリッジ4
1の形成には、たとえば、接地電極4および信号電極3
と同様のプロセスで3μmの厚さのAuメツキ膜を9図
示したごとき形状に信号電極形成と同時形成する。
以上の構成により、従来約5 GHzまでの周波数帯域
であったものが、駆動電圧6vと低電圧動作を維持した
ま\で、15GHz程度まで帯域中を広げることが可能
となった。
であったものが、駆動電圧6vと低電圧動作を維持した
ま\で、15GHz程度まで帯域中を広げることが可能
となった。
第2図は本発明の他の実施例を示す図で、同図(イ)は
平面図、同図(ロ)はY−Y’断面図である。
平面図、同図(ロ)はY−Y’断面図である。
図中、6は溝で、たとえば、巾0.2mm、深さ0.1
5mmで接地電極4の直ぐ外側の補助接地電極40との
間の基板lに形成されている。
5mmで接地電極4の直ぐ外側の補助接地電極40との
間の基板lに形成されている。
なお、前記の図面で説明したものと同等の部分について
は同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は省
略する。
は同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は省
略する。
本実施例では4本の接地電極ブリッジ41の中央部分の
2本をボンディングワイヤで溝6を跨いで接続しており
、前記第1図の実施例と同等以上の効果が得られる。
2本をボンディングワイヤで溝6を跨いで接続しており
、前記第1図の実施例と同等以上の効果が得られる。
第3図は本発明のさらに他の実施例を示す平面図である
。
。
本実施例は前記第2図で説明した場合よりも、溝6の長
さを大きくして接地電極4と補助接地電極40の隔離効
果をより高めるようにしている。したがって、接地電極
ブリッジ41は全てボンディングワイヤにより溝6を跨
いで接続されている。
さを大きくして接地電極4と補助接地電極40の隔離効
果をより高めるようにしている。したがって、接地電極
ブリッジ41は全てボンディングワイヤにより溝6を跨
いで接続されている。
溝6が形成されていることにより、基板lの巾方向に伝
播される弾性波に基づく相互干渉の影響が高周波側にず
れるので(信号電極3と接地電極4が形成されている基
板部分の巾が大きいほど、弾性波に基づくノイズの影響
が低周波側に生じてくることが知られている)、前記第
、1図の溝6を形成してない場合に比較して、周波数帯
域はさらに広がり約300H2まで使用可能な光変調器
が得られた。
播される弾性波に基づく相互干渉の影響が高周波側にず
れるので(信号電極3と接地電極4が形成されている基
板部分の巾が大きいほど、弾性波に基づくノイズの影響
が低周波側に生じてくることが知られている)、前記第
、1図の溝6を形成してない場合に比較して、周波数帯
域はさらに広がり約300H2まで使用可能な光変調器
が得られた。
溝6の形成には、ダイヤモンドカッターやダイシングマ
シンを使用するか、レーザ光により溝付けするか、ある
いは、化学的にエツチングして形成してもよい。
シンを使用するか、レーザ光により溝付けするか、ある
いは、化学的にエツチングして形成してもよい。
なお、溝6の長さ方向の形成範囲は、さらに広げて信号
電極3の電極引き出し部分を横切るようにしてもよく、
この場合には溝6はウエーノ\上で連続した溝として、
たとえば、グイシングツ−で−括形成すればよいので極
めて容易であり、また、電気的接続は信号電極の電極引
き出し部分を含めて、溝6を跨いで同様にボンディング
ワイヤで電気的に接続すればよい。
電極3の電極引き出し部分を横切るようにしてもよく、
この場合には溝6はウエーノ\上で連続した溝として、
たとえば、グイシングツ−で−括形成すればよいので極
めて容易であり、また、電気的接続は信号電極の電極引
き出し部分を含めて、溝6を跨いで同様にボンディング
ワイヤで電気的に接続すればよい。
以上述べた実施例は数例を示したもので、本発明の趣旨
に添うものである限り、使用する素材や構成9寸法、製
作プロセスなど適宜好ましいもの、あるいはその組み合
わせを用いることができることは言うまでもない。
に添うものである限り、使用する素材や構成9寸法、製
作プロセスなど適宜好ましいもの、あるいはその組み合
わせを用いることができることは言うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば接地電極4は信号
電極3と同じ狭い巾に形成されているので、分岐光導波
路2a、 2bに印加される電界分布はほり等しく低電
圧駆動ができる。しかも、接地電極4の外側には離れた
位置に巾の広い補助接地電極40が形成され、接地電極
4と補助接地電極40との間を接地電極ブリッジ41で
電気的に接続しているので、アースが浮いて誘導を受け
るといった心配がなく、シたがって、広い変調周波数帯
域が得られる。さらに、接地電極3の直ぐ外側の補助接
地電極40との間の基板lに溝6を形成すれば、高誘電
率の基板LtNb03を通して電気力線が補助接地電極
40側に洩れるのを防ぐとともに、弾性波に基づくノイ
ズの発生を抑えるので、より一層効果を上げることがで
き、高周波・長距離光通信用の光変調器の性能・品質の
向上に寄与するところが極めて大きい。
電極3と同じ狭い巾に形成されているので、分岐光導波
路2a、 2bに印加される電界分布はほり等しく低電
圧駆動ができる。しかも、接地電極4の外側には離れた
位置に巾の広い補助接地電極40が形成され、接地電極
4と補助接地電極40との間を接地電極ブリッジ41で
電気的に接続しているので、アースが浮いて誘導を受け
るといった心配がなく、シたがって、広い変調周波数帯
域が得られる。さらに、接地電極3の直ぐ外側の補助接
地電極40との間の基板lに溝6を形成すれば、高誘電
率の基板LtNb03を通して電気力線が補助接地電極
40側に洩れるのを防ぐとともに、弾性波に基づくノイ
ズの発生を抑えるので、より一層効果を上げることがで
き、高周波・長距離光通信用の光変調器の性能・品質の
向上に寄与するところが極めて大きい。
第1図は本発明の実施例を示す図、
第4図は従来の光変調器の例を示す図(非対称電極配置
型)、 第5図は従来の光変調器の例を示す図(対称電極配置型
)図である。 図において、 ■は基板、2は光導波路、 2aおよび2bは第1および第2の分岐光導波路、3は
信号電極、4は接地電極、5はバッファ層、40は補助
接地電極、 41は接地電極ブリッジである。 $侘B月の実、@g+1と示す図 第 1 図 (イ)平 面 図 C口)Y−Y断面図 $発明l7)(t!の実加伊区示す間 第 2 図
型)、 第5図は従来の光変調器の例を示す図(対称電極配置型
)図である。 図において、 ■は基板、2は光導波路、 2aおよび2bは第1および第2の分岐光導波路、3は
信号電極、4は接地電極、5はバッファ層、40は補助
接地電極、 41は接地電極ブリッジである。 $侘B月の実、@g+1と示す図 第 1 図 (イ)平 面 図 C口)Y−Y断面図 $発明l7)(t!の実加伊区示す間 第 2 図
Claims (2)
- (1)平面に加工した電気光学効果を有する基板(1)
上に、第1および第2の分岐光導波路(2a、2b)を
有する光導波路(2)を設け、前記第1の分岐光導波路
(2a)と第2の分岐光導波路(2b)を伝播する光の
間に位相差を生じさせるように信号電極(3)および接
地電極(4)を対向対称配置してなるマッハツェンダ型
光変調器において、 前記接地電極(4)の外側に補助接地電極(40)を分
離して形成し、前記接地電極(4)と補助接地電極(4
0)との間を、複数の接地電極ブリッジ(41)で電気
的に接続することを特徴とした光変調器。 - (2)前記接地電極(4)と補助接地電極(40)との
間の基板(1)に細長い溝(6)を形成することを特徴
とした請求項(1)記載の光変調器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1344075A JP2734708B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1344075A JP2734708B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 光変調器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03200924A true JPH03200924A (ja) | 1991-09-02 |
JP2734708B2 JP2734708B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=18366467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1344075A Expired - Fee Related JP2734708B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 光変調器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2734708B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0669546A2 (en) * | 1994-02-24 | 1995-08-30 | Nec Corporation | Waveguide-type optical device |
US8380017B2 (en) | 2009-06-25 | 2013-02-19 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical waveguide device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4713866B2 (ja) | 2004-09-14 | 2011-06-29 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光デバイス |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1344075A patent/JP2734708B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0669546A2 (en) * | 1994-02-24 | 1995-08-30 | Nec Corporation | Waveguide-type optical device |
JPH07234391A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Nec Corp | 光制御デバイス |
EP0669546A3 (en) * | 1994-02-24 | 1995-12-13 | Nec Corp | Optical device of the waveguide type. |
US5712933A (en) * | 1994-02-24 | 1998-01-27 | Nec Corporation | Waveguide-type optical device |
US8380017B2 (en) | 2009-06-25 | 2013-02-19 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical waveguide device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2734708B2 (ja) | 1998-04-02 |
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