JPH03197136A - コンデンサ用二軸延伸プラスチックフイルムおよびそれを用いたコンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電気絶縁用途に好適に用いられる二軸延伸プラ
スティックフィルムおよびそれを用いたコンデンサに関
する。

［従来の技術］ 二軸配向フィルムをコンデンサの誘導体として用いるこ
とは広く知られている。また、モータートランスなどの
層間絶縁などの電気絶縁にもプラスティックフィルムが
広く使われている。このような、フィルムをこれらの用
途に用いる時はフィルム中に不活性粒子を添加するなど
して、フィルム表面に微細な突起（凹凸）を形成してお
くとハンドリングしやすくなり好適であることが知られ
ている。

これらの目的に適合可能なフィルムとしては、従来より
ポリオレフィンフィルムやポリエチレンテレフタレート
に代表されるポリエステルフィルムが広く使われ、また
最近ではポリフェニレンスルフィドフィルム、ポリエー
テルエーテルケトンフィルムなどの耐熱性に優れたフィ
ルムを用いることも知られている。またコンデンサ誘導
体に適合可能なポリエステルフィルムとして、ポリエス
テルにコロイド状シリカに起因する実質的に球状のシリ
カ粒子を含有させ表面突起を形成できるようにしたフィ
ルムが知られている（たとえば特開昭５９−１７１６２
３号公報）。このフィルムに於いては、添加されたシリ
カ粒子によって表面に微細な突起が形成され、摩擦係数
を小さくしハンドリング性を向上させることが可能であ
る。

［発明が解決しようとする課題１ しかし、従来の二軸延伸プラスティックフィルムに於い
ては、次のような欠点があった。

まず一つは、含有された不活性粒子がフィルムの厚さ方
向全域にわたって略ランダムに分布するため、フィルム
表面に於ける含有粒子による突起高さもランダムにばら
つくことになる。この結果、近傍の他の突起に比べ著し
く高い突起が存在する点が生じ、この点を起点として絶
縁破壊を起こし易くなるため、コンデンサや絶縁層の絶
縁破壊を起こし易くなるため、コンデンサや絶縁層の絶
縁破壊電圧の低下を引き起こすという欠点があった。

第二に、不活性粒子を添加することによって絶縁破壊電
圧（ＢＤＶ）が低下することである。このため、不活性
粒子の添加」を減少させると十分な滑り性が得られずハ
ンドリング性が悪化するばかりでなく、大きな摩擦力に
対抗して滑らすことによりフィルムに傷がつき、ピンホ
ール（絶縁欠陥）が増大するなどの悪影響が大きくなる
という欠点があった。

第三に、不活性粒子を添加すると上記のような悪影響が
あるため使用される不活性粒子の種類が著しく制限され
ることである。すなわち求められる滑り性や、ハンドリ
ング性について好適な表面形態を与える粒子があっても
電気特性が悪化してしまうために使用できないことがあ
るなどの不都合があった。

本発明は、上記の欠点を解決し高密度の突起を持つ表面
を持つため滑り性、ハンドリング性に浸れていながら、
粒子を添加しない場合と同等の絶縁破壊電圧を維持し、
かつ極めて均一な突起高さを有する表面を持つためコン
デンサとして非常に耐電圧特性の向上する二軸延伸プラ
スティックフィルムおよびそれを用いたコンデンサを提
供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は上記の目的を達成するため以下の構成としたも
のである。すなわち、不活性粒子を含有せしめた熱可塑
性樹脂Ａを主成分とする二軸延伸されたフィルムが熱可
塑性樹脂Ｂを主成分とする二軸延伸されたフィルムの少
なくとも片方の表層に積層された二軸延伸プラスティッ
クフィルムであって、前記不活性粒子の平均粒径が該不
活性粒子を含む前記熱可塑性樹脂Ａの二軸延伸されたフ
ィルムの厚さの０．１〜４倍、かつ該熱可塑性樹脂Ａに
添加された前記不活性粒子の含有量が０．２〜１０重量
％であり、ざらに少なくとも一つの熱可塑性樹脂Ａを主
成分とする二軸延伸されたフイルムの厚さが、積層され
たフィルム全体の厚さに対する比で示してｏ、　ｏｏｉ
〜０．２であることを特徴とする二軸延伸プラスティッ
クフィルム、および該二軸延伸プラスティックフィルム
を誘電体として用いたことを特徴とするコンデンサとし
たことをその骨子とする。

本発明に於ける熱可塑性樹脂Ａおよび熱可塑性樹脂Ｂは
、溶融押出成形可能な熱可塑性樹脂であれば特に限定さ
れることはない。例示するなら、ポリエステル、ポリオ
レフィン、ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド、ポ
リエーテルエーテルケトンなどが挙げられるが、これら
のうちポリエステル、中でもエチレンテレフタレート、
エチレン２，６−ナフタレート、エチレンα、β−ビス
（２−クロルフェノキシ）エタン−４，４゛−ジカルボ
キシレートを主たる繰り返し単位とするポリエステル、
あるいはｐ−フェニレンスルフィドを主たる繰り返し単
位とするポリアリ−レンスルフィド、あるいはｐ−フェ
ニレンエーテルエーテルケトンを主たる繰り返し単位と
するポリアリ−レンケトンが好ましい。

熱可塑性樹脂Ａと熱可塑性樹脂Ｂは、同じものであって
も異なるものであっても良いが、その組み合わせとして
は熱可塑性樹脂Ａと熱可塑性樹脂Ｂが共にポリエステル
系樹脂であるか、共にポリアリ−レンスルフィド系樹脂
であるか、あるいは共にポリアリ−レンケトン系樹脂で
あることが積層されたフィルムの層間接着性、耐熱性、
耐電圧特性などの点から好ましい。

ここでポリエステル系樹脂とはエステル結合によって主
たる繰り返し単位が構成されている重合体を言う。これ
らのうち、熱可塑性樹脂Ｂは、エチレンテレフタレート
、エチレン−２，６−ナフタレート、エチレンα、β−
ビス（２−クロルフェノキシ）エタン４，４゛−ジカル
ボキシレートを主たる繰り返し単位とするポリエステル
が好ましい。また熱可塑性樹脂Ａもこれらの重合体群の
中から選ばれることが好ましいが、熱可塑性樹脂Ｂと同
一である必要はない。

またここで、ポリアリ−レンスルフィド系樹脂とはアリ
ーレン基を主鎖中に含みスルフィド結合により主たる繰
り返し単位が構成されている重合体を言う。これらのう
ち、熱可塑性樹脂Ｂは、ポリ−ｐ−フェニレンスルフィ
ド、ポリ−ｐ−フェニレンスルフィドケトンを主たる繰
り返し単位とするポリアリ−レンスルフィドが好ましい
。また熱可塑性樹脂Ａもこれらの重合体群の中から選ば
れることが好ましいが、熱可塑性樹脂Ｂと同一である必
要はない。

ざらにここでポリアリ−レンケトン系樹脂とはアリーレ
ン基を主鎖中に含みケトン結合により主たる繰り返し単
位が構成されている重合体を言う。

これらのうち、熱可塑性樹脂Ｂは、ポリ−ｐ−７エ二レ
ンエーテルエーテルケトン、ポリ−ｐ−フェニレンスル
フィドケトン、ポリ−ｐ−フェニレンエーテルケトンを
主たる繰り返し単位とするポリアリ−レンケトンが好ま
しい。また熱可塑性樹脂Ａも□これらの重合体群の中か
ら選ばれることが好ましいが、熱可塑性樹脂Ｂと同一で
ある必要はない。

また、本発明を構成する熱可塑性樹脂は結晶性である場
合に摩擦係数がより一層良好となるのできわめて望まし
い。ここでいう結晶性とはいわゆる非晶質ではないこと
を示すものであり、定量的には結晶化パラメータにおけ
る冷結晶化温度ＴＣＣが検出され、かつ結晶化パラメー
タ△Ｔｃａが１５０℃以下のものである。なお、本発明
を阻害しない範囲内で、２種以上の熱可塑性樹脂を好ま
しくは３０重量％以下で混合しても良いし、他の成分が
好ましくは３０モル％以下（さらに好ましくは１５モル
％以下）で共重合されたポリマを用いても良い。

また、両者の組み合わせも可能である。

本発明の熱可塑性樹脂Ａ中の不活性粒子の形状は、特に
限定されないが、フィルム中での粒径比（粒子の長径／
短径）が１．０〜１．３の粒子、特に、球形状の粒子の
場合にフィルム表面突起の高さを均一化しやすく、コン
デンサーの絶縁破壊電圧が一層良好となるので望ましい
。

また、本発明の熱可塑性樹脂Ａ中の不活性粒子はフィル
ム中での単一粒子指数が０．１以上、好ましくは０．９
以上である場合に一層良好に突起の高密度化、高さの均
一化を達成できるので特に望ましい。

本発明の熱可塑性樹脂Ａ中の不活性粒子の種類は特に限
定されないが、上記の好ましい粒子特性を満足させるに
はアルミナ珪酸塩、１次粒子が凝集した状態のシリカ、
内部析出粒子などは好ましくない。好ましい粒子として
、コロイダルシリカに起因する実質的に球形のシリカ粒
子、架橋高分子による粒子（たとえば架橋ポリスチレン
）などがあるが、特に１０重量％減量時温度（窒素中で
熱重量分析装置島津Ｔ　Ｇ　−３０Ｍを用いて測定。昇
温速度２０℃／分）が３８０　’Ｃ以上になるまで架橋
度を高くした架橋高分子粒子が特に望ましい。なお、コ
ロイダルシリカに起因する球形シリカの場合にはアルコ
キシド法で製造された、ナトリウム含有量が少ない、実
質的に球形のシリカが特に望ましい。

しかしながら、本発明によれば、従来、コンデンサー用
のフィルムに添加する粒子として欠点のあったその他の
粒子、例えば炭酸カルシウム、二酸化チタン、アルミナ
等の粒子でもフィルム厚さと平均粒径の適切なコントロ
ールにより十分使いこなすことが可能である。

不活性粒子の大きさは、熱可塑性樹脂Ａと該不活性粒子
からなる二軸延伸された積層フィルム（以下、単に積層
フィルムということがある。〉中での平均粒径が該積層
フィルム厚さの０．１〜４倍、好ましくは０．５〜４倍
、ざらに好ましくは１゜１〜３倍の範囲とされる。平均
粒径／フィルム厚さ比が上記の範囲より小さいと、形成
される突起の高さがばらつき、コンデンサー構成での絶
縁破壊電圧のバラツキが大きくなり、かつ突起密度も低
くなって摩擦係数が不良となり、逆に大きいと、摩擦係
数はある程度低くできるものの、突起が高くなりすぎて
コンデンサーの絶縁破壊電圧が不良となるので好ましく
ない。

また、積層フィルム中の不活性粒子のフィルム中での平
均粒径（直径）が０．００７〜１．５μｍ、好ましくは
０．０２〜０．７μ而の範囲である場合に、絶縁破壊電
圧、摩擦係数の面から望ましい突起を形成しやすいので
、とくに望ましい。

また、積層フィルムの重量平均厚さは０．００５〜１．
０μであることが好ましい。

上記不活性粒子の積層フィルム中の含有量は、積層フィ
ルムを構成する樹脂組成物の全体の重量に対して０．２
〜１０重量％の範囲とされる。この範囲よりも少ないと
、形成される突起の密度が低いため、目標とする摩擦係
数低減効果が得られず、加工時等におけるハンドリング
性改良効果が不十分となる。逆に上記範囲よりも多いと
、不活性粒子が凝集しやすくなって、凝集粒子が不均一
な高さの突起を形成する機会が多くなり、絶縁破壊電圧
のバラツキが大きくなる。該含有量は、好ましくは０．
２〜５重量％、さらに好ましくは０．３〜２重量％であ
る。

積層フィルム中に添加された不活性粒子の添加量、平均
粒径、積層フィルムの厚さの関係は不活性粒子の平均粒
径をφ（μｍ）、該不活性粒子を含む前記熱可塑性樹脂
Ａの二軸延伸されたフィルムの厚さを↑（μＴｒＬ）、
該熱可塑性樹脂Ａに添加された前記不活性粒子の含有量
をＣ（重量％）とした時、これらの値が下記（１）式の
関係を満たすものであることが好ましい。

０．１≦ｃ　−ｔ／φ≦１０　　……（１）さらに好ま
しくは ０．１≦ｃ−ｔ／φ≦５　　　……（２）である。

この値が、この範囲より小さいとコンデンサとした時に
シワが入りやすくなり、大きいとフィルムの走行中に蛇
行が生じやすい。

つまり、本発明における熱可塑性樹脂Ａの積層フィルム
層には、該フィルム厚さ近傍あるいはそれよりも大きな
平均粒径の不活性粒子が含有される。換言すれば、極薄
積層フィルムに、そのフィルム厚さ近傍あるいはそれよ
りも大きな平均粒径の微小不活性粒子が含有される。し
たがって、二軸配向熱可塑性樹脂フィルム全体に対し、
その厚さ方向に、実質的に積層フィルム層のみに集中し
て不活性粒子を分布させることができる。その結果、積
層フィルム中における粒子密度を容易に高くすることが
でき、該粒子により形成されるフィルム表面の突起の密
度も容易に高めることができる。また、不活性粒子は、
上記積層フィルム中に含有されることで、二軸配向熱可
塑性樹脂フィルム全体に対し、その厚さ方向に位置規制
されることになり、しかも積層フィルムの厚さと平均粒
径とは前述の如き関係にあるから、該粒子により形成さ
れる表面突起の高さは、極めて均一になる。

上記の如き熱可塑性樹脂Ａと不活性粒子とを主成分とす
るフィルムが熱可塑性樹脂Ｂを主成分とするフィルムに
積層され、誘導体フィルムが構成される。

熱可塑性樹脂Ａの積層フィルム層は、熱可塑性樹脂Ｂか
らなるフィルム層の両面、又は片面に積層される。つま
り、積層構成がＡ／Ｂ／Ａ、Ａ／Ｂの場合であるが、も
ちろん、Ａと異なる表面状態を有する０層をＡと反対面
に設けたＡ／Ｂ／Ｃでも、あるいはそれ以上の多層構造
でもよい。

（ここでＡ、Ｂ、Ｃそれぞれの熱可塑性樹脂の種類は同
種でも、異種でもよい。また、少なくとも片方の表面は
Ａ層であることが必要である。これらのうち好ましい形
態はＡ／Ｂ、Ａ／Ｂ／ＡまたはＡ／Ｂ／Ａ　′である。

（ここで八−はＡと同様の熱可塑性樹脂をベースとし添
加粒子組成などが若干異なる組成の樹脂組成物である。

）熱可塑性樹脂組成物Ｂを主成分とする二軸延伸フィル
ム（以下、単に被積層フィルムと言うことがある）は、
添加された不活性粒子を実質的に含まないことが好まし
い。ここで添加された不活性粒子とは熱可塑性樹脂組成
物Ａが含むようなシリカなどのフィルムの滑りを改良す
る目的で故意に添加される粒子のことであり、ポリエス
テルを重合する際などに析出する粒子を含むことは差し
支えない。但し、その場合でも平均粒径２μｍを超える
粒子を含むことは好ましくない。

また、該被積層フィルムに粒子が添加される時は前述し
た積層フィルムに於いて好ましく用いられるものが好ま
しい。この時、被積層フィルムに添加される粒子の種類
、大きさ、添加量は積層フィルムに添加されているもの
と同じでも異なっていても良いことは言うまでもない。

上述の如き不活性粒子を含有する熱可塑性樹脂Ａを主た
る成分とする樹脂組成物と、熱可塑性樹脂Ｂを主たる成
分とする樹脂組成物とは共押出により積層されているこ
とが好ましい。ここで本発明における共押出による積層
とは、不活性粒子を含有する熱可塑性樹脂Ａを主たる成
分とする樹脂組成物と、熱可塑性樹脂Ｂを主たる成分と
する樹脂組成物とをそれぞれ異なる押出装置で押出し、
口金から積層シートを吐出する前にこれらを積層するこ
とを言う。この積層は、シート状に成形、吐出するため
の口金内（たとえばマニホルド）で行ってもよいが、前
述の如く積層フィルム層が極薄であることから、口金に
導入する前のポリマ管内で行うことが好ましい。とくに
、ポリマ管内の積層部を、矩形に形成しておくと、幅方
向に均一に積層できるので特に好ましい。ポリマ管内矩
形積層部で積層された溶融ポリマは、口金内マニホルド
でシート幅方向に所定幅まで拡幅され、口金からシート
状に吐出された後、二軸に延伸される。

したがって、たとえ二軸配向後の積層フィルム層が極薄
であっても、ポリマ管内矩形積層部では、不活性粒子含
有熱可塑性樹脂ポリマを、かなりの厚さで積層すること
になるので、容易にかつ精度よく積層できる。

このように形成された積層構成の二軸延伸プラスティッ
クフィルム（以下、単にフィルムと言うことがある。）
においては、一つの熱可塑性樹脂Ａの積層フィルム層の
厚さの誘電体全体の厚さに対する比が０．００１〜０．
２の範囲とされる。この比は相対的なものであるので、
誘電体の絶対厚さによって熱可塑性樹脂Ａの積層フィル
ム層の絶対厚さの適切な範囲も決まってくるが、通常一
般に使用されている誘電体の厚さから考えて、熱可塑性
樹脂Ａの積層フィルム層の厚さが上記範囲よりも小さい
と、核層が薄くなりすぎて核層に不活性粒子を高密度に
保持することが困難となり、摩擦係数を低く保つことが
困難になる。また、上記範囲よりも大きいと、前記不活
性粒子の平均粒径と核層の厚さとの適切な関係から、核
層厚さの増大に応じて不活性粒子の粒径も増大させる必
要が生じ、それによって粒径が大きくなりすぎるため、
含有粒子を起点とした絶縁破壊が起こりやすくなって、
絶縁破壊電圧のバラツキが悪化する。

本発明のフィルムの全体の厚みとしては０．３以上２５
μｍ以下である時に本発明の効果が大きい。

また、添加された不活性粒子がフィルム全体の０゜０２
〜１．０重量％であると耐電圧特性向上効果が、−層大
きく極めて好ましい。

本発明のフィルムは、主に積層フィルム中に添加された
粒子によってフィルム表面に突起を形成せしめたもので
あるが、その表面粗さＲａ　（Ｊ　Ｉ３　　Ｒ−０６０
１による）が０．００５〜０．１　μｍであることがフ
ィルムの取り扱い性とコンデンサとした時の耐電圧特性
の点から好ましい。とくに、１１００ｎ以上の高さを持
つ突起の突起数線密度が５個／’　ｍ　ｍ以下であると
比較的大容量のコンデンサとした時の耐電圧が向上し、
好ましい。ここで、突起数線密度とはフィルムの長さ３
０ｍに渡って触針式表面粗さ計（カットオフ値Ｏ，Ｏａ
μｍ、触針の先端半径２μｍ、先端開き角９０度）によ
って測定されるもので、速度０．１　ｍｍ／　ｓｅｃで
触針を移動させながら縦倍率Ｎで測定した粗さ曲線チャ
ートに於いて、求める高さを持つ突起数を測定長で除し
て単位長さ当たりの突起数を示したものである。例えば
ｉｏｏｎｍ以上の高さを持つ突起の突起数線密度とは、
１１００ｎ以上の高さを持つ突起数を測定長で除して単
位長さ当たりの突起数を示したものである。ここで突起
の高さとは、測定した上記粗さ曲線チャート上のｉ番目
の突起山頂のレベルをＭｉ１同じくｉ番目の突起の左側
の谷底のレベルをＶｉとする時、ｉ番目の突起の高さＰ
ｉはＰｉ＝（Ｍｉ−Ｖｉ）／Ｎと定義される。ただし、
触針を移動させる方向はフィルムの長手方向に直交する
方向とする。

また本発明のフィルムの熱可塑性樹脂Ａを主成分とする
積層フィルム面同志の静摩擦係数が０．４〜１．５、動
摩擦係数が０．３〜０．８であることがスリット、蒸着
などの加工適性とコンデンサ素子巻取性の点から好まし
い。

さらに、本発明のフィルムに於いて不活性粒子を含む積
層フィルム側の表層の不活性粒子による粒子濃度比が０
．１以下であることが好ましい。この表層粒子濃度比は
、後述の測定法に示す如く、フィルム表面突起を形成す
る不活性粒子がフィルム表面において如何に熱可塑性樹
脂Ａの薄膜で覆われているかを示すものであり、粒子が
フィルム表面に実質的に直接露出している度合が高い程
表層粒子濃度比が高く、表面突起は形成するが熱可塑性
樹脂Ａの薄膜に覆われている度合が高い程表層粒子濃度
比は低い。突起を形成する不活性粒子が熱可塑性樹脂Ａ
の薄膜で覆われていることにより、不活性粒子が高密度
に極薄積層フィルム層に分布している状態にあっても、
該粒子が該積層フィルム層、ひいては熱可塑性樹脂Ｂの
ベースフィルム層にしっかりと保持されるとともに、該
粒子が、金属薄膜や金属箔に直接的に外乱を及ぼすこと
がなくなるので、絶縁破壊電圧のバラツキを小さく抑え
る上からも有利になる。このような表層粒子濃度比は、
共押出による積層を行うことによつで容易に達成される
。ちなみに、コーティング方法によっても、本発明と類
似のフィルム、すなわち、ベースフィルム層に対し極薄
厚さで樹脂層をコーティングし、該樹脂層内に不活性粒
子を含有させることは可能であるが、表層粒子濃度比が
著しく高くなり（つまり粒子が実質的に表面に直接露出
する度合が著しく高くなり）、本発明フィルムに比べ表
面が極めて脆く、かつ露出した突起先端が金属薄膜や金
属箔に悪影響を及ぼすものとなりやすい。

また、本発明のフィルムにおいては、不活性粒子により
形成される表面突起の高さは特に限定されないが、狙っ
た滑り性改良等の効果を得るために、突起平均高さが不
活性粒子の平均粒径の０，３倍以上となるように、不活
性粒子の平均粒径、熱可塑性樹脂Ａを主たる成分とする
積層フィルム層の厚さを設定することが好ましい。また
、均一なかつ高密度の突起を得るために、不活性粒子自
身の粒径分布の標準偏差が０．５以下であることが好ま
しい。

次に本発明のコンデンサについて説明する。

本発明のコンデンサは上記二軸延伸プラスティックフィ
ルムを主たる誘電体として用いたコンデンサである。

本発明のコンデンサの形態は、巻回型、積層型のいずれ
でも良い。また内部電極としても金属箔、金属薄膜など
周知のもののいずれでも良い。

本発明のコンデンサの内部電極として金属箔が用いられ
る場合は、アルミニウム箔、錫箔、銅箔、から選ばれる
少なくとも一つを主たる内部電極とすることが電気特性
や耐電圧特性の点から好ましい。また金属箔の平均厚み
は２μｍ以上１５μｍ以下であることが取り扱い性と電
気特性、コンデンササイズの点から好ましい。

また本発明のコンデンサの内部電極として金属薄膜が用
いられる場合は、真空蒸着によって形成されたアルミニ
ウム膜、亜鉛膜、銅膜から選ばれる少なくとも一つを主
たる内部電極とすることが好ましい。ここで金属薄膜と
は真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティン
グ法、メツキ等によって形成される自己支持性のない金
属薄膜のことを言う。

また、本発明のコンデンサにおいて内部電極として金属
箔と金属薄膜を併用したものであっても良い。

次に本発明のフィルムの製造方法について説明する。

熱可塑性樹脂Ａに不活性粒子を含有せしめる方法として
は、重合後、重合中、重合前のいずれでも良いが、ポリ
マにベント方式の２軸押用機を用いて練り込む方法が本
発明範囲の表面形態のフィルムを得るのに有効である。

また、粒子の含有量を調節する方法としては、上記方法
で高濃度マスターを作っておき、それを製膜時に不活性
粒子を実質的に含有しない熱可塑性樹脂で希釈して粒子
の含有量を調節する方法が本発明範囲の表面形態のフィ
ルムを得るのに有効である。ざらにこの粒子高濃度マス
ターポリマの溶融粘度、共重合成分などを調節して、そ
の結晶化パラメータΔＴｃ　ｇを３０〜８０℃の範囲に
しておく方法は延伸破れなく、本発明範囲の表面形態の
フィルムを得るのに有効である。

かくして、不活性粒子を含有する熱可塑性樹脂Ａを主成
分とするペレットＡを公知の溶融押出機に供給し、熱可
塑性樹脂の融点以上分解点以下の温度で溶融し、もう一
方の好ましくは実質的に添加された不活性粒子を含有し
ない熱可塑性樹脂Ｂを主成分とする樹脂組成物を前述の
如き積層用装置に供給し、スリット状のダイからシート
状の押出し、キャスティングロール上で冷却固化せしめ
て未延伸フィルムを作る。すなわち、２または３台の押
出機、２または３層用の合流ブロックあるいは口金を用
いて、これらの熱可塑性樹脂を積層する。合流ブロック
方式を用いる場合は積層部分を前述の如く矩形のものと
し、両者の熱可塑性樹脂の溶融粘度の比を０．１〜１０
の範囲にしておくことが本発明範囲の表面形態のフィル
ムを安定して、幅方向の斑なく、工業的に製造するのに
有効である。

次にこの多層の未延伸フィルムを二軸延伸し、二軸配向
せしめる。二軸延伸の方法は同時二軸延伸、逐次二軸延
伸法のいずれでもよいが、長手方向、幅方向の順に延伸
する逐次二軸延伸法の場合に本発明範囲の表面形態のフ
ィルムを安定して、幅方向の斑なく、工業的に製造する
のに有効である。逐次二軸延伸の場合、長手方向の延伸
を、３段階、特に４段階以上に分けて熱可塑性樹脂Ｂを
主成分とする樹脂組成物のガラス転移温度Ｔｇ（”Ｃ）
ないしＴｇ＋５０（”Ｃ）の範囲で、かつ、１０００〜
５ｏｏｏｏ％／分の延伸速度で、３〜６倍行なう方法は
本発明範囲の表面形態を有するフィルムを得るのに有効
である。幅方向の延伸温度、速度は、熱可塑性樹脂Ｂを
主成分とする樹脂組成物のガラス転移温度Ｔｇ（’Ｃ）
ないしＴｇ＋５０（’Ｃ）　、１０００〜２００００％
／分の範囲が好適である。延伸倍率は３〜１０倍が好適
である。また必要に応じてさらに長手方向、幅方向の少
なくとも一方向に延伸することもできる。いずれにして
も不活性粒子を含有するきわめて薄い層を設けてから、
面積延伸倍率（長手方向倍率Ｘ幅方向倍率）として９倍
以上の延伸を行なうことが本発明のフィルムを得るのに
極めて有効である。次にこの延伸フィルムを熱処理する
。この場合の熱処理条件としては、幅方向に弛緩、微延
伸、定長下のいずれかの状態で、熱可塑性樹脂Ｂを主成
分とする樹脂組成物の融点をＴｍ（”Ｃ）とした時、Ｔ
ｍ　−１００（’Ｃ）以上Ｔｍ（’Ｃ）未満の温度の範
囲で０．５〜６０秒間行うが好適であるが、熱処理にマ
イクロ波加熱を併用すると、本発明範囲の表面形態を有
するフィルムが得られやすくなるので望ましい。

本発明フィルムの製法の特徴は、特殊な方法で調製した
特定範囲の熱特性を有する高濃度粒子ポリマを用いて、
不活性粒子を含有するきわめて薄い層を設けた後にフィ
ルムを二軸延伸することであり、製膜工程内で、フィル
ムを一軸延伸した後、コーティングなどを施しさらに延
伸する方法、あるいは二軸延伸フィルムにコーティング
して作られる積層フィルムに比べると、本発明フィルム
は性能が優れる上に、コスト面でも本発明フィルムが浸
れている。

次に本発明のコンデンサの製造方法について説明する。

本発明のコンデンサの内部電極として金属箔が用いられ
る場合は、金属箔と上記二軸延伸プラスティックフィル
ムを箔はみだし巻回法や巻回途中でタブを挿入する方法
などによって交互に重ね合わせて巻き取るなどして、誘
電体と電極が交互に重ね合わされ、かつ外部に電極が引
ぎ出せるような構造となるように巻回してコンデンサ素
子あるいはコンデンサ母素子を得る。

また、本発明のコンデンサの内部電極として金属薄膜が
用いられる場合は、まず上述した二軸延伸プラスティッ
クフィルムを金属化する。この際、予め金属化する側の
フィルム表面にコロナ処理、プラズマ処理等を施して金
属薄膜とフィルムの密着力を向上させることもできる。

金属化する際、あるいは金属化後に対向電極が短絡しな
いようにテープマスク、オイルマスク、あるいはレーザ
ービーム等により非金属化部分（いわゆるマージン）を
設けるのが常法である。その後、一方の端にマージン部
分がくるように細幅のテープ状にスリットすることもあ
る。

次にコンデンサ素子を製造する。巻回型コンデンサを得
る場合は、金属化フィルムを一方の端にマージン部分が
くるように細幅のテープ状にスリットしたものを２枚重
ねて個々の素子を個別に巻いていくのが常法である。積
層型コンデンサの場合は大径のドラム、あるいは平板に
巻回してコンデンサ母素子を得る。

巻回型コンデンサを製造する場合は、上記のようにして
得たコンデンサ素子をプレス成形するのが一般的である
。このとき１００℃以上フィルムの融点以下の温度に加
熱することもできる。その後、外部電極の取り付は工程
（金属溶射、導電性樹脂等による）、必要なら樹脂また
は油含浸工程、リード付タイプのコンデンサとするとき
はリード線の取り付は工程、外装工程を経て本発明のコ
ンデンサを得る。

積層型コンデンサの場合は、大径のドラム、あるいは平
板に巻回した母素子をリング等で締め付ける、あるいは
平行平板等でプレスするなどフィルムの厚さ方向に圧力
を加えて成形する。その際の温度範囲は常温〜フィルム
の融点以下である。

母素子はプレスの前に、あるいは後に金属箔または金属
薄膜電極がマージンをもって対向するようにフィルムの
長手方向に切断されて、外部電極の取り付は工程（金属
溶射、導電性樹脂等による）、個々の素子切り出し工程
、必要なら樹脂または油含浸工程、リード付タイプのコ
ンデンサとするときはリード線の取り付は工程、外装工
程を経て本発明のコンデンサを得ることができる。

［物性の測定方法ならびに効果の評価方法］本発明の特
性値の測定方法並びに効果の評価方法は次の通りである
。

（１）粒子の平均粒径 フィルムからポリマをプラズマ低温灰化処理法（たとえ
ばヤマト科学製ＰＲ−５０３型）で除去し粒子を露出さ
せる。処理条件はポリマは灰化されるが粒子はダメージ
を受けない条件を選択する。

これをＳＥＭ　（走査型電子顕微鏡）で観察し、粒子の
画像（粒子によってできる光の濃淡）をイメージアナラ
イザー（たとえばケンブリッジインストルメント製ＱＴ
Ｍ９００　）に結び付け、観察箇所を変えて粒子数５０
００個以上で次の数値処理を行ない、それによって求め
た数平均径りを平均粒径とする。

Ｄ＝ΣＤｉ／Ｎ ここで、Ｄｉは粒子の円相当径、Ｎは個数である。

（２）粒子の含有量 ポリマは溶解し粒子は溶解させない溶媒を選択し、粒子
をポリマから遠心分離し、粒子の全体重量に対する比率
（重量％）をもって粒子含有量とする。場合によっては
赤外分光法の併用も有効である。

（３）ガラス転移点Ｔｇ、冷結晶化温度“丁ＣＣ１結晶
化パラメータ△Ｔｃ　ｇ、融点 パーキンエルマー社製のＤＳＣ（示差走査熱量計）■型
を用いて測定した。ＤＳＣの測定条件は次の通りである
。すなわち、試料１０ｍｇをＤＳＣ装置にセットし、３
００℃の温度で５分間溶融した後、液体窒素中に急冷す
る。この急冷試料を１０’Ｃ／分で昇温し、ガラス転移
点Ｔｇを検知する。ざらに昇温を続け、ガラス状態から
の結晶化発熱ピーク温度をもって冷結晶化温度ＴＣＣと
した。ざらに昇温を続け、融解ピーク温度を融点とした
。また、ＴｃｃとＴｇの差（ＴＣＣ−Ｔ９＞を結晶化パ
ラメータΔＴｃ　ｇと定義する。

（４）表面突起の平均高さ、その標準偏差２検出器方式
の走査型電子顕微鏡［ＥＳＭ−３２００、エリオニクス
■製］と断面測定装置［ＰＭＳ−１、エリオニクスＩＩ
Ｍ］においてフィルム表面の平坦面の高さをＯとして走
査したときの突起の高さ測定値を画像処理装置［ＩＢＡ
Ｓ２０００、カールツ？イス■製］に送り、画像処理装
置上にフィルム表面突起画像を再構築する。次に、この
表面突起画像で突起部分を２値化して得られた個々の突
起の面積から円相当径を求めこれをその突起の平均径と
する。また、この２値化された個々の突起部分の中で最
も高い値をその突起の高さとし、これを個々の突起につ
いて求める。この測定を場所をかえて５００回繰返し、
突起個数を求め、測定された全突起についてその高さの
平均値を平均高さとした。また個々の突起の高さデータ
をもとに、高さ分布の標準偏差を求めた。求められた標
準偏差を上記高さの平均値で割った値を、相対標準偏差
とした。また走査型電子顕微鏡の倍率は、１０００〜８
０００倍の間の値を選択する。なお、場合によっては、
高精度光干渉式３次元表面解析装置（ＷＹＫＯ社製ＴＯ
ＰＯ−３Ｄ、対物レンズ：４０〜２００倍、高解像度カ
メラ使用が有効）を用いて得られる高さ情報を上記ＳＥ
Ｍの値に読み替えて用いてもよい。

（５）表層粒子濃度比 ２次イオンマススペクトル（ＳＩＭＳ）を用いて、フィ
ルム中の粒子に起因する元素の内のもつとも高濃度の元
素とポリエステルの炭素元素の濃度比を粒子濃度とし、
厚さ方向の分析を行なう。

ＳＩＭＳによって測定される最表層粒子濃度（深さＯの
点）における粒子濃度Ａとさらに深さ方向の分析を続け
て得られる最高濃度Ｂの比、Ａ／Ｂを表層粒子濃度比と
定義した。測定装置、条件は下記のとおりである。

■　測定装置 ２次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ） ***、ＡＴＯＨＩＫＡ社製　Ａ−ＤＩＤＡ３０００■　
測定条件 １次イオン種　：０２ １次イオン加速電圧：　１２ＫＶ １次イオン電流：　２００ｎＡ ラスター領域　：４００μ辺口 分析領域：ゲート３０％ 測定真空度：　６．ＯｘｌＯ’　ＴｏｒｒＥ−ＧＵ　Ｎ
　：　０．５ＫＶ−３，ＯＡ（６）単一粒子指数 フィルムの断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で写真観
察し、粒子を検知する。観察倍率をｉｏｏ。

ＯＯ倍程度にすれば°、それ以上分けることができない
１個の粒子が観察できる。粒子の占める全面積をＡ１そ
の内２個以上の粒子が凝集している凝集体の占める面積
を８とした時、（Ａ−８＞／Ａをもって、単一粒子指数
とする。ＴＥＭ条件は下記のとおりであり１視野面積＝
２μＴｒＬ２の測定を場所を変えて、５０（ｌ野測定す
る。

・装置二日本電子製ＪＥＭ−１２００ＥＸ・観察倍率：
　１０００００倍 ・切片厚さ：約１ｏｏｏオングストローム（７）粒径比 上記（１）の測定において個々の粒子の長径の平均値／
短径の平均値の比である。

すなわち、下式で求められる。

長径＝ΣＤ１ｉ／Ｎ 短径＝ΣＤ２ｉ／Ｎ Ｄｌｉ、Ｄ２ｉはそれぞれ個々の粒子の長径（最大径）
、短径（Ｒ短径）、Ｎは総個数である。

（８）積層されたフィルム中の熱可塑性樹脂Ａ層の厚さ ２次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）を用いて、フィル
ム中の粒子の丙辰も高濃度の粒子に起因する元素とポリ
マの炭素元素の濃度比（Ｍ”　／Ｃ”　）を粒子濃度と
し、熱可塑性樹脂Ａ層の表面から深ざ（厚さ）方向の分
析を行なう。表層では表面という界面のために粒子濃度
は低く表面から遠ざかるにつれて粒子濃度は高くなる。

本発明フィルムの場合は深さ［１］でいったん極大値と
なった粒子濃度がまた減少し始める。この濃度分布曲線
をもとに極大値の粒子濃度の１／２になる深さ［ｎ］（
ここでｎ＞Ｉ＞を積層厚さとした。条件は測定法（５）
と同様である。

なお、フィルム中にもっとも多く含有する粒子が有機高
分子粒子の場合はＳＩＭＳでは測定が難しいので、表面
からエツチングしながらＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）、
ＩＲ（赤外分光法）あるいはコンフォーカル顕微鏡など
で、その粒子濃度のデプスプロファイルを測定し、上記
同様の手法から積層厚さを求めても良い。

さらに、上述した粒子濃度のデプスプロファイルからで
はなく、フィルムの断面観察あるいは薄膜段差測定機等
によって熱可塑性樹脂Ａの積層厚さを求めても良い。

（９）静摩擦係数　μｓ、動摩擦係数　μｄＡＳＴＭ−
Ｄ−１８９４−８−６３に準じ、スリップテスタを用い
てフィルム／フィルムの静摩擦係数及び動摩擦係数を測
定した。

（１０）フィルムの絶縁破壊強度 真ちゅう板の上にアルミニウム箔（厚さ５μＴｒＬ）を
３枚重ね、その上に１０ｃｍ角に切ったフィルムサンプ
ルを置き、ざらにその上に表面を平滑に仕上げた８ｍφ
の真ちゅう製電極（重さ５０９）を置く。

真ちゅう板と真ちゅう製電極の間に直流電圧を１００Ｖ
／Ｓｅｃで昇圧しながら印加していき絶縁破壊を起こし
た時の電圧を記録する。ここで、両電極間に１０ＴＩ’
ＬＡ以上の電流が流れたときを絶縁破壊が発生したもの
とする。サンプルをかえて、２０点以上について測定し
た後、平均値を算出し、フィルム厚みで除して絶縁破壊
強度とし、Ｖ／μｍで示す。

（１１）コンデンサの容量バラツキ 同じ条件で製造したコンデンサ素子１０００個の静電容
量を測定し、相対標準偏差を求める。ここで、相対標準
偏差とは標準偏差を平均値で除した数で、％で表わす。

なお、コンデンサの容量はＬＣＲメータで測定する。判
定の基準は以下の通りである。

０・・・・・・相対標準偏差２％未満。ばらつきが非常
に少ない。

△・・・・・・相対標準偏差２％以上１０％未満。やや
、ばらつきがあるが実用レベル。

Ｘ・・・・・・相対標準偏差１０％以上。ばらつきが大
きい。

（１２）コンデンサの絶縁破壊電圧、および低圧破壊不
良率 コンデンサまたはコンデンサ素子の両電極間に直流電圧
を１００　Ｖ　／　ＳｅＣで昇圧しながら印加していき
絶縁破壊を起こした時の電圧を絶縁破壊電圧とする。こ
こで、両電極間に１０７ＦＩＬＡ以上の電流が流れた時
を絶縁破壊が発生したものとする。サンプルをかえて、
１００点以上について測定した値を平均してＶで示す。

このとき、絶縁破壊電圧が規定の電圧に達しなかったコ
ンデンサまたはコンデンサ素子の頻度を低圧破壊不良率
とし％で示す。

ここで、規定の電圧は誘電体フィルムの平均厚み１μｍ
あたり５０Ｖとした。

（１３）素子巻性 １５ＩｒＩ！１１幅にスリットしたフィルム２枚を自動
コンデンサ素子巻機（蒸着フィルム用）にかけ、素子巻
する際のフィルムの走行状態と出来上った巻回体の状態
を観察する。判定は以下の基準によった。

○・・・・・・走行中の蛇行はなく、巻回体の端面も巻
きずれが殆ど観察されず、きれいに揃っている。

また、シワが巻き込まれていることもない。

Δ・・・・・・走行中は、肉眼で観察される蛇行はない
が、巻回体は実用上問題ない範囲でやや端面に巻きずれ
が見られるかあるいは内部にわずかにシワを巻き込んで
いる。

Ｘ・・・・・・走行中から大きな蛇行が観察され１１ｒ
ＩＩｎ以上の巻きずれを起こすため実用的でない。ある
いは、殆どフィルム全長にわたってシワを巻き込んでい
る。

［実施例］ 本発明を実施例に基づいて説明する。

実施例１〜６、比較例１〜５ 平均粒径の異なる架橋ポリスチレン粒子、コロイダルシ
リカに起因するシリカ粒子を含有するエチレングリコー
ルスラリーを調製し、このエチレングリコールスラリー
を１９０℃で１．５時間熱処理した後、テレフタル酸ジ
メチルとエステル交換反応後、重縮合し、該粒子を０．
３〜５５重量％含有するポリエチレンテレフタレート（
以下ＰＥＴと略記する）のベレットを作った。このペレ
ットを用いて熱可塑性樹脂Ａを調製し、熱可塑性樹脂Ａ
中の不活性粒子の含有量を各々調整し、また、常法によ
って、実質的に不活性粒子を含有しないＰＥＴを製造し
、熱可塑性樹脂Ｂ（但し実施例４、比較例１は、上記と
同様の方法で、添加された粒子を含んでいる。）とした
。これらのポリマをそれぞれ１８０℃で３時間減圧乾燥
（３Ｔｏｒｒ）　Ｌ／た。熱可塑性樹脂Ａを押出機１に
供給し３１０℃で溶融し、ざらに、熱可塑性樹脂Ｂを押
出機２に供給、２８０℃で溶融し、これらのポリマを矩
形積層部を備えた合流ブロックで合流積層し、静電印ｈ
ａキャスト法を用いて表面温度３０℃のキャスティング
・ドラムに巻きつけて冷却固化し、２層又は両面に熱可
塑性樹脂Ａ層を有する３層構造の未延伸フィルムを作っ
た。この時、それぞれの押出機の吐出量を調節し総厚さ
、熱可塑性樹脂Ａ層の厚さを調節した。（ただし比較例
１はＢ層重層）。この未延伸フィルムを温度８０℃にて
長手方向に４．５倍延伸した。この延伸は２組ずつのロ
ールの周速差で、４段階で行なった。この−軸延伸フィ
ルムをステンタを用いて延伸速度２０００％／分で１０
０℃で幅方向に４．０倍延伸し、定長下で、２００℃に
て５秒間熱処理し、総厚さ５μｍ、熱可塑性樹脂Ａ層厚
さ０゜０１〜２μｍの二軸配向積層フィルムを得た。

これらのフィルムから、箔巻コンデンサを製造した。

まず、フィルムを２０ａｌｌｌ１幅にスリットし、アル
ミニウム箔（幅２０＃７１．厚さ５μｍ）とフィルム、
アルミニウム箔、フィルム、アルミニウム箔の順に重ね
合わせて互い違いに電極が２ｍｓずつはみだすようにし
て巻き取り、静電容量的１．０μＦのコンデンサ素子を
得た。

次に、コンデンサ素子を１２０℃、３０Ｋｇ／ｃｎｆの
温度、圧力で５分間加熱プレスし、両端面にメタリコン
、リード線溶接、エポキシデイツブによる外装を施し、
箔巻コンデンサを得た。

また、これとは別に、それぞれのフィルムから蒸着コン
デンサを作成した。

まず、上記のフィルムに、表面抵抗値が２Ωとなるよう
にアルミニウムを真空蒸着した。その際、長手方向に走
るマージン部を有するストライプ状に蒸着した（蒸着部
の幅８．０＃１ｌ１１、マージン部の幅１．０Ｍの繰り
返し）。次に各蒸着部の中央と各マージン部の中央に刃
を入れてスリットし、左もしくは右に０．５＃１Ｉ１１
のマージンを有する全幅４．５＃２１＋＋のテープ状に
して巻きとった。

得られたリールの左マージンおよび右マージンのもの各
１枚づつを重ね合わせて巻回し、巻回体を得た。その際
、幅方向に蒸着部分がマージン部より０．５＃１Ｉ１１
はみだすように２枚のフィルムをずらして巻回した。こ
の巻回体から芯材を抜いて、そのままｉｓｏ℃、５０Ｋ
ｇ／ｃｉの温度、圧力で５分間ブレスした。これに両端
面にメタリコンを溶射して外部電極とし、両電極間に６
００　Ｖの直流電圧を１秒間印加して電圧処理を施し、
メタリコンにリード線を溶接して静電容量的０．３μＦ
の蒸着コンデンサを得た。

これらのフィルム、コンデンサの評価結果を表１に示す
。

実施例７〜９、比較例６〜９ オートクレーブに、硫化ナトリウム３２．６Ｎｇ（２５
０モル、結晶水４０重量％を含む）、水酸化ナトリウム
１００　’ｊ、安息香酸ナトリウム３６．１Ｋｆｌ　（
２５０モル）、及びＮ−メチル−２−ピロリドン（以下
ＮＭＰと略称することがある＞７９．２Ｎｇを仕込み２
０５℃で脱水したのち、１゜４ジクロルベンゼン（ｐ−
ＤＣＢと略称する＞　３７．５ＫＢ　（２５５モル）、
及びＮＭ　Ｐ　２０．０Ｋｇを加え、２６５°Ｃで４時
間反応させた。

反応生成物を水洗、乾燥して、ｐ−フェニレンスルフィ
ド１００モル％からなり、溶融粘度３１００ポイズのポ
リ−ｐ−フェニレンスルフィド２１．ＩＮＬＪ（収率７
８％）を得た。

このポリフェニレンスルフィドに、平均粒径の異なるコ
ロイダルシリカに起因するシリカ粒子を添加しポリフェ
ニレンスルフィド樹脂組成物ペレットを得た。このペレ
ットを用いて熱可塑性樹脂Ａを調製し、熱可塑性樹脂Ａ
に含まれる不活性粒子の含有量を各々調整した。

先のポリフェニレンスルフィド（粒子未添加、比較例６
のみ粒子添加）を熱可塑性樹脂Ｂとして用い実施例１ま
たは比較例１と同様の積層フィルム製造装置に供給して
３１０℃で溶融し、表面を２５℃に保った金属ドラム上
にキャストして冷却固化し、両面に熱可塑性樹脂Ａ層を
持つ３層構造の未延伸フィルムを得た。（ただし、比較
例６はＢ層単層） このフィルムをロール群から成る縦延伸装置によって、
フィルム温度１００’Ｃ，延伸速度３００００％／分で
３．６倍延伸し、続いてテンタを用いて、温度１００　
’Ｃ１延伸速度１０００％／分で３，５倍延伸し、ざら
に同一テンタ内の後続する熱処理至で、２７０℃で１０
秒間緊張下に熱処理して、全厚さ５μｍ、熱可塑性樹脂
Ａ層厚さ０．０１〜２μ瓦の二軸延伸ポリフェニレンス
ルフィドフィルムを得た。

これらのフィルムから実施例１と同様の方法（但し、コ
ンデンサ素子をプレスする際の温度は１５０’Ｃとし、
蒸着コンデンサの電圧処理は４００　Ｖで行なった。〉
で箔巻コンデンサおよび蒸着コンデンサを製造した。

これらのフィルム、コンデンサの評価結果を表２に示す
。

実施例１０〜１２、比較例１０〜１３ ポリエーテルエーテルケトン（１，Ｃ，Ｉ社製。

ＰＥＥＫ　　３８０Ｇ＞に平均粒径の異なるコロイダル
シリカに起因するシリカ粒子を添加しポリエーテルエー
テルケトン樹脂組成物ペレットを得た。

このペレットを用いて熱可塑性樹脂Ａを調製し、熱可塑
性樹脂Ａに含まれる不活性粒子の含有量を各々調整した
。

先のポリエーテルエーテルケトン（粒子未添加、比較例
１０のみ粒子添加）を熱可塑性樹脂Ｂとして用い実施例
１または比較例１と同様の積層フィルム製造装置に供給
して４００℃で溶融し、表面を８０°Ｃに保った金属ド
ラム上にキャストして冷却固化し、両面に熱可塑性樹脂
Ａ層を持つ３層構造の未延伸フィルムを得た。（ただし
、比較例１０はＢ層単層） このフィルムをロール群から成る縦延伸装置によって、
フィルム温度１７０℃、延伸速度５０００％／′分で３
．０倍延伸し、続いてテンタを用いて、温度１７０℃、
延伸速度１０００％／′分で３．０倍延伸し、さらに同
一テンタ内の後続する熱処理至で、３００　’Ｃで１０
秒間緊張下に熱処理して、全厚さ５μｍ、熱可塑性樹脂
Ａ層厚さ０．０１〜２μｍの二軸延伸ポリエーテルエー
テルケトンフィルムを得た。

これらのフィルムから実施例１と同様の方法（但し、コ
ンデンサ素子をプレスする際の温度は１８０℃とし、蒸
着コンデンサの電圧処理はａｏｏ　ｖで行なった。）で
箔巻コンデンサおよび蒸着コンデンサを製造した。

これらのフィルム、コンデンサの評価結果を表２に示す
。

［発明の効果］ 以上のように、本発明のフィルムは高い絶縁破壊強度と
優れたハンドリング性を持ち合わせている。そして、こ
のフィルムからコンデンサを製造すると、従来のコンデ
ンサ製造条件を全く変更する事無く静電容量の安定性、
低圧破壊不良率の低減を高いレベルで達成することがで
きるためコンデンサ製造歩留まりを大幅に改善できるば
かりでなく、得られたコンデンサは絶縁破壊電圧が高く
、極めて信頼性の高いものとなる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）不活性粒子を含有せしめた熱可塑性樹脂Ａを主成
   分とする二軸延伸されたフィルムが熱可塑性樹脂Ｂを主
   成分とする二軸延伸されたフィルムの少なくとも片方の
   表層に積層された二軸延伸プラスティックフイルムであ
   つて、前記不活性粒子の平均粒径が該不活性粒子を含む
   前記熱可塑性樹脂Ａの二軸延伸されたフィルムの厚さの
   ０．１〜４倍、かつ該熱可塑性樹脂Ａに添加された前記
   不活性粒子の含有量が０．２〜１０重量％であり、さら
   に少なくとも一つの熱可塑性樹脂Ａを主成分とする二軸
   延伸されたフィルムの厚さが、積層されたフィルム全体
   の厚さに対する比で示して０．００１〜０．２であるこ
   とを特徴とする二軸延伸プラスティックフイルム。 （２）熱可塑性樹脂Ａと熱可塑性樹脂Ｂは、共にポリエ
   ステル系樹脂であるか、共にポリアリ−レンスルフィド
   系樹脂であるか、あるいは共にポリアリ−レンケトン系
   樹脂である請求項（１）に記載の二軸延伸プラステイツ
   クフイルム。 （３）熱可塑性樹脂Ｂを主成分とするフィルムは、添加
   された不活性粒子を実質的に含まないものである請求項
   （１）または（２）に記載の二軸延伸プラスティックフ
   イルム。 （４）不活性粒子の平均粒径をφ（μｍ）、該不活性粒
   子を含む前記熱可塑性樹脂Ａの二軸延伸されたフィルム
   の厚さをｔ（μｍ）、該熱可塑性樹脂Ａに添加された前
   記不活性粒子の含有量をｃ（重量％）とした時、これら
   の値が下記（１）式の関係を満たすものである請求項（
   １）ないし（３）のいずれかに記載の二軸延伸プラステ
   ィックフイルム。 ０．１≦ｃ・ｔ／φ≦１０……（１） （５）請求項（１）ないし（４）のいずれかに記載の二
   軸延伸プラスティックフイルムを主たる誘導体として用
   いてなるコンデンサ。