JPH0319228A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH0319228A JPH0319228A JP15431589A JP15431589A JPH0319228A JP H0319228 A JPH0319228 A JP H0319228A JP 15431589 A JP15431589 A JP 15431589A JP 15431589 A JP15431589 A JP 15431589A JP H0319228 A JPH0319228 A JP H0319228A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に配
線構造の平担化技術に関する。
線構造の平担化技術に関する。
従来、半導体集積回路装置の配線構造は第３図に示す製
造方法で形成される。第３図（ａ）に示すようにシリコ
ン基板ｌ上に第１の層間絶縁膜として、例えば酸化シリ
コン（ＳｉＯｚ）膜２等が形成される。この上に第３図
（ｂ）のように全面にアルミニウム３を被着し、フォト
リングラフィー技術およびエッチング技術を用いて、第
３図（Ｃ）のように所定の形状の配線パターンを形戒す
る。その上に第２の層間絶縁膜として、Ｓｉｎ．膜５を
第３図（ｄ）のように堆積させ、さらに上層の配線（図
示せず）を形成していた。
造方法で形成される。第３図（ａ）に示すようにシリコ
ン基板ｌ上に第１の層間絶縁膜として、例えば酸化シリ
コン（ＳｉＯｚ）膜２等が形成される。この上に第３図
（ｂ）のように全面にアルミニウム３を被着し、フォト
リングラフィー技術およびエッチング技術を用いて、第
３図（Ｃ）のように所定の形状の配線パターンを形戒す
る。その上に第２の層間絶縁膜として、Ｓｉｎ．膜５を
第３図（ｄ）のように堆積させ、さらに上層の配線（図
示せず）を形成していた。
上述した従来の配線の製造方法では、配線パターンの段
差がそのまま残るため、その上に堆積させる層間絶縁膜
の被覆性が問題となる。例えば第３図（ｄ）に示したＡ
の部分においては、平坦ｉに比べて明らかに層間絶縁膜
５の膜厚が薄くなっている。電気的絶縁性を確保するた
めにはＡ部の膜厚を厚くしなければならないが、そのた
めには層間絶縁膜全体を厚く堆積する必要があり、多層
の配線構造を考える場合には上層配線との接続、上層配
線の被覆性等の問題が生じるという欠点がある。
差がそのまま残るため、その上に堆積させる層間絶縁膜
の被覆性が問題となる。例えば第３図（ｄ）に示したＡ
の部分においては、平坦ｉに比べて明らかに層間絶縁膜
５の膜厚が薄くなっている。電気的絶縁性を確保するた
めにはＡ部の膜厚を厚くしなければならないが、そのた
めには層間絶縁膜全体を厚く堆積する必要があり、多層
の配線構造を考える場合には上層配線との接続、上層配
線の被覆性等の問題が生じるという欠点がある。
本発明の目的は、配線部における層間絶縁膜の平坦性を
向上させた半導体集積回路装置の製造方法を提供するも
のである。
向上させた半導体集積回路装置の製造方法を提供するも
のである。
本発明の配線構造の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜
を堆積させる工程と、この絶縁膜に所定の深さ、平面形
状を有する開孔を形戒する工程と、開孔部内と絶縁膜上
面において、互いに電気的に分離するように配線材を被
着させる工程と、前記工程に続いて少なくとも前記開孔
を埋めるように塗布膜を塗布，加熱する工程と、前記開
孔部内に形成された配線材の上部が露出するまで全面エ
ッチングする工程とを含んで構戊される。
を堆積させる工程と、この絶縁膜に所定の深さ、平面形
状を有する開孔を形戒する工程と、開孔部内と絶縁膜上
面において、互いに電気的に分離するように配線材を被
着させる工程と、前記工程に続いて少なくとも前記開孔
を埋めるように塗布膜を塗布，加熱する工程と、前記開
孔部内に形成された配線材の上部が露出するまで全面エ
ッチングする工程とを含んで構戊される。
このような製造方法により各配線層および各絶縁膜上面
は平坦化され、積層構造においても、著しい段差を生じ
ることはない。
は平坦化され、積層構造においても、著しい段差を生じ
ることはない。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の工程断面図である。シ
リコン基板１上に第１図（ａ）に示すように層間絶縁膜
としてＳｉＣｈ膜２を形戒する。この層間膜は絶縁性を
確保するに必要な厚さと配線材の厚さを加えた厚さより
厚く堆積する必要があり、例えば１．５μｍ程度堆積す
る。次に第１図（ｂ）に示すようにフォトリングラフィ
技術を用いて配線形状にＳｉｎ２膜２を１．０μｍ程度
エッチングする。ここでＳｉ０２膜２の溝の底とシリコ
ン基板１との距離は、絶縁分離厚となるようにエッチン
グ量を決める。続いて、配線材のアルミニウムを第１図
（Ｃ）のように全面に被着させる。
リコン基板１上に第１図（ａ）に示すように層間絶縁膜
としてＳｉＣｈ膜２を形戒する。この層間膜は絶縁性を
確保するに必要な厚さと配線材の厚さを加えた厚さより
厚く堆積する必要があり、例えば１．５μｍ程度堆積す
る。次に第１図（ｂ）に示すようにフォトリングラフィ
技術を用いて配線形状にＳｉｎ２膜２を１．０μｍ程度
エッチングする。ここでＳｉ０２膜２の溝の底とシリコ
ン基板１との距離は、絶縁分離厚となるようにエッチン
グ量を決める。続いて、配線材のアルミニウムを第１図
（Ｃ）のように全面に被着させる。
このとき、アルミニウムの厚さは、先に形成した溝の深
さの半分程度となるようにする。ここでは０．５μｍ程
度被着させる。このようにそれぞれの膜厚を定めること
により、被着したアルミニウムは溝の段部で分離し、溝
内部の部分とＳｉＯ２膜２上面の部分とに分かれる。こ
の状態で塗布Ｓｔｏｗ膜４を塗布すると、塗布膜は溝の
部分に溜まり、溝以外の領域では薄く、溝部では厚く形
成される．溶剤を蒸発させるため３００〜４００℃で加
熱すると第１図（ｄ）の構造となる。次に、上部に付着
した薄い塗布Ｓｉ０２膜をウェットエッチングにより除
去し、第１図（ｅ）に示すように上部のアルミニウムを
露出させる。第１図（ｆ）に示すようにアルミニウムを
ウェットエッチングにより除去し、Ｓｉｎ．膜２および
４を全面エッチングして溝の部分のアルミニウムを露虫
させる。このとき、塗布Ｓｉｆ２膜４と層間膜としての
Ｓｉｆｔ膜２のエッチング速度は同じであるため、アル
ミニウムが露出した時点で第１図（ｇ）のように配線領
域の構造は極めて平坦となる。この後、層間絶縁膜とし
てＳｉＯ２膜５を堆積させると第ｌ図（ｈ）の構造が得
られる。
さの半分程度となるようにする。ここでは０．５μｍ程
度被着させる。このようにそれぞれの膜厚を定めること
により、被着したアルミニウムは溝の段部で分離し、溝
内部の部分とＳｉＯ２膜２上面の部分とに分かれる。こ
の状態で塗布Ｓｔｏｗ膜４を塗布すると、塗布膜は溝の
部分に溜まり、溝以外の領域では薄く、溝部では厚く形
成される．溶剤を蒸発させるため３００〜４００℃で加
熱すると第１図（ｄ）の構造となる。次に、上部に付着
した薄い塗布Ｓｉ０２膜をウェットエッチングにより除
去し、第１図（ｅ）に示すように上部のアルミニウムを
露出させる。第１図（ｆ）に示すようにアルミニウムを
ウェットエッチングにより除去し、Ｓｉｎ．膜２および
４を全面エッチングして溝の部分のアルミニウムを露虫
させる。このとき、塗布Ｓｉｆ２膜４と層間膜としての
Ｓｉｆｔ膜２のエッチング速度は同じであるため、アル
ミニウムが露出した時点で第１図（ｇ）のように配線領
域の構造は極めて平坦となる。この後、層間絶縁膜とし
てＳｉＯ２膜５を堆積させると第ｌ図（ｈ）の構造が得
られる。
第２図は本発明の第２の実施例の工程断面図である。本
実施例では第１層配線と第２層配線の電気的接続に本発
明を応用した場合を示す。第１の実施例に示した如く、
シリコン基板１１上のＳｉｆｔ膜１２に第１層のアルミ
ニウム配線１３を形成し、平坦化した後、層間絶縁膜と
してＳｉＯｚ膜１４を全面に１．０μｍ程度堆積し、続
いてアルミニウム配線１３へのフンタクト孔を開孔し、
さらにアルミニウムを０．５μｍ程度の厚さに被着し、
第２図（ａ）の構造を得る。ここでコンタクト孔内部と
Ｓ ｓ Ｃｈ膜１ ４上面とにアルミニウムが分離スる
ようにする。また、コンタクト孔内部に被着したアルミ
ニウム１５は第ｌ層のアルミニウム配線１３と接続され
る。続いて塗布Ｓｉｎ２膜ｌ６の塗布した後、第２図（
ｂ）のように加熱処理、塗布膜の薄い部分のエッチング
によう除去、上部のアルミニウム１５の除去を行う。次
に、全面エッチングにより塗布膜１６およびＳｉｎ２膜
ｌ４をコンタクト孔内部のアルミニウム１５の上面が露
出するまで除去し、さらに第２図（ｃ）のように層間絶
縁膜としてＳｉＯｚ膜１７を１．０μｍ程度堆積させる
。続いてＳｉＯ２膜１７を配線形状にエッチングし、コ
ンタクト孔部分のアルミニウム１５上面が露出する深さ
に形成する。第２層のアルミニウム配線１８を０．５μ
ｍ程度の厚さに被着し、塗布ＳｉＯｚ膜１９を塗布・加
熱形成して第２図（ｄ）の構造を得る。ここで第２図（
ｄ）に示されているように第１層配線ｌ３と第２層配線
１８とが、コンタクト孔のアルミニウム１５を介して導
通している構造となっている。この後、Ｓｉ（ｈ膜１７
．１９および、ＳｉＯｚ膜１７上部のアルミニウム配線
の除去、全面エッチングと再度のＳｉｎ．膜２０の堆積
により第２図（ｅ）の構造を得る。以上から明らかなよ
うに、２層配線構造としても極めて平坦な形状が得られ
る。
実施例では第１層配線と第２層配線の電気的接続に本発
明を応用した場合を示す。第１の実施例に示した如く、
シリコン基板１１上のＳｉｆｔ膜１２に第１層のアルミ
ニウム配線１３を形成し、平坦化した後、層間絶縁膜と
してＳｉＯｚ膜１４を全面に１．０μｍ程度堆積し、続
いてアルミニウム配線１３へのフンタクト孔を開孔し、
さらにアルミニウムを０．５μｍ程度の厚さに被着し、
第２図（ａ）の構造を得る。ここでコンタクト孔内部と
Ｓ ｓ Ｃｈ膜１ ４上面とにアルミニウムが分離スる
ようにする。また、コンタクト孔内部に被着したアルミ
ニウム１５は第ｌ層のアルミニウム配線１３と接続され
る。続いて塗布Ｓｉｎ２膜ｌ６の塗布した後、第２図（
ｂ）のように加熱処理、塗布膜の薄い部分のエッチング
によう除去、上部のアルミニウム１５の除去を行う。次
に、全面エッチングにより塗布膜１６およびＳｉｎ２膜
ｌ４をコンタクト孔内部のアルミニウム１５の上面が露
出するまで除去し、さらに第２図（ｃ）のように層間絶
縁膜としてＳｉＯｚ膜１７を１．０μｍ程度堆積させる
。続いてＳｉＯ２膜１７を配線形状にエッチングし、コ
ンタクト孔部分のアルミニウム１５上面が露出する深さ
に形成する。第２層のアルミニウム配線１８を０．５μ
ｍ程度の厚さに被着し、塗布ＳｉＯｚ膜１９を塗布・加
熱形成して第２図（ｄ）の構造を得る。ここで第２図（
ｄ）に示されているように第１層配線ｌ３と第２層配線
１８とが、コンタクト孔のアルミニウム１５を介して導
通している構造となっている。この後、Ｓｉ（ｈ膜１７
．１９および、ＳｉＯｚ膜１７上部のアルミニウム配線
の除去、全面エッチングと再度のＳｉｎ．膜２０の堆積
により第２図（ｅ）の構造を得る。以上から明らかなよ
うに、２層配線構造としても極めて平坦な形状が得られ
る。
以上説明したように、本発明では、絶縁膜に溝を形成し
、その溝部に配線を埋め込むことによって極めて平坦な
配線構造を得ることができるという効果がある。
、その溝部に配線を埋め込むことによって極めて平坦な
配線構造を得ることができるという効果がある。
したがって配線を多層化しても配線の段差によるオープ
ン不良や上下層配線間の層間膜が薄くなることに起因す
るショート不良を大幅に低減することが可能で、多層配
線構造での歩留り向上が可能である。
ン不良や上下層配線間の層間膜が薄くなることに起因す
るショート不良を大幅に低減することが可能で、多層配
線構造での歩留り向上が可能である。
なお、層間絶縁膜はＳｉｎ２膜でなく、例えばシリコン
窒化膜でも良く、塗布ＳｉＣｈ膜は塗布ＰＳＧ膜等でも
何ら本発明の効果を損ねるものではない。また、配線材
はアルミニウムに限らず、利用できることも言うまでも
ない。
窒化膜でも良く、塗布ＳｉＣｈ膜は塗布ＰＳＧ膜等でも
何ら本発明の効果を損ねるものではない。また、配線材
はアルミニウムに限らず、利用できることも言うまでも
ない。
第１図は本発明の第１の実施例の工程断面図、第２図は
本発明の第２の実施例の工程断面図、第３図は従来の配
線構造の工程断面図である。 １，１１・・・・・・シリコン基板、２，５，１２，１
４，１７．２０・・・・・・ＳｉＯ２膜、３，１３，１
５．１８・・・・・・アルミニウム、４，１６．１９・
・・・・・塗布Ｓｉｎ．膜。
本発明の第２の実施例の工程断面図、第３図は従来の配
線構造の工程断面図である。 １，１１・・・・・・シリコン基板、２，５，１２，１
４，１７．２０・・・・・・ＳｉＯ２膜、３，１３，１
５．１８・・・・・・アルミニウム、４，１６．１９・
・・・・・塗布Ｓｉｎ．膜。
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜に所
定の深さ、平面形状を有する開孔部を形成する工程と、
前記開孔部内および前記絶縁膜上面のそれぞれにそれら
の間で互いに電気的に分離するように導電材を被着させ
る工程と、少なくとも前記開孔を埋めるように塗布膜を
形成する工程と、前記開孔部内に形成された前記導電材
の上部が露出するまで、全面をエッチングする工程とを
含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15431589A JPH0319228A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15431589A JPH0319228A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319228A true JPH0319228A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15581435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15431589A Pending JPH0319228A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319228A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395863B2 (en) | 2000-02-02 | 2002-05-28 | Microtouch Systems, Inc. | Touch screen with polarizer and method of making same |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15431589A patent/JPH0319228A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395863B2 (en) | 2000-02-02 | 2002-05-28 | Microtouch Systems, Inc. | Touch screen with polarizer and method of making same |
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