JPH03188698A - 放熱機構付電子装置 - Google Patents
放熱機構付電子装置Info
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- JPH03188698A JPH03188698A JP1213618A JP21361889A JPH03188698A JP H03188698 A JPH03188698 A JP H03188698A JP 1213618 A JP1213618 A JP 1213618A JP 21361889 A JP21361889 A JP 21361889A JP H03188698 A JPH03188698 A JP H03188698A
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Links
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/306—Lead-in-hole components, e.g. affixing or retention before soldering, spacing means
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＩＣ等の電子部品が発生する熱を放熱する
機構を有する電子装置に関するものである。
機構を有する電子装置に関するものである。
第５図は従来のこの種放熱機構付電子装置を示す図で、
図において、１は基板、２は基板１に配置され、端部に
放熱部２１を有するサーマルブス、３は熱伝導性のよい
ラバー４を介してサーマルラス２上に配置され基板１に
半田付５されたＩＣ１６はＩＣ３とラバー４およびラバ
ー４とサーマルブス２の間に生じた空気層である。
図において、１は基板、２は基板１に配置され、端部に
放熱部２１を有するサーマルブス、３は熱伝導性のよい
ラバー４を介してサーマルラス２上に配置され基板１に
半田付５されたＩＣ１６はＩＣ３とラバー４およびラバ
ー４とサーマルブス２の間に生じた空気層である。
この従来のものでは、ＩＣ３で発生する熱は、ＩＣ３の
底面空気層６．ラバー４、空気層６、サーマルブス２を
経て伝わり、サーマルブス２の冷却部２１に吸収されて
ＩＣが冷却される。
底面空気層６．ラバー４、空気層６、サーマルブス２を
経て伝わり、サーマルブス２の冷却部２１に吸収されて
ＩＣが冷却される。
従来のサーマルブス付基板は以上のように構成されてい
るので、ＩＣ３から発生する熱が空気層６を２回分して
伝わるため、この部分での温度上昇が大きくなり、ＩＣ
３の温度が高くなる。また空気［６の厚みはサーマルブ
ス２．ＩＣ３の表面荒さやＩＣ３がサーマルブス２に対
して押しつけられる力等に起因するため、空気層６の厚
みをコントロールするのは不可能であり、空気層のバラ
ツキによるＩＣの温度のバラツキが生じるなどの問題点
があった。
るので、ＩＣ３から発生する熱が空気層６を２回分して
伝わるため、この部分での温度上昇が大きくなり、ＩＣ
３の温度が高くなる。また空気［６の厚みはサーマルブ
ス２．ＩＣ３の表面荒さやＩＣ３がサーマルブス２に対
して押しつけられる力等に起因するため、空気層６の厚
みをコントロールするのは不可能であり、空気層のバラ
ツキによるＩＣの温度のバラツキが生じるなどの問題点
があった。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、ＩＣの底面とラバーおよびうバーとサーマル
ブスの間の空気層をなくすとともに、ＩＣの温度上昇を
おさえ、ＩＣの温度上昇のバラツキをなくすことができ
る放熱機構付電子装置を得ることを目的とする。
たもので、ＩＣの底面とラバーおよびうバーとサーマル
ブスの間の空気層をなくすとともに、ＩＣの温度上昇を
おさえ、ＩＣの温度上昇のバラツキをなくすことができ
る放熱機構付電子装置を得ることを目的とする。
この発明に係る放熱機構付電子装置は、放熱部材に熱伝
導性の良好なラバーを介して電子部品を取付けるものに
おいて、電子部品をラバーを介して放熱部材に固定した
後、高温状態下でラバーを軟化膨張させ、電子部品とラ
バーおよびラバーと放熱部材との間の空気層を除去する
よう構成したものである。
導性の良好なラバーを介して電子部品を取付けるものに
おいて、電子部品をラバーを介して放熱部材に固定した
後、高温状態下でラバーを軟化膨張させ、電子部品とラ
バーおよびラバーと放熱部材との間の空気層を除去する
よう構成したものである。
この発明におけるラバーは、−度高温放置されるので、
電子部品とラバーおよびラバーと放熱部材を完全密着で
き、電子部品の温度上昇をおさえ、ＩＣの温度上昇のバ
ラツキをなくすことができる。
電子部品とラバーおよびラバーと放熱部材を完全密着で
き、電子部品の温度上昇をおさえ、ＩＣの温度上昇のバ
ラツキをなくすことができる。
以下この発明の一実施例を第１図〜第３図にもとづいて
説明する。即ち第１図〜第３図において、７はＩＣ３と
ラバー４およびラバー４とサーマルブス２の完全密着部
である。なおその他の構成は第５図に示す従来のものと
同様であるので説明を省略する。
説明する。即ち第１図〜第３図において、７はＩＣ３と
ラバー４およびラバー４とサーマルブス２の完全密着部
である。なおその他の構成は第５図に示す従来のものと
同様であるので説明を省略する。
このように構成されたものでは、まずＩＣ３をラバー４
を介してサーマルジス２上に置き、第３図イの矢印方向
にＩＣ３を押さえて基板１に半田付５後、第３図口に示
すようにラバー４を軟化させ高温状態で放置し、ラバー
４を軟化膨張させＩＣ３とラバー４およびラバー４とサ
ーマルブス２との間の空気層６を除去し、空気層にラバ
ーを浸透させ、しかる後第３図ハに示すように常温状態
で放置して、ラバーを軟化させ、Ｉ Ｃ３，ラバー４、
サーマルジス２相互間を完全密着させる。
を介してサーマルジス２上に置き、第３図イの矢印方向
にＩＣ３を押さえて基板１に半田付５後、第３図口に示
すようにラバー４を軟化させ高温状態で放置し、ラバー
４を軟化膨張させＩＣ３とラバー４およびラバー４とサ
ーマルブス２との間の空気層６を除去し、空気層にラバ
ーを浸透させ、しかる後第３図ハに示すように常温状態
で放置して、ラバーを軟化させ、Ｉ Ｃ３，ラバー４、
サーマルジス２相互間を完全密着させる。
このように構成されたものでは、ＩＣ３で発生する熱は
、ＩＣ３の底面ラバー４．サーマルブス２を経てサーマ
ルブス２の冷却部２１に吸収され、ＩＣが冷却されるが
、この際温度上昇の原因となる空気層を介さないで伝え
ることができるので、ＩＣの放熱が安定し、ＩＣの温度
上昇のバラツキかなくなる。
、ＩＣ３の底面ラバー４．サーマルブス２を経てサーマ
ルブス２の冷却部２１に吸収され、ＩＣが冷却されるが
、この際温度上昇の原因となる空気層を介さないで伝え
ることができるので、ＩＣの放熱が安定し、ＩＣの温度
上昇のバラツキかなくなる。
なお、この実施例では、高温放置後常温放置させる工程
によって製造するものについて説明したが、ＩＣを基板
に固定するものの半田付プロセスにおいて、半田層の周
囲温度を高温に保持した状態で、半田付プロセスを行っ
ても同じ構造のものを得ることができる。
によって製造するものについて説明したが、ＩＣを基板
に固定するものの半田付プロセスにおいて、半田層の周
囲温度を高温に保持した状態で、半田付プロセスを行っ
ても同じ構造のものを得ることができる。
また、これらの実施例では、サーマルブス付基板の場合
について説明したが、第４図に示すようにトランジスタ
８をラバー４を介して冷却フィン９に取付けるものに対
しても適用できる。
について説明したが、第４図に示すようにトランジスタ
８をラバー４を介して冷却フィン９に取付けるものに対
しても適用できる。
上記のようにこの発明による放熱ｖ１楕付電子装置は、
電子部品と放熱部材との間に熱伝導性が良く、高温で軟
化するラバーを挿入し、電子部品の取付後、ラバーの軟
化温度に放置させて、電子部品とラバーおよびラバーと
放熱部材との間の空気層を除去して完全に密着させたも
ので、ＩＣの温度上昇がおさえられＩＣの温度上昇のバ
ラツキをなくすことができ、信頼性が向上する。
電子部品と放熱部材との間に熱伝導性が良く、高温で軟
化するラバーを挿入し、電子部品の取付後、ラバーの軟
化温度に放置させて、電子部品とラバーおよびラバーと
放熱部材との間の空気層を除去して完全に密着させたも
ので、ＩＣの温度上昇がおさえられＩＣの温度上昇のバ
ラツキをなくすことができ、信頼性が向上する。
第１図〜第３図はいずれもこの発明の一実施例を示す図
で、第１図は分解組立斜視図、第２図は第１図の■−■
線の断面図、第３図イ１ロ、ハは製造工程を説明する断
面図、第４図はこの発明の他の実施例を示す分解組立斜
視図、第５図は従来のこの種放熱機構付電子装置を示す
斜視図である。 図中、１は基板、２はサーマルブス、２１は放熱部、３
はＩＣ１４はラバー、５は半田、６は空気層である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
で、第１図は分解組立斜視図、第２図は第１図の■−■
線の断面図、第３図イ１ロ、ハは製造工程を説明する断
面図、第４図はこの発明の他の実施例を示す分解組立斜
視図、第５図は従来のこの種放熱機構付電子装置を示す
斜視図である。 図中、１は基板、２はサーマルブス、２１は放熱部、３
はＩＣ１４はラバー、５は半田、６は空気層である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 放熱部材に熱伝導性の良好なラバーを介して電子部品
を取付けるものにおいて、電子部品をラバーを介して放
熱部材に固定した後、高温状態下でラバーを軟化膨張さ
せ電子部品とラバーおよびラバーと放熱部材との間の空
気層を除去するよう構成してなる放熱機構付電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213618A JPH03188698A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 放熱機構付電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213618A JPH03188698A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 放熱機構付電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188698A true JPH03188698A (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=16642156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1213618A Pending JPH03188698A (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 放熱機構付電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03188698A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5563773A (en) * | 1991-11-15 | 1996-10-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor module having multiple insulation and wiring layers |
| WO2002075755A1 (fr) * | 2001-03-21 | 2002-09-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition thermoconductrice absorbant les ondes electromagnetiques et feuille de dissipation de chaleur thermosensible absorbant les ondes electromagnetiques et procede de travail de dissipation de chaleur |
-
1989
- 1989-08-19 JP JP1213618A patent/JPH03188698A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5563773A (en) * | 1991-11-15 | 1996-10-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor module having multiple insulation and wiring layers |
| WO2002075755A1 (fr) * | 2001-03-21 | 2002-09-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition thermoconductrice absorbant les ondes electromagnetiques et feuille de dissipation de chaleur thermosensible absorbant les ondes electromagnetiques et procede de travail de dissipation de chaleur |
| US7417078B2 (en) | 2001-03-21 | 2008-08-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electromagnetic wave absorbing thermally conductive composition and thermosoftening electromagnetic wave absorbing heat dissipation sheet and method of heat dissipation work |
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