JPH031823B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH031823B2 JPH031823B2 JP60029136A JP2913685A JPH031823B2 JP H031823 B2 JPH031823 B2 JP H031823B2 JP 60029136 A JP60029136 A JP 60029136A JP 2913685 A JP2913685 A JP 2913685A JP H031823 B2 JPH031823 B2 JP H031823B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist
- cleaning
- projection aligner
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 50
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレジスト除去装置に係り、より詳細に
は、レジストを塗布した基板上にプロジエクシヨ
ンアライナによつてマスクパターンの投影露光を
行うに際し、その前工程として、基板上に塗布し
たレジスト部分のうちプロジエクシヨンアライナ
のパツド部に対応する部分を除去する装置に関す
る。
は、レジストを塗布した基板上にプロジエクシヨ
ンアライナによつてマスクパターンの投影露光を
行うに際し、その前工程として、基板上に塗布し
たレジスト部分のうちプロジエクシヨンアライナ
のパツド部に対応する部分を除去する装置に関す
る。
（従来の技術）
従来より、レジストを塗布した基板上にプロジ
エクシヨンアライナ等によつてマスクパターンの
投影露光を行うに際し、その前工程として、基板
上に塗布したレジストの不要部分を除去する装置
が種々提案されている。
エクシヨンアライナ等によつてマスクパターンの
投影露光を行うに際し、その前工程として、基板
上に塗布したレジストの不要部分を除去する装置
が種々提案されている。
例えば、特開昭58−98925号公報には、半導体
基板を保持して回転駆動する基板保持手段と、裏
面周縁部に水蜜パツキンが周設されこの水蜜パツ
キンを介して前記基板保持手段に保持された前記
半導体基板の表面に接面しその周辺部を除く主面
領域を被覆して前記基板保持手段と一体に回転駆
動する基板表面隠蔽部材と、前記半導体基板の前
記基板表面隠蔽部材で被覆されない周辺部に向け
て配置され前記半導体基板の露出周辺部及び側面
にホトレジスト溶剤を吹き付けるホトレジスト溶
剤吹付手段とを備えたレジスト除去装置が提案さ
れている。また、特開昭56−117123号公報には、
先端部にウエハ固着面を有して回転自在に立設さ
れたウエハチヤツクと、該ウエハチヤツクの近傍
に前記ウエハの周面が当接するように設けられた
多孔質部材と、該多孔質部材に接続された溶剤供
給管と、前記多孔質部材を前記ウエハチヤツクの
中心部に向かつて押し出しするように該溶剤供給
管に取付けられた弾性部剤とを具備したレジスト
除去装置が提案されている。
基板を保持して回転駆動する基板保持手段と、裏
面周縁部に水蜜パツキンが周設されこの水蜜パツ
キンを介して前記基板保持手段に保持された前記
半導体基板の表面に接面しその周辺部を除く主面
領域を被覆して前記基板保持手段と一体に回転駆
動する基板表面隠蔽部材と、前記半導体基板の前
記基板表面隠蔽部材で被覆されない周辺部に向け
て配置され前記半導体基板の露出周辺部及び側面
にホトレジスト溶剤を吹き付けるホトレジスト溶
剤吹付手段とを備えたレジスト除去装置が提案さ
れている。また、特開昭56−117123号公報には、
先端部にウエハ固着面を有して回転自在に立設さ
れたウエハチヤツクと、該ウエハチヤツクの近傍
に前記ウエハの周面が当接するように設けられた
多孔質部材と、該多孔質部材に接続された溶剤供
給管と、前記多孔質部材を前記ウエハチヤツクの
中心部に向かつて押し出しするように該溶剤供給
管に取付けられた弾性部剤とを具備したレジスト
除去装置が提案されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記した両レジスト除去装置
は、共にウエハ（半導体基板）の周縁の全周に渡
つてレジスト膜を除去することから、レジスト膜
の塗布面が小さくなり、生産性が低下する。次工
程のプロジエクシヨンアライナ等によるマスクパ
ターンの投影露光において本来除去する必要の無
い部分まで除去することから、除去するための溶
剤も多量に必要となり、不経済であるといつた問
題があつた。また、両レジスト除去装置は、ウエ
ハを回転させるための回転機構が必要であり、そ
の構造が複雑になるといつた問題もあつた。さら
に、前者のレジスト除去装置では、ウエハが偏心
した状態で基板保持手段に保持されると共に、こ
の偏心した状態で基板表面隠蔽部材によりウエハ
表面が隠蔽された場合には、レジスト膜の除去部
分が片寄り、除去すべき部分が除去されないで残
るといつた状態が発生する。そしてこの場合に
は、次工程のプロジエクシヨンアライナによつて
投影露光するときに、プロジエクシヨンアライナ
のパツド部にこの除去されないレジストが付着
し、露光焦点がずれて投影像のボケが生じると共
に、解像性が失われる結果、パターンの寸法変動
や変形等が発生し、半導体装置にあつては回路の
短絡や断線といつた重大な問題が発生する。
は、共にウエハ（半導体基板）の周縁の全周に渡
つてレジスト膜を除去することから、レジスト膜
の塗布面が小さくなり、生産性が低下する。次工
程のプロジエクシヨンアライナ等によるマスクパ
ターンの投影露光において本来除去する必要の無
い部分まで除去することから、除去するための溶
剤も多量に必要となり、不経済であるといつた問
題があつた。また、両レジスト除去装置は、ウエ
ハを回転させるための回転機構が必要であり、そ
の構造が複雑になるといつた問題もあつた。さら
に、前者のレジスト除去装置では、ウエハが偏心
した状態で基板保持手段に保持されると共に、こ
の偏心した状態で基板表面隠蔽部材によりウエハ
表面が隠蔽された場合には、レジスト膜の除去部
分が片寄り、除去すべき部分が除去されないで残
るといつた状態が発生する。そしてこの場合に
は、次工程のプロジエクシヨンアライナによつて
投影露光するときに、プロジエクシヨンアライナ
のパツド部にこの除去されないレジストが付着
し、露光焦点がずれて投影像のボケが生じると共
に、解像性が失われる結果、パターンの寸法変動
や変形等が発生し、半導体装置にあつては回路の
短絡や断線といつた重大な問題が発生する。
本発明は係る実情に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、レジストを除去する部分の形状、大き
さ、基板上での位置等を予め設定し、プロジエク
シヨンアライナのパツド部分に対応する基板上の
レジスト部分のみを選択的に除去するレジスト除
去装置を提供することにある。
の目的は、レジストを除去する部分の形状、大き
さ、基板上での位置等を予め設定し、プロジエク
シヨンアライナのパツド部分に対応する基板上の
レジスト部分のみを選択的に除去するレジスト除
去装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するため、本発明のレジスト除
去装置は、プロジエクシヨンアライナのパツド部
の位置に対応するように、上端が開口された洗浄
チヤツクが配置されると共に、該洗浄チヤツクの
前記開口部の形状が前記パツド部の形状と略同形
状に形成され、このように形成された開口部の近
傍に、基板の周縁部と当接することにより該基板
の位置合わせを行う当接部が形成され、一方前記
洗浄チヤツク内に、前記開口部に載置された基板
上のレジスト部分を除去するための洗浄液供給部
が設けられると共に、該洗浄液供給部の下方位置
に該洗浄液を吸引する真空吸引口が設けられた構
成とする。
去装置は、プロジエクシヨンアライナのパツド部
の位置に対応するように、上端が開口された洗浄
チヤツクが配置されると共に、該洗浄チヤツクの
前記開口部の形状が前記パツド部の形状と略同形
状に形成され、このように形成された開口部の近
傍に、基板の周縁部と当接することにより該基板
の位置合わせを行う当接部が形成され、一方前記
洗浄チヤツク内に、前記開口部に載置された基板
上のレジスト部分を除去するための洗浄液供給部
が設けられると共に、該洗浄液供給部の下方位置
に該洗浄液を吸引する真空吸引口が設けられた構
成とする。
（作用）
プロジエクシヨンアライナのパツド部の位置に
対応するように、上端が開口された洗浄チヤツク
を配置する。すなわち、プロジエクシヨンアライ
ナのパツド部が例えば周縁の３箇所にある場合に
は、その各位置に対応した３箇所に前記洗浄チヤ
ツクを配置する。そして、これら洗浄チヤツクの
開口部の形状を基板上のレジスト除去部分の形
状、すなわちプロジエクシヨンアライナのパツド
部の形状と略同形状に形成する。また、このよう
に形成した開口部の周縁に、基板の周縁部と当接
することにより該基板の位置合わせを行う当接部
を形成する。そして、このように配置された各洗
浄チヤツク内に、前記開口部に載置された基板上
のレジスト部分を除去するための洗浄液供給部を
設けている。この洗浄液供給部の下方位置には、
該洗浄液を吸引して排出する真空吸引口が設けら
れている。
対応するように、上端が開口された洗浄チヤツク
を配置する。すなわち、プロジエクシヨンアライ
ナのパツド部が例えば周縁の３箇所にある場合に
は、その各位置に対応した３箇所に前記洗浄チヤ
ツクを配置する。そして、これら洗浄チヤツクの
開口部の形状を基板上のレジスト除去部分の形
状、すなわちプロジエクシヨンアライナのパツド
部の形状と略同形状に形成する。また、このよう
に形成した開口部の周縁に、基板の周縁部と当接
することにより該基板の位置合わせを行う当接部
を形成する。そして、このように配置された各洗
浄チヤツク内に、前記開口部に載置された基板上
のレジスト部分を除去するための洗浄液供給部を
設けている。この洗浄液供給部の下方位置には、
該洗浄液を吸引して排出する真空吸引口が設けら
れている。
すなわち、上記のように構成すると、３個の洗
浄チヤツクの各開口部に、基板のレジスト膜面を
下にしてその周縁部を載置し、洗浄液供給部から
洗浄液をレジスト膜面に向かつて噴射することに
より、次工程でのプロジエクシヨンアライナのパ
ツド部分に対応する基板上のレジスト部分のみを
選択的に除去することが可能となる。
浄チヤツクの各開口部に、基板のレジスト膜面を
下にしてその周縁部を載置し、洗浄液供給部から
洗浄液をレジスト膜面に向かつて噴射することに
より、次工程でのプロジエクシヨンアライナのパ
ツド部分に対応する基板上のレジスト部分のみを
選択的に除去することが可能となる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。
する。
プロジエクシヨンアライナによりパターンの投
影露光を行うまでの一般的な工程は、次の通りで
ある。
影露光を行うまでの一般的な工程は、次の通りで
ある。
すなわち、第１図及び第２図に示すように、基
板１上にレジスト２を、例えば回転塗布法等によ
り塗布した後、レジスト２を基板１に固定すべく
所定の温度で焼成及び乾燥を行う。そして、この
ように形成された基板１をプロジエクシヨンアラ
イナの基板装填部３に装填する前に、基板１上か
らプロジエクシヨンアライナの焦点位置決めパツ
ド部（以下、単にパツド部という。）４……に対
応する部分２ａのレジストを、本発明のレジスト
除去装置により除去し、この後プロジエクシヨン
アライナによつて基板１のレジスト面に投影露光
を行うものである。
板１上にレジスト２を、例えば回転塗布法等によ
り塗布した後、レジスト２を基板１に固定すべく
所定の温度で焼成及び乾燥を行う。そして、この
ように形成された基板１をプロジエクシヨンアラ
イナの基板装填部３に装填する前に、基板１上か
らプロジエクシヨンアライナの焦点位置決めパツ
ド部（以下、単にパツド部という。）４……に対
応する部分２ａのレジストを、本発明のレジスト
除去装置により除去し、この後プロジエクシヨン
アライナによつて基板１のレジスト面に投影露光
を行うものである。
第３図ａ，ｂは、上記工程において用いられる
本発明のレジスト除去装置の構造を示している。
ただし、プロジエクシヨンアライナのパツド部４
が３箇所にある場合には、同図に示すレジスト除
去装置もそのパツド４……の各位置に対応するよ
うに３箇所に配置される。
本発明のレジスト除去装置の構造を示している。
ただし、プロジエクシヨンアライナのパツド部４
が３箇所にある場合には、同図に示すレジスト除
去装置もそのパツド４……の各位置に対応するよ
うに３箇所に配置される。
同図において、５は上端が開口された有底の洗
浄チヤツクで、その断面はレジスト２の除去部分
の形状と略同形に形成されており、この洗浄チヤ
ツクの上端開口部に基板１の周縁部が装置される
ようになつている。また、この上端開口部の周縁
の一部には、基板１の周縁を当接させることによ
り該基板１のレジスト除去部分と洗浄チヤツク５
の上端開口部との位置合わせを行うための当接部
５ａが上方に突出して設けられている。そして、
このように形成された洗浄チヤツク５の内部に
は、洗浄チヤツク５よりも細い洗浄噴射ノズル６
が下方から嵌挿されており、その先端は洗浄チヤ
ツク５の上端開口部の中心に臨まされ、基端は洗
浄液タンク７内に導かれている。また、洗浄チヤ
ツク５の下部の周壁には、真空吸引口５ｂが設け
られており、この真空吸引口５ｂから洗浄チヤツ
ク５内を真空に引くことにより、載置された基板
１を吸着固定すると共に、洗浄タンク７内の洗浄
液８が洗浄ノズル６より基板１に向かつて噴射さ
れ、基板１上（図面では下面）のレズスト、すな
わち洗浄チヤツク５の上端開口部に相当する領域
のレジストが洗浄、除去される。
浄チヤツクで、その断面はレジスト２の除去部分
の形状と略同形に形成されており、この洗浄チヤ
ツクの上端開口部に基板１の周縁部が装置される
ようになつている。また、この上端開口部の周縁
の一部には、基板１の周縁を当接させることによ
り該基板１のレジスト除去部分と洗浄チヤツク５
の上端開口部との位置合わせを行うための当接部
５ａが上方に突出して設けられている。そして、
このように形成された洗浄チヤツク５の内部に
は、洗浄チヤツク５よりも細い洗浄噴射ノズル６
が下方から嵌挿されており、その先端は洗浄チヤ
ツク５の上端開口部の中心に臨まされ、基端は洗
浄液タンク７内に導かれている。また、洗浄チヤ
ツク５の下部の周壁には、真空吸引口５ｂが設け
られており、この真空吸引口５ｂから洗浄チヤツ
ク５内を真空に引くことにより、載置された基板
１を吸着固定すると共に、洗浄タンク７内の洗浄
液８が洗浄ノズル６より基板１に向かつて噴射さ
れ、基板１上（図面では下面）のレズスト、すな
わち洗浄チヤツク５の上端開口部に相当する領域
のレジストが洗浄、除去される。
このようにして、第１図に示すように、プロジ
エクシヨンアライナのパツド部４……に対応する
レジスト部分２ａ……のみが除去されることにな
る。
エクシヨンアライナのパツド部４……に対応する
レジスト部分２ａ……のみが除去されることにな
る。
なお、洗浄液８としては、レジストの種類に応
じな溶剤が用いられる。
じな溶剤が用いられる。
また、レジスト除去は、上記した洗浄噴射ノズ
ル６による洗浄液の噴射による方法に限定される
のではなく、例えば洗浄液を含浸させたスポンジ
状のものや保水性を有する繊維状の集合体を洗浄
チヤツク５内に配置し、上端開口部に位置する基
板１上のレジスト部分２ａに接触させてレジスト
除去を行うようにしてもよい。
ル６による洗浄液の噴射による方法に限定される
のではなく、例えば洗浄液を含浸させたスポンジ
状のものや保水性を有する繊維状の集合体を洗浄
チヤツク５内に配置し、上端開口部に位置する基
板１上のレジスト部分２ａに接触させてレジスト
除去を行うようにしてもよい。
（発明の効果）
本発明のレジスト除去装置は、プロジエクシヨ
ンアライナのパツド部の位置に対応するように、
上端を開口した洗浄チヤツクを配置すると共に、
該洗浄チヤツクの前記開口部の形状を基板上のレ
ジスト除去部分の形状と略同形状に形成し、この
ように形成した開口部の近傍に、基板の周縁部と
当接することにより該基板の位置合わせを行う当
接部を形成し、一方前記洗浄チヤツク内に、前記
開口部に載置した基板上のレジスト部分を除去す
る洗浄液供給部を設けた構成としたので、プロジ
エクシヨンアライナのパツド部に対応する基板上
のレジスト部分のみを選択的に効率よく除去する
ことができる。また、プロジエクシヨンアライナ
のパツド部に対応する基板上のレジスト部分のみ
を除去することから、従来装置に比べてレジスト
の塗布面の減少を最小限度に抑えることができ、
これにより基板の生産性の低下も最小限度に抑え
ることができる。さらに、除去する必要の有る部
分だけを除去することから、従来装置に比べて除
去するための溶剤が小量で剤み、経済的である。
さらにまた、従来装置のように基板を回転させる
機構を必要としないことから、全体的な構造を簡
略化できる。さらにまた、プロジエクシヨンアラ
イナのパツド部に対応する基板上のレジスト部分
を確実に除去することができるので、基板表面を
プロジエクシヨンアライナの焦点位置に常に正し
く配置することができ、これによりパターンの寸
法変動や変形等の発生も確実に防止できる。
ンアライナのパツド部の位置に対応するように、
上端を開口した洗浄チヤツクを配置すると共に、
該洗浄チヤツクの前記開口部の形状を基板上のレ
ジスト除去部分の形状と略同形状に形成し、この
ように形成した開口部の近傍に、基板の周縁部と
当接することにより該基板の位置合わせを行う当
接部を形成し、一方前記洗浄チヤツク内に、前記
開口部に載置した基板上のレジスト部分を除去す
る洗浄液供給部を設けた構成としたので、プロジ
エクシヨンアライナのパツド部に対応する基板上
のレジスト部分のみを選択的に効率よく除去する
ことができる。また、プロジエクシヨンアライナ
のパツド部に対応する基板上のレジスト部分のみ
を除去することから、従来装置に比べてレジスト
の塗布面の減少を最小限度に抑えることができ、
これにより基板の生産性の低下も最小限度に抑え
ることができる。さらに、除去する必要の有る部
分だけを除去することから、従来装置に比べて除
去するための溶剤が小量で剤み、経済的である。
さらにまた、従来装置のように基板を回転させる
機構を必要としないことから、全体的な構造を簡
略化できる。さらにまた、プロジエクシヨンアラ
イナのパツド部に対応する基板上のレジスト部分
を確実に除去することができるので、基板表面を
プロジエクシヨンアライナの焦点位置に常に正し
く配置することができ、これによりパターンの寸
法変動や変形等の発生も確実に防止できる。
第１図は基板の平面図、第２図はプロジエクシ
ヨンアライナの基板装填部を示す底面図、第３図
ａ，ｂは本発明のレジスト除去装置の構造を示す
一部平面図及び断面図である。 １……基板、２……レジスト、２ａ……焦点位
置決めパツドに対応する部分、４……焦点位置決
めパツド部、５……洗浄チヤツク、５ａ……当接
部、６……洗浄噴射ノズル、７……洗浄タンク、
８……洗浄液。
ヨンアライナの基板装填部を示す底面図、第３図
ａ，ｂは本発明のレジスト除去装置の構造を示す
一部平面図及び断面図である。 １……基板、２……レジスト、２ａ……焦点位
置決めパツドに対応する部分、４……焦点位置決
めパツド部、５……洗浄チヤツク、５ａ……当接
部、６……洗浄噴射ノズル、７……洗浄タンク、
８……洗浄液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レジストを塗布した基板上にプロジエクシヨ
ンアライナによつてマスクパターンの投影露光を
行うに際し、その前工程として、基板上に塗布し
たレジスト部分のうちプロジエクシヨンアライナ
のパツド部に対応するレジスト部分のみを除去す
る装置であつて、 前記プロジエクシヨンアライナのパツド部の位
置に対応するように、上端が開口された洗浄チヤ
ツクが配置されると共に、該洗浄チヤツクの前記
開口部の形状が前記パツド部の形状と略同形状に
形成され、このように形成された開口部の近傍
に、基板の周縁部と当接することにより該基板の
位置合わせを行う当接部が形成され、一方前記洗
浄チヤツク内に、前記開口部に載置された基板上
のレジスト部分を除去するための洗浄液供給部が
設けられると共に、該洗浄液供給部の下方位置に
該洗浄液を吸引する真空吸引口が設けられたこと
を特徴とするレジスト除去装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029136A JPS61188934A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | レジスト除去装置 |
| US07/309,904 US4904570A (en) | 1985-02-15 | 1989-02-09 | Method of using a projection aligner for photoetching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029136A JPS61188934A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | レジスト除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188934A JPS61188934A (ja) | 1986-08-22 |
| JPH031823B2 true JPH031823B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=12267866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60029136A Granted JPS61188934A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | レジスト除去装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4904570A (ja) |
| JP (1) | JPS61188934A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2601335B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1997-04-16 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光装置 |
| JPH06105674B2 (ja) * | 1989-06-03 | 1994-12-21 | シャープ株式会社 | 膜除去装置 |
| US5168021A (en) * | 1989-09-21 | 1992-12-01 | Ushio Denki | Method for exposing predetermined area of peripheral part of wafer |
| US7008487B1 (en) | 2002-03-04 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Method and system for removal of contaminates from phaseshift photomasks |
| CN100573343C (zh) * | 2006-02-27 | 2009-12-23 | 探微科技股份有限公司 | 晶边清洗的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5898925A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| JPS59117123A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-06 | Toshiba Corp | レジスト除去装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4068947A (en) * | 1973-03-09 | 1978-01-17 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical projection and scanning apparatus |
| US4198159A (en) * | 1978-12-29 | 1980-04-15 | International Business Machines Corporation | Optical alignment system in projection printing |
| US4518678A (en) * | 1983-12-16 | 1985-05-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective removal of coating material on a coated substrate |
-
1985
- 1985-02-15 JP JP60029136A patent/JPS61188934A/ja active Granted
-
1989
- 1989-02-09 US US07/309,904 patent/US4904570A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5898925A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| JPS59117123A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-06 | Toshiba Corp | レジスト除去装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61188934A (ja) | 1986-08-22 |
| US4904570A (en) | 1990-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5294257A (en) | Edge masking spin tool | |
| JPH031823B2 (ja) | ||
| TWI770727B (zh) | 晶圓清洗裝置及清洗晶圓的方法 | |
| JPH09298181A (ja) | 基板の裏面洗浄装置 | |
| JPH10321517A (ja) | 処理方法 | |
| JPH05190442A (ja) | 薬液処理装置 | |
| JP3160832B2 (ja) | 塗布膜形成方法及びその装置 | |
| JPS5941300B2 (ja) | 現像処理装置 | |
| JPH0554187B2 (ja) | ||
| JP2537611B2 (ja) | 塗布材料の塗布装置 | |
| JPH03256321A (ja) | レジスト膜形成装置 | |
| KR100260513B1 (ko) | 현상기 컵내 찌꺼기 입자원 저감기 | |
| JP3119616B2 (ja) | 現像装置 | |
| JPS6226814A (ja) | 露光装置 | |
| JPH11186123A (ja) | ウエーハ上に形成された感光膜の現像方法 | |
| KR0165480B1 (ko) | 포토레지스트 도포장치 | |
| KR200242615Y1 (ko) | 웨이퍼 테두리에 도포된 감광막 제거장치 | |
| JPH04155915A (ja) | 被処理基板の現像方法 | |
| JPH08330211A (ja) | フォトレジスト現像装置、およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造装置、ならびに現像処理方法 | |
| KR100217326B1 (ko) | 반도체 제조설비에서 스피너장치 | |
| JP2533461Y2 (ja) | 基板の回転式現像処理装置 | |
| JP3271063B2 (ja) | 塗布膜形成方法及びその装置 | |
| KR20050106562A (ko) | 스핀 코터 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
| JP2001157867A (ja) | 塗布膜形成方法および塗布処理装置 | |
| JPH04278518A (ja) | 半導体装置の製造方法と半導体製造装置 |