JPH03179243A - スルーホール充填状態検査装置 - Google Patents

スルーホール充填状態検査装置

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JPH03179243A
JPH03179243A JP31837989A JP31837989A JPH03179243A JP H03179243 A JPH03179243 A JP H03179243A JP 31837989 A JP31837989 A JP 31837989A JP 31837989 A JP31837989 A JP 31837989A JP H03179243 A JPH03179243 A JP H03179243A
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JP
Japan
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filling
detection signal
hole
circuit
state detection
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JP31837989A
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English (en)
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Koji Oka
浩司 岡
Moritoshi Ando
護俊 安藤
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (概要〕 プリント基板のスルーホール内部に充填された導通材料
の充填状態を検査するスルーホール充填状態検査装置に
関し、 充填不足の深さが規格以内のスルーホールの過剰検出を
防止することを目的とし、 充填材が充填されたスルーホールを有する被検査物にビ
ームを照射し、該スルーホールの表面及び斜方向の反射
光により表面状態検知信号及び充填状態検知信号を得、
該表面状態検知信号を第1の多値化回路により多値化信
号として表面状態検査回路により欠陥を検査すると共に
、該充填状態検知信号を第2の多値化回路により多値化
信号として充填状態検査回路により欠陥を検査するスル
ー小−ル充填状態検査装置において、前記第1の多値化
回路からの多値化表面状態検知信号を所定量縮小する縮
小回路と、該縮小回路で縮小された多値化表面状態検知
信号内における前記多値化充填状態検知信器のみを前記
充填状態検査回路で検査させる処理回路とを有するよう
に構成する。
〔g梁上の利用分野) 本発明は、プリント基板のスルーホール内部に充填され
た導通材料の充填状態を検査するスルーホール充填状態
検査装置に関する。
近年、プリント基板の高密度化、高速化に什い、プリン
1〜単板を多層化する傾向にある。特にセラミックJi
<板の場合、各プリント基板に□間の電気的接続を(り
るためにスルーホールを設けて導通材料を充填し、これ
らを積層している。従って、積層された各プリン1−基
板内のスルーホールが導通[1によって完全に充填され
ていることが要求されている。このため、スルーホール
の充填状態を正確に検査づる必要がある。
〔従来の技術〕 近年、熱伝導率が良好なセラミック系素材を用いたプリ
ン1〜単板が製造されるようになった。このようなプリ
ント基板は、例えば、多層基板の各層を積層する前に、
−枚毎に孔(バイア)を穿設し、この内部に導通材料(
例えば、モリブデン、タングステン、銅等の金属粒子と
溶剤の混合物)を充填してRlIに各層を重ね合わせた
後、焼結して全体を完成させている。
第4図に従来のスルーホール充填状態検査装置の構成図
を示す。第4図において、レーザ光源10からのレーザ
光をビームエクスパンダ11により拡大し、ミラー12
で反射させてビームスプリッタ13を通過させる。ビー
ムスプリッタ13を通過したレーザ光を、回転多面鏡1
4により走査を行う。回転多面鏡14に反射したレーザ
光は、走査レンズ15によりスポット状に集光され、ミ
ラー16を介してアーブル17に載置された検査対象で
あるプリント基板18上で走査(第4図矢印)される。
プリント基板18からの反射光は、入射光と同一の経路
で帰還し、ビームスプリッタ13により反羽光成分が分
離される。この反射光は、再結像用レンズ19により再
結像され、再結像山土に配置された空間フィルター20
を通過しで、第1の光電子増倍管21にて検知される。
第1の光電子増倍管21による検知信号は、プリント1
ti18を上面から観測した場合に相当する信号(表面
状態検査回路)である。一方、プリント基板18からの
反射光は、レーザー光入射方向に対して斜方向(角度θ
)からも、第2の光電子増倍管22にて検知される。第
2の光電f増倍管22で検知される信号は、プリント基
板18のスルーホール充填状態にス4応した信g(充填
状態検査回路])であり、スルーホール充填不足等の欠
陥(後述する)が存在する場合に陰影として検知される
。第1の光電子増倍管21で検知された信号は、第1の
二値化回路23で可変抵抗24のスライスレベルAと比
較され、表面状態検査回路25により欠陥の有無を判断
し、その結果の情報を情報部26に出力される。また、
第2の光電f増f8管22で検知された信号は、第2の
二値化回路27で可変抵抗28のスライスレベルBと比
較され、充填状態検査回路29により欠陥の有無を判断
し、その結果の情報が情報部26に出力される。。
ここで、プリント基板18の構成図を第5図に示す。第
5図にお()るプリント基板18は、所定数のスルーホ
ール18a・・・が穿設され、このスル−ボール18a
内部に導通材料18bが充填されたものである。
また、第6図に該プリント基板18のスルーホル18a
の充填状態の部分断面図を示4o第6図(A)はスルー
ホール18aに導通材料18bが正常に充填された場合
を示している。一方、第6図(B)〜(「)は欠陥の場
合であり、第6図(B)は充填不足、第6図(C)は貫
通、第6図(D)は未充填、第6図(E)はにじみ、第
6図(F)は未完@(ボイド)の状態である。
次に、第4図における第1及び第2の光電J−j曽fB
管21.22から送出される信g処理を第7図により説
明する。まず、スルーホール18aにおける導通材料1
8bの光反射率はプリント基板18表面の光反射率より
も小さいことから、一般的にはスルーホール18a、導
通材料18bが暗く検知される。第7図(A)のような
プリント基板18の充填状態における第1の光電f倍増
管21の出力@(表面状態信弓、第7図(B))を、第
1の二値化回路23において所定のスライスレベルAで
二値化し、二値化された表面状態検知信号Oを得る(第
7図(C)〉。この表面状態検知信goを表面状態検査
回路25内の画像バッファ(図示t!f)によりパター
ン化し、表面状態検知パターン(第7図(F))とする
。この検知パターンは、表面状態検査回路25内で、例
えばラジアルマツチング検査論理(特開昭62−263
404号〉と称されるパターン形状による良否判断によ
り、第6図(E〉 (第7図(Add)のにじみ等の欠
陥を検出する。
一方、第2の光電子増倍管22の出力@(充填状態検知
信号、第7図(D〉)を第2の二値化回路27において
、陰影部のみを抽出する所定のスライスレベルBで二値
化し、二値化された充填状態検知信号Oを得る(第7図
〈E))。この充填状態検知信、9を充填状態検査回路
29内の画像バッファ(図示せず)によりパターン化し
、充填状態検知パターン(第7図(G))とする1、こ
の検知パターンは、充填状態検査回路2つで陰影パター
ンの大小等を検査され、第6図(B)〜(D>、(F)
の充填不足、貫通、未充填、未充填(ボイド)の欠陥を
検出する12例えば、第7図(Δ)に示すように、陰影
パターンが1画素10μmのドットマl−リクス内に1
画素(斜線部SA)以上に存在すれば欠陥と判定するこ
ともでき、又は、第8図(B)に示すように、検知パタ
ーン(第7図(G))の面積Ss  (画素数)が規定
値Ss以上か、未満かで判断し、未満であれば正常と判
定する。
ところで、第9図に、各スルーホール充填状態における
上記充填状態検知パターンを示す。第9図(A)におい
て、導通材料18bの充填状態がプリント基板18の表
面より深さdL以上であれば正常状態とした場合、スル
ーホールa、bは正帛であり、スルーホールc、dは欠
陥とムる。この場合の充填状態検知パターン(陰影部分
で第8図<A)tA掛は部分〉は第9図(B)に示され
る。
すなわち、スルーホールaは、陰影が全く存在しぺいの
で、充填状態検知パターンは検知されない。
スルーホールbは、若干の陰影が存在するために、スル
ーホールの周囲に細い三日月状の充填状態検知パターン
が検知される。スルーホールCは、陰影が多いために、
充填状態検知パターンもまた大きく検知される。スルー
ホールdは、中央部の未充填部分が全て陰影となるため
に、中央部に微小な円形状の充填状態検知パターンが検
知される。
〔弁明が解決しようとする課題〕
しかし、第9図(B)に示す充填状態検知パターンを、
第8図(B)のような面積に基づいて検査を行う場合、
スルーホールc、dを欠陥と判定されるが、スルーボー
ルbまでが欠陥として検出される。すなわち、充填不足
の深さが規格(dL)以内のスルーホールが欠陥として
過剰に検出されるという問題があった。
そこで本発明は上記課題に鑑みなされたもので、充填不
足の深さが規格以内のスルーホールの過剰検出を防止す
るスルーホール充填状態検出装置を提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段〕
第1図に本発明の原理説明図を示す、1第1図のスルー
ホール充填状態検査装置1において、2は第1の多値化
回路であり、表面状態検知信号を多値化信号とする、3
は第2の多値化回路であり、充填状態検知信号を多値化
信号とする1、ここで、表面状態検知信号及び充填状態
検知信号は、充填材(導通材料〉が充填されたスルーホ
ールを有する被検査物にビームを照射し、スルーボール
の表面及び斜方向の反射光より得るものである。
4は表面状態検査回路であり、多値化表面状態検知信号
によりスルーホールの表面状態の欠陥を検査し、情報部
5に出力する。6は充填状態検査回路であり、多値化充
填状態検知信号によりスルーホールの充填状態の欠陥を
検査し、情報部5に出力する。
また、7は縮小回路であり、第1の多値化回路2からの
多値化充填状態検知信号を所定量縮小する、18は処理
回路であり、縮小量′t87で縮小された多舶化表面状
態検知信目内における多値化充填状態検知信号を充填状
態検査回路で検査させるものである。
(fl用) 第1図に承りように、充填状態検知信号を処理するにあ
たり、縮小回路7により多値化充填状態検知信号]を縮
小している。これは、許容範囲内で充填不足の場合に、
周囲部分の陰影により欠陥と111定されるのを防止す
るためである。
そして、この縮小された多値化表面状態検知信らの範囲
内の多値化充填状態検知信号のみを抽出し、この多値化
充填状態検知信号を基に充填状態検査回路6において、
欠陥の検査を行っている。
これにより、深さが規格以内の充填不足を有するスルー
ホールにおいても、正確に欠陥の有無の検査を?jうこ
とが可能となる。
(実膿例) 第2図に本発明の一実施例の構成図を示す、1なお、第
4図と同一部分は同−符gを何す。第2図のスルーホー
ル充填状態検査回路1は、第4図にJjける光学系の構
成並びに動性及び表面状態検知18g、充填状態検知信
号の検出方法と同様である、。
また、表面状態検査回路25及び充填状態検査回路29
においてもその機能及び処理は同様である。1第2図に
おける検知信号の処理を説明すると、まず、第1の光電
子増倍管21により検知された表面状態検査回路重□、
第1の多値化回路である二値化回路2 (23)により
可変抵抗24で設定されたスライスレベルで二値化する
ことにより、二偵化表面状態検知信g0を得る。二値化
表面状態検知信goは、表面状態検査回路4 (25)
に入力され、表面状態が検査される。また、二値化充填
状態検知信号Oは、同時に、縮小回路7の画像バック7
30にも入力され、二次元パターン化される。この表面
状態検知パターン@に対して、縮小回路7のパターン縮
小回路31により、予め設定された縮小量(例えば縮小
ビット数)だけ縮小処理が施される。縮小処理は、各ス
ル−ホールについて、その中心を基準とした全ての方向
についrkされ、スルーホール全体が一様に縮小される
1、縮小された表面状態検知パターン(、i、パターン
縮小回路から、再び順次読み出され、縮小された表面状
態検知+z 目(3が作成される。一方、第2の光電γ
増(8管22により検知された充頃状態検″7JI信翼
す)を、第2の多値化回路である二値化回路3 (27
>により陰影部のみを抽出するために可変祇抗28で設
定されたスライスレベルで二値化することにより二値化
充填状態検知信号6※得る。
二舶化ff、填状態検知信goは処理回路8であるAN
l)ffi理回路32に入力され、苅応する縮小された
二値化表面状態検知信号[相]との間で、AND!II
!1理が施される。すなわち、AND処理回路32によ
り縮小された二値化表面状態検知信号0の範囲内で二値
化充填状態検知信号[相]を196゜そして、二値化充
填状態検知信=0は充填状態検査回路6〈29〉により
欠陥の有無が検査され、欠陥とされるスルーホールにつ
いては、その侍置秀の情報が情報部5 (26)に出力
される。
次に、第3図に上記処理におけるパターン図をホす。第
3図(A)は、第9図(A)と同様なスルーホール18
aに導通材料18bが充填されたプリント卓板18の断
面図であり、スルーホールaf、tiI−常、スルーホ
ールbは深さが規格dL以内の正常とされる充填不足、
スルーボールCは欠陥とされる充填不足、スルーホール
dは欠陥とされる未充填である。これらの表面状態検知
信g@が二値化され、画像バッファ30でパターン化さ
れた表面状態検知パターン0は、各スルーホール共、同
#!な円形状のパターンとなる〈第3図(B))。
そして、この表面状態検知パターン縮小回路がパターン
縮小回路31により設定量だけ縮小される(第3図(C
))。
一方、二値化充填状態検知信qoに対応する充填状態検
知パターンは第3図(D)に示され、スルーボールb、
cは充填不足の深さによりその陰影部(三日月斜線部)
が表われる。この充填状態検知パターン◎(第3図〈D
))と縮小された表面状態検知パターン0(第3図(C
))とをAND処即回路32により処理する。これによ
り、表面状態検知パターン◎が存在する領域のみの充填
状態検知パターンOを抽出する(第3図(E〉〉。
すなわち、第3図(D)のスルーホールbに存在づる細
い三日月状の充填状態検知パターンが削除される。
そして、この充填状態検知パターン0嶌充填状態検査回
路6 (29>により、第8図(B)のような、パター
ンの面積に基づいて比較を行う。この場合、第3図(E
)において、スルーホールa。
bは充填状態検知パターンが全く存在しないために、1
しく正常と判定される。一方、スルーホールc、dは欠
陥と判定され、その旨の情報が情報部5 (26)に出
力される。
このように、本来正常なスルーホールを欠陥と判定する
ことなく、過剰検出が防止される。1なお、上記実施例
では表面状態検知(E+号@汲び充填状態検知信Seを
二値化処理して行っているが、これに限らずそれ以↓の
多値化で処理することも可能であり、検査精度を向上さ
せることができる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、多偵化表面払態検知信弓
を縮小し、この範囲内で多値化充填状態検知信相を抽出
することにより、深さが規格以内の充填不足を有するス
ルーホールの過剰検出を防止することができ、検査装置
の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理説明図、 第2図は本発明の一実施例の構成図、 第3図は第2図におけるパターン図、 第4図は従来のスルーホール充填状態検査装置の構成図
、 第5図は充填されたスルーホールを有するプリント基板
の構成図、 第6図はスルーホール充填状態を示した部分断面図、 第7図は従来の装置における信弓処理を示した説明図、 第8図は従来の陰影パターンの検査を説明するための図
、 第9図は従来の充填状態を示したパターン図である。 図において、 1はスルーホール充填状態検査装置、 2は第1の多値化回路、 3は第2の多値化回路、 4は表面状態検査回路、 5は情報部、 6は充填状態検査回路、 7は縮小回路、 8は処理回路 を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 充填材が充填されたスルーホールを有する被検査物にビ
    ームを照射し、該スルーホールの表面及び斜方向の反射
    光により表面状態検知信号及び充填状態検知信号を得、
    該表面状態検知信号を第1の多値化回路(2)により多
    値化信号として表面状態検査回路(4)により欠陥を検
    査すると共に、該充填状態検知信号を第2の多値化回路
    (3)により多値化信号として充填状態検査回路(6)
    により欠陥を検査するスルーホール充填状態検査装置に
    おいて、 前記第1の多値化回路(2)からの多価化表面状態検知
    信号を所定量縮小する縮小回路(7)と、該縮小回路(
    7)で縮小された多価化表面状態検知信号内における前
    記多値化充填状態検知信号のみを前記充填状態検査回路
    (6)で検査させる処理回路(8)と、 を有することを特徴とするスルーホール充填状態検査装
    置。
JP31837989A 1989-12-07 1989-12-07 スルーホール充填状態検査装置 Pending JPH03179243A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204307A (ja) * 1992-10-30 1994-07-22 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 光学的検査方法および装置
JP2008032601A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Toray Ind Inc 中空糸膜モジュールの検査方法および検査装置
JP2022119894A (ja) * 2014-02-12 2022-08-17 ケーエルエー コーポレイション 半導体試料内の瑕疵を検出又は精査するシステム

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JP2008032601A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Toray Ind Inc 中空糸膜モジュールの検査方法および検査装置
JP2022119894A (ja) * 2014-02-12 2022-08-17 ケーエルエー コーポレイション 半導体試料内の瑕疵を検出又は精査するシステム

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