JPH03178013A - 狭トラック磁気ヘッド - Google Patents
狭トラック磁気ヘッドInfo
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- JPH03178013A JPH03178013A JP31702389A JP31702389A JPH03178013A JP H03178013 A JPH03178013 A JP H03178013A JP 31702389 A JP31702389 A JP 31702389A JP 31702389 A JP31702389 A JP 31702389A JP H03178013 A JPH03178013 A JP H03178013A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1871—Shaping or contouring of the transducing or guiding surface
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、狭トラック磁気ヘッドに関する。
本発明は、対の磁気コア間に磁気ギャップが形成されて
なる狭トラック磁気ヘッドにおいて、磁気コアのトラッ
ク幅方向の厚みtとトラック幅Wとの比t / wを2
〜12に設定することにより、再生効率の最適化を図る
ようにしたものである。
なる狭トラック磁気ヘッドにおいて、磁気コアのトラッ
ク幅方向の厚みtとトラック幅Wとの比t / wを2
〜12に設定することにより、再生効率の最適化を図る
ようにしたものである。
近年、磁気記録の分野においては、高密度化に伴い磁気
ヘッドの狭トラック化、記録波長の短波長化が進んでい
る。特に磁気ヘッドの狭トラック化ではトラック幅が狭
くなるため、信号出力が低下する。このため、再生効率
の大きいヘッドを設計することが1つの課題となってい
る。
ヘッドの狭トラック化、記録波長の短波長化が進んでい
る。特に磁気ヘッドの狭トラック化ではトラック幅が狭
くなるため、信号出力が低下する。このため、再生効率
の大きいヘッドを設計することが1つの課題となってい
る。
従来、磁気ヘッドでは、第1図A及びBに示す磁気ヘッ
ドモデル、即ち、対の磁気コア(2)及び(3)間に磁
気ギャップgを形成し、その磁気ギヤツブ形成部(4)
にトラック幅Wを規定するための凹部(5)を形成して
なる磁気ヘッドのモデル(1)を参照すると、ヘッドの
磁気コア厚みtが厚ければ厚い程、磁気コア(2)、(
3)の磁気抵抗が下がり再生効率が上がると考えられて
いた。実際、2次元磁界回折などにおいてはコア厚みを
比透磁率の変化とすると上述の考え通りの結果を得てい
た。従って、従来技術では再生効率の大きいヘッドを設
計するにはヘッドの磁気コア厚みを出来るだけ厚くすれ
ば良いとされていた。
ドモデル、即ち、対の磁気コア(2)及び(3)間に磁
気ギャップgを形成し、その磁気ギヤツブ形成部(4)
にトラック幅Wを規定するための凹部(5)を形成して
なる磁気ヘッドのモデル(1)を参照すると、ヘッドの
磁気コア厚みtが厚ければ厚い程、磁気コア(2)、(
3)の磁気抵抗が下がり再生効率が上がると考えられて
いた。実際、2次元磁界回折などにおいてはコア厚みを
比透磁率の変化とすると上述の考え通りの結果を得てい
た。従って、従来技術では再生効率の大きいヘッドを設
計するにはヘッドの磁気コア厚みを出来るだけ厚くすれ
ば良いとされていた。
磁気ヘッドの狭トラック化のためには、第1図の磁気コ
ア厚みtを含めて薄膜化してトラック幅Wをより小さく
することが考えられるが、トラック幅Wが5μm以下に
なると磁気抵抗が大きくなり、再生効率の劣化につなが
る。そこで、トラック幅Wを小さくしく5μm以下)、
磁気コア厚みtを大きくすればよいことになるが、ヘッ
ドの表面積の増大に伴う磁束の漏れ分が増加するため(
特にコイル巻線孔(6)における対向する磁気コア(2
)及び(3)間の表面積において〉、磁気コア厚みtの
増大は再生効率を下げる要因となり得る。
ア厚みtを含めて薄膜化してトラック幅Wをより小さく
することが考えられるが、トラック幅Wが5μm以下に
なると磁気抵抗が大きくなり、再生効率の劣化につなが
る。そこで、トラック幅Wを小さくしく5μm以下)、
磁気コア厚みtを大きくすればよいことになるが、ヘッ
ドの表面積の増大に伴う磁束の漏れ分が増加するため(
特にコイル巻線孔(6)における対向する磁気コア(2
)及び(3)間の表面積において〉、磁気コア厚みtの
増大は再生効率を下げる要因となり得る。
本発明は、上述の点に鑑み、狭トラック化における再生
効率の最適化を可能にした狭トラック磁気ヘッドを提供
するものである゛。
効率の最適化を可能にした狭トラック磁気ヘッドを提供
するものである゛。
本発明は、対の磁気コア(2)及び(3)間に磁気ギャ
ップgが形成されてなる狭トラック磁気ヘッドにおいて
、磁気ギヤツブ形成線を除く磁気コア(2)。
ップgが形成されてなる狭トラック磁気ヘッドにおいて
、磁気ギヤツブ形成線を除く磁気コア(2)。
(3)のトラック幅方向の厚みtとトラック幅Wとの比
t/wを2〜12となるように設定して構成する。
t/wを2〜12となるように設定して構成する。
上述した本発明の構成によれば、磁気ギャップ形成部を
除く磁気コア(2)及び(3)のトラック幅方向の厚み
tをトラック幅Wの2〜12倍に設定することにより、
トラック幅Wが10μm以下、特に5μm以下である狭
トラック磁気ヘッドにおいて、その再生効率を最適化す
ることができる。
除く磁気コア(2)及び(3)のトラック幅方向の厚み
tをトラック幅Wの2〜12倍に設定することにより、
トラック幅Wが10μm以下、特に5μm以下である狭
トラック磁気ヘッドにおいて、その再生効率を最適化す
ることができる。
コア厚みtがトラック幅Wの12倍を超えると、磁気コ
ア(2)、 (3)の磁気抵抗は小さくなるも漏れ磁束
が大きくなって再生効率が下がる割合が大きくなり、全
体として再生効率が低下する。また、コア厚みtがトラ
ック幅Wの2倍より小さいと漏れ磁束は少なくなるも磁
気コア(2)、 (3)の磁気抵抗が大きくなって再生
効率が下がる割合が増し、全体として再生効率が低下す
る。
ア(2)、 (3)の磁気抵抗は小さくなるも漏れ磁束
が大きくなって再生効率が下がる割合が大きくなり、全
体として再生効率が低下する。また、コア厚みtがトラ
ック幅Wの2倍より小さいと漏れ磁束は少なくなるも磁
気コア(2)、 (3)の磁気抵抗が大きくなって再生
効率が下がる割合が増し、全体として再生効率が低下す
る。
以下、図面を参照して本発明による狭トラック磁気ヘッ
ドの実施例を説明する。
ドの実施例を説明する。
ヘッドの再生効率を決める要因は2つある。第1はヘッ
ドの磁気コアの磁気抵抗であり、第2はヘッドの表面積
である。ヘッドの磁気コア厚みを大きくしてゆくと磁気
コアの磁気抵抗が下がり再生効率は上がる。しかし、同
時にヘッドの表面積も増すため磁束の漏れる部分が増え
、再生効率を下げる要因も大きくなる。この2つの重ね
合いでヘッドの再生効率は決まる。従って、磁気コアの
厚みがある一定値までは表面積が増え漏れ磁束が大きく
なって再生効率が下がる割合よりも、ヘッドの磁束抵抗
が下がり再生効率が上がる割合の方が大きくなり、全体
としてヘッドの再生効率が上昇する。それ以上の磁気コ
ア厚みを有すると前者が後者の割合を上回り再生効率が
下がると予想される。
ドの磁気コアの磁気抵抗であり、第2はヘッドの表面積
である。ヘッドの磁気コア厚みを大きくしてゆくと磁気
コアの磁気抵抗が下がり再生効率は上がる。しかし、同
時にヘッドの表面積も増すため磁束の漏れる部分が増え
、再生効率を下げる要因も大きくなる。この2つの重ね
合いでヘッドの再生効率は決まる。従って、磁気コアの
厚みがある一定値までは表面積が増え漏れ磁束が大きく
なって再生効率が下がる割合よりも、ヘッドの磁束抵抗
が下がり再生効率が上がる割合の方が大きくなり、全体
としてヘッドの再生効率が上昇する。それ以上の磁気コ
ア厚みを有すると前者が後者の割合を上回り再生効率が
下がると予想される。
本発明者らは、トラック幅Wに対するヘッドの磁気コア
厚みtの比t / wを変えてヘッド表面積の磁束漏れ
を考慮した実験試作及び3次元解析を行った結果、狭ト
ラック磁気ヘッドにおいて再生効率を良くするための条
件を見出した。
厚みtの比t / wを変えてヘッド表面積の磁束漏れ
を考慮した実験試作及び3次元解析を行った結果、狭ト
ラック磁気ヘッドにおいて再生効率を良くするための条
件を見出した。
次に、第2図の製法で作成した狭トラック薄膜磁気へラ
ド′(試料)を用いて再生効率の比較実験を行った結果
を示す。
ド′(試料)を用いて再生効率の比較実験を行った結果
を示す。
第2図では、先ず非磁性基板〈11〉上に一方の磁気コ
アとなる磁性体膜(12〉を形成した後(同図A)、磁
性体膜(12)の両側に対応する部分の非磁性基板(1
1〉を所定の深さ、例えばギャップスペーサの膜厚に対
応する深さに選択エツチングする(同図B)。
アとなる磁性体膜(12〉を形成した後(同図A)、磁
性体膜(12)の両側に対応する部分の非磁性基板(1
1〉を所定の深さ、例えばギャップスペーサの膜厚に対
応する深さに選択エツチングする(同図B)。
次に、磁性体膜(12)の側面を含むように0.2μm
厚のギャップスペーサ(14〉を被着形成しく同図C)
、その上に他方へ磁気コアとなるべき磁性体膜(13)
を被着形成する(同図D)。この磁性体膜(13)の不
要部分を選択エツチングで除去した後(同図E)、研磨
して他方の磁気コアたる磁性体膜(13)を形成し、両
磁気コアたる磁性体膜(12)及び(13〉のギャップ
スペーサ(14)を介した突き合せ部にトラック幅Wの
磁気ギャップgを形成する(同図F〉。次に、コア厚み
tを大きくするために再び両磁性体膜(12)及び(1
3)上に磁性体膜(15)を被着形成した後〈同図G)
磁気ギャップ形成部(16〉の長さlに対応する部分の
磁性体膜(15)を除去して同図H及び工に示す狭トラ
ック薄膜磁気ヘッド(17) (前述のモデル(1)と
同等の構成を有する)を作成する。ここで、磁性薄膜は
Co −Zr−Nbとし、280℃、10分でアニール
した磁性薄膜による場合は比透磁率約2000の薄膜磁
気ヘッドが得られ、280℃、10分でアニールした磁
性薄膜による場合は比透磁率約1000の薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。尚、〈18〉はコイル導体を示すも、こ
のコイル導体の形成プロセスは省略している。
厚のギャップスペーサ(14〉を被着形成しく同図C)
、その上に他方へ磁気コアとなるべき磁性体膜(13)
を被着形成する(同図D)。この磁性体膜(13)の不
要部分を選択エツチングで除去した後(同図E)、研磨
して他方の磁気コアたる磁性体膜(13)を形成し、両
磁気コアたる磁性体膜(12)及び(13〉のギャップ
スペーサ(14)を介した突き合せ部にトラック幅Wの
磁気ギャップgを形成する(同図F〉。次に、コア厚み
tを大きくするために再び両磁性体膜(12)及び(1
3)上に磁性体膜(15)を被着形成した後〈同図G)
磁気ギャップ形成部(16〉の長さlに対応する部分の
磁性体膜(15)を除去して同図H及び工に示す狭トラ
ック薄膜磁気ヘッド(17) (前述のモデル(1)と
同等の構成を有する)を作成する。ここで、磁性薄膜は
Co −Zr−Nbとし、280℃、10分でアニール
した磁性薄膜による場合は比透磁率約2000の薄膜磁
気ヘッドが得られ、280℃、10分でアニールした磁
性薄膜による場合は比透磁率約1000の薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。尚、〈18〉はコイル導体を示すも、こ
のコイル導体の形成プロセスは省略している。
かかる狭トラック薄膜磁気ヘッド(17)のコア厚み1
.)ラック幅W、磁気ギャップ形成部の長さl及び磁気
ギャップ長Sを下記表に示すように規定した各試料につ
いてクロストーク及び再生効率を測定した。
.)ラック幅W、磁気ギャップ形成部の長さl及び磁気
ギャップ長Sを下記表に示すように規定した各試料につ
いてクロストーク及び再生効率を測定した。
クロストークの測定方法
第4図A及びBに示すように予め基準ヘッドで磁気テー
プ(21)の第1のトラック(22)のみに信号を記録
し、′!J2のトラック(23〉には何も記録しない。
プ(21)の第1のトラック(22)のみに信号を記録
し、′!J2のトラック(23〉には何も記録しない。
この第1のトラック(22) ′Fjcび第2のトラッ
ク(23〉を対応するヘッド(1^)及びヘッド(IB
)で再生する。ヘッド(1^〉には基準ヘッドで記録さ
れた信号が再生され、ヘッド(1B)には何も信号が再
生されないと考えられるが、しかし、ヘッド(l^)か
ら再生信号が漏れヘッド(IB)にも信号が再生される
。
ク(23〉を対応するヘッド(1^)及びヘッド(IB
)で再生する。ヘッド(1^〉には基準ヘッドで記録さ
れた信号が再生され、ヘッド(1B)には何も信号が再
生されないと考えられるが、しかし、ヘッド(l^)か
ら再生信号が漏れヘッド(IB)にも信号が再生される
。
このヘッド(IB)での再生出力をヘッド(1人〉の再
生出力が割ったものを再生のクロストークとして測定す
る。
生出力が割ったものを再生のクロストークとして測定す
る。
再生効率の測定方法
基準ヘッドで磁気テープに信号を記録し、記録した部分
をコア厚みの違う試料ヘッドで再生し、記録したときの
起磁力で再生出力を割ると相対的な再生効率が求まる。
をコア厚みの違う試料ヘッドで再生し、記録したときの
起磁力で再生出力を割ると相対的な再生効率が求まる。
しかして、先ず上述の製法による狭トラック薄膜磁気ヘ
ッド(17)について、ギャップ形成部(16)の長さ
lを変えたときの再生効率の測定結果を第5図に示す。
ッド(17)について、ギャップ形成部(16)の長さ
lを変えたときの再生効率の測定結果を第5図に示す。
(1)は比透磁率2000の薄膜磁気ヘッドのグラフ、
(II)は比透磁率1000の薄膜磁気ヘッドのグラフ
である。この第5図から長さlが小さい程磁気抵抗が小
さくなってヘッドの再生効率が多少向上する。しかし、
ギヤツブ形成部(16)ではコア厚さ方向への溝(19
)を形成するので、溝(19)の深さdに対して同じ程
度以下の長さlを形成することは第3図の状態となり加
工精度上難しく、トラック幅Wの誤差等のため隣のトラ
ックからの磁束を拾ったりする可能性が生ずる。従って
、この長さlは上記試料では37.5μm、75μmと
したが、概ね20μm〜80μm程度の範囲とすること
ができる。
(II)は比透磁率1000の薄膜磁気ヘッドのグラフ
である。この第5図から長さlが小さい程磁気抵抗が小
さくなってヘッドの再生効率が多少向上する。しかし、
ギヤツブ形成部(16)ではコア厚さ方向への溝(19
)を形成するので、溝(19)の深さdに対して同じ程
度以下の長さlを形成することは第3図の状態となり加
工精度上難しく、トラック幅Wの誤差等のため隣のトラ
ックからの磁束を拾ったりする可能性が生ずる。従って
、この長さlは上記試料では37.5μm、75μmと
したが、概ね20μm〜80μm程度の範囲とすること
ができる。
次に、トラック幅Wを5.0μm1長さlを37.5μ
m と一定にしてコア厚みtを10μm120μm13
0μm150μm170μmとした比透磁率μ= 1o
ooの試料(C−1)、 (C−2)、 (C−3)、
(C−4)、 (C−5)について、その再生のクロ
ストークを測定した結果、第6図の曲線(III)で示
すようにコア厚みtが大きい程、再生時にクロストーク
が増加する。一方、第7図の曲線(■)は比透磁率μ=
1000の試料(C−1)、 (C−2)、 (C−3
)、 (C−4)、 (C−5)の測定結果から得られ
た再生効率のコア厚みt依存性を示すグラフである。こ
の例では再生効率のピークはコア厚みt =30〜40
μmに存する。これはコアの厚みtが増す程、コア表面
積が大きくなり、その結果、再生クロストーク及び磁気
ギヤツブ部g以外でのコア間磁束漏れによってt≧50
μで徐々に減少する。再生効率を実用可能な40%以上
とすると、第7図からコア厚みtは20〜60μmの範
囲が良く、従って、コア厚みtとトラック幅Wの比t
/ wでみれば4〜12、好ましくは4〜10とするの
がよい。そして、一般に磁気コアの比透磁率μが大きい
場合、再生効率のピーク及びコア厚みtとトラック幅W
の比t/wも小さい方へずれる。
m と一定にしてコア厚みtを10μm120μm13
0μm150μm170μmとした比透磁率μ= 1o
ooの試料(C−1)、 (C−2)、 (C−3)、
(C−4)、 (C−5)について、その再生のクロ
ストークを測定した結果、第6図の曲線(III)で示
すようにコア厚みtが大きい程、再生時にクロストーク
が増加する。一方、第7図の曲線(■)は比透磁率μ=
1000の試料(C−1)、 (C−2)、 (C−3
)、 (C−4)、 (C−5)の測定結果から得られ
た再生効率のコア厚みt依存性を示すグラフである。こ
の例では再生効率のピークはコア厚みt =30〜40
μmに存する。これはコアの厚みtが増す程、コア表面
積が大きくなり、その結果、再生クロストーク及び磁気
ギヤツブ部g以外でのコア間磁束漏れによってt≧50
μで徐々に減少する。再生効率を実用可能な40%以上
とすると、第7図からコア厚みtは20〜60μmの範
囲が良く、従って、コア厚みtとトラック幅Wの比t
/ wでみれば4〜12、好ましくは4〜10とするの
がよい。そして、一般に磁気コアの比透磁率μが大きい
場合、再生効率のピーク及びコア厚みtとトラック幅W
の比t/wも小さい方へずれる。
これにより比透磁率μ?1000〜2000ではt/w
を2〜12に設定するのがよく、好ましくは3〜10と
するを可とする。そして、t/wが2より小さくなると
磁気抵抗が高くなり、t/wが12より大きいと磁束漏
れ及びクロストークが増し、いずれも再生効率が減少す
るために、使用に耐えない。
を2〜12に設定するのがよく、好ましくは3〜10と
するを可とする。そして、t/wが2より小さくなると
磁気抵抗が高くなり、t/wが12より大きいと磁束漏
れ及びクロストークが増し、いずれも再生効率が減少す
るために、使用に耐えない。
上述の測定結果から、本例においては、狭トラック薄膜
磁気ヘッド(17〉において、その磁気ギャップ形成部
(16)を除く磁気コアのトラック幅方向の厚みtとト
ラック幅Wとの比t / wを2〜12に設定する。こ
の構成により、トラック幅10μm以下、就中5μm以
下の狭トラック薄膜磁気ヘッドにおける再生効率の向上
即ち最適化が図られる。
磁気ヘッド(17〉において、その磁気ギャップ形成部
(16)を除く磁気コアのトラック幅方向の厚みtとト
ラック幅Wとの比t / wを2〜12に設定する。こ
の構成により、トラック幅10μm以下、就中5μm以
下の狭トラック薄膜磁気ヘッドにおける再生効率の向上
即ち最適化が図られる。
従って、ヘッドの狭」ラック化でギャップ近傍の磁気コ
アの磁気抵抗の増加による再生効率の劣化が回避され、
十分なヘッド出力を得ることができる。従って磁気記録
のより高密度化を可能にするものである。
アの磁気抵抗の増加による再生効率の劣化が回避され、
十分なヘッド出力を得ることができる。従って磁気記録
のより高密度化を可能にするものである。
本発明は、第8図A(平面図〉及び第8図B(その中心
部の断面図)に示すように他の型の狭トラック薄膜磁気
ヘッドについても適用できる。
部の断面図)に示すように他の型の狭トラック薄膜磁気
ヘッドについても適用できる。
この例においては、非磁性基板(31〉の主面上に、ト
ラック幅Wを規定する先端ギャップ形成部(34〉とそ
の後方に之より幅広の部分(35)を有する平面形状の
薄膜強磁性体からなる対の磁気コア(32)及び(33
)が絶縁層〈36)を介して積層され、先端ギャップ形
成部(32〉で磁気ギャップgが形成されると共に、両
磁気コア〈32)及び(33)の後端が互に磁気的に接
続され、さらに両磁気コア(32)及び〈33〉間を通
してコイル導体(37〉が巻装されるように形成されて
成る。(38)は絶縁層である。この様な狭トラック薄
膜磁気ヘッド(39)において、そのコア厚みtとトラ
ック幅Wの比t/wを2〜12に設定するものである。
ラック幅Wを規定する先端ギャップ形成部(34〉とそ
の後方に之より幅広の部分(35)を有する平面形状の
薄膜強磁性体からなる対の磁気コア(32)及び(33
)が絶縁層〈36)を介して積層され、先端ギャップ形
成部(32〉で磁気ギャップgが形成されると共に、両
磁気コア〈32)及び(33)の後端が互に磁気的に接
続され、さらに両磁気コア(32)及び〈33〉間を通
してコイル導体(37〉が巻装されるように形成されて
成る。(38)は絶縁層である。この様な狭トラック薄
膜磁気ヘッド(39)において、そのコア厚みtとトラ
ック幅Wの比t/wを2〜12に設定するものである。
本発明は、さらに第9図A(平面図)及び第9図B(断
面図)に示す構成の狭トラック薄膜磁気ヘッド(48)
についても適用できる。この例においては、スライダー
基板(41〉上に薄膜軟磁性体からなる下部磁気コア(
42)が形成され、この下部磁気コア(42)上に絶縁
層(43)を介してコイル導体(44A)及び(44B
) が形成され、さらにその上に絶縁層(43)を介
して夫々一部が下部磁気コア(42〉に磁気的に結合さ
れた1対の軟磁性薄膜ヨーク〈45^〉及び(45B)
が形成され、この1対の軟磁性薄膜ヨーク(45^)
及び(45B) によってスライダー基板(41)と
反対側の平面に磁気ギャップgが形成されて戒る。この
場合、1対の軟磁性薄膜ヨーク(45A) 及び(45
B) は平面的にみてそのトラック幅Wを規定するギ
ヤツブ形成部(46)とその後方の之より幅広の部分(
47)を有する形状をなすと共に、断面でみた場合には
ギャップ形状部(46)の厚さ(即ちギャップ深さに相
当)da が両ヨーク(45A)、 (45B) の
他部の厚さd、に比して薄く形成される。また両ヨーク
(45^)及び(45B) を夫々巻装するようにコ
イル導体(44A) 及び(44B) が形成され
る。このような構成の狭トラック薄膜磁気ヘッド(48
)において、そのコア厚さく即ち幅〉 tとトラック幅
Wの比i/wを2〜12に設定するようになす。
面図)に示す構成の狭トラック薄膜磁気ヘッド(48)
についても適用できる。この例においては、スライダー
基板(41〉上に薄膜軟磁性体からなる下部磁気コア(
42)が形成され、この下部磁気コア(42)上に絶縁
層(43)を介してコイル導体(44A)及び(44B
) が形成され、さらにその上に絶縁層(43)を介
して夫々一部が下部磁気コア(42〉に磁気的に結合さ
れた1対の軟磁性薄膜ヨーク〈45^〉及び(45B)
が形成され、この1対の軟磁性薄膜ヨーク(45^)
及び(45B) によってスライダー基板(41)と
反対側の平面に磁気ギャップgが形成されて戒る。この
場合、1対の軟磁性薄膜ヨーク(45A) 及び(45
B) は平面的にみてそのトラック幅Wを規定するギ
ヤツブ形成部(46)とその後方の之より幅広の部分(
47)を有する形状をなすと共に、断面でみた場合には
ギャップ形状部(46)の厚さ(即ちギャップ深さに相
当)da が両ヨーク(45A)、 (45B) の
他部の厚さd、に比して薄く形成される。また両ヨーク
(45^)及び(45B) を夫々巻装するようにコ
イル導体(44A) 及び(44B) が形成され
る。このような構成の狭トラック薄膜磁気ヘッド(48
)において、そのコア厚さく即ち幅〉 tとトラック幅
Wの比i/wを2〜12に設定するようになす。
かかる第8図及び第9図の構成の狭トラック薄膜磁気ヘ
ッド(39〉及び(48)においても上例と同様に再生
効率を最適化することができる。尚、上例においてはイ
ンダクティブ型の狭いトラック薄膜磁気ヘッドについて
説明したが、バルク型狭トラック磁気ヘッド(インダク
ティブ型)にも本発明は適用できるものである 〔発明の効果〕 本発明によれば、対の磁気コア間に磁気ギャップが形成
されてなる狭トラック磁気ヘッドにおいて、磁気ギャッ
プ形成部を除く磁気コアのトラック幅方向の厚みtとト
ラック幅Wとの比t/wを2〜12に設定することによ
り、トラック幅10μm以下、特に5μm以下の狭トラ
ック磁気ヘッドの再生効率を最適化することができる。
ッド(39〉及び(48)においても上例と同様に再生
効率を最適化することができる。尚、上例においてはイ
ンダクティブ型の狭いトラック薄膜磁気ヘッドについて
説明したが、バルク型狭トラック磁気ヘッド(インダク
ティブ型)にも本発明は適用できるものである 〔発明の効果〕 本発明によれば、対の磁気コア間に磁気ギャップが形成
されてなる狭トラック磁気ヘッドにおいて、磁気ギャッ
プ形成部を除く磁気コアのトラック幅方向の厚みtとト
ラック幅Wとの比t/wを2〜12に設定することによ
り、トラック幅10μm以下、特に5μm以下の狭トラ
ック磁気ヘッドの再生効率を最適化することができる。
狭トラック磁気ヘッドにおいて、十分なヘッド出力を得
ることができ、磁気記録のより高密度化を可能にするこ
とができる。
ることができ、磁気記録のより高密度化を可能にするこ
とができる。
第1図A及びBは本発明の狭トラック磁気ヘッドのモデ
ルを示す平面図及び側筒図、第2図A〜■は本発明に係
る狭トラック薄膜磁気ヘッドの製法例を示す工程図、第
3図は比較のための薄膜磁気へノドの断面図、第4図A
及びBはクロストークの測定方法の例を示す平面図及び
側面図、第5図は狭トラック磁気ヘッドにおける再生効
率のギャップ形成部長さlの依存性を示すグラフ、第6
図は狭トラック磁気ヘッドにおけるコア厚みtと再生ク
ロストークの関係を示すグラフ、第7図は狭トラック磁
気ヘッドにおけるコア厚みtと再生効率の関係を示すグ
ラフ、第8図A及びBは本発明に係る狭トラック薄膜磁
気ヘッドの他の例を示す平面図及びその断面図、第9図
A及びBは本発明に係る狭トラック薄膜磁気ヘッドのさ
らに他の例を示す平面図及び断面図である。 (1)は狭トラック磁気ヘッド、(2)、 (3)は磁
気コア、(g)は磁気ギャップ、(4)はギヤツブ形成
部、(1)はコア厚み、(W)はトラック幅、<i>は
ギヤツブ形成部の長さである。 代 理 人 松 隈 秀 盛 9−−一石a気キ讐ツフ′ 1−−−]ア/!み w−一一トラック情 第3図 第 2 区 ■ 0 0 0 0 00 長?l/)復(、am) 第 図 第 図 9−一一一石哀久キ°ヤッフ。 第 9 凶 手続補正書 1、事件の表示 平底 1年 特 許 願 第317023号 2、発明の名称 狭トラック磁気ヘッド 3、補正をする者 事件との関係
ルを示す平面図及び側筒図、第2図A〜■は本発明に係
る狭トラック薄膜磁気ヘッドの製法例を示す工程図、第
3図は比較のための薄膜磁気へノドの断面図、第4図A
及びBはクロストークの測定方法の例を示す平面図及び
側面図、第5図は狭トラック磁気ヘッドにおける再生効
率のギャップ形成部長さlの依存性を示すグラフ、第6
図は狭トラック磁気ヘッドにおけるコア厚みtと再生ク
ロストークの関係を示すグラフ、第7図は狭トラック磁
気ヘッドにおけるコア厚みtと再生効率の関係を示すグ
ラフ、第8図A及びBは本発明に係る狭トラック薄膜磁
気ヘッドの他の例を示す平面図及びその断面図、第9図
A及びBは本発明に係る狭トラック薄膜磁気ヘッドのさ
らに他の例を示す平面図及び断面図である。 (1)は狭トラック磁気ヘッド、(2)、 (3)は磁
気コア、(g)は磁気ギャップ、(4)はギヤツブ形成
部、(1)はコア厚み、(W)はトラック幅、<i>は
ギヤツブ形成部の長さである。 代 理 人 松 隈 秀 盛 9−−一石a気キ讐ツフ′ 1−−−]ア/!み w−一一トラック情 第3図 第 2 区 ■ 0 0 0 0 00 長?l/)復(、am) 第 図 第 図 9−一一一石哀久キ°ヤッフ。 第 9 凶 手続補正書 1、事件の表示 平底 1年 特 許 願 第317023号 2、発明の名称 狭トラック磁気ヘッド 3、補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 対の磁気コア間に磁気ギャップが形成されてなる狭トラ
ック磁気ヘッドにおいて、 上記磁気ギャップ形成部を除く上記磁気コアのトラック
幅方向の厚みtとトラック幅wとの比t/wが2〜12
に設定されて成る狭トラック磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31702389A JPH03178013A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 狭トラック磁気ヘッド |
EP19900123484 EP0431633A3 (en) | 1989-12-06 | 1990-12-06 | Magnetic transducer head for narrow track width recording |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31702389A JPH03178013A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 狭トラック磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03178013A true JPH03178013A (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=18083561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31702389A Pending JPH03178013A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 狭トラック磁気ヘッド |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0431633A3 (ja) |
JP (1) | JPH03178013A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2260846B (en) * | 1991-07-11 | 1995-05-17 | Hitachi Metals Ltd | Composite magnetic heads |
KR930010862A (ko) * | 1991-11-12 | 1993-06-23 | 씨릴 제이. 얀순이 | 좁은 요크(yoke)를 갖는 박막자기헤드 |
DE69229906T2 (de) * | 1991-12-18 | 1999-12-23 | Hewlett-Packard Co., Palo Alto | Induktiver Dünnfilmwandler mit verbesserter Schreibfähigkeit |
JP4139546B2 (ja) * | 2000-03-14 | 2008-08-27 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 垂直磁気ディスク装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2297475A1 (fr) * | 1975-01-10 | 1976-08-06 | Cii | Perfectionnements exportes aux structures de tetes magnetiques du type dit " integre " |
JPS6057520A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-03 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘッド |
GB2154359A (en) * | 1984-02-17 | 1985-09-04 | Hitachi Metals Ltd | Magnetic head |
JPS6331015A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
JPS63263612A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | Hitachi Metals Ltd | 磁気ヘツドコア |
CN1165186A (zh) * | 1996-03-18 | 1997-11-19 | 第一制糖株式会社 | 可大规模工业化生产的味噌玉曲 |
-
1989
- 1989-12-06 JP JP31702389A patent/JPH03178013A/ja active Pending
-
1990
- 1990-12-06 EP EP19900123484 patent/EP0431633A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0431633A3 (en) | 1993-06-30 |
EP0431633A2 (en) | 1991-06-12 |
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