JPH03176832A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH03176832A JPH03176832A JP1315723A JP31572389A JPH03176832A JP H03176832 A JPH03176832 A JP H03176832A JP 1315723 A JP1315723 A JP 1315723A JP 31572389 A JP31572389 A JP 31572389A JP H03176832 A JPH03176832 A JP H03176832A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光ディスクに関し、
透明基板上に静電吸着する埃りの影響を無くすることを
目的とし、 透明基板特にプラスチックスよりなる透明基板をディス
ク基板として使用する光ディスクにおいて、酸化インジ
ウムと酸化錫との固溶体の粉末或いはエチレンジアミン
四酢酸ナトリウム塩からなる導電性化合物を混入した静
電防止剤を光照射側のディスク基板上に被覆してなるこ
とを特徴として光ディスクを構成する。
目的とし、 透明基板特にプラスチックスよりなる透明基板をディス
ク基板として使用する光ディスクにおいて、酸化インジ
ウムと酸化錫との固溶体の粉末或いはエチレンジアミン
四酢酸ナトリウム塩からなる導電性化合物を混入した静
電防止剤を光照射側のディスク基板上に被覆してなるこ
とを特徴として光ディスクを構成する。
本発明は優れた静電防止機能をもつ光ディスクに関する
。
。
光ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行う
メモリであり、記録容量が大きく非接触で記録と再生を
行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れた
特徴をもっている。
メモリであり、記録容量が大きく非接触で記録と再生を
行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れた
特徴をもっている。
すなわち、レーザ光はレンズによって直径が約１μｍの
小さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って１
ビツトの情報記録に要する面積が１μｍ２程度で足りる
。
小さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って１
ビツトの情報記録に要する面積が１μｍ２程度で足りる
。
そのため、磁気ディスク或いは磁気テープが１ビツトの
情報記録に数ｌＯ〜数１００μｍ２の面積が必要なのに
較べて遥かに少なくて済み、従って大容量記録が可能で
ある。
情報記録に数ｌＯ〜数１００μｍ２の面積が必要なのに
較べて遥かに少なくて済み、従って大容量記録が可能で
ある。
こ＼で、光ディスクには書込み専用メモリ（Ｗｒ ｉｔ
ｅ ０ｎｃｅ Ｍｅｍｏｒｙ）と書換え可能なメモリ（
Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ）とがある。
ｅ ０ｎｃｅ Ｍｅｍｏｒｙ）と書換え可能なメモリ（
Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ）とがある。
こ＼で、書込み専用メモリは同心円状あるいは渦巻き状
の案内溝（プリグループ）を備え、ディスク状をしたガ
ラス基板或いは透明な樹脂基板の上にセレン（Ｓｅ）、
テルル（Ｔｅ）のようなカルコゲン元素または、これと
金属との合金のように昇華し易い材料を用いて記録膜を
作り、この記録膜がレーザ光の照射によって容易に蒸発
して穴が開くのを利用し、情報の記録を穴の有無により
行うメモリである。
の案内溝（プリグループ）を備え、ディスク状をしたガ
ラス基板或いは透明な樹脂基板の上にセレン（Ｓｅ）、
テルル（Ｔｅ）のようなカルコゲン元素または、これと
金属との合金のように昇華し易い材料を用いて記録膜を
作り、この記録膜がレーザ光の照射によって容易に蒸発
して穴が開くのを利用し、情報の記録を穴の有無により
行うメモリである。
また、書換え可能なメモリにはインジウム・アンチモン
（Ｉｎ−３ｂ）などの薄膜を用い、結晶−非晶質或いは
結晶−結晶間の相変化に伴う反射率の差を利用するもの
、また記録膜をテルビウム・鉄・コバルト（Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ ）のように垂直磁化している磁性膜で形成し、
外部より磁化方向と反対方向に垂直磁界を加えなからレ
ーザ光を照射すると、照射された磁性膜の温度」１昇に
よって保磁力が減少し、磁化反転が起こるのを利用して
情報の記録と消去を行う光磁気ディスクと呼ばれるメモ
リもある。
（Ｉｎ−３ｂ）などの薄膜を用い、結晶−非晶質或いは
結晶−結晶間の相変化に伴う反射率の差を利用するもの
、また記録膜をテルビウム・鉄・コバルト（Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ ）のように垂直磁化している磁性膜で形成し、
外部より磁化方向と反対方向に垂直磁界を加えなからレ
ーザ光を照射すると、照射された磁性膜の温度」１昇に
よって保磁力が減少し、磁化反転が起こるのを利用して
情報の記録と消去を行う光磁気ディスクと呼ばれるメモ
リもある。
このように、光ディスクには各種のものがあるが、製品
としては第１図に示すようなサンドイッチタイプや貼り
合わせタイプなどが実用化されている。
としては第１図に示すようなサンドイッチタイプや貼り
合わせタイプなどが実用化されている。
すなわち、プリグループ（案内溝）を備えたディスク基
板１の上に記録層２と保護層３を設け、か＼るディスク
基板二枚を記録層形成側を内側として対向せしめ、サン
ドイッチタイプはセパレータ４により両者を空気層５を
介して固定したものであり、また同図（Ｂ）に示す貼り
合わせタイプは両者を接着剤６を用いて接合したもので
ある。
板１の上に記録層２と保護層３を設け、か＼るディスク
基板二枚を記録層形成側を内側として対向せしめ、サン
ドイッチタイプはセパレータ４により両者を空気層５を
介して固定したものであり、また同図（Ｂ）に示す貼り
合わせタイプは両者を接着剤６を用いて接合したもので
ある。
光ディスクはレンズによりレーザ光を集光し、プリグル
ープに沿って記録膜を走査する構造がとられているため
に塵埃の影響を受けに（い。
ープに沿って記録膜を走査する構造がとられているため
に塵埃の影響を受けに（い。
すなわち、ガラス或いはプラスチックスからなるディス
ク基板は厚さか約１．２ｍｍのものが用いられており、
ディスク基板上で径１ｍｍ程度のレーザ光はレンズによ
って記録膜上では径１μｍ程度に集光されているため、
例え基板上に径数１０μｍの塵埃が付着していても、情
報の記録や再生に影響を及ぼすことはない。
ク基板は厚さか約１．２ｍｍのものが用いられており、
ディスク基板上で径１ｍｍ程度のレーザ光はレンズによ
って記録膜上では径１μｍ程度に集光されているため、
例え基板上に径数１０μｍの塵埃が付着していても、情
報の記録や再生に影響を及ぼすことはない。
然し、第１図（Ａ）或いは（Ｂ）に示す構造の光ディス
クを使用してみると、静電気による埃の付着が多く、レ
ーザ光か充分に記録膜に届かない場合も生じてきた。
クを使用してみると、静電気による埃の付着が多く、レ
ーザ光か充分に記録膜に届かない場合も生じてきた。
こ＼で、ディスク基板にはガラス製のものとポリメチル
メタクリレート（略称ＰＭＭＡ ）やポリカーホネート
（略称ＰＣ）などプラスチックス製のものとがあるが、
静電気による塵埃の付着はプラスチックス製のもの＼場
合が顕著である。
メタクリレート（略称ＰＭＭＡ ）やポリカーホネート
（略称ＰＣ）などプラスチックス製のものとがあるが、
静電気による塵埃の付着はプラスチックス製のもの＼場
合が顕著である。
そこで、ディスク基板上に帯電防止剤の塗布が行われて
いた。
いた。
こ＼て、帯電防止剤には界面活性剤を用いるものとシロ
キサンなど有機硅素化合物を用いるものがある。
キサンなど有機硅素化合物を用いるものがある。
然し、これらの帯電防止剤の原理は塗布した表面の吸湿
性を高めることにより帯電を防ぐものであって、低湿度
の環境では殆ど効果が現れないことが問題であり、この
対策が必要であった。
性を高めることにより帯電を防ぐものであって、低湿度
の環境では殆ど効果が現れないことが問題であり、この
対策が必要であった。
以上記したように、光ディスク、特にプラスチックスか
らなるディスク基板を用いてなる光ディスクは使用にあ
たって埃の静電吸着が起こり易く、基板表面に帯電防止
剤を塗布しても、効果が少なかったり、低湿度の環境の
許では効果が全（なかったり、長時間に亙って帯電防止
効果が維持てきないなどの問題があり、解決が必要であ
った。
らなるディスク基板を用いてなる光ディスクは使用にあ
たって埃の静電吸着が起こり易く、基板表面に帯電防止
剤を塗布しても、効果が少なかったり、低湿度の環境の
許では効果が全（なかったり、長時間に亙って帯電防止
効果が維持てきないなどの問題があり、解決が必要であ
った。
〔課題を解決するための手段〕
上記の課題は透明基板特にプラスチックスよりなる透明
基板をディスク基板として使用する光ディスクにおいて
、酸化インジウムと酸化錫との固溶体の粉末或いはエチ
レンジアミン四酢酸ナトリウム塩からなる導電性化合物
を混入した静電防止剤を光照射側のディスク基板」二に
被覆してなることを特徴として光ディスクを構成するこ
とにより解決することができる。
基板をディスク基板として使用する光ディスクにおいて
、酸化インジウムと酸化錫との固溶体の粉末或いはエチ
レンジアミン四酢酸ナトリウム塩からなる導電性化合物
を混入した静電防止剤を光照射側のディスク基板」二に
被覆してなることを特徴として光ディスクを構成するこ
とにより解決することができる。
本発明は埃の静電吸着を少なくする方法として静電防止
剤に透明な導電物質を添加して塗布するものである。
剤に透明な導電物質を添加して塗布するものである。
こ＼で、透明な導電性物質としては無機物質と有機物質
とがあるが、本発明においては無機物質としては酸化イ
ンジウム（Ｉｎ２０．）と酸化錫（Ｓｎ０２）との固溶
体（略称ＩＴＯ）を、また有機物質としてはエチレンジ
アミン四酢酸すトリウム塩例えばエチレンンアミン四酢
酸銅二ナトリウムＮａ２（ＣｕＣＨＪ（ＣＨ，Ｃ００）
２ ） ２略してＮａ２［：Ｃｕ ＥＤＴＡ ）やエチ
レンンアミン四酢酸鉄二ナトリウムＮａ２１：ＦｅＣＨ
２Ｎ（Ｃｔ（２ｃＯＯ）２〕２略してＮａ２［Ｆｅ Ｅ
ＤＴＡ ：ｌを使用するものである。
とがあるが、本発明においては無機物質としては酸化イ
ンジウム（Ｉｎ２０．）と酸化錫（Ｓｎ０２）との固溶
体（略称ＩＴＯ）を、また有機物質としてはエチレンジ
アミン四酢酸すトリウム塩例えばエチレンンアミン四酢
酸銅二ナトリウムＮａ２（ＣｕＣＨＪ（ＣＨ，Ｃ００）
２ ） ２略してＮａ２［：Ｃｕ ＥＤＴＡ ）やエチ
レンンアミン四酢酸鉄二ナトリウムＮａ２１：ＦｅＣＨ
２Ｎ（Ｃｔ（２ｃＯＯ）２〕２略してＮａ２［Ｆｅ Ｅ
ＤＴＡ ：ｌを使用するものである。
これらの導電性物質を従来の静電防止剤に混入し、第１
図（Ａ）、 （Ｂ）に示すようにディスク基板１の表
面に塗布して帯電防止膜７を形成してお（もので、この
実施によりディスク基板の面積抵抗が下がり、低湿度環
境下においても帯電防止効果を発揮することができる。
図（Ａ）、 （Ｂ）に示すようにディスク基板１の表
面に塗布して帯電防止膜７を形成してお（もので、この
実施によりディスク基板の面積抵抗が下がり、低湿度環
境下においても帯電防止効果を発揮することができる。
実施例１：
第四級アンモニウム塩を主成分とする界面活性化剤系の
帯電防止剤（品名スタテイサイド：滝原産業（掬）に粒
径が０．５〜２μｍに粉砕したＩＴＯを０．５重量％添
加し、ボールミルを用いて良く混合した後、スピンコー
ド法によりＰＭＭＡよりなるディスク基板上に塗布して
帯電防止膜を作った。
帯電防止剤（品名スタテイサイド：滝原産業（掬）に粒
径が０．５〜２μｍに粉砕したＩＴＯを０．５重量％添
加し、ボールミルを用いて良く混合した後、スピンコー
ド法によりＰＭＭＡよりなるディスク基板上に塗布して
帯電防止膜を作った。
こ＼で使用したＩＴＯは、Ｉｎ２Ｏ５とＳｎＯ２の組成
で後者が３０モル％のもので、導電率は膜厚２５０ｎｍ
で１２〜１３Ω／Ｃｍ２、また透過率は膜厚２５０ｎｍ
で８０％以上である。
で後者が３０モル％のもので、導電率は膜厚２５０ｎｍ
で１２〜１３Ω／Ｃｍ２、また透過率は膜厚２５０ｎｍ
で８０％以上である。
この基板を相対湿度力月０％の環境に１日放置した後、
基板表面をハイセガーゼで擦って帯電させ、表面電位を
測定した。
基板表面をハイセガーゼで擦って帯電させ、表面電位を
測定した。
その結果、帯電防止剤を塗布しないＰＭＭＡ基板の表面
電位は３０００Ｖ以上であったのに対し、帯電防止膜を
被覆したＰＭＭＡ基板の表面電位は約３０Ｖであった。
電位は３０００Ｖ以上であったのに対し、帯電防止膜を
被覆したＰＭＭＡ基板の表面電位は約３０Ｖであった。
実施例２
有機硅素縮合体を主成分とするシロキサン系の帯電防止
剤（品名コルコートニコルコート社＠））に粒径が０．
５〜２μｍに粉砕したＩＴＯを０．５重量％添加し、ボ
ールミルを用いて良く混合した後、スピンコード法によ
りＰＭＭＡよりなるディスク基板」二に塗布して帯電防
止膜を作った。
剤（品名コルコートニコルコート社＠））に粒径が０．
５〜２μｍに粉砕したＩＴＯを０．５重量％添加し、ボ
ールミルを用いて良く混合した後、スピンコード法によ
りＰＭＭＡよりなるディスク基板」二に塗布して帯電防
止膜を作った。
以後、実施例１と全く同様にして表面電位を測定したと
ころ、約３０Ｖと少なかった。
ころ、約３０Ｖと少なかった。
実施例３
第四級アンモニウム塩を主成分とする界面活性化剤系の
帯電防止剤（品名スタテイサイド：滝原産業（掬）にエ
チレンジアミン四酢酸銅ナトリウムＮａ２［Ｃｕ ＥＤ
ＴＡ 〕を０．１重量％添加し、良く分散させた。
帯電防止剤（品名スタテイサイド：滝原産業（掬）にエ
チレンジアミン四酢酸銅ナトリウムＮａ２［Ｃｕ ＥＤ
ＴＡ 〕を０．１重量％添加し、良く分散させた。
こ＼で添加量を０．１重量％とじた理由は９０％以上の
透過率を確保するためである。
透過率を確保するためである。
この塗液をスピンコード法によりＰＣよりなるディスク
基板上に塗布して帯電防止膜を作った。
基板上に塗布して帯電防止膜を作った。
そして、この基板を相対湿度が１０％の環境に１日放置
した後、基板表面をハイゼガーゼで擦って帯電させ、表
面電位を測定した。
した後、基板表面をハイゼガーゼで擦って帯電させ、表
面電位を測定した。
その結果、帯電防止剤を塗布しないＰＭＭＡ基板の表面
電位は３０００Ｖ以上てあったのに対し、帯電防止膜を
被覆したＰＭＭＡ基板の表面電位は約８０Ｖであった。
電位は３０００Ｖ以上てあったのに対し、帯電防止膜を
被覆したＰＭＭＡ基板の表面電位は約８０Ｖであった。
また、Ｎａ２［：Ｃｕ ＥＤＴＡ 〕の代わりにＮａ２
［Ｆｅ ＥＤＴＡ ）を０．１重量％添加した帯電防止
剤についても実験を行ったが、ＰＭＭＡ基板の表面電位
は約８０Ｖと変わらなかった。
［Ｆｅ ＥＤＴＡ ）を０．１重量％添加した帯電防止
剤についても実験を行ったが、ＰＭＭＡ基板の表面電位
は約８０Ｖと変わらなかった。
本発明の実施により低湿度の環境下において光０
ディスクを使用する場合、従来のように静電気により吸
着する埃が減少し、これにより使用能率の低下の問題を
解決することができた。
着する埃が減少し、これにより使用能率の低下の問題を
解決することができた。
第１図は光ディスクの断面図である。
図において、
■はディスク基板、 ２は記録層、７は帯電防止膜
、 である。
、 である。
Claims (2)
- （１）透明基板特にプラスチックスよりなる透明基板を
ディスク基板として使用する光ディスクにおいて、 導電性化合物を混入した静電防止剤を光照射側のディス
ク基板上に被覆してなることを特徴とする光ディスク。 - （２）導電性化合物が酸化インジウムと酸化錫との固溶
体の粉末或いはエチレンジアミン四酢酸ナトリウム塩か
らなることを特徴とする請求項１記載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315723A JPH03176832A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315723A JPH03176832A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03176832A true JPH03176832A (ja) | 1991-07-31 |
Family
ID=18068761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1315723A Pending JPH03176832A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03176832A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5331625A (en) * | 1991-09-19 | 1994-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disc with antistatic coating containing tin oxide and phosphorous |
| US5453975A (en) * | 1991-12-16 | 1995-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disc with surface coating and manufacturing method therefor |
| EP0971344A1 (en) * | 1998-07-09 | 2000-01-12 | Sony Corporation | Optical recording medium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369044A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-29 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPH01158643A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP1315723A patent/JPH03176832A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369044A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-29 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPH01158643A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
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| EP0971344A1 (en) * | 1998-07-09 | 2000-01-12 | Sony Corporation | Optical recording medium |
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