JPH03165403A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH03165403A JPH03165403A JP1305423A JP30542389A JPH03165403A JP H03165403 A JPH03165403 A JP H03165403A JP 1305423 A JP1305423 A JP 1305423A JP 30542389 A JP30542389 A JP 30542389A JP H03165403 A JPH03165403 A JP H03165403A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好
度Ｑを大幅に改善し、静電容量１品度係数が小さく、か
つ密度のより大きな誘電体磁器を得ることができる誘電
体磁器組成物に関するものである。
度Ｑを大幅に改善し、静電容量１品度係数が小さく、か
つ密度のより大きな誘電体磁器を得ることができる誘電
体磁器組成物に関するものである。
従来の技術
従来から、誘電率、絶縁抵抗が高く、良好度Ｑにすぐれ
、静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下
記のような系が知られている。
、静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下
記のような系が知られている。
・Ｂａ０−Ｔ ｉ ０２−Ｎｄ２Ｏ３系・Ｂａ０−Ｔｉ
Ｏ２−３ｍ２０３系 発明が解決しようとする課題 しかし、これらの組成は、例えば ０．０９８ａＯ−０，５５７ｉ０２−〇、３６Ｎｄ０３
７２の組成比からなる誘電体材料を使用し、円板形磁器
コンデンサを作製すると、絶縁抵抗の平均値： ８．０Ｘ１０１２Ω、絶縁破壊強度の平均値３０ｋｖ／
ｍｍであり、満足のできる値ではない。
Ｏ２−３ｍ２０３系 発明が解決しようとする課題 しかし、これらの組成は、例えば ０．０９８ａＯ−０，５５７ｉ０２−〇、３６Ｎｄ０３
７２の組成比からなる誘電体材料を使用し、円板形磁器
コンデンサを作製すると、絶縁抵抗の平均値： ８．０Ｘ１０１２Ω、絶縁破壊強度の平均値３０ｋｖ／
ｍｍであり、満足のできる値ではない。
また、この誘電体磁器の密度は、５．６ｇ／ｃＪである
が、一般に長さ（Ｌ）３．２ｘ幅（Ｗ）１．６ｍｍ以下
の積層セラミックコンデンサのりフローはんだ付け、特
にペーパーリフローはんだ付けでは、チ・ンブ立ち（通
常、ツームストーン現象、マンノトソタン現（（と呼ば
れている。）が発生しやすく、このチップ立ちを防ぐた
め、誘電体磁器の密度をより大きくしなければならない
という課題があった。
が、一般に長さ（Ｌ）３．２ｘ幅（Ｗ）１．６ｍｍ以下
の積層セラミックコンデンサのりフローはんだ付け、特
にペーパーリフローはんだ付けでは、チ・ンブ立ち（通
常、ツームストーン現象、マンノトソタン現（（と呼ば
れている。）が発生しやすく、このチップ立ちを防ぐた
め、誘電体磁器の密度をより大きくしなければならない
という課題があった。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式
％式％）
と表しだ時（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．ＯＯ。
０．０１≦ｍ≦０．２０，０．０１≦Ｃ≦０．２０゜ｘ
ＢａＯ−ｙ［（ＴｉＯ２）（１−ｍから選ばれる一種以
上の希土類元素。ＭｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍを除く
希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。）、 ｘ、ｙ、ｚが以下に表す各点ａ、ｂ、ｃ、ｄ。
ＢａＯ−ｙ［（ＴｉＯ２）（１−ｍから選ばれる一種以
上の希土類元素。ＭｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍを除く
希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。）、 ｘ、ｙ、ｚが以下に表す各点ａ、ｂ、ｃ、ｄ。
ｅ、ｆて囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重
量部に対し、副成分としてＮｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５゜ｖ
２ｏ５から選ばれる二種以上を合計で０．００１〜０．
０１０モル部含有したことを特徴とする誘電作用 第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成、範囲を限定した理由を
第１図を参照しながら説明する。すなわち、へ領域では
焼結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが
低下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電
容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的で
なくなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラ
ス方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる
。また、ＲｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ぶことに
より、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの順で誘電率を大きく下
げることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行す
ることが可能であり、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの１種あ
るいはそれらの組合せにより静電容量温度係数の調節が
可能である。さらに、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ば
れる一種以上の希土類元素の一部を、Ｌａ、Ｐｒ。
量部に対し、副成分としてＮｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５゜ｖ
２ｏ５から選ばれる二種以上を合計で０．００１〜０．
０１０モル部含有したことを特徴とする誘電作用 第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成、範囲を限定した理由を
第１図を参照しながら説明する。すなわち、へ領域では
焼結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが
低下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電
容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的で
なくなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラ
ス方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる
。また、ＲｅをＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ぶことに
より、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの順で誘電率を大きく下
げることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行す
ることが可能であり、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍの１種あ
るいはそれらの組合せにより静電容量温度係数の調節が
可能である。さらに、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍから選ば
れる一種以上の希土類元素の一部を、Ｌａ、Ｐｒ。
Ｎｄ、Ｓｍを除く希土類元素から選ばれる一種以上の希
土類元素で置換することにより、良好度Ｑを大幅に改善
する効果を有しているが、その置換量が０．０１未満で
は置換効果はなく、また一方０．２０を越えると誘電率
が低下し実用的でなくなる。
土類元素で置換することにより、良好度Ｑを大幅に改善
する効果を有しているが、その置換量が０．０１未満で
は置換効果はなく、また一方０．２０を越えると誘電率
が低下し実用的でなくなる。
また、ＴｌＯ２を５ｎ０２で置換することにより、誘電
率、良好度Ｑ、静電容量温度係数、絶縁抵抗、絶縁破壊
強度の値を大きく変えることなく、誘電体磁器の密度を
大きくする効果を有しているが、その置換率ｍ′ｂ＜ｏ
、０１未満では置換効果はなく、一方０．２０を越える
と誘電率、良好度Ｑが低下し、静電容量温度係数もマイ
ナス側に大きくなりすぎ実用的でなくなる。
率、良好度Ｑ、静電容量温度係数、絶縁抵抗、絶縁破壊
強度の値を大きく変えることなく、誘電体磁器の密度を
大きくする効果を有しているが、その置換率ｍ′ｂ＜ｏ
、０１未満では置換効果はなく、一方０．２０を越える
と誘電率、良好度Ｑが低下し、静電容量温度係数もマイ
ナス側に大きくなりすぎ実用的でなくなる。
また、主成分に対し、副成分Ｎｂ２Ｏ５゜Ｔａ２０５．
Ｖ２Ｏ５を含有することにより、絶縁抵抗、絶縁破壊強
度が向上する効果を有しているが、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２
０５．Ｖ２Ｏ５の含有量の合計が主成分１００重量部に
対し、０．００１モル部未満はそれほど絶縁破壊強度が
大きくなく、この発明の範囲から除外した。一方、Ｎｂ
２０５Ｔａ２０５．Ｖ２Ｏ５の含有量の合計が主成分に
対し、０．０１０モル部を越えると良好度Ｑ、絶縁抵抗
が低下し、静電容量温度係数がマイナス側に大きくなり
、実用的でなくなる。また、Ｎｂ２Ｏ５゜Ｔ ａ ２０
５ 、 Ｖ ２０５から選ばれる二種以上を含有するこ
とにより、Ｎｂ２Ｏ６，Ｔａ２０５．Ｖ２Ｏ５から選ば
れる一種を含有するものに比べ、誘電率、絶縁抵抗、絶
縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、静電容量温度係
数を小さ（することができる。
Ｖ２Ｏ５を含有することにより、絶縁抵抗、絶縁破壊強
度が向上する効果を有しているが、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２
０５．Ｖ２Ｏ５の含有量の合計が主成分１００重量部に
対し、０．００１モル部未満はそれほど絶縁破壊強度が
大きくなく、この発明の範囲から除外した。一方、Ｎｂ
２０５Ｔａ２０５．Ｖ２Ｏ５の含有量の合計が主成分に
対し、０．０１０モル部を越えると良好度Ｑ、絶縁抵抗
が低下し、静電容量温度係数がマイナス側に大きくなり
、実用的でなくなる。また、Ｎｂ２Ｏ５゜Ｔ ａ ２０
５ 、 Ｖ ２０５から選ばれる二種以上を含有するこ
とにより、Ｎｂ２Ｏ６，Ｔａ２０５．Ｖ２Ｏ５から選ば
れる一種を含有するものに比べ、誘電率、絶縁抵抗、絶
縁破壊電圧が高く、良好度Ｑにすぐれ、静電容量温度係
数を小さ（することができる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例１）
出発原料には比学的に高純度のＢ ａ Ｃ０３゜ＴｉＯ
２，５ｎ０２．Ｌａ２Ｏ３，Ｐｒ６０Ｃｅ○２．Ｇｄ２
Ｏ３，Ｄ Ｖ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３゜Ｓｍ２Ｃｈ、Ｎｂ２
Ｏ５，Ｔａ２０５およびＶ２ｏ５粉末を下５已の第１表
に示す組成比になるように秤量し、めのうボールを備え
たゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混
合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のル
ツボに入れ、空気中で１１００℃にて２時間仮焼した。
２，５ｎ０２．Ｌａ２Ｏ３，Ｐｒ６０Ｃｅ○２．Ｇｄ２
Ｏ３，Ｄ Ｖ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３゜Ｓｍ２Ｃｈ、Ｎｂ２
Ｏ５，Ｔａ２０５およびＶ２ｏ５粉末を下５已の第１表
に示す組成比になるように秤量し、めのうボールを備え
たゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ、湿式混
合後、脱水乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のル
ツボに入れ、空気中で１１００℃にて２時間仮焼した。
この仮焼粉末を、めのうボールを備えたゴム内張りのボ
ールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥し
た。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とし
た後、３２メツシユのふるいを通して整粒し、金型と油
圧プレスを用いて成形圧力１ ｔ ｏ ｎ ／ ｃＪで
直径１５ｍｍ、厚み０．４ｍｍに成形した。次いで、こ
の成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤ
に入れ、空気中にて下記の第１表に示す温度で２時間焼
成し、第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
ールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥し
た。この粉砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とし
た後、３２メツシユのふるいを通して整粒し、金型と油
圧プレスを用いて成形圧力１ ｔ ｏ ｎ ／ ｃＪで
直径１５ｍｍ、厚み０．４ｍｍに成形した。次いで、こ
の成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤ
に入れ、空気中にて下記の第１表に示す温度で２時間焼
成し、第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
と重量を測定し１重量を厚みと直径より算出した体積で
除算し、誘電体磁器の密度とした。
と重量を測定し１重量を厚みと直径より算出した体積で
除算し、誘電体磁器の密度とした。
また、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数測定用試料
は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶
縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の
外周より内側に１ ｍｍの幅で銀電極のない部分を設け
、銀電極を焼き付けた。
は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け、絶
縁抵抗、絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円板の
外周より内側に１ ｍｍの幅で銀電極のない部分を設け
、銀電極を焼き付けた。
そして、誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数は、ＹＨ
Ｐ社製デジタルＬＣＲメータのモデル４２７５Ａを使用
し、測定温度２０℃、 ７１１１１定電圧１ 、ＯＶ
ｒ ｍ ｓ 、測定周波数ＬＭ）ＩＺでの測定より求め
た。なお、静電容量温度係数は、２０℃と８５℃の静電
容量を測定し、次式により求めた。
Ｐ社製デジタルＬＣＲメータのモデル４２７５Ａを使用
し、測定温度２０℃、 ７１１１１定電圧１ 、ＯＶ
ｒ ｍ ｓ 、測定周波数ＬＭ）ＩＺでの測定より求め
た。なお、静電容量温度係数は、２０℃と８５℃の静電
容量を測定し、次式により求めた。
ＴＣ−（Ｃ−Ｃｏ）／ＣｏＸ ｌ／６５Ｘ １０６ＴＣ
：静電容量温度係数（ｐｐｍ／’Ｃ）ＣＯ・２０℃での
静電容量（ｐＦ） Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
：静電容量温度係数（ｐｐｍ／’Ｃ）ＣＯ・２０℃での
静電容量（ｐＦ） Ｃ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、誘電率は次式より求めた。
Ｋ＝１４３．８〆ＣｏＸｔ／Ｄ２
Ｋ ：誘電率
Ｃｏ ： ２０℃での静電容Ｍ（ｐＦ）Ｄ ＝誘電体磁
器の直径（ｍｒｎ ） し ：誘電体磁器の厚み（ｌＴＩＩｌｌ）さらに、絶縁
抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使
用し、測定電圧５０Ｖ、Ｄ、Ｃ，、測定時間１分間によ
る測定より求めた。
器の直径（ｍｒｎ ） し ：誘電体磁器の厚み（ｌＴＩＩｌｌ）さらに、絶縁
抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４３２９Ａを使
用し、測定電圧５０Ｖ、Ｄ、Ｃ，、測定時間１分間によ
る測定より求めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業淋）裂高電圧電
源Ｐ）（３３５に一３形を使用し、試料をジノコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｅにより求めた絶縁
破壊電圧を誘電体厚みで除鼻し、ｌ ｍｍ当りの絶縁破
壊強度とした。
源Ｐ）（３３５に一３形を使用し、試料をジノコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｅにより求めた絶縁
破壊電圧を誘電体厚みで除鼻し、ｌ ｍｍ当りの絶縁破
壊強度とした。
試験条件を第１表に併せて示し、試験結果を下記の第２
表に示す。
表に示す。
（以 下 余 白 ）
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂａ
ＣＯ３，ＴｉＯ２，Ｓｎ○２． Ｌａ２Ｏ３゜Ｐ ｒ
ｓ Ｏ＋ ＋ 、 Ｎ ｄ ２０３ 、 Ｓ ｍ ２０
３．ＣｅＯ２゜Ｇｄ２Ｏ３，Ｄｙ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，
Ｔａ２０５およびＶ、、Ｏｓを使用したが、この方法に
限定されるものではなく、所望の組成比になるように、
ＢａＴｉＯ３などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物
など空気中での加熱により、ＢａＯ。
ＣＯ３，ＴｉＯ２，Ｓｎ○２． Ｌａ２Ｏ３゜Ｐ ｒ
ｓ Ｏ＋ ＋ 、 Ｎ ｄ ２０３ 、 Ｓ ｍ ２０
３．ＣｅＯ２゜Ｇｄ２Ｏ３，Ｄｙ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，
Ｔａ２０５およびＶ、、Ｏｓを使用したが、この方法に
限定されるものではなく、所望の組成比になるように、
ＢａＴｉＯ３などの化合物、あるいは炭酸塩、水酸化物
など空気中での加熱により、ＢａＯ。
ＴｉＯ２，５ｎ０２．Ｌａ２Ｏ３，Ｐｒ（ＨＯＮｄｘ０
３．Ｓｍ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｇｄ２Ｏ３゜Ｄｙ２Ｏ３，
Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５およびＶ２Ｏ５となる化合物を
使用しても実施例と同程度の特性を得ることができる。
３．Ｓｍ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｇｄ２Ｏ３゜Ｄｙ２Ｏ３，
Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５およびＶ２Ｏ５となる化合物を
使用しても実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、上述の基本組成のほかに、ＳｉＯ２ＭｎＯ２，Ｆ
ｅ２Ｏ３，ＺｎＯなど一般にフラックスと考えられてい
る塩類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で加える
こともできる。
ｅ２Ｏ３，ＺｎＯなど一般にフラックスと考えられてい
る塩類、酸化物などを、特性を損なわない範囲で加える
こともできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率、絶縁抵抗、絶縁
破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に改善し、静電容量温
度係数が小さいため、製品の小型化、大容情化、特性向
上が可能である。また、密度のより大きな誘電体磁器で
あるため、この組成物で面実装の小形チップ部品を作製
すると、リフローはんだ付けでのチップ立ちを改善でき
る等、実装性の高い製品を得ることが可能である。
破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に改善し、静電容量温
度係数が小さいため、製品の小型化、大容情化、特性向
上が可能である。また、密度のより大きな誘電体磁器で
あるため、この組成物で面実装の小形チップ部品を作製
すると、リフローはんだ付けでのチップ立ちを改善でき
る等、実装性の高い製品を得ることが可能である。
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を説
明する三元図である。
明する三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ−ｙ［（ＴｉＯ＿２）＿（＿１＿−＿ｍ＿）（
ＳｎＯ＿２）＿ｍ］−ｚ（Ｒｅ＿（＿１＿−＿ｎ＿）Ｍ
ｅ＿ｎ）Ｏ＿３＿／＿２と表した時（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１．００，０．０１≦ｍ≦０．２０，０．０１≦Ｃ
≦０．２０，ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれ
る一種以上の希土類元素。ＭｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓ
ｍを除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素
。）、 ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆで
囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重量部に対
し、副成分としてＮｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，Ｖ
＿２Ｏ＿５から選ばれる二種以上を合計で０．００１〜
０．０１０モル部含有したことを特徴とする誘電体磁器
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305423A JPH03165403A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305423A JPH03165403A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03165403A true JPH03165403A (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=17944953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1305423A Pending JPH03165403A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03165403A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59230207A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-12-24 | 沖電気工業株式会社 | マイクロ波用誘電体セラミツクス |
| JPS61250905A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-08 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器組成物及びその製造法 |
| JPS62243208A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-23 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS62243207A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-23 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS63221505A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-14 | ティーディーケイ株式会社 | 非直線性誘電体素子 |
| JPH01140505A (ja) * | 1987-08-21 | 1989-06-01 | Narumi China Corp | 誘電体磁器組成物 |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP1305423A patent/JPH03165403A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59230207A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-12-24 | 沖電気工業株式会社 | マイクロ波用誘電体セラミツクス |
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| JPS63221505A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-14 | ティーディーケイ株式会社 | 非直線性誘電体素子 |
| JPH01140505A (ja) * | 1987-08-21 | 1989-06-01 | Narumi China Corp | 誘電体磁器組成物 |
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