JPH03162580A - 薄膜合成装置 - Google Patents
薄膜合成装置Info
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- JPH03162580A JPH03162580A JP1300503A JP30050389A JPH03162580A JP H03162580 A JPH03162580 A JP H03162580A JP 1300503 A JP1300503 A JP 1300503A JP 30050389 A JP30050389 A JP 30050389A JP H03162580 A JPH03162580 A JP H03162580A
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Links
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Landscapes
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、異物等の混入がない薄膜を長時間に亘り安定
に連続合或できる薄膜合或装置に関するものであも 従来の技術 以下に 本願発明人が提案した先行技術を例にとり説明
を行なう。
に連続合或できる薄膜合或装置に関するものであも 従来の技術 以下に 本願発明人が提案した先行技術を例にとり説明
を行なう。
本願発明人が平威元年特許願第１９８９８６号（名称「
炭素膜の合或方法及び合或装置」）において提案した薄
膜合或装置で、複写機等に使用される有機感光体フィル
ム（以下、フィルムと記す〉上へ耐摩耗保護膜としてダ
イヤモンド状薄膜を合戒する場合を、第３図に基づき説
明を行なう。
炭素膜の合或方法及び合或装置」）において提案した薄
膜合或装置で、複写機等に使用される有機感光体フィル
ム（以下、フィルムと記す〉上へ耐摩耗保護膜としてダ
イヤモンド状薄膜を合戒する場合を、第３図に基づき説
明を行なう。
まず、真空容器４７内のフィルム搬送機３６にフィルム
３５を設置し 真空容器４７内をＩＯ−６Ｔｏｒｒ程度
までに真空排気を行う。次に プラズマ管３９内へ 原
料ガスのメタンとアシストガスのアルゴンを、等しい分
圧で導入してプラズマ管３９内を４ ｘ４ ０−”Ｔｏ
ｒ ｒ程度の圧力とレ励起コイル４０に１３． ５
６ＭＨｚの高周波電源４ｌから１５０Ｗ程度の高周波電
力を投入してプラズマ管３９内でプラズマを発生させも
メッシュ電極３７と陽極４４間には直流電源４６で直流
電圧を０．６ｋＶ印加することによって、ノズル４５の
開口面積に相当する薄膜合或部３８においてダイヤモン
ド状薄膜がフィルム３５の上に合戒されも このとき、フィルム搬送機３６でフィルム３５を連続的
に搬送することによって、長尺のフイルム３５上へダイ
ヤモンド薄膜が連続合或できも以上の合或条件によれば
膜厚０． ｌμｍのダイヤモンド状薄膜を長さ１０
０ｍのフィルムの上に合或する場合、フィルム３５の搬
送速度は１ｍ／分程度であり、また要する処理時間は１
００分程度であつ九 ここでメッシュ電極３７の作用は プラズマ中のイオン
を除去し 活性種を含んだ中性のガスによって有機感光
体の表面にダイヤモンド状薄膜を合或することで、有機
感光体の損傷や特性の劣化が生じないようにするもので
あも 発明が解決しようとする課題 前記先行技術で（友 プラズマ中のイオンを除去するこ
とで、特性が劣化しない有機感光体を得ることが可能と
なった力文 ダイヤモンド状薄膜の合或中において、フ
ィルム基体上に合威されたダイヤモンド状薄膜に異物が
混入するという問題が発生することがあった たとえば
長さ１００ｍのフィルムの上にダイヤモンド状薄膜を
連続合或する場合、目視観察の結久 薄膜合戊開始から
約ｌＯｍ以後で前記異物の混入がみられた そして、この原因は次の通りであることを見いだした
すなわち前記イオンはメッシュ電極３７で除去される力
丈 同時に活性種の一部によってダイヤモンド状薄膜が
メッシュ電極３７上にも合或されていく。そして、この
メッシュ電極上に形或されたダイヤモンド状薄膜（友
その厚さがある程度以上になるとメッシュ電極３７から
剥離しやすくなり、その剥離片が基体へも到達するので
ある。
３５を設置し 真空容器４７内をＩＯ−６Ｔｏｒｒ程度
までに真空排気を行う。次に プラズマ管３９内へ 原
料ガスのメタンとアシストガスのアルゴンを、等しい分
圧で導入してプラズマ管３９内を４ ｘ４ ０−”Ｔｏ
ｒ ｒ程度の圧力とレ励起コイル４０に１３． ５
６ＭＨｚの高周波電源４ｌから１５０Ｗ程度の高周波電
力を投入してプラズマ管３９内でプラズマを発生させも
メッシュ電極３７と陽極４４間には直流電源４６で直流
電圧を０．６ｋＶ印加することによって、ノズル４５の
開口面積に相当する薄膜合或部３８においてダイヤモン
ド状薄膜がフィルム３５の上に合戒されも このとき、フィルム搬送機３６でフィルム３５を連続的
に搬送することによって、長尺のフイルム３５上へダイ
ヤモンド薄膜が連続合或できも以上の合或条件によれば
膜厚０． ｌμｍのダイヤモンド状薄膜を長さ１０
０ｍのフィルムの上に合或する場合、フィルム３５の搬
送速度は１ｍ／分程度であり、また要する処理時間は１
００分程度であつ九 ここでメッシュ電極３７の作用は プラズマ中のイオン
を除去し 活性種を含んだ中性のガスによって有機感光
体の表面にダイヤモンド状薄膜を合或することで、有機
感光体の損傷や特性の劣化が生じないようにするもので
あも 発明が解決しようとする課題 前記先行技術で（友 プラズマ中のイオンを除去するこ
とで、特性が劣化しない有機感光体を得ることが可能と
なった力文 ダイヤモンド状薄膜の合或中において、フ
ィルム基体上に合威されたダイヤモンド状薄膜に異物が
混入するという問題が発生することがあった たとえば
長さ１００ｍのフィルムの上にダイヤモンド状薄膜を
連続合或する場合、目視観察の結久 薄膜合戊開始から
約ｌＯｍ以後で前記異物の混入がみられた そして、この原因は次の通りであることを見いだした
すなわち前記イオンはメッシュ電極３７で除去される力
丈 同時に活性種の一部によってダイヤモンド状薄膜が
メッシュ電極３７上にも合或されていく。そして、この
メッシュ電極上に形或されたダイヤモンド状薄膜（友
その厚さがある程度以上になるとメッシュ電極３７から
剥離しやすくなり、その剥離片が基体へも到達するので
ある。
このようにして異物が存在することとなったフイルムで
は印字のにじみが生じる颯 印写特性が劣化すると言う
課題を有していた 本発明（よ この様な課題を解決し 特に量産ブロセス
で長時間に亘り異均等の混入もない薄膜を安定に連続合
戒することが可能な薄膜合或装置を提供するものであも 課題を解決するための手段 上記課題を解決するための手段（友 薄膜合戒部内にお
いてフィルム基体の前面に 清浄なメッシュ電極を供給
することであも 作 用 本発明によれば 基体の前面には常に汚染のない清浄な
メッシ電極が対向するたべ メッシュ電極から基体へダ
イヤモンド状薄膜の剥離片が飛来する事はなく、基体上
には異物の混入のない良質のダイヤモンド状薄膜が形或
されるのであも実施例 以下に第１図を用いて、本発明の第一の実施例を記す。
は印字のにじみが生じる颯 印写特性が劣化すると言う
課題を有していた 本発明（よ この様な課題を解決し 特に量産ブロセス
で長時間に亘り異均等の混入もない薄膜を安定に連続合
戒することが可能な薄膜合或装置を提供するものであも 課題を解決するための手段 上記課題を解決するための手段（友 薄膜合戒部内にお
いてフィルム基体の前面に 清浄なメッシュ電極を供給
することであも 作 用 本発明によれば 基体の前面には常に汚染のない清浄な
メッシ電極が対向するたべ メッシュ電極から基体へダ
イヤモンド状薄膜の剥離片が飛来する事はなく、基体上
には異物の混入のない良質のダイヤモンド状薄膜が形或
されるのであも実施例 以下に第１図を用いて、本発明の第一の実施例を記す。
まず、真空容器ｌ４内のフィルム搬送機４にフィルム３
を設置し 真空容器ｌ４内を１０−’Ｔｏｒｒ程度まで
真空排気すも 次に プラズマ管６内へ原料ガスのメタ
ンとアシストガスのアルゴンを等しい分圧で導入し プ
ラズマ管内の圧力を４ｘ １ ０−”Ｔｏ ｒ ｒ程度
となヒ 励起コイル７に１３． ５６ＭＨｚの高周波
電源８から高周波電力を１５０Ｗ程度投入してプラズマ
管６内でプラズマを発生させも メッシュ電極２と陽極１１とに直流電源ｌ２で直流電圧
を０．６ｋＶ印加することによって、ノズルｌ３の開口
面積に相当する薄膜合或部５においてダイヤモンド状薄
膜がフィルム３の上に合或されも このとき、フィルム
搬送ｔａ４でフィルム３を連続的に搬送することによっ
て、長尺のフィルム３ヘダイヤモンド薄膜が連続合或で
きもさて、本実施例で｛よ メッシュ電極２は長尺の帯
形状のものを用１，Ｘ．ダイヤモンド状薄膜の合或時に
はメッシュ電極２力ｔ メッシュ電極供給手段である連
続巻き出し巻き取りローラ１、 １ａによって図中の矢
印Ａ方向に移動していく。この様にフィルム３の前面に
は 常に新しい清浄なメッシュ電服 すなわちダイヤモ
ンド状薄膜が形戊されていないメッシュ電極が供給され
ることとなも従って、従来の問題は完全に解決されるの
であん本実施例Ｆ，１００ｍの長さのフィルム３の上に
膜厚がＯ．ｌμｍのダイヤモンド状薄膜を合或する処理
時間（上 前記先行例に等しく１００分程度である爪
メッシュ電極２の移動速度を０． １ｍ／分以上とす
ることでｔｏＯｒｎの長さのフィルム３の上に 剥離片
等の異物の混入のないダイヤモンド状薄膜が合或できた この移動速度が小さすぎると、剥離片等の異物の混入が
認められるようになるので好ましくな（℃この様にして
、フィルム全面への薄膜合戒が完了すると、真空容器ｌ
４は一旦 大気に開放されフィルム３がフィルム搬送装
置４から取り外されて、次のフィルムの処理に移も こ
のとき、メッシュ電極２には既にダイヤモンド状薄膜が
合威されているために 新たな清浄なメッシュ電極に交
換することが望まし鶏 第２図に本発明の第二の実施例を示す。
を設置し 真空容器ｌ４内を１０−’Ｔｏｒｒ程度まで
真空排気すも 次に プラズマ管６内へ原料ガスのメタ
ンとアシストガスのアルゴンを等しい分圧で導入し プ
ラズマ管内の圧力を４ｘ １ ０−”Ｔｏ ｒ ｒ程度
となヒ 励起コイル７に１３． ５６ＭＨｚの高周波
電源８から高周波電力を１５０Ｗ程度投入してプラズマ
管６内でプラズマを発生させも メッシュ電極２と陽極１１とに直流電源ｌ２で直流電圧
を０．６ｋＶ印加することによって、ノズルｌ３の開口
面積に相当する薄膜合或部５においてダイヤモンド状薄
膜がフィルム３の上に合或されも このとき、フィルム
搬送ｔａ４でフィルム３を連続的に搬送することによっ
て、長尺のフィルム３ヘダイヤモンド薄膜が連続合或で
きもさて、本実施例で｛よ メッシュ電極２は長尺の帯
形状のものを用１，Ｘ．ダイヤモンド状薄膜の合或時に
はメッシュ電極２力ｔ メッシュ電極供給手段である連
続巻き出し巻き取りローラ１、 １ａによって図中の矢
印Ａ方向に移動していく。この様にフィルム３の前面に
は 常に新しい清浄なメッシュ電服 すなわちダイヤモ
ンド状薄膜が形戊されていないメッシュ電極が供給され
ることとなも従って、従来の問題は完全に解決されるの
であん本実施例Ｆ，１００ｍの長さのフィルム３の上に
膜厚がＯ．ｌμｍのダイヤモンド状薄膜を合或する処理
時間（上 前記先行例に等しく１００分程度である爪
メッシュ電極２の移動速度を０． １ｍ／分以上とす
ることでｔｏＯｒｎの長さのフィルム３の上に 剥離片
等の異物の混入のないダイヤモンド状薄膜が合或できた この移動速度が小さすぎると、剥離片等の異物の混入が
認められるようになるので好ましくな（℃この様にして
、フィルム全面への薄膜合戒が完了すると、真空容器ｌ
４は一旦 大気に開放されフィルム３がフィルム搬送装
置４から取り外されて、次のフィルムの処理に移も こ
のとき、メッシュ電極２には既にダイヤモンド状薄膜が
合威されているために 新たな清浄なメッシュ電極に交
換することが望まし鶏 第２図に本発明の第二の実施例を示す。
この実施例で（上 前記第一の実施例のメッシュ電極に
付着した付着物を除去することによって、メッシュ電極
の繰り返し使用を可能としたもの玄更に長尺のフィルム
への薄膜合或が連続して行えるものであも 本実施例におけるフィルムｌ６上への薄膜の合戒動作：
友 前記第一の実施例と同様であん本実施例では メッ
シュ電極上に付着したダイヤモンド状薄膜を除去する除
去部が形戊されていも 本実施例で（！，この除去部は
酸素プラズマエッチング方式を採用しており、以下に詳
述すも真空容器３２の真空排気と同時に容器２２、 ２
２ａ内も真空排気した後、これら容器内に酸素を導入し
容器２２、 ２２ａ内を０．ＩＴｏｒｒ程度の圧力に
設定すも 次に 長さ２０ｃｒｎ， 幅（第２図の奥
行き方向）２６ｃｍのステンレスの電極２１、２１ａに
直流電源２３、 ２３ａで１００Ｖの直流電圧を印加し
酸素プラズマ１９、 ｌ９ａを発生させも この酸素
プラズマ中に（友 酸素ラジカ／１４ 酸素イオン等
の粒子が多量に存在しており、これらの粒子はダイヤモ
ンド状薄膜の構戊元素である炭素と激しく酸化反応し
この炭素を一酸化炭魚 二酸化炭素等にして容器中に放
出すム この酸化反応は正電位側の方で活発に行なわれ
るた△ 第２図に示すように メッシュ電極１７は電極
２１、 ２１ａに対して正電位とすることが好まし鶏 このよう家 電極２１、 ２１ａで構戊される除去部２
０、 ２０ａの形状、寸法 および除去条件等（よ 前
記除去部においてメッシュ電極の上に合戊されたダイヤ
モンド状薄膜が十分に除去されるように設定されも 本実施例では以上の除去部２０、 ２０ａの条件で、メ
ッシュ電極１７の上に合戒されたダイヤモンド状薄膜が
除去部内において除去できるものであも この様に 本実施例で（よ メッシュ電極に形或される
ダイヤモンド状薄膜を効果的に除去する除去部を設けた
ので、例え｛ヱ この除去部２ｏ１２０ａによりメッシ
ュ電極を清掃しなか板 メッシュ電極を、メッシュ電極
の供給手段である連続巻き出し巻き取り口ーラｌ８によ
り往復動させることで、常に清浄なメッシュ電極をフィ
ルム面に対向させる事が可能となり、大容量のフィルム
に対しても連続して薄膜形戒が可能となん その結凰 本実施例で（友 例えｉ；Ｃ５００ｍの長さ
のフィルム１６の上に膜厚がＯ． ｌμｍのダイヤモ
ンド状薄膜を連続して合戊することが可能となっ九 こ
の場念 処理時間は５００分である力支 メッシュ電極
ｌ７の移動速度を０．１ｍ／分以上とすることで５００
ｍの長さのフィルム１６の上に 剥離片等の異物の混入
のないダイヤモンド状薄膜が合戒できｔも この移動
速度が小さすぎると、剥離片等の異物の混入が認められ
るようになるので好ましくな（℃ な耘 本実施例では薄膜合戒部２８が内在する真空容器
３２と、除去部２０、 ２０ａが内在する容器２２、２
２ａと（よ メッシュ電極ｌ７が通過可能な開口を有し
た隔壁２４、および２４ａで分離されていも この隔壁
２４、 ２４ａの主たる役割（よ 真空容器３２へ容器
２２、２２ａ内の酸素ガスが漏れ出て、ダイヤモンド状
薄膜の合或に悪影響を及ぼさないようにすることであも
従って、この場在 隔壁２４、２４ａの開口はメッシ
ュ電極１７の厚さより大きく、しかもメッシュ電極１７
の厚さに 真空容器２２、および２２ａにおけるガス分
子の平均自由行程を加えた値より小さくすることが好ま
しへ 鑞 この隙間は合戊しようとする薄膜の合或方法 及び
除去部の方式等によって適宜選択されるものであって、
必ずしも上記の記述に限定されるものではなＬ℃ また 除去部における前記酸化反応はメッシュ電極を、
例えばハロゲンランプ等で加熱することによって促進さ
れるたべ このような加熱手段を除去部内に設けること
で前記電極の小型化等も可能であム まな 上記の除去
部は一例として酸素プラズマエッチング方式を用いた爪
本発明では例えばアルゴン、クリプトン等不活性ガス
のイオンビームスバッタエッチング方式も用いることが
可能であム また メッシュ電極と薄膜の組合せ等にも
よる力ｔ 薄膜が機械的に擦り取れるような場合に（よ
除去部に例えばブラシを用いることも可能である。
付着した付着物を除去することによって、メッシュ電極
の繰り返し使用を可能としたもの玄更に長尺のフィルム
への薄膜合或が連続して行えるものであも 本実施例におけるフィルムｌ６上への薄膜の合戒動作：
友 前記第一の実施例と同様であん本実施例では メッ
シュ電極上に付着したダイヤモンド状薄膜を除去する除
去部が形戊されていも 本実施例で（！，この除去部は
酸素プラズマエッチング方式を採用しており、以下に詳
述すも真空容器３２の真空排気と同時に容器２２、 ２
２ａ内も真空排気した後、これら容器内に酸素を導入し
容器２２、 ２２ａ内を０．ＩＴｏｒｒ程度の圧力に
設定すも 次に 長さ２０ｃｒｎ， 幅（第２図の奥
行き方向）２６ｃｍのステンレスの電極２１、２１ａに
直流電源２３、 ２３ａで１００Ｖの直流電圧を印加し
酸素プラズマ１９、 ｌ９ａを発生させも この酸素
プラズマ中に（友 酸素ラジカ／１４ 酸素イオン等
の粒子が多量に存在しており、これらの粒子はダイヤモ
ンド状薄膜の構戊元素である炭素と激しく酸化反応し
この炭素を一酸化炭魚 二酸化炭素等にして容器中に放
出すム この酸化反応は正電位側の方で活発に行なわれ
るた△ 第２図に示すように メッシュ電極１７は電極
２１、 ２１ａに対して正電位とすることが好まし鶏 このよう家 電極２１、 ２１ａで構戊される除去部２
０、 ２０ａの形状、寸法 および除去条件等（よ 前
記除去部においてメッシュ電極の上に合戊されたダイヤ
モンド状薄膜が十分に除去されるように設定されも 本実施例では以上の除去部２０、 ２０ａの条件で、メ
ッシュ電極１７の上に合戒されたダイヤモンド状薄膜が
除去部内において除去できるものであも この様に 本実施例で（よ メッシュ電極に形或される
ダイヤモンド状薄膜を効果的に除去する除去部を設けた
ので、例え｛ヱ この除去部２ｏ１２０ａによりメッシ
ュ電極を清掃しなか板 メッシュ電極を、メッシュ電極
の供給手段である連続巻き出し巻き取り口ーラｌ８によ
り往復動させることで、常に清浄なメッシュ電極をフィ
ルム面に対向させる事が可能となり、大容量のフィルム
に対しても連続して薄膜形戒が可能となん その結凰 本実施例で（友 例えｉ；Ｃ５００ｍの長さ
のフィルム１６の上に膜厚がＯ． ｌμｍのダイヤモ
ンド状薄膜を連続して合戊することが可能となっ九 こ
の場念 処理時間は５００分である力支 メッシュ電極
ｌ７の移動速度を０．１ｍ／分以上とすることで５００
ｍの長さのフィルム１６の上に 剥離片等の異物の混入
のないダイヤモンド状薄膜が合戒できｔも この移動
速度が小さすぎると、剥離片等の異物の混入が認められ
るようになるので好ましくな（℃ な耘 本実施例では薄膜合戒部２８が内在する真空容器
３２と、除去部２０、 ２０ａが内在する容器２２、２
２ａと（よ メッシュ電極ｌ７が通過可能な開口を有し
た隔壁２４、および２４ａで分離されていも この隔壁
２４、 ２４ａの主たる役割（よ 真空容器３２へ容器
２２、２２ａ内の酸素ガスが漏れ出て、ダイヤモンド状
薄膜の合或に悪影響を及ぼさないようにすることであも
従って、この場在 隔壁２４、２４ａの開口はメッシ
ュ電極１７の厚さより大きく、しかもメッシュ電極１７
の厚さに 真空容器２２、および２２ａにおけるガス分
子の平均自由行程を加えた値より小さくすることが好ま
しへ 鑞 この隙間は合戊しようとする薄膜の合或方法 及び
除去部の方式等によって適宜選択されるものであって、
必ずしも上記の記述に限定されるものではなＬ℃ また 除去部における前記酸化反応はメッシュ電極を、
例えばハロゲンランプ等で加熱することによって促進さ
れるたべ このような加熱手段を除去部内に設けること
で前記電極の小型化等も可能であム まな 上記の除去
部は一例として酸素プラズマエッチング方式を用いた爪
本発明では例えばアルゴン、クリプトン等不活性ガス
のイオンビームスバッタエッチング方式も用いることが
可能であム また メッシュ電極と薄膜の組合せ等にも
よる力ｔ 薄膜が機械的に擦り取れるような場合に（よ
除去部に例えばブラシを用いることも可能である。
また以上Ｇ１ ダイヤモンド状薄膜について例示した
力ｔ 他にも例えば半導体素子用のシリコン系薄株 各
種電子素子の電極用のアルミニウム薄膜等を合戊する場
合についてＬ 従来の薄膜合或装置では同様の問題が発
生する力曳 その様な場合にも本発明を適用できること
は明かであも発明の効果 以上記したように 本発明の薄膜合或装置は長時間に亘
り異均等の混入がない良質のダイヤモンド状薄膜を連続
合或できると言う効果を有するものである。従って、特
に 例えば長尺の有機感光体フィルムの上にダイヤモン
ド状薄膜を合或する場合等の量産プロセスにおいて、効
果が顕著であも
力ｔ 他にも例えば半導体素子用のシリコン系薄株 各
種電子素子の電極用のアルミニウム薄膜等を合戊する場
合についてＬ 従来の薄膜合或装置では同様の問題が発
生する力曳 その様な場合にも本発明を適用できること
は明かであも発明の効果 以上記したように 本発明の薄膜合或装置は長時間に亘
り異均等の混入がない良質のダイヤモンド状薄膜を連続
合或できると言う効果を有するものである。従って、特
に 例えば長尺の有機感光体フィルムの上にダイヤモン
ド状薄膜を合或する場合等の量産プロセスにおいて、効
果が顕著であも
第ｌ図は本発明の第一の実施例の薄膜合戊装置の概略は
第２図は第二の実施例の薄膜合或装置の概略は 第３
図は先行技術の薄膜合戒装置の概略図であも
第２図は第二の実施例の薄膜合或装置の概略は 第３
図は先行技術の薄膜合戒装置の概略図であも
Claims (3)
- （１）基体への薄膜合成を、前記基体前面に対向して設
けられたメッシュ電極を介して行なう薄膜合成装置であ
って、清浄なメッシュ電極を前記基体前面に供給するメ
ッシュ電極供給手段を具備した事を特徴とする薄膜合成
装置。 - （２）メッシュ電極上に合成された合成物の除去部を具
備し、前記除去部により合成物が除去されたメッシュ電
極を基体前面に供給することを特徴とする請求項１記載
の薄膜合成装置。 - （３）基体への薄膜合成が行なわれる空間部と除去部と
の間に、メッシュ電極が通過可能な開口を有した隔壁を
具備した請求項２記載の薄膜合成装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1300503A JPH03162580A (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | 薄膜合成装置 |
| EP90114140A EP0411435B1 (en) | 1989-07-31 | 1990-07-24 | Apparatus for synthesizing diamondlike thin film |
| DE69005938T DE69005938T2 (de) | 1989-07-31 | 1990-07-24 | Vorrichtung zur Herstellung von einer dünnen diamantartigen Kohlenstoffschicht. |
| US07/558,241 US5203924A (en) | 1989-07-31 | 1990-07-26 | Method of and apparatus for synthesizing diamondlike thin film |
| US08/174,169 US5674573A (en) | 1989-07-31 | 1993-12-29 | Method of synthesizing diamond-like carbon thin films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1300503A JPH03162580A (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | 薄膜合成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03162580A true JPH03162580A (ja) | 1991-07-12 |
Family
ID=17885603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1300503A Pending JPH03162580A (ja) | 1989-07-31 | 1989-11-17 | 薄膜合成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03162580A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011178616A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Tatsuhiko Aizawa | 炭素系物質除去方法及び該除去方法を備えた部品等の製造方法・リサイクル方法 |
| JP2015067851A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 東レエンジニアリング株式会社 | 薄膜形成装置 |
-
1989
- 1989-11-17 JP JP1300503A patent/JPH03162580A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011178616A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Tatsuhiko Aizawa | 炭素系物質除去方法及び該除去方法を備えた部品等の製造方法・リサイクル方法 |
| JP2015067851A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 東レエンジニアリング株式会社 | 薄膜形成装置 |
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