JPH0786240A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
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- JPH0786240A JPH0786240A JP22544493A JP22544493A JPH0786240A JP H0786240 A JPH0786240 A JP H0786240A JP 22544493 A JP22544493 A JP 22544493A JP 22544493 A JP22544493 A JP 22544493A JP H0786240 A JPH0786240 A JP H0786240A
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- JP
- Japan
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- hydrogen
- surface treatment
- treatment apparatus
- atomic
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【構成】超高真空に排気された反応管１内に、Ｈ2 ガス
を導入し、Ｗフィラメント４を１８００℃まで通電加熱
すると、Ｈ2 分子が解離し原子状水素Ｈが発生する。Ｈ
原子とＨＦガスを、試料台６に設置された自然酸化膜を
もつＳｉウェハ８に照射する。Ｓｉ酸化膜は、ＨＦガス
によってエッチングされる。Ｓｉ酸化膜のエッチングが
終わると、Ｓｉ表面はＨおよびＦで終端される。 【効果】乾式で自然酸化膜を効率よく除去でき、Ｓｉウ
ェハ表面を水素終端できるので、酸化，汚染に強く、し
かも残留Ｆ量の少ない表面が得られる。
を導入し、Ｗフィラメント４を１８００℃まで通電加熱
すると、Ｈ2 分子が解離し原子状水素Ｈが発生する。Ｈ
原子とＨＦガスを、試料台６に設置された自然酸化膜を
もつＳｉウェハ８に照射する。Ｓｉ酸化膜は、ＨＦガス
によってエッチングされる。Ｓｉ酸化膜のエッチングが
終わると、Ｓｉ表面はＨおよびＦで終端される。 【効果】乾式で自然酸化膜を効率よく除去でき、Ｓｉウ
ェハ表面を水素終端できるので、酸化，汚染に強く、し
かも残留Ｆ量の少ない表面が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス製造プ
ロセスに係り、特に、Ｓｉウェハ表面上に存在するＳｉ
自然酸化膜その他を除去する表面処理装置に関する。
ロセスに係り、特に、Ｓｉウェハ表面上に存在するＳｉ
自然酸化膜その他を除去する表面処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の高集積化，微細化，高性能
化に伴い、その製造プロセスの高品質化，高精度化が不
可欠となっている。その中で、酸，アルカリ，有機溶剤
等の溶液を用いる湿式洗浄に代る乾式の表面制御技術お
よび表面清浄化技術の重要性がますます高まっている。
特に、自然酸化膜の除去を含めたＳｉの表面処理は、ゲ
ート酸化膜の高品質化，コンタクト抵抗の低減等の理由
から、将来の半導体素子製造の鍵を握るプロセスの一つ
と考えられる。
化に伴い、その製造プロセスの高品質化，高精度化が不
可欠となっている。その中で、酸，アルカリ，有機溶剤
等の溶液を用いる湿式洗浄に代る乾式の表面制御技術お
よび表面清浄化技術の重要性がますます高まっている。
特に、自然酸化膜の除去を含めたＳｉの表面処理は、ゲ
ート酸化膜の高品質化，コンタクト抵抗の低減等の理由
から、将来の半導体素子製造の鍵を握るプロセスの一つ
と考えられる。
【０００３】従来のＳｉの乾式表面処理装置および方法
の一例が青山等のＳＤＭ９１−９０の１１頁から１６頁
に記載されている。図２は、紫外光励起Ｆ2／Ｈ2による
表面処理装置の従来例である。この装置本体９はテフロ
ン製であり、これにＨ2 ，Ａｒガスの導入系１０，
Ｆ2 ，Ａｒガスの導入系１１，石英窓１２，排気口７，
Ｓｉウェハ８を設置する試料台６、および低圧水銀ラン
プ１３と反射板１４からなる紫外光の照射系が設けられ
ている。
の一例が青山等のＳＤＭ９１−９０の１１頁から１６頁
に記載されている。図２は、紫外光励起Ｆ2／Ｈ2による
表面処理装置の従来例である。この装置本体９はテフロ
ン製であり、これにＨ2 ，Ａｒガスの導入系１０，
Ｆ2 ，Ａｒガスの導入系１１，石英窓１２，排気口７，
Ｓｉウェハ８を設置する試料台６、および低圧水銀ラン
プ１３と反射板１４からなる紫外光の照射系が設けられ
ている。
【０００４】各ガスの流量は、Ｆ2：２.５ml／min（０.
５％），Ｈ2：２５０ml／min（５０％），Ａｒ：２４
７.５ml／min(４９.５％）である。処理圧力は常圧であ
る。低圧水銀ランプ１３により発生した紫外光は、反射
板１４で反射した光とともに、石英窓１２を通して各ガ
スおよび自然酸化膜を有するＳｉウェハ８に照射され
る。この紫外光励起Ｆ2／Ｈ2処理により自然酸化膜が除
去され、Ｓｉ表面は多量のＨ原子と少量のＦ原子で終端
される。このように水素終端されたＳｉ表面は、酸化，
汚染に強いことが知られている。
５％），Ｈ2：２５０ml／min（５０％），Ａｒ：２４
７.５ml／min(４９.５％）である。処理圧力は常圧であ
る。低圧水銀ランプ１３により発生した紫外光は、反射
板１４で反射した光とともに、石英窓１２を通して各ガ
スおよび自然酸化膜を有するＳｉウェハ８に照射され
る。この紫外光励起Ｆ2／Ｈ2処理により自然酸化膜が除
去され、Ｓｉ表面は多量のＨ原子と少量のＦ原子で終端
される。このように水素終端されたＳｉ表面は、酸化，
汚染に強いことが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記方法には、６０分
の上記処理を行ってもＳｉウェハ表面の水素終端率は５
５〜７０％と低く、フッ素の残留率が高いために、酸
化，汚染に対する抑制力が不十分であるという問題があ
った。また、残留フッ素を除去するために前述の工程に
加えて、真空中(１／１０5Ｐａ以下）での熱処理等の工
程が必要であるという問題もあった。これらの問題点
は、Ｈ2分子，Ｆ2分子のＳｉ酸化物等に対する反応性が
弱いことにある。
の上記処理を行ってもＳｉウェハ表面の水素終端率は５
５〜７０％と低く、フッ素の残留率が高いために、酸
化，汚染に対する抑制力が不十分であるという問題があ
った。また、残留フッ素を除去するために前述の工程に
加えて、真空中(１／１０5Ｐａ以下）での熱処理等の工
程が必要であるという問題もあった。これらの問題点
は、Ｈ2分子，Ｆ2分子のＳｉ酸化物等に対する反応性が
弱いことにある。
【０００６】本発明の目的は、自然酸化膜を効率よく除
去するとともに、Ｓｉウェハ表面を水素終端し、表面を
酸化，汚染から保護する乾式表面処理装置を提供するこ
とにある。
去するとともに、Ｓｉウェハ表面を水素終端し、表面を
酸化，汚染から保護する乾式表面処理装置を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、化学反応性
の弱い分子を用いたことから生じている。したがって、
上記目的を達成するために、原子状水素（Ｈ）または水
素プラズマに加えて、気体状フッ化水素（ＨＦ）または
原子状フッ素（Ｆ）または分子状フッ素(Ｆ2）を用い
た。
の弱い分子を用いたことから生じている。したがって、
上記目的を達成するために、原子状水素（Ｈ）または水
素プラズマに加えて、気体状フッ化水素（ＨＦ）または
原子状フッ素（Ｆ）または分子状フッ素(Ｆ2）を用い
た。
【０００８】
【作用】Ｓｉ酸化膜は、気体状ＨＦによって次の反応に
よりエッチングされる。
よりエッチングされる。
【０００９】
【化１】 ＳｉＯ2＋４ＨＦ→ＳｉＦ4＋２Ｈ2Ｏ …（１） また、Ｓｉ酸化膜は、原子状ＨあるいはプラズマＨと原
子状Ｆによって次の反応によりエッチングされる。
子状Ｆによって次の反応によりエッチングされる。
【００１０】
【化２】 ＳｉＯ2＋４Ｈ＋４Ｆ→ＳｉＦ4＋２Ｈ2Ｏ …（２） また、Ｓｉ酸化膜は、原子状ＨあるいはプラズマＨと分
子状Ｆ2 によって次の反応によりエッチングされる。
子状Ｆ2 によって次の反応によりエッチングされる。
【００１１】
【化３】 ＳｉＯ2＋４Ｈ＋２Ｆ2→ＳｉＦ4＋２Ｈ2Ｏ …（３） Ｓｉ酸化膜のエッチングが完了すると、Ｓｉ表面はＨお
よびＦで終端される。また、Ｈに対するＦの割合を制御
することにより残留Ｆ量を制御、あるいは残留Ｆをなく
すことができる。以上のように、自然酸化膜を効率よく
除去できるとともに、残留Ｆ量が制御された水素終端化
Ｓｉ表面を実現できる。
よびＦで終端される。また、Ｈに対するＦの割合を制御
することにより残留Ｆ量を制御、あるいは残留Ｆをなく
すことができる。以上のように、自然酸化膜を効率よく
除去できるとともに、残留Ｆ量が制御された水素終端化
Ｓｉ表面を実現できる。
【００１２】
（実施例１）図１に示した装置は、高真空に減圧できる
反応管１の中に、中央部に網目状の部分を持つ仕切り
２，仕切り２の一方に水素ガス（Ｈ2）導入系３とタン
グステン（Ｗ）フィラメント４，もう一方にフッ化水素
ガス（ＨＦ）導入系５と加熱機構，回転機構の付いた試
料台６を有し、排気口７から真空に排気される。
反応管１の中に、中央部に網目状の部分を持つ仕切り
２，仕切り２の一方に水素ガス（Ｈ2）導入系３とタン
グステン（Ｗ）フィラメント４，もう一方にフッ化水素
ガス（ＨＦ）導入系５と加熱機構，回転機構の付いた試
料台６を有し、排気口７から真空に排気される。
【００１３】次に、この実施例の装置を用いたＳｉウェ
ハ上の自然酸化膜除去と水素終端化の方法について説明
する。まず、排気口７より反応管１内を１／１０6 〜１
／１０9Ｐａ 代の高真空に排気する。次に、Ｈ2ガスを
Ｈ2ガス導入系３から分圧１／１０1〜１／１０5Ｐａま
で導入する。Ｗフィラメント４を１８００℃まで通電加
熱すると、Ｈ2分子が解離し原子状水素（Ｈ）が発生す
る。さらに、ＨＦガスをＨＦガス導入系５から分圧５／
１０3〜５／１０8Ｐａまで導入する。
ハ上の自然酸化膜除去と水素終端化の方法について説明
する。まず、排気口７より反応管１内を１／１０6 〜１
／１０9Ｐａ 代の高真空に排気する。次に、Ｈ2ガスを
Ｈ2ガス導入系３から分圧１／１０1〜１／１０5Ｐａま
で導入する。Ｗフィラメント４を１８００℃まで通電加
熱すると、Ｈ2分子が解離し原子状水素（Ｈ）が発生す
る。さらに、ＨＦガスをＨＦガス導入系５から分圧５／
１０3〜５／１０8Ｐａまで導入する。
【００１４】ここで、仕切り２はＨＦガスができるだけ
Ｗフィラメントに触れさせないように設けられたもので
ある。
Ｗフィラメントに触れさせないように設けられたもので
ある。
【００１５】発生したＨおよびＨＦは、試料台６に設置
された自然酸化膜を有するＳｉウェハ８に照射される。
これにより自然酸化膜が除去され、Ｓｉウェハ８表面は
多量のＨ原子と少量のＦ原子で終端される。Ｆ原子の残
留量はＨ2 ガス導入量に対するＨＦガス導入量の割合に
よって変化させることができる。すなわち、この割合が
小さいほど酸化膜エッチング速度は小さくなるが、エッ
チング後のＳｉ表面残留Ｆ原子の量は少なくなる。
された自然酸化膜を有するＳｉウェハ８に照射される。
これにより自然酸化膜が除去され、Ｓｉウェハ８表面は
多量のＨ原子と少量のＦ原子で終端される。Ｆ原子の残
留量はＨ2 ガス導入量に対するＨＦガス導入量の割合に
よって変化させることができる。すなわち、この割合が
小さいほど酸化膜エッチング速度は小さくなるが、エッ
チング後のＳｉ表面残留Ｆ原子の量は少なくなる。
【００１６】また、ＨＦによる自然酸化膜の除去後にＨ
Ｆガスの導入を止め、Ｈ原子のみを照射すれば、Ｆ原子
の残留量を最小限に抑えることができる。このとき、試
料台に設けられた加熱機構によりＳｉウェハを３００〜
５００℃程度に加熱すれば、残留ＦがＳｉウェハ表面か
ら脱離すると同時に、Ｆが脱離したＳｉ表面はＨ終端さ
れる。
Ｆガスの導入を止め、Ｈ原子のみを照射すれば、Ｆ原子
の残留量を最小限に抑えることができる。このとき、試
料台に設けられた加熱機構によりＳｉウェハを３００〜
５００℃程度に加熱すれば、残留ＦがＳｉウェハ表面か
ら脱離すると同時に、Ｆが脱離したＳｉ表面はＨ終端さ
れる。
【００１７】一方、自然酸化膜の除去後にＨＦガスの導
入を止め、試料台に設けられた加熱機構によりＳｉウェ
ハを７００℃以上に加熱すれば、Ｈとともに残留ＦもＳ
ｉウェハ表面から脱離し、清浄なＳｉ表面が現れる。こ
の後、ウェハ温度を室温に戻してＨ原子を照射すると、
残留Ｆの存在しないＨ終端したＳｉ表面が実現できる。
ＨＦガスの代りに、Ｆ2ガス、または加熱器によりＦ2ガ
スを６００℃以上に加熱して生じたＦ原子を用いても同
じ結果が得られる。
入を止め、試料台に設けられた加熱機構によりＳｉウェ
ハを７００℃以上に加熱すれば、Ｈとともに残留ＦもＳ
ｉウェハ表面から脱離し、清浄なＳｉ表面が現れる。こ
の後、ウェハ温度を室温に戻してＨ原子を照射すると、
残留Ｆの存在しないＨ終端したＳｉ表面が実現できる。
ＨＦガスの代りに、Ｆ2ガス、または加熱器によりＦ2ガ
スを６００℃以上に加熱して生じたＦ原子を用いても同
じ結果が得られる。
【００１８】本発明では、原子状水素を発生させるため
にタングステンを用いたが、高融点金属であればタング
ステン以外のものでもよい。
にタングステンを用いたが、高融点金属であればタング
ステン以外のものでもよい。
【００１９】また、Ｈ，ＨＦ，Ｆ，Ｆ2 等の原子，分子
をウェハ上に均一に照射するために試料台に回転機構を
設けてもよい。回転機構の代りに振動機構を設けても同
等の効果が得られる。
をウェハ上に均一に照射するために試料台に回転機構を
設けてもよい。回転機構の代りに振動機構を設けても同
等の効果が得られる。
【００２０】本実施例によれば、１０分程度で自然酸化
膜を効率よく除去でき、Ｓｉウェハ表面を９５％以上の
率で水素終端できるので、酸化，汚染に強く、しかも残
留Ｆ量の少ない表面が得られる。
膜を効率よく除去でき、Ｓｉウェハ表面を９５％以上の
率で水素終端できるので、酸化，汚染に強く、しかも残
留Ｆ量の少ない表面が得られる。
【００２１】（実施例２）本発明の他の実施例を図３に
より説明する。装置は、フッ素ガス(Ｆ2）導入系１５と
これを加熱する加熱器１６、および試料台６を有する反
応管１と、水素ガス(Ｈ2）導入系３，マイクロ波１８が
通過する合成石英窓２１，電磁石用コイル１７，冷却水
１９、およびプラズマ生成室２２からなるＥＣＲ水素プ
ラズマ生成部２３から成り、排気口７から真空に排気さ
れる。
より説明する。装置は、フッ素ガス(Ｆ2）導入系１５と
これを加熱する加熱器１６、および試料台６を有する反
応管１と、水素ガス(Ｈ2）導入系３，マイクロ波１８が
通過する合成石英窓２１，電磁石用コイル１７，冷却水
１９、およびプラズマ生成室２２からなるＥＣＲ水素プ
ラズマ生成部２３から成り、排気口７から真空に排気さ
れる。
【００２２】次に、この実施例の装置を用いたＳｉウェ
ハ８上の自然酸化膜除去と水素終端化の方法について説
明する。まず、排気口７より反応管１内を１／１０3〜
１／１０9Ｐａ代、プラズマ生成室２２内を圧力５／１
０2Ｐａ以下の高真空に排気する。次に、電磁石用コイ
ル１７により磁場を発生させ、電力１０Ｗ以上のマイク
ロ波１８(２.４５ＧＨｚ）を合成石英窓２１を通してプ
ラズマ生成室２２に導く。Ｈ2ガスをＨ2ガス導入系３か
らプラズマ生成室２２に導入すると、プラズマ生成室２
２に水素プラズマが生成する。水素プラズマ２０は、プ
ラズマ生成室２２からＳｉウェハ８方向へ広がる発散磁
場の中を移動し、基板方向に加速されてＳｉウェハ８に
照射される。一方、フッ素ガス（Ｆ2）をフッ素ガス
（Ｆ2）導入系１５から導入し、自然酸化膜を有するＳ
ｉウェハ８に照射する。これにより室温で自然酸化膜が
除去され、Ｓｉウェハ８表面は多量のＨ原子と少量のＦ
原子で終端される。Ｆ原子の残留量はＨプラズマ照射量
に対するＦ2 ガス照射量の割合によって変化させること
ができる。すなわち、この割合が小さいほど酸化膜エッ
チング速度は小さくなるが、エッチング後のＳｉ表面残
留Ｆ原子の量は少なくなる。
ハ８上の自然酸化膜除去と水素終端化の方法について説
明する。まず、排気口７より反応管１内を１／１０3〜
１／１０9Ｐａ代、プラズマ生成室２２内を圧力５／１
０2Ｐａ以下の高真空に排気する。次に、電磁石用コイ
ル１７により磁場を発生させ、電力１０Ｗ以上のマイク
ロ波１８(２.４５ＧＨｚ）を合成石英窓２１を通してプ
ラズマ生成室２２に導く。Ｈ2ガスをＨ2ガス導入系３か
らプラズマ生成室２２に導入すると、プラズマ生成室２
２に水素プラズマが生成する。水素プラズマ２０は、プ
ラズマ生成室２２からＳｉウェハ８方向へ広がる発散磁
場の中を移動し、基板方向に加速されてＳｉウェハ８に
照射される。一方、フッ素ガス（Ｆ2）をフッ素ガス
（Ｆ2）導入系１５から導入し、自然酸化膜を有するＳ
ｉウェハ８に照射する。これにより室温で自然酸化膜が
除去され、Ｓｉウェハ８表面は多量のＨ原子と少量のＦ
原子で終端される。Ｆ原子の残留量はＨプラズマ照射量
に対するＦ2 ガス照射量の割合によって変化させること
ができる。すなわち、この割合が小さいほど酸化膜エッ
チング速度は小さくなるが、エッチング後のＳｉ表面残
留Ｆ原子の量は少なくなる。
【００２３】また、ＨＦによる自然酸化膜の除去後にＦ
2 ガスの導入を止め、Ｈプラズマのみを照射すれば、Ｆ
原子の残留量を最小限に抑えることができる。このと
き、試料台６に設けられた加熱機構によりＳｉウェハ８
を３００〜５００℃程度に加熱すれば、残留ＦがＳｉウ
ェハ表面から脱離すると同時に、Ｆが脱離したＳｉ表面
はＨ終端される。
2 ガスの導入を止め、Ｈプラズマのみを照射すれば、Ｆ
原子の残留量を最小限に抑えることができる。このと
き、試料台６に設けられた加熱機構によりＳｉウェハ８
を３００〜５００℃程度に加熱すれば、残留ＦがＳｉウ
ェハ表面から脱離すると同時に、Ｆが脱離したＳｉ表面
はＨ終端される。
【００２４】また、自然酸化膜の除去後にＦ2 ガスの導
入を止め、試料台に設けられた加熱機構によりＳｉウェ
ハを７００℃以上に加熱すれば、Ｈとともに残留ＦもＳ
ｉウェハ表面から脱離し、清浄なＳｉ表面が現れる。こ
の後、ウェハ温度を室温に戻してＨプラズマを照射する
と、残留Ｆの存在しないＨ終端したＳｉ表面が実現でき
る。
入を止め、試料台に設けられた加熱機構によりＳｉウェ
ハを７００℃以上に加熱すれば、Ｈとともに残留ＦもＳ
ｉウェハ表面から脱離し、清浄なＳｉ表面が現れる。こ
の後、ウェハ温度を室温に戻してＨプラズマを照射する
と、残留Ｆの存在しないＨ終端したＳｉ表面が実現でき
る。
【００２５】Ｆ2ガスの代りに、ＨＦガス、または加熱
器１６によりＦ2ガスを６００℃程度に加熱して生じた
Ｆ原子を用いてもよい。また、Ｈ，ＨＦ，Ｆ，Ｆ2 等の
プラズマ，分子をウェハ上に均一に照射するために、試
料台に回転機構あるいは振動機構等を設けてもよいこと
は実施例と同じである。
器１６によりＦ2ガスを６００℃程度に加熱して生じた
Ｆ原子を用いてもよい。また、Ｈ，ＨＦ，Ｆ，Ｆ2 等の
プラズマ，分子をウェハ上に均一に照射するために、試
料台に回転機構あるいは振動機構等を設けてもよいこと
は実施例と同じである。
【００２６】本実施例によれば、１０分程度で自然酸化
膜を効率よく除去でき、Ｓｉウェハ表面を９５％以上の
率で水素終端できるので、酸化，汚染に強く、しかも残
留Ｆ量の少ない表面が得られる。
膜を効率よく除去でき、Ｓｉウェハ表面を９５％以上の
率で水素終端できるので、酸化，汚染に強く、しかも残
留Ｆ量の少ない表面が得られる。
【００２７】以上、いくつかの実施例について述べた。
これらの実施例の組合せが本発明に含まれることは言う
までもない。
これらの実施例の組合せが本発明に含まれることは言う
までもない。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、自然酸化膜を効率よく
除去できるとともに、Ｓｉウェハ表面を水素終端できる
ので、酸化，汚染に強く、しかも残留Ｆ量の少ない表面
が得られる。
除去できるとともに、Ｓｉウェハ表面を水素終端できる
ので、酸化，汚染に強く、しかも残留Ｆ量の少ない表面
が得られる。
【図１】本発明の一実施例を示す説明図。
【図２】従来の技術を示す説明図。
【図３】本発明の他の実施例の説明図。
１…反応管、２…仕切り、３…水素ガス導入系、４…タ
ングステンフィラメント、５…フッ化水素ガス導入系、
６…試料台、７…排気口、８…Ｓｉウェハ。
ングステンフィラメント、５…フッ化水素ガス導入系、
６…試料台、７…排気口、８…Ｓｉウェハ。
Claims (11)
- 【請求項１】試料台，ガス導入手段，排気手段を有する
反応室で、前記試料台に設置された試料表面上の酸化膜
を除去する表面処理装置において、前記ガス導入手段と
して原子状水素または水素プラズマ導入手段に加えて、
気体状フッ化水素または原子状フッ素または分子状フッ
素導入手段を設けたことを特徴とする表面処理装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記反応室のガス導入
前の圧力が１／１０6 Ｐａ以下である表面処理装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、原子状水素ま
たは水素プラズマに対する原子状フッ素または気体状フ
ッ化水素または分子状フッ素の割合を時間的に変化させ
る手段を設けた表面処理装置。 - 【請求項４】請求項３において、原子状水素または水素
プラズマに対する原子状フッ素または気体状フッ化水素
または分子状フッ素の割合の時間変化の最後が原子状水
素または水素プラズマである表面処理装置。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４において、原子
状水素の発生手段が、高融点金属と前記高融点金属を加
熱する手段である表面処理装置。 - 【請求項６】請求項１，２，３または４において、水素
プラズマの発生手段が、ＥＣＲプラズマ発生手段である
表面処理装置。 - 【請求項７】請求項１，２，３，４，５または６におい
て、原子状フッ素の発生手段が、分子状フッ素の加熱手
段である表面処理装置。 - 【請求項８】請求項１，２，３，４，５，６または７に
おいて、前記反応室で、原子状水素または水素プラズマ
発生部へのフッ素の流出を抑制する構造とした表面処理
装置。 - 【請求項９】請求項１，２，３，４，５，６，７または
８において、前記試料台に加熱手段を設けた表面処理装
置。 - 【請求項１０】請求項１，２，３，４，５，６，７，８
または９において、前記試料台に、回転機構，振動機構
等の露出むらを防ぐための手段を設けた表面処理装置。 - 【請求項１１】請求項１または請求項１０のいずれかに
記載の前記表面処理装置を用いた半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22544493A JPH0786240A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22544493A JPH0786240A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786240A true JPH0786240A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16829460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22544493A Pending JPH0786240A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786240A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10233380A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-09-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の表面処理方法及びシリコン単結晶薄膜の製造方法 |
| US6410454B1 (en) | 1997-06-10 | 2002-06-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki | Method and apparatus for removing contaminants from the surface of a semiconductor wafer |
| KR100358572B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 산화막 형성방법 |
| GB2487716A (en) * | 2011-01-24 | 2012-08-08 | Memsstar Ltd | Vapour Etch of Silicon Dioxide with Improved Selectivity in MEMS structures |
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