JPH0315246B2 - - Google Patents
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Classifications
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- G11—INFORMATION STORAGE
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Description
1 産業上の利用分野
本発明は磁気テープ、磁気デイスク等の磁気記
録媒体に関するもである。 2 従来技術 従来、この種の磁気記録媒体は、ビデオ、オー
デイオ、デイジタル等の各種電気信部の記録に幅
広く利用されている。これらは、基体上に被着形
成された磁性層(磁気記録層)の面内長手方向に
おける磁化を用いる方式として発達してきた。と
ころが、近年、磁気記録の高密度化に伴ない、面
内長手方向の磁化を用いる記録方式では、記録信
号が短波長になるにつれ、媒体内の反磁界が増し
て残留磁化の減衰と回転が生じ、再生出力が著し
く減少する。このため、記録波長をサブミクロン
以下にすることは極めて困難である。 一方、磁気記録媒体の磁性層の厚さ方向の磁化
(いわゆる垂直磁化)を用いる垂直磁化記録方式
が、最近になつて提案されている(例えば、「日
経エレクトロニクス」1978年8月7日、No.192)。
この記録方式によれば、記録波長が短かくなるに
伴なつて媒体内の残留磁化に作用する反磁界が減
少するので、高密度化にとつて好ましい特性を有
し、本質的に高密度記録に適した方式であると考
えられる。 ところで、このような垂直記録を能率良く行な
うには、磁気記録媒体の記録層が垂直方向(磁性
層の厚さ方向)に磁化容易軸を有していなければ
ならない。こうした磁気記録媒体としては、基体
(支持体)上に、磁性粉末とバインダーとを主成
分とする磁性塗料を塗布し、磁性層の垂直方向に
磁化容易軸が向くように配向させた塗布型の媒体
が知られている。この塗布型媒体には、Co,
Fe3O4、γ−Fe2O3、Co添加Fe3O4、Co添加γ−
Fe2O3、六方晶フエライト(例えばバリウムフエ
ライト)、MnBi等が磁性粉末として用いられて
いる(特開昭52−46803号、同53−67406号、同52
−78403号、同55−86103号、同52−78403号、同
54−87202号各公報)。しかしながら、これらの塗
布型媒体は、磁性層中に非磁性のバインダーが存
在しているために、磁性粉末の充填密度を高める
ことには限界があり、従つてS/N比を充分高く
することができない。しかも、記録される信号の
大きさは磁性粒子の寸法で制約される等、磁性塗
膜からなる磁性層を有する媒体は垂直磁化記録用
としては不適当である。 そこで、垂直磁化する磁性層を、例えばバイン
ダーを用いることなく磁性体を支持体上に連続的
に被着したもので形成した連続薄膜型磁気記録媒
体が、高密度記録に適したものとして注目されて
いる。 この連続薄膜型の垂直磁化記録用記録媒体は、
例えば特公昭57−17282号に開示されているよう
に、コバルトとクロムとの合金膜からなる磁気記
録層を有していて、特にクロム含有量は5〜25重
量%のCo−Cr合金膜が優れているとしている。
また、Co−Cr合金膜に30重量%以下のロジウム
を添加してなる磁性層を有する磁気記録媒体が特
開昭55−111110号公報に開示され、更にコバルト
−バナジウム合金膜(例えば米国電気電子通信学
会:略称IEEE刊行の学会誌、“Transaction on
Magnetism”1982年第18巻No.6、1116頁)やコ
バルト−ルテニウム合金膜(例えば1982年3月開
催の第18回東北大通研シンポジウム「垂直磁気記
録」論文集)を用いた磁気記録媒体が知られてい
る。 一方、例えば上記のCo−Cr系垂直磁化膜と基
体との間にFe−Ni系の軟磁性(低保磁力)下地
層を設けることが、特開昭54−51804号公報に開
示されている。この場合には、軟磁性下地層の存
在によつて、補助磁極からの磁束を対向した主磁
極に集中させることができると共に、記録後の残
留磁化状態における減磁作用が少なくなるという
効果が期待できる。 ところが、本発明者が検討を加えた結果、上記
の如き構造の磁気記録媒体は、Co−Cr系垂直磁
化膜が次に示す欠点を有しているために、実用化
する上で不充分であることを見出した。 (1) 磁性層の面に垂直に磁化容易軸を配向させる
には、特に10-7Torr以上の高真空中で磁性層
を作成する必要があり、かつ基板の高度な洗浄
処理、低スパツタ速度等の如き条件を要し、垂
直配向の制御要因が非常に複雑となる。 (2) 信号の記録、再生においては、磁気記録媒体
と垂直記録/再生用ヘツドとを相対的に摺動さ
せるために、ヘツドと媒体との間の界面状態が
悪く、媒体にきずが発生し易く、ヘツドも破損
等を生じる。 (3) 磁性層が硬いために、可撓性のある基体上に
磁性層を設けた場合に亀裂が入り易い。 (4) 磁気記録媒体としての耐蝕性が充分でなく、
従つて表面に保護膜を設ける必要がある。 (5) 原料のコバルトは安定に入手し難く、コスト
が高くつく。 3 発明の目的 本発明者は、上記の如き実情に鑑み、鋭意検討
した結果、高密度の垂直磁気記録に適し、機械的
強度や化学的安定性等に優れ、記録/再生特性に
優れた磁気記録媒体を得ることに成功したもので
ある。 4 発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、基体上に磁性層が設けられて
いる磁気記録媒体において、前記基体自体が高透
磁率材料で形成され、この高透磁率の基体に直接
接して前記磁性層が形成され、この磁性層が、 (a) アルミニウム、コバルト、コバルト−マンガ
ン、亜鉛、コバルト−亜鉛、リチウム、クロ
ム、チタン、リチウム−クロム、マグネシウ
ム、マグネシウム−ニツケル、マンガン−亜
鉛、ニツケル、ニツケル−アルミニウム、ニツ
ケル−亜鉛、銅、銅−マンガン、銅−亜鉛及び
バナジウムからなる群より選ばれた添加物質を
含む鉄をターゲツト材として用いた対向ターゲ
ツトスパツタ法により、形成されたものであ
り、 (b) 面内方向での残留磁化(MH)と、その面に
対し垂直方向での残留磁化(MV)との比
(MV/MH)が0.5以上であり、 (c) 前記添加物質を含み、酸化鉄を主成分とする 連続磁性薄膜からなつていることを特徴とする磁
気記録媒体。 本発明によれば、磁性層が酸化鉄を主成分とし
ているから、酸化物に由来する特有の優れた特性
(即ち機械的強度及び化学的安定性等)が得られ、
従来の合金薄膜に必要であつた表面保護膜は不要
となる。この結果、磁気ヘツドと媒体との間隔を
小さくし得て高密度記録が可能になると共に、材
料面からみても低コスト化が可能となる。 しかも、酸化鉄を主成分とする磁性層の面内方
向と垂直方向とでの残留磁化比(MV/MH)を
0.5以上としているので、酸化鉄磁性体の磁気モ
ーメントは面内方向に対し30度以上垂直方向側へ
立ち上つており、垂直磁化を充分に実現できる構
造となつている。上記磁化量MV,MHは、例えば
試料振動型磁力計(東英工業社製)で測定可能で
ある。即ち、MV/MHが0.5未満であれば垂直磁
化に適した磁気モーメントが得られ難い。 また、本発明の磁気記録媒体は、上記の酸化鉄
系磁性層に加えて、基体自体を高透磁率材料で形
成しているために、磁性層単独のものに比べて記
録時に磁束を集中させ、かつ記録後の減磁作用を
少なくして記録保持性を向上させることができ
る。つまり、高透磁率の基体が磁束(フラツク
ス)を通し易い性質があるために、磁極からの磁
束を磁性層に集中させると共に、後述の磁気還流
効果によつて残留磁化を充分に保持させる効果が
あり、記録密度を損うことなく記録/再生の感度
を向上させることができる。この場合、基体自体
を高透磁率材料で形成しているので、予め所定の
透磁率の材料で基体を作製しておき、次に1回の
製膜工程(対向ターゲツトスパツタ)で基体上に
垂直磁化膜を形成できる。従つて、高透磁率膜を
付ける必要がなく、高透磁率の基体さえ用意すれ
ばよいので、磁気記録媒体の製造が容易になると
共に、高透磁率による磁気集中及び還流効果を確
実に実現することができる。 本発明の磁気記録媒体の各層は、次の如くに構
成される。 まず、磁性層は、従来の塗布型磁性層とは根本
的に異なり、バインダーを使用せずに酸化鉄(例
えばFe3O4、γ−Fe2O3、又はこれらの中間組成
の非化学量論的組成からなるベルトライド化合
物)自体が連続的に連なつた薄膜(飽和磁化量が
大きく、保磁力(Hc)が100〜5000Oe)からなつ
ている。この磁性層においては、鉄と酸素の両元
素の総和は磁性層の50重量%以上であるのがよ
く、70重量%以上であるのが更に望ましい。ま
た、鉄と酸素との比は、酸素の原子数/鉄の原子
数=1〜3であるのがよく、4/3〜2であるのが
更によく、上記に例示した酸化鉄が適当である。
上記酸化鉄がスピネル型の結晶構造(特に、例え
ばFe3O4では(111)面が、またはγ−Fe2O3では
(100)面が面内方向に対して垂直方向に向いてい
るのがよい。)を有していると、飽和磁化量が大
きく、記録信号の再生時に残留磁束密度が大きく
て再生感度が極めて良好となる。一般に、磁性を
示す酸化鉄には、菱面体晶形の寄生強磁性を有す
るα−Fe2O3;スピネル構造でフエリ磁性を示す
Fe3O4、γ−Fe2O3又はこれらのベルトライド化
合物;六方晶型の酸化物であるBa系フエライト
又はSrフエライト、Pbフエライト又はその誘導
体;ガーネツト構造の希土類ガーネツト型フエラ
イトがある。これらの酸化鉄のうち、その磁気特
性の重要な1つである飽和磁化量は、α−Fe2O3
では2.0Gauss、Baフエライト、Srフエライト、
Pbフエライトでは最大でも380Gauss程度、更に
ガーネツト型フエライトでは最大でも140Gauss
である。これに対し、本発明で好ましく使用する
スピネル型フエライトの飽和磁化量は480Gauss
を示し、酸化鉄の中で最も大きい。このような大
きな飽和磁化量は、記録した信号を再生する場
合、残留磁束密度の大きさを充分にし、再生感度
が良好となるために、極めて有効なものである。
一方、スピネル型フエライトに類似した飽和磁束
密度を示すものとしてBaフエライト、Srフエラ
イトがあるが、これらの連続薄膜型の磁性層を形
成するには、例えば後述のスパツタ装置において
基体の温度を500℃と高温に保持しなければなら
ず、このために基体の種類等が制約される(例え
ば耐熱性の乏しいプラスチツクス基体は使用不可
能)等、作成条件に問題があり、不適当である。
本発明の好ましく使用されるスピネル型酸化鉄で
は室温〜300℃と低温で製膜が可能であり、基体
材料の制約を受けることがない。但、磁性層に
は、鉄及び酸素以外の金属又はその酸化物、或い
は非金属、半金属又はその化合物等を添加し、こ
れによつて磁性層の磁気特性(例えば保磁力、飽
和磁化量、残留磁化量)及びその結晶性、結晶の
特定軸方向への配向性の向上等を図ることができ
る。こうした添加元素又は化合物としては、Al,
Co,Co−Mn,Zn,Co−Zn,Li,Cr,Ti,Li−
Cr,Mg,Mg−Ni,Mn−Zn,Ni,Ni−Al,Ni
−Zn,Cu,Cu−Mn,Cu−Zn,V等が挙げられ
る。 また、上記高透磁率材料層は一般に、磁性層と
基体との間に設けられるが、本発明では基体自体
を高透磁率材料で形成していることが特徴的であ
る。この高透磁率の基体はフラツクスを通し易い
性質(特に、透磁率μiは102以上、望ましくは
2000以上、Hcは特に10Oe以下、例えば1Oe)を
有していて、主として磁性層の内面方向に磁化容
易軸を有するものが好適である。このような高透
磁率材料は軟磁性材料であればよく、例えば、純
鉄、ケイ素鋼、パーマロイ、スーパーマロイ、
Cu−Znフエライト、Ni−Znフエライト、Mn−
Znフエライト、センダスト、ミユーメタル等か
らなる結晶;Fe−Co、Co−Zr、CoとTi、Y、
Hf、Nb、Ta又はW等との合金、Fe、Co、Ni等
の遷移金属とSi、B、P、C等の半金属との合金
からなる非晶質が挙げられる。また、高透磁率材
料層の厚みは0.05〜5μmであるのが望ましく、0.1
〜3μmがより望ましい。即ち、0.05μm未満では、
薄すぎるために効果に乏しくなり、また5μmを越
えると効果が飽和状態となつて再生出力がそれ程
向上しないからである。 また、本発明の磁気記録媒体に使用可能な基体
の形状はシート、カード、デイスク、ドラムの
他、長尺テープ状でもよい。 この磁気記録媒体を作成するには、基体を固定
板に密着支持し、或いは基体を走行させつつ所定
の材料を被着させることができる。このために
は、真空ポンプ等の真空排気系に接続した処理室
内で、磁性材料のターゲツトを対向ターゲツト方
式でスパツタする。 5 実施例 以下、本発明の磁気記録媒体を図面参照下に更
に詳細に説明する。 まず、本発明の理解のために、その参考例を説
明する。第1図は同参考例による磁気記録媒体の
一例を示すものであつて、基体6上に、厚さ約
1μmのパーマロイからなる軟磁性層11が形成さ
れ、この上に厚さ約1μmの酸化鉄からなる垂直磁
化膜10が積層されている。 軟磁性層11は、公知のスパツタ法で形成され
るものであるため、その形成方法はここでは特に
説明しない。 本実施例による磁気記録媒体は、第1図におい
て軟磁性層11を設けず、基体6をパーマロイで
形成したものである。 垂直磁化膜(磁性層)10を形成するために、
磁性材料を基体上に被着させる手段として、対向
ターゲツトスパツタ法を用いる。 第2図は、対向ターゲツトスパツタ装置を示す
ものである。 図面において、1は真空槽、2は真空槽1を排
気する真空ポンプ等からなる排気系、3は真空槽
1内に所定のガスを導入してガス圧力を10-1〜
10-4Torr程度に設定するガス導入系である。タ
ーゲツト電極は、ターゲツトホルダー4により一
対のターゲツトT1,T2を互いに隔てて平行に対
向配置した対向ターゲツト電極として構成されて
いる。これらのターゲツト間には、磁界発生手段
(図示せず)による磁界が形成される。一方、磁
性薄膜を形成すべき基体6は、基体ホルダー5に
よつて、上記対向ターゲツト間の側方に垂直に配
置される。 このように構成されたスパツタ装置において、
平行に対向し合つた両ターゲツトT1,T2の各表
面と垂直方向に磁界を形成し、この磁界により陰
極降下部(即ち、ターゲツトT1−T2間に発生し
たプラズマ雰囲気と各ターゲツトT1及びT2との
間の領域)での電界で加速されたスパツタガスイ
オンのターゲツト表面に対する衝撃で放出された
γ電子をターゲツト間の空間にとじ込め、対向し
た他方のターゲツト方向へ移動させる。他方のタ
ーゲツト表面へ移動したγ電子は、その近傍の陰
極降下部で反射される。こうして、γ電子はター
ゲツトT1−T2間において磁界に束縛されながら
往復運動を繰返すことになる。この往復運動の間
に、γ電子は中性の雰囲気ガスと衝突して雰囲気
ガスのイオンと電子とを生成させ、これらの生成
物がターゲツトからのγ電子の放出と雰囲気ガス
のイオン化を促進させる。従つて、ターゲツト
T1−T2間の空間には高密度のプラズマが形成さ
れ、これに伴なつてターゲツト物質が充分にスパ
ツタされ、側方の基体6上に磁性材料として堆積
してゆくことになる。 この対向ターゲツトスパツタ装置は、他の飛翔
手段に比べて、高速スパツタによる高堆積速度の
製膜が可能であり、また基体がプラズマに直接曝
されることがなく、低い基体温度での製膜が可能
である等のことから、垂直磁化膜を形成するのに
有利である。しかも、対向ターゲツトスパツタ装
置によつて飛翔した磁性膜材料の基体への入射エ
ネルギーは、通常のスパツタ装置のものより小さ
いので、材料が所望の方向へ方向性を以つて堆積
し易く、垂直磁化記録に適した構造の膜を得易く
なる。 次に、上記のスパツタ装置を用いて磁気記録媒
体を作成する具体例を説明する。 この作成条件は以下の通りであつた。 ターゲツト材 鉄(Coを1原子%含有) 基 体 ガラス 対向ターゲツト間隔 100mm スパツタ空間の磁界 100Oe ターゲツト形状 100mm直径の円盤(5mm厚) 基体とターゲツト端との間隔 30mm 真空槽内の背圧 10-6Torr 導入ガス Ar+O2 導入ガス圧 4×10-3Torr スパツタ投入電力 420W このようにして第1図に示す如く、ベースフイ
ルム6上に軟磁性層11上に酸化鉄系の磁性層1
0を有する磁気記録媒体が得られた。この媒体に
ついて、磁性層の特性評価は、X線マイクロアナ
ライザー(XMA)による組成の同定、X線回折
法による酸化鉄の状態、試料振動型磁力計による
磁気特性によつて行なつた。得られた磁気記録媒
体の特性は次の如くであつた。 まず、両内方向での残留磁化量(MH)と面に
垂直方向での残留磁化量(MV)との比はMV/
MH≧0.5であつた。即ち、第3図に例示するよう
に、破線で示す面内方向での磁化時のヒステリシ
ス曲線と、実線で示す垂直方向での磁化時のヒス
テリシス曲線とが夫々得られたが、印加磁界がゼ
ロのときの各磁化量をMH,MVとした。これによ
れば、前者のヒステリシス曲線は後者のヒステリ
シス曲線よりも小さく、MV≧0.5MHとなつてい
ることが明らかであり、垂直磁化にとつて好適な
磁性層が形成されていることが分る。また、保磁
力は垂直方向では920エルステツド、面内方向で
は750エルステツドであつた。これは、酸化鉄系
の磁性層においては驚くべき事実である。 また、この磁気記録媒体の組成をXMA(X線
マイクロアナライザ:日立製作所製「X−556」
KEVEX−7000型)で測定したところ、Feが主ピ
ークであり、Coが少量含まれていることが分つ
た。更に、酸化鉄の状態を調べるために、X線回
折装置(日本電子社製「JDX−10RA:CuKα管
球使用)を用いて測定したところ、下記表に示す
ように、磁性層が酸化鉄を主成分とするものであ
ることが分つた。しかも、この磁性層は、面内方
向に対して垂直方向に秩序正しい構造を有してい
ることが電子顕微鏡で観察された。
録媒体に関するもである。 2 従来技術 従来、この種の磁気記録媒体は、ビデオ、オー
デイオ、デイジタル等の各種電気信部の記録に幅
広く利用されている。これらは、基体上に被着形
成された磁性層(磁気記録層)の面内長手方向に
おける磁化を用いる方式として発達してきた。と
ころが、近年、磁気記録の高密度化に伴ない、面
内長手方向の磁化を用いる記録方式では、記録信
号が短波長になるにつれ、媒体内の反磁界が増し
て残留磁化の減衰と回転が生じ、再生出力が著し
く減少する。このため、記録波長をサブミクロン
以下にすることは極めて困難である。 一方、磁気記録媒体の磁性層の厚さ方向の磁化
(いわゆる垂直磁化)を用いる垂直磁化記録方式
が、最近になつて提案されている(例えば、「日
経エレクトロニクス」1978年8月7日、No.192)。
この記録方式によれば、記録波長が短かくなるに
伴なつて媒体内の残留磁化に作用する反磁界が減
少するので、高密度化にとつて好ましい特性を有
し、本質的に高密度記録に適した方式であると考
えられる。 ところで、このような垂直記録を能率良く行な
うには、磁気記録媒体の記録層が垂直方向(磁性
層の厚さ方向)に磁化容易軸を有していなければ
ならない。こうした磁気記録媒体としては、基体
(支持体)上に、磁性粉末とバインダーとを主成
分とする磁性塗料を塗布し、磁性層の垂直方向に
磁化容易軸が向くように配向させた塗布型の媒体
が知られている。この塗布型媒体には、Co,
Fe3O4、γ−Fe2O3、Co添加Fe3O4、Co添加γ−
Fe2O3、六方晶フエライト(例えばバリウムフエ
ライト)、MnBi等が磁性粉末として用いられて
いる(特開昭52−46803号、同53−67406号、同52
−78403号、同55−86103号、同52−78403号、同
54−87202号各公報)。しかしながら、これらの塗
布型媒体は、磁性層中に非磁性のバインダーが存
在しているために、磁性粉末の充填密度を高める
ことには限界があり、従つてS/N比を充分高く
することができない。しかも、記録される信号の
大きさは磁性粒子の寸法で制約される等、磁性塗
膜からなる磁性層を有する媒体は垂直磁化記録用
としては不適当である。 そこで、垂直磁化する磁性層を、例えばバイン
ダーを用いることなく磁性体を支持体上に連続的
に被着したもので形成した連続薄膜型磁気記録媒
体が、高密度記録に適したものとして注目されて
いる。 この連続薄膜型の垂直磁化記録用記録媒体は、
例えば特公昭57−17282号に開示されているよう
に、コバルトとクロムとの合金膜からなる磁気記
録層を有していて、特にクロム含有量は5〜25重
量%のCo−Cr合金膜が優れているとしている。
また、Co−Cr合金膜に30重量%以下のロジウム
を添加してなる磁性層を有する磁気記録媒体が特
開昭55−111110号公報に開示され、更にコバルト
−バナジウム合金膜(例えば米国電気電子通信学
会:略称IEEE刊行の学会誌、“Transaction on
Magnetism”1982年第18巻No.6、1116頁)やコ
バルト−ルテニウム合金膜(例えば1982年3月開
催の第18回東北大通研シンポジウム「垂直磁気記
録」論文集)を用いた磁気記録媒体が知られてい
る。 一方、例えば上記のCo−Cr系垂直磁化膜と基
体との間にFe−Ni系の軟磁性(低保磁力)下地
層を設けることが、特開昭54−51804号公報に開
示されている。この場合には、軟磁性下地層の存
在によつて、補助磁極からの磁束を対向した主磁
極に集中させることができると共に、記録後の残
留磁化状態における減磁作用が少なくなるという
効果が期待できる。 ところが、本発明者が検討を加えた結果、上記
の如き構造の磁気記録媒体は、Co−Cr系垂直磁
化膜が次に示す欠点を有しているために、実用化
する上で不充分であることを見出した。 (1) 磁性層の面に垂直に磁化容易軸を配向させる
には、特に10-7Torr以上の高真空中で磁性層
を作成する必要があり、かつ基板の高度な洗浄
処理、低スパツタ速度等の如き条件を要し、垂
直配向の制御要因が非常に複雑となる。 (2) 信号の記録、再生においては、磁気記録媒体
と垂直記録/再生用ヘツドとを相対的に摺動さ
せるために、ヘツドと媒体との間の界面状態が
悪く、媒体にきずが発生し易く、ヘツドも破損
等を生じる。 (3) 磁性層が硬いために、可撓性のある基体上に
磁性層を設けた場合に亀裂が入り易い。 (4) 磁気記録媒体としての耐蝕性が充分でなく、
従つて表面に保護膜を設ける必要がある。 (5) 原料のコバルトは安定に入手し難く、コスト
が高くつく。 3 発明の目的 本発明者は、上記の如き実情に鑑み、鋭意検討
した結果、高密度の垂直磁気記録に適し、機械的
強度や化学的安定性等に優れ、記録/再生特性に
優れた磁気記録媒体を得ることに成功したもので
ある。 4 発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、基体上に磁性層が設けられて
いる磁気記録媒体において、前記基体自体が高透
磁率材料で形成され、この高透磁率の基体に直接
接して前記磁性層が形成され、この磁性層が、 (a) アルミニウム、コバルト、コバルト−マンガ
ン、亜鉛、コバルト−亜鉛、リチウム、クロ
ム、チタン、リチウム−クロム、マグネシウ
ム、マグネシウム−ニツケル、マンガン−亜
鉛、ニツケル、ニツケル−アルミニウム、ニツ
ケル−亜鉛、銅、銅−マンガン、銅−亜鉛及び
バナジウムからなる群より選ばれた添加物質を
含む鉄をターゲツト材として用いた対向ターゲ
ツトスパツタ法により、形成されたものであ
り、 (b) 面内方向での残留磁化(MH)と、その面に
対し垂直方向での残留磁化(MV)との比
(MV/MH)が0.5以上であり、 (c) 前記添加物質を含み、酸化鉄を主成分とする 連続磁性薄膜からなつていることを特徴とする磁
気記録媒体。 本発明によれば、磁性層が酸化鉄を主成分とし
ているから、酸化物に由来する特有の優れた特性
(即ち機械的強度及び化学的安定性等)が得られ、
従来の合金薄膜に必要であつた表面保護膜は不要
となる。この結果、磁気ヘツドと媒体との間隔を
小さくし得て高密度記録が可能になると共に、材
料面からみても低コスト化が可能となる。 しかも、酸化鉄を主成分とする磁性層の面内方
向と垂直方向とでの残留磁化比(MV/MH)を
0.5以上としているので、酸化鉄磁性体の磁気モ
ーメントは面内方向に対し30度以上垂直方向側へ
立ち上つており、垂直磁化を充分に実現できる構
造となつている。上記磁化量MV,MHは、例えば
試料振動型磁力計(東英工業社製)で測定可能で
ある。即ち、MV/MHが0.5未満であれば垂直磁
化に適した磁気モーメントが得られ難い。 また、本発明の磁気記録媒体は、上記の酸化鉄
系磁性層に加えて、基体自体を高透磁率材料で形
成しているために、磁性層単独のものに比べて記
録時に磁束を集中させ、かつ記録後の減磁作用を
少なくして記録保持性を向上させることができ
る。つまり、高透磁率の基体が磁束(フラツク
ス)を通し易い性質があるために、磁極からの磁
束を磁性層に集中させると共に、後述の磁気還流
効果によつて残留磁化を充分に保持させる効果が
あり、記録密度を損うことなく記録/再生の感度
を向上させることができる。この場合、基体自体
を高透磁率材料で形成しているので、予め所定の
透磁率の材料で基体を作製しておき、次に1回の
製膜工程(対向ターゲツトスパツタ)で基体上に
垂直磁化膜を形成できる。従つて、高透磁率膜を
付ける必要がなく、高透磁率の基体さえ用意すれ
ばよいので、磁気記録媒体の製造が容易になると
共に、高透磁率による磁気集中及び還流効果を確
実に実現することができる。 本発明の磁気記録媒体の各層は、次の如くに構
成される。 まず、磁性層は、従来の塗布型磁性層とは根本
的に異なり、バインダーを使用せずに酸化鉄(例
えばFe3O4、γ−Fe2O3、又はこれらの中間組成
の非化学量論的組成からなるベルトライド化合
物)自体が連続的に連なつた薄膜(飽和磁化量が
大きく、保磁力(Hc)が100〜5000Oe)からなつ
ている。この磁性層においては、鉄と酸素の両元
素の総和は磁性層の50重量%以上であるのがよ
く、70重量%以上であるのが更に望ましい。ま
た、鉄と酸素との比は、酸素の原子数/鉄の原子
数=1〜3であるのがよく、4/3〜2であるのが
更によく、上記に例示した酸化鉄が適当である。
上記酸化鉄がスピネル型の結晶構造(特に、例え
ばFe3O4では(111)面が、またはγ−Fe2O3では
(100)面が面内方向に対して垂直方向に向いてい
るのがよい。)を有していると、飽和磁化量が大
きく、記録信号の再生時に残留磁束密度が大きく
て再生感度が極めて良好となる。一般に、磁性を
示す酸化鉄には、菱面体晶形の寄生強磁性を有す
るα−Fe2O3;スピネル構造でフエリ磁性を示す
Fe3O4、γ−Fe2O3又はこれらのベルトライド化
合物;六方晶型の酸化物であるBa系フエライト
又はSrフエライト、Pbフエライト又はその誘導
体;ガーネツト構造の希土類ガーネツト型フエラ
イトがある。これらの酸化鉄のうち、その磁気特
性の重要な1つである飽和磁化量は、α−Fe2O3
では2.0Gauss、Baフエライト、Srフエライト、
Pbフエライトでは最大でも380Gauss程度、更に
ガーネツト型フエライトでは最大でも140Gauss
である。これに対し、本発明で好ましく使用する
スピネル型フエライトの飽和磁化量は480Gauss
を示し、酸化鉄の中で最も大きい。このような大
きな飽和磁化量は、記録した信号を再生する場
合、残留磁束密度の大きさを充分にし、再生感度
が良好となるために、極めて有効なものである。
一方、スピネル型フエライトに類似した飽和磁束
密度を示すものとしてBaフエライト、Srフエラ
イトがあるが、これらの連続薄膜型の磁性層を形
成するには、例えば後述のスパツタ装置において
基体の温度を500℃と高温に保持しなければなら
ず、このために基体の種類等が制約される(例え
ば耐熱性の乏しいプラスチツクス基体は使用不可
能)等、作成条件に問題があり、不適当である。
本発明の好ましく使用されるスピネル型酸化鉄で
は室温〜300℃と低温で製膜が可能であり、基体
材料の制約を受けることがない。但、磁性層に
は、鉄及び酸素以外の金属又はその酸化物、或い
は非金属、半金属又はその化合物等を添加し、こ
れによつて磁性層の磁気特性(例えば保磁力、飽
和磁化量、残留磁化量)及びその結晶性、結晶の
特定軸方向への配向性の向上等を図ることができ
る。こうした添加元素又は化合物としては、Al,
Co,Co−Mn,Zn,Co−Zn,Li,Cr,Ti,Li−
Cr,Mg,Mg−Ni,Mn−Zn,Ni,Ni−Al,Ni
−Zn,Cu,Cu−Mn,Cu−Zn,V等が挙げられ
る。 また、上記高透磁率材料層は一般に、磁性層と
基体との間に設けられるが、本発明では基体自体
を高透磁率材料で形成していることが特徴的であ
る。この高透磁率の基体はフラツクスを通し易い
性質(特に、透磁率μiは102以上、望ましくは
2000以上、Hcは特に10Oe以下、例えば1Oe)を
有していて、主として磁性層の内面方向に磁化容
易軸を有するものが好適である。このような高透
磁率材料は軟磁性材料であればよく、例えば、純
鉄、ケイ素鋼、パーマロイ、スーパーマロイ、
Cu−Znフエライト、Ni−Znフエライト、Mn−
Znフエライト、センダスト、ミユーメタル等か
らなる結晶;Fe−Co、Co−Zr、CoとTi、Y、
Hf、Nb、Ta又はW等との合金、Fe、Co、Ni等
の遷移金属とSi、B、P、C等の半金属との合金
からなる非晶質が挙げられる。また、高透磁率材
料層の厚みは0.05〜5μmであるのが望ましく、0.1
〜3μmがより望ましい。即ち、0.05μm未満では、
薄すぎるために効果に乏しくなり、また5μmを越
えると効果が飽和状態となつて再生出力がそれ程
向上しないからである。 また、本発明の磁気記録媒体に使用可能な基体
の形状はシート、カード、デイスク、ドラムの
他、長尺テープ状でもよい。 この磁気記録媒体を作成するには、基体を固定
板に密着支持し、或いは基体を走行させつつ所定
の材料を被着させることができる。このために
は、真空ポンプ等の真空排気系に接続した処理室
内で、磁性材料のターゲツトを対向ターゲツト方
式でスパツタする。 5 実施例 以下、本発明の磁気記録媒体を図面参照下に更
に詳細に説明する。 まず、本発明の理解のために、その参考例を説
明する。第1図は同参考例による磁気記録媒体の
一例を示すものであつて、基体6上に、厚さ約
1μmのパーマロイからなる軟磁性層11が形成さ
れ、この上に厚さ約1μmの酸化鉄からなる垂直磁
化膜10が積層されている。 軟磁性層11は、公知のスパツタ法で形成され
るものであるため、その形成方法はここでは特に
説明しない。 本実施例による磁気記録媒体は、第1図におい
て軟磁性層11を設けず、基体6をパーマロイで
形成したものである。 垂直磁化膜(磁性層)10を形成するために、
磁性材料を基体上に被着させる手段として、対向
ターゲツトスパツタ法を用いる。 第2図は、対向ターゲツトスパツタ装置を示す
ものである。 図面において、1は真空槽、2は真空槽1を排
気する真空ポンプ等からなる排気系、3は真空槽
1内に所定のガスを導入してガス圧力を10-1〜
10-4Torr程度に設定するガス導入系である。タ
ーゲツト電極は、ターゲツトホルダー4により一
対のターゲツトT1,T2を互いに隔てて平行に対
向配置した対向ターゲツト電極として構成されて
いる。これらのターゲツト間には、磁界発生手段
(図示せず)による磁界が形成される。一方、磁
性薄膜を形成すべき基体6は、基体ホルダー5に
よつて、上記対向ターゲツト間の側方に垂直に配
置される。 このように構成されたスパツタ装置において、
平行に対向し合つた両ターゲツトT1,T2の各表
面と垂直方向に磁界を形成し、この磁界により陰
極降下部(即ち、ターゲツトT1−T2間に発生し
たプラズマ雰囲気と各ターゲツトT1及びT2との
間の領域)での電界で加速されたスパツタガスイ
オンのターゲツト表面に対する衝撃で放出された
γ電子をターゲツト間の空間にとじ込め、対向し
た他方のターゲツト方向へ移動させる。他方のタ
ーゲツト表面へ移動したγ電子は、その近傍の陰
極降下部で反射される。こうして、γ電子はター
ゲツトT1−T2間において磁界に束縛されながら
往復運動を繰返すことになる。この往復運動の間
に、γ電子は中性の雰囲気ガスと衝突して雰囲気
ガスのイオンと電子とを生成させ、これらの生成
物がターゲツトからのγ電子の放出と雰囲気ガス
のイオン化を促進させる。従つて、ターゲツト
T1−T2間の空間には高密度のプラズマが形成さ
れ、これに伴なつてターゲツト物質が充分にスパ
ツタされ、側方の基体6上に磁性材料として堆積
してゆくことになる。 この対向ターゲツトスパツタ装置は、他の飛翔
手段に比べて、高速スパツタによる高堆積速度の
製膜が可能であり、また基体がプラズマに直接曝
されることがなく、低い基体温度での製膜が可能
である等のことから、垂直磁化膜を形成するのに
有利である。しかも、対向ターゲツトスパツタ装
置によつて飛翔した磁性膜材料の基体への入射エ
ネルギーは、通常のスパツタ装置のものより小さ
いので、材料が所望の方向へ方向性を以つて堆積
し易く、垂直磁化記録に適した構造の膜を得易く
なる。 次に、上記のスパツタ装置を用いて磁気記録媒
体を作成する具体例を説明する。 この作成条件は以下の通りであつた。 ターゲツト材 鉄(Coを1原子%含有) 基 体 ガラス 対向ターゲツト間隔 100mm スパツタ空間の磁界 100Oe ターゲツト形状 100mm直径の円盤(5mm厚) 基体とターゲツト端との間隔 30mm 真空槽内の背圧 10-6Torr 導入ガス Ar+O2 導入ガス圧 4×10-3Torr スパツタ投入電力 420W このようにして第1図に示す如く、ベースフイ
ルム6上に軟磁性層11上に酸化鉄系の磁性層1
0を有する磁気記録媒体が得られた。この媒体に
ついて、磁性層の特性評価は、X線マイクロアナ
ライザー(XMA)による組成の同定、X線回折
法による酸化鉄の状態、試料振動型磁力計による
磁気特性によつて行なつた。得られた磁気記録媒
体の特性は次の如くであつた。 まず、両内方向での残留磁化量(MH)と面に
垂直方向での残留磁化量(MV)との比はMV/
MH≧0.5であつた。即ち、第3図に例示するよう
に、破線で示す面内方向での磁化時のヒステリシ
ス曲線と、実線で示す垂直方向での磁化時のヒス
テリシス曲線とが夫々得られたが、印加磁界がゼ
ロのときの各磁化量をMH,MVとした。これによ
れば、前者のヒステリシス曲線は後者のヒステリ
シス曲線よりも小さく、MV≧0.5MHとなつてい
ることが明らかであり、垂直磁化にとつて好適な
磁性層が形成されていることが分る。また、保磁
力は垂直方向では920エルステツド、面内方向で
は750エルステツドであつた。これは、酸化鉄系
の磁性層においては驚くべき事実である。 また、この磁気記録媒体の組成をXMA(X線
マイクロアナライザ:日立製作所製「X−556」
KEVEX−7000型)で測定したところ、Feが主ピ
ークであり、Coが少量含まれていることが分つ
た。更に、酸化鉄の状態を調べるために、X線回
折装置(日本電子社製「JDX−10RA:CuKα管
球使用)を用いて測定したところ、下記表に示す
ように、磁性層が酸化鉄を主成分とするものであ
ることが分つた。しかも、この磁性層は、面内方
向に対して垂直方向に秩序正しい構造を有してい
ることが電子顕微鏡で観察された。
【表】
なお、上記のスパツタ法による製膜前に、基体
上の表面を同一スパツタ装置内でAr+によりボン
バードして表面清浄化処理したり、或いはベーキ
ングを施すか、高周波をかけて表面処理しておく
のが望ましい。 上記した実験と比較するために、上記作成条件
において、ターゲツト材を純鉄(Co含有せず)
として同様にスパツタした結果、得られた磁性薄
膜のMV/MHは0.5未満、保磁力は垂直方向で600
エルステツド、面内方向で500エルステツドであ
つた。 上記の如くに得られる磁気記録媒体は、磁性層
10の磁化容易軸をその面内方向に対しほぼ垂直
にすることができると共に、磁性層10下に高透
磁率の軟磁性層基体を設けていることが重要であ
る。以下においては、第1図に示した参考例によ
る媒体を例に挙げて説明するが、本実施例の媒体
でも同様である。 第4図aは、磁気記録時の状態を示すものであ
つて、図中の12の補助磁極であつて記録信号に
より励磁され、そこから媒体側へ磁界13が発生
している。軟磁性層11中では、面内方向に主磁
極14へ向けてフラツクス15が集中し、磁性層
10に主磁極14に対応した磁気記録がなされ
る。即ち、補助磁極から主磁極への磁束の集中が
強まり、垂直方向の磁束による磁化を高感度に行
なえる。また、第4図bは磁気記録後の残留磁化
状態を示すが、軟磁性層11の存在により、磁性
層10の記録部分16と17との間で軟磁性層1
1中をフラツクス18が流れ、この磁気還流効果
(馬蹄形磁化モード)で磁化を保持し、その減磁
作用を少なくすることができる。このために、垂
直方向の磁気記録に基づく再生出力を安定にかつ
高レベルで得ることができる。 第5図は、軟磁性層のある磁気記録媒体の再生
出力を曲線aで表わし、かつ上記軟磁性層を設け
ずに基体上に磁化膜を直接設けた磁気記録媒体の
再生出力を曲線bで示した実験データである。こ
の結果から明らかなように、軟磁性層のある媒体
では高密度、高出力で周波数特性の良い記録を行
なえるのに対し、軟磁性層を設けない場合には特
性が低下することが分る。なお、記録及び再生
は、実効ヘツドギヤツプ0.3μm、トラツク幅
100μmのリング型ヘツドを用いて行なつた。 また、本発明に基く磁気記録媒体はまた、出力
の経時変化が著しく少なくなることも確認され
た。第6図の曲線aは軟磁性層のある磁気記録媒
体を示すものであつて劣化試験によつても高出力
が安定に得られることが分る。しかし、軟磁性層
を設けない場合(曲線b)では、出力が低下して
しまう。但、この強制劣化試験は、記録密度30キ
ロビツト/インチの媒体(磁性層の膜厚は5000
Å)に対して80℃、85%RHの条件で出力測定す
ることによつて行なつた。媒体の記録/再生は、
実効ギヤツプ0.4μm、トラツク幅100μmのリング
型ヘツドを用いて行なつた。 次に、本発明による磁気記録媒体は、磁性層と
して酸化鉄を主成分とするものを用いているの
で、従来のCo−Cr系磁性層に比べて化学的、機
械的安定性等に著しく優れている。第7図は、上
記と同様の強制劣化試験を行なつた場合に得られ
た、酸化鉄系磁性層を用いた本発明による媒体
の、試料振動型磁力計(東英工業社製)で測定さ
れた残留磁束密度Brの経時変化aと、Co−Cr系
磁性層を用いた媒体の残留磁束密度Brの経時変
化cとを示すものである(△Brは残留磁束密度
の変化量)。これによれば、酸化鉄系磁性層では、
Co−Cr系磁性層よりBrの劣化が大幅に小さくな
ることが分る。なお、酸化鉄系磁性層で△Br/
Brが幾分低下しているのは、膜の組成である
Fe3O4の一部がγ−Fe2O3に移行したからである
と考えられる。また、1カ月(30日)後の観察結
果において、Co−Cr系磁性層の表面に斑点、く
もり、サビ等が生じていたが、酸化鉄系磁性層で
は表面状態に変化はみられなかつた。
上の表面を同一スパツタ装置内でAr+によりボン
バードして表面清浄化処理したり、或いはベーキ
ングを施すか、高周波をかけて表面処理しておく
のが望ましい。 上記した実験と比較するために、上記作成条件
において、ターゲツト材を純鉄(Co含有せず)
として同様にスパツタした結果、得られた磁性薄
膜のMV/MHは0.5未満、保磁力は垂直方向で600
エルステツド、面内方向で500エルステツドであ
つた。 上記の如くに得られる磁気記録媒体は、磁性層
10の磁化容易軸をその面内方向に対しほぼ垂直
にすることができると共に、磁性層10下に高透
磁率の軟磁性層基体を設けていることが重要であ
る。以下においては、第1図に示した参考例によ
る媒体を例に挙げて説明するが、本実施例の媒体
でも同様である。 第4図aは、磁気記録時の状態を示すものであ
つて、図中の12の補助磁極であつて記録信号に
より励磁され、そこから媒体側へ磁界13が発生
している。軟磁性層11中では、面内方向に主磁
極14へ向けてフラツクス15が集中し、磁性層
10に主磁極14に対応した磁気記録がなされ
る。即ち、補助磁極から主磁極への磁束の集中が
強まり、垂直方向の磁束による磁化を高感度に行
なえる。また、第4図bは磁気記録後の残留磁化
状態を示すが、軟磁性層11の存在により、磁性
層10の記録部分16と17との間で軟磁性層1
1中をフラツクス18が流れ、この磁気還流効果
(馬蹄形磁化モード)で磁化を保持し、その減磁
作用を少なくすることができる。このために、垂
直方向の磁気記録に基づく再生出力を安定にかつ
高レベルで得ることができる。 第5図は、軟磁性層のある磁気記録媒体の再生
出力を曲線aで表わし、かつ上記軟磁性層を設け
ずに基体上に磁化膜を直接設けた磁気記録媒体の
再生出力を曲線bで示した実験データである。こ
の結果から明らかなように、軟磁性層のある媒体
では高密度、高出力で周波数特性の良い記録を行
なえるのに対し、軟磁性層を設けない場合には特
性が低下することが分る。なお、記録及び再生
は、実効ヘツドギヤツプ0.3μm、トラツク幅
100μmのリング型ヘツドを用いて行なつた。 また、本発明に基く磁気記録媒体はまた、出力
の経時変化が著しく少なくなることも確認され
た。第6図の曲線aは軟磁性層のある磁気記録媒
体を示すものであつて劣化試験によつても高出力
が安定に得られることが分る。しかし、軟磁性層
を設けない場合(曲線b)では、出力が低下して
しまう。但、この強制劣化試験は、記録密度30キ
ロビツト/インチの媒体(磁性層の膜厚は5000
Å)に対して80℃、85%RHの条件で出力測定す
ることによつて行なつた。媒体の記録/再生は、
実効ギヤツプ0.4μm、トラツク幅100μmのリング
型ヘツドを用いて行なつた。 次に、本発明による磁気記録媒体は、磁性層と
して酸化鉄を主成分とするものを用いているの
で、従来のCo−Cr系磁性層に比べて化学的、機
械的安定性等に著しく優れている。第7図は、上
記と同様の強制劣化試験を行なつた場合に得られ
た、酸化鉄系磁性層を用いた本発明による媒体
の、試料振動型磁力計(東英工業社製)で測定さ
れた残留磁束密度Brの経時変化aと、Co−Cr系
磁性層を用いた媒体の残留磁束密度Brの経時変
化cとを示すものである(△Brは残留磁束密度
の変化量)。これによれば、酸化鉄系磁性層では、
Co−Cr系磁性層よりBrの劣化が大幅に小さくな
ることが分る。なお、酸化鉄系磁性層で△Br/
Brが幾分低下しているのは、膜の組成である
Fe3O4の一部がγ−Fe2O3に移行したからである
と考えられる。また、1カ月(30日)後の観察結
果において、Co−Cr系磁性層の表面に斑点、く
もり、サビ等が生じていたが、酸化鉄系磁性層で
は表面状態に変化はみられなかつた。
図面は本発明を説明をするためのものであつ
て、第1図は磁気記録媒体の断面図、第2図は対
向ターゲツトスパツタ装置の概略断面図、第3図
は磁気記録媒体のヒステリシス曲線図、第4図a
は磁気記録時の概略図、第4図bは残留磁化状態
の概略図、第5図は磁気記録媒体の再生特性を比
較して示すグラフ、第6図は磁気記録媒体の再生
特性の経時変化を比較して示すグラフ、第7図は
磁気記録媒体の残留磁束密度の経時変化を比較し
て示すグラフである。 なお、図面に示された符号において、1……真
空槽、2……排気系、3……ガス導入系、4,5
……ホルダー、6……基体、10……磁性層、1
1……軟磁性層、12……補助磁極、14……主
磁極、T1,T2……ターゲツト、である。
て、第1図は磁気記録媒体の断面図、第2図は対
向ターゲツトスパツタ装置の概略断面図、第3図
は磁気記録媒体のヒステリシス曲線図、第4図a
は磁気記録時の概略図、第4図bは残留磁化状態
の概略図、第5図は磁気記録媒体の再生特性を比
較して示すグラフ、第6図は磁気記録媒体の再生
特性の経時変化を比較して示すグラフ、第7図は
磁気記録媒体の残留磁束密度の経時変化を比較し
て示すグラフである。 なお、図面に示された符号において、1……真
空槽、2……排気系、3……ガス導入系、4,5
……ホルダー、6……基体、10……磁性層、1
1……軟磁性層、12……補助磁極、14……主
磁極、T1,T2……ターゲツト、である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基体上に磁性層が設けられている磁気記録媒
体において、前記基体自体が高透磁率材料で形成
され、この高透磁率の基体に直接接して前記磁性
層が形成され、この磁性層が、 (a) アルミニウム、コバルト、コバルト−マンガ
ン、亜鉛、コバルト−亜鉛、リチウム、クロ
ム、チタン、リチウム−クロム、マグネシウ
ム、マグネシウム−ニツケル、マンガン−亜
鉛、ニツケル、ニツケル−アルミニウム、ニツ
ケル−亜鉛、銅、銅−マンガン、銅−亜鉛及び
バナジウムからなる群より選ばれた添加物質を
含む鉄をターゲツト材として用いた対向ターゲ
ツトスパツタ法により、形成されたものであ
り、 (b) 内面方向での残留磁化(MH)と、その面に
対し垂直方向での残留磁化(MV)との比
(MV/MH)が0.5以上であり、 (c) 前記添加物質を含み、酸化鉄を主成分とする 連続磁性薄膜からなつていることを特徴とする磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58031935A JPS59157831A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58031935A JPS59157831A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59157831A JPS59157831A (ja) | 1984-09-07 |
JPH0315246B2 true JPH0315246B2 (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=12344824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58031935A Granted JPS59157831A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59157831A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52134706A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-11 | Univ Tohoku | Vertical magnetic recorder reproducer and system therefor |
JPS5434205A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-13 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
JPS5451810A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Shiyunichi Iwasaki | Magnetic recording regenerative apparatus |
JPS57158380A (en) * | 1981-03-26 | 1982-09-30 | Teijin Ltd | Counter target type sputtering device |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58031935A patent/JPS59157831A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52134706A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-11 | Univ Tohoku | Vertical magnetic recorder reproducer and system therefor |
JPS5434205A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-13 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
JPS5451810A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Shiyunichi Iwasaki | Magnetic recording regenerative apparatus |
JPS57158380A (en) * | 1981-03-26 | 1982-09-30 | Teijin Ltd | Counter target type sputtering device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59157831A (ja) | 1984-09-07 |
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