JPH03148868A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
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- JPH03148868A JPH03148868A JP1288417A JP28841789A JPH03148868A JP H03148868 A JPH03148868 A JP H03148868A JP 1288417 A JP1288417 A JP 1288417A JP 28841789 A JP28841789 A JP 28841789A JP H03148868 A JPH03148868 A JP H03148868A
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は固体撮像素子に関し、特に、偽信号電荷の発生
を低減せしめた固体撮像素子に関する。
を低減せしめた固体撮像素子に関する。
[従来の技術]
第2図は、従来の2次元COD固体撮像素子の断面図で
ある。第2図に示すように、n型半導体基板20仕には
pウェル202が形成され、pウェル202の表面領域
内には、n型の光電変換領域203、n型の電荷転送領
域204及びp+型のチャネルストッパ205が形成さ
れている。
ある。第2図に示すように、n型半導体基板20仕には
pウェル202が形成され、pウェル202の表面領域
内には、n型の光電変換領域203、n型の電荷転送領
域204及びp+型のチャネルストッパ205が形成さ
れている。
半導体基板上にはシリコン酸化膜206を介して電荷転
送電極207が、さらにその上には眉間絶縁膜208を
介して、光電変換領域203上に開口を有するアルミニ
ウム遮光膜209が形成されている。この固体撮像素子
はキャップ211を有するパッケージ内に収納されて使
用される。
送電極207が、さらにその上には眉間絶縁膜208を
介して、光電変換領域203上に開口を有するアルミニ
ウム遮光膜209が形成されている。この固体撮像素子
はキャップ211を有するパッケージ内に収納されて使
用される。
[発明が解決しようとする課題]
従来の固体撮像素子では、第2図に示すように受光部に
対して斜め入射光Aが入射した場合、アルミニウム遮光
膜の端面で反射し、光電変換領域203ではなく電荷転
送領域204内あるいはその近傍に入射し、そこで信号
電荷を発生させる。
対して斜め入射光Aが入射した場合、アルミニウム遮光
膜の端面で反射し、光電変換領域203ではなく電荷転
送領域204内あるいはその近傍に入射し、そこで信号
電荷を発生させる。
この電荷は、電荷転送領域内に集められスミア成分とな
る。また、Bのように入射した光は、アルミニウム遮光
膜209の表面で反射し、反射光の一部はさらにパッケ
ージキャップ下面で反射し。
る。また、Bのように入射した光は、アルミニウム遮光
膜209の表面で反射し、反射光の一部はさらにパッケ
ージキャップ下面で反射し。
受光部に入射する。この入射光は光電変換領域内におい
て光電変換され偽信号電荷となる。
て光電変換され偽信号電荷となる。
[課題を解決するための手段1
本発明による固体撮像素子は、半導体基板の表面領域内
に形成された光電変換領域と、該光電変換領域で生成さ
れた信号電荷を読み出すための信号電荷読み出し手段と
、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された、前記光電
変換領域上に開口を有するアルミニウム遮光膜とを具備
するものであって、アルミニウム遮光膜の表面および端
面は黒色染色層で覆われている。
に形成された光電変換領域と、該光電変換領域で生成さ
れた信号電荷を読み出すための信号電荷読み出し手段と
、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された、前記光電
変換領域上に開口を有するアルミニウム遮光膜とを具備
するものであって、アルミニウム遮光膜の表面および端
面は黒色染色層で覆われている。
[実施例]
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は、本発明の一実施例を示す断面図である。同図
において、第2図の従来例の部分と同等の部分について
は下2桁が共通する参照番号が付されているので、重複
する説明は省略する。本実施例においては、膜厚1.0
μmのアルミニウム遮光膜109の表面上には、これを
包むように、膜厚0.3μm程度の黒色染色層110が
形成されている。この黒色染色層は、現在カラ一固体撮
像素子において使用されているオンチップフィルタを作
製する際に用いられるのと同様の手法を用いて形成され
る。すなわち、アルミニウム遮光膜109をパターニン
グした後、被染色層であるカゼインを塗布し、これをア
ルミニウム遮光膜を完全に覆い、かつ、受光部に所望の
大きさの開口を有するようにパターニングする。その後
、黒色の染料でカゼインを50〜60℃で染色する。
において、第2図の従来例の部分と同等の部分について
は下2桁が共通する参照番号が付されているので、重複
する説明は省略する。本実施例においては、膜厚1.0
μmのアルミニウム遮光膜109の表面上には、これを
包むように、膜厚0.3μm程度の黒色染色層110が
形成されている。この黒色染色層は、現在カラ一固体撮
像素子において使用されているオンチップフィルタを作
製する際に用いられるのと同様の手法を用いて形成され
る。すなわち、アルミニウム遮光膜109をパターニン
グした後、被染色層であるカゼインを塗布し、これをア
ルミニウム遮光膜を完全に覆い、かつ、受光部に所望の
大きさの開口を有するようにパターニングする。その後
、黒色の染料でカゼインを50〜60℃で染色する。
上記実施例では黒色染色層をカゼインを用いて形成して
いたが、これに替えてゼラチンを用いてもよい。
いたが、これに替えてゼラチンを用いてもよい。
また、上記実施例では信号電荷読み出し手段としてCC
Dを用いたものであったが二本発明は、他の信号電荷読
み出し手段を有する固体撮像素子についても適用しうる
ちのである。
Dを用いたものであったが二本発明は、他の信号電荷読
み出し手段を有する固体撮像素子についても適用しうる
ちのである。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明は、アルミニウム遮光膜の
表面および端面に黒色染色層を形成したものであるので
、本発明によれば、遮光膜での光の反射を防止すること
ができ、反射光の電荷転送領域や光電変換領域への入射
をなくすことができる。したがって、本発明によれば、
スミア等の偽信号の発生を防止することができる。
表面および端面に黒色染色層を形成したものであるので
、本発明によれば、遮光膜での光の反射を防止すること
ができ、反射光の電荷転送領域や光電変換領域への入射
をなくすことができる。したがって、本発明によれば、
スミア等の偽信号の発生を防止することができる。
第1図は、本発明の一実施例を示す断面図、第2図は、
従来例を示す断面図である。 101.201−n型半導体基板、 102.202−
・・pウェル、 103.203・・・光電変換領域、
104.204・・・電荷転送領域、 1゜5.20
5・−・チャネルストッパ、 106.2゜6・・・
シリコン酸化膜、 107.207・・−電荷転送電極
、 108.208・・・層間絶縁膜、 109.20
9・・・アルミニウム遮光膜、 110・・・黒色染色
層、 211・・・キャップ。
従来例を示す断面図である。 101.201−n型半導体基板、 102.202−
・・pウェル、 103.203・・・光電変換領域、
104.204・・・電荷転送領域、 1゜5.20
5・−・チャネルストッパ、 106.2゜6・・・
シリコン酸化膜、 107.207・・−電荷転送電極
、 108.208・・・層間絶縁膜、 109.20
9・・・アルミニウム遮光膜、 110・・・黒色染色
層、 211・・・キャップ。
Claims (1)
- 半導体基板の表面領域内に形成された光電変換領域と
、該光電変換領域内に形成された信号電荷を読み出すた
めの信号電荷読み出し手段と、半導体基板上に絶縁膜を
介して形成され前記光電変換領域上に開口を有するアル
ミニウム遮光膜とを具備する固体撮像素子において、前
記アルミニウム遮光膜の表面および端面には黒色染色層
が設けられていることを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1288417A JP2956092B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1288417A JP2956092B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03148868A true JPH03148868A (ja) | 1991-06-25 |
JP2956092B2 JP2956092B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=17729946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1288417A Expired - Lifetime JP2956092B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2956092B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019009024A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP1288417A patent/JP2956092B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019009024A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
CN110809821A (zh) * | 2017-07-05 | 2020-02-18 | 索尼半导体解决方案公司 | 摄像器件和摄像装置 |
US10910440B2 (en) | 2017-07-05 | 2021-02-02 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device and imaging apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2956092B2 (ja) | 1999-10-04 |
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