JPH03148825A - Jet scrubber - Google Patents
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- JPH03148825A JPH03148825A JP1287450A JP28745089A JPH03148825A JP H03148825 A JPH03148825 A JP H03148825A JP 1287450 A JP1287450 A JP 1287450A JP 28745089 A JP28745089 A JP 28745089A JP H03148825 A JPH03148825 A JP H03148825A
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/50—Cleaning by methods involving the use of tools involving cleaning of the cleaning members
- B08B1/52—Cleaning by methods involving the use of tools involving cleaning of the cleaning members using fluids
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Separation Of Solids By Using Liquids Or Pneumatic Power (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
一本発明は、半導体チップを製造するための基板、すな
わちウェハをジェット液流（水の噴流）により洗浄する
ジェットスクラバーに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a jet scrubber that cleans a substrate for manufacturing semiconductor chips, that is, a wafer, with a jet liquid stream (water jet).
［従来の技術］
この様な従来のジェットスクラバーは、第３図に示すよ
うに構成されている。[Prior Art] Such a conventional jet scrubber is constructed as shown in FIG.
第３図において、被洗浄物であるウェハ（基板）２は真
空作用等によりチャック３上で上向きに保持されている
。このチャック３は、直流電動機５により適当な回転数
により回転させられ、且つ上下動機構６により個々のチ
ャック毎に適時上下動され得る。In FIG. 3, a wafer (substrate) 2, which is an object to be cleaned, is held upward on a chuck 3 by vacuum action or the like. This chuck 3 is rotated by a DC motor 5 at an appropriate rotational speed, and can be moved up and down by a vertical movement mechanism 6 for each chuck at appropriate times.
ウェハ２の面はノズル１より下方へ噴出する噴流により
洗浄され、噴流として噴出する液体は配管９を介して高
圧水としてノズル１に供給される。The surface of the wafer 2 is cleaned by a jet stream jetted downward from the nozzle 1, and the liquid jetted out as a jet stream is supplied to the nozzle 1 as high-pressure water via a pipe 9.
第３図中、符号４はノズル１を揺動するための揺動機構
を示しており、該機構により、ノズル１から噴出される
液体はウェハ２上の面全体に衝突する。それにより、ウ
ェハ２の洗浄が行われるのである。In FIG. 3, reference numeral 4 indicates a swinging mechanism for swinging the nozzle 1, and the liquid ejected from the nozzle 1 collides with the entire surface of the wafer 2 by this mechanism. Thereby, the wafer 2 is cleaned.
なお、上述した機器類は構造体７に収納されている。ま
た、ノズル１から噴射された液体はウェハ２に衝突した
後に配管８を通って下流側（符号１０で示す）に排出さ
れる。Note that the above-mentioned equipment is housed in the structure 7. Further, the liquid injected from the nozzle 1 collides with the wafer 2 and then passes through the pipe 8 and is discharged to the downstream side (indicated by reference numeral 10).
［発明が解決しようとする課題］
上述したように、従来のジェットスクラバーでは、ウェ
ハの面上に向けてノズルから高圧水噴流を噴出させ、こ
の噴流の力でウェハ上の汚染物を除去して洗浄していた
。しかし、噴流の力で除去された汚染物がウェハの面上
から外部に飛び出さずに該ウェハ上で残留した場合には
、該ウェハめ面上へ再度付着してしまう、という問題が
ある。[Problems to be Solved by the Invention] As mentioned above, conventional jet scrubbers eject a high-pressure water jet from a nozzle onto the surface of a wafer, and use the force of this jet to remove contaminants on the wafer. It was being washed. However, if the contaminants removed by the force of the jet do not fly out from the surface of the wafer and remain on the wafer, there is a problem in that they will adhere to the surface of the wafer again.
また、汚染の種類によっては高圧水噴流を衝突させたの
みでは汚染物質を除去することが困−であり、十分な洗
浄効果が得られない場合が存在する、という固層もあっ
た。Furthermore, depending on the type of contamination, it may be difficult to remove contaminants by simply colliding with a high-pressure water jet, and there may be cases where a sufficient cleaning effect cannot be obtained.
本発明は上記した従来技術の問題点に鑑みて提案された
もので、従来のジェットスクラバーでは洗浄除去するこ
とが困難であった汚染であっても除去することが出来て
、しかも一旦除去された汚染物がウェハ上に再度付着す
る恐れの無いジェットスクラバーの提供を目的としてい
る。The present invention was proposed in view of the problems of the prior art described above, and is capable of removing contamination that was difficult to remove with conventional jet scrubbers. The purpose of the present invention is to provide a jet scrubber that does not cause contaminants to adhere to the wafer again.
［課題を解決するための手段］
本発明のジェットスクラバーは、ウェハをチャック上に
保持し、該チャックを回転し且つ噴射ノズルから液体を
ウェハ上へ噴射して該ウェハを洗浄するジェットスクラ
バーにおいて、前記ウェハの洗浄すべき面は下側を向い
ており、前記噴射ノズルは上方に向けて液体を噴射する
様に前記ウェハの下方に位置している。[Means for Solving the Problems] A jet scrubber of the present invention holds a wafer on a chuck, rotates the chuck, and jets liquid onto the wafer from a jet nozzle to clean the wafer. The surface of the wafer to be cleaned faces downward, and the spray nozzle is positioned below the wafer so as to spray the liquid upward.
また、本発明のジェットスクラバーは、低圧水を噴射す
る低圧水噴射ノズルと、該低圧水噴射ノズルに低圧水を
供給する低圧水用配管と、前記低圧水よりもその圧力が
高い高圧水を噴射する高圧水噴射ノズルと、該高圧水噴
射ノズルに高圧水を供給する高圧水用配管とを含み、前
記高圧水噴射ノズルから噴射された高圧水噴流が前記低
圧水噴射ノズルから噴射された低圧水噴流の中を通過し
てウェハ上の同じ箇所に衝突するように低圧水噴射ノズ
ル及び高圧水噴射ノズルが配置されている。Further, the jet scrubber of the present invention includes a low-pressure water injection nozzle that injects low-pressure water, a low-pressure water pipe that supplies low-pressure water to the low-pressure water injection nozzle, and a jet scrubber that injects high-pressure water whose pressure is higher than that of the low-pressure water. a high-pressure water injection nozzle that supplies high-pressure water to the high-pressure water injection nozzle, and high-pressure water piping that supplies high-pressure water to the high-pressure water injection nozzle, the high-pressure water jet injected from the high-pressure water injection nozzle A low pressure water jet nozzle and a high pressure water jet nozzle are arranged to pass through the jet and impinge on the same location on the wafer.
ここで、低圧水噴射ノズルの出口面は高圧水噴射ノズル
の出口面よりもウェハに近い側にあり、低圧水噴射ノズ
ルの出［１面とウェハの面との距離は、ウェハが回転し
た時にウェハの面と低圧水噴射ノズルの出口面が接触し
ない限りにおいて出来るだけ小さな距離に設定されてい
るのが好ましい。Here, the exit surface of the low-pressure water jet nozzle is closer to the wafer than the exit surface of the high-pressure water jet nozzle, and the distance between the exit surface of the low-pressure water jet nozzle and the wafer surface is It is preferable that the distance be set as small as possible as long as the surface of the wafer and the exit surface of the low-pressure water jet nozzle do not come into contact with each other.
より好適には、噴流がウェハに到達した瞬間にキャビテ
ーション気泡が潰れて破壊してしまうように該距離が設
定されている。More preferably, the distance is set so that the cavitation bubbles are crushed and destroyed the moment the jet reaches the wafer.
また、噴射ノズルから噴射される液体はタンクから供給
されて、ポンプにより高圧化され配管を通してノズルに
到達し、或いはタンクより直接ノズルに供給されるよう
になっており、該タンクは密閉型であり、そのポートか
ら内部の空気を適時抜くことによりタンクに充填された
液体の脱気を行うように構成されていることが好ましい
。或いは、タンク内の液体の温度を上昇せしめる手段を
設けるのが好ましい。In addition, the liquid injected from the injection nozzle is supplied from a tank, is pressurized by a pump, and reaches the nozzle through piping, or is directly supplied from the tank to the nozzle, and the tank is of a closed type. It is preferable that the liquid filled in the tank be degassed by timely removing internal air from the port. Alternatively, it is preferable to provide means for increasing the temperature of the liquid within the tank.
［作用］
−上記したような構成を有する本発明によれば、前記ウ
ェハの洗浄すべき面は下側を向いており、前記噴射ノズ
ルは前記ウェハの下方に位置しているので、噴射ノズル
からの噴流は下方から上方へ噴出される。そして、この
噴流により除去された汚染物は、噴流（水）と共に重力
によりウェハの面から下方に落下するので、再度ウェハ
の面に付着することはない。[Function] - According to the present invention having the above-described configuration, the surface of the wafer to be cleaned faces downward, and the spray nozzle is located below the wafer, so that there is no water from the spray nozzle. The jet is ejected from below to above. Then, the contaminants removed by this jet flow fall downward from the wafer surface due to gravity together with the jet flow (water), so that they do not adhere to the wafer surface again.
これに加えて本発明によれば、低圧水噴射ノズル及び高
圧水噴射ノズルを組み合わせ、低圧水噴流をウェハ面上
に噴出させると同時に、高圧水噴流を該低圧水噴流の中
を通過させることにより、この２つの噴流の速度差によ
って噴流中に摩擦を起こしてキャビテーション気泡を発
生させることが出来る。そして、キャビテーション気泡
が破壊する時に発生する衝撃圧によって、壊食と同様の
作用によってウェハ面上の汚れを洗浄し除去することが
可能である。すなわち、静水中に高圧水を噴射して所定
の面にあてると、その面はキャビテーション気泡により
壊食が起こることは知られているが、前述したような構
成とすることにより、噴流中にキャビテーション気泡を
発生させてウェハ面に衝突せしめ、壊食と同様の作用で
ウェハ面上の汚染を除去するのである。In addition, according to the present invention, a low-pressure water jet nozzle and a high-pressure water jet nozzle are combined, and a low-pressure water jet is jetted onto the wafer surface, and at the same time, a high-pressure water jet is passed through the low-pressure water jet. The speed difference between these two jets causes friction in the jets, which can generate cavitation bubbles. Then, the impact pressure generated when the cavitation bubbles are destroyed makes it possible to clean and remove dirt on the wafer surface through an action similar to erosion. In other words, it is known that when high-pressure water is injected into still water and hits a predetermined surface, that surface will be corroded by cavitation bubbles, but by using the above-mentioned configuration, cavitation is prevented during the jet flow. Air bubbles are generated and collided with the wafer surface, and contamination on the wafer surface is removed by an action similar to erosion.
ここで、液体の脱気を行うような密閉タンクを装備させ
れば、キャビテ−シコン気泡を発生しやすくするため、
洗浄効率が更に向上する。If a closed tank is installed to deaerate the liquid, cavitation bubbles can easily occur.
Cleaning efficiency is further improved.
［実施例］
以下、第１図、第２図を参照して、本発明の実施例を説
明する。なお、第１図、第２図において、第３図でしめ
すのと同一の部材には同一の符号が付されている。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. In FIGS. 1 and 2, the same members as shown in FIG. 3 are designated by the same reference numerals.
第１図において、ウェハ２はチャック３上に真空による
吸着力等によって下向きに保持されており、ここでチャ
ック３を回転させたり或いは上下動させたりする機構は
、第３図に示す従来技術のものと略々同一であるが、ウ
ェハ２の上方に位置している点が異なっている。In FIG. 1, a wafer 2 is held downward on a chuck 3 by vacuum suction, and the mechanism for rotating or moving the chuck 3 up and down is the conventional technique shown in FIG. It is almost the same as the wafer 2, except that it is located above the wafer 2.
ウェハ２の面を洗浄するノズルは全体を符号１２で示さ
れており、このノズル１２はウェハ２の下方に位置して
いる。なお、第１図Ａで示すように、傾斜したノズル１
２Ａを用いても良い。該ノズル１２はウェハ２の中心線
上を左行あるいは右行できる様にスクリューネジ１７に
組込まれており、該スクリューネジ１７はモータ１６に
接続されている。従って、モータ１６を正逆転させるこ
とにより、ノズル１２をウェハ２の下方で左行或いは右
行させることができる。そして、ノズル１２が左行或い
は右行可能であれば、ウェハが回転することによりノズ
ル１２から噴出する上向きの噴流がウェハ２の下側の面
全体に衝突する。なお、スクリューネジとモータとの組
合せ以外にも、噴流を左行或いは右行させるために種々
の方法が考えられる。A nozzle for cleaning the surface of the wafer 2 is designated as a whole by the reference numeral 12, and this nozzle 12 is located below the wafer 2. In addition, as shown in FIG. 1A, the inclined nozzle 1
2A may also be used. The nozzle 12 is built into a screw 17 so that it can move leftward or rightward on the center line of the wafer 2, and the screw 17 is connected to a motor 16. Therefore, by rotating the motor 16 in the forward and reverse directions, the nozzle 12 can be moved to the left or right below the wafer 2. If the nozzle 12 can move leftward or rightward, the upward jet jet ejected from the nozzle 12 as the wafer rotates impinges on the entire lower surface of the wafer 2 . In addition to the combination of a screw and a motor, various methods can be considered to cause the jet flow to move leftward or rightward.
ノズル１２からウェハ２の下面Ｓに向けてジェット噴流
が噴出すると、後述の態様にて該面Ｓに付着した汚染物
が除去される。この際に、ウェハ２の洗浄された面（下
面）Ｓは下側を向いているので、除去された汚染物は噴
流の水と共に（重力によって）落下する。そのため、該
汚染物がウェハ２の下面Ｓに付着したまま残留すること
はない。When a jet stream is ejected from the nozzle 12 toward the lower surface S of the wafer 2, contaminants adhering to the surface S are removed in a manner described later. At this time, since the cleaned surface (lower surface) S of the wafer 2 faces downward, the removed contaminants fall together with the water jet (by gravity). Therefore, the contaminants do not remain attached to the lower surface S of the wafer 2.
・−ノズル１２に供給される高圧液体（高圧水）は、タ
ンク２３から供給される途中でポンプ２１により加圧さ
れ、高圧水用配管１９．１５を通ってノズル１２の高圧
水噴射ノズルＨ（第２図）に供給される。そして、高圧
水噴流２９として高圧水噴射ノズルＨの噴出口２６（第
２図）から噴射される。一方、前記高圧水よりも圧力が
低い低圧水は、タンク２３から低圧水川配管１８．１４
を通ってノズル１２の低圧水噴射ノズルＬ（第２図）に
供給される。そして、該ノズルＬの噴出口２７（第２図
）から低圧水噴流３０として噴射されるのである。- The high-pressure liquid (high-pressure water) supplied to the nozzle 12 is pressurized by the pump 21 while being supplied from the tank 23, and passes through the high-pressure water piping 19.15 to the high-pressure water injection nozzle H (of the nozzle 12). Figure 2). The water is then injected as a high-pressure water jet 29 from the jet port 26 (FIG. 2) of the high-pressure water jet nozzle H. On the other hand, low-pressure water whose pressure is lower than the high-pressure water is supplied from the tank 23 to the low-pressure Mizukawa piping 18.14.
The water is supplied through the nozzle 12 to the low pressure water injection nozzle L (FIG. 2). The water is then jetted as a low-pressure water jet 30 from the spout 27 (FIG. 2) of the nozzle L.
タンク２３は密閉構造となっており、その上面の排気口
２４は、タンク２３内を真空にするための排気口、大気
解放のため図示しないフィルタ等を介して大気圧に開放
されている孔、及び圧縮空気を導入するための孔、にそ
れぞれバルブを介して接続されている。The tank 23 has a sealed structure, and an exhaust port 24 on the top surface is an exhaust port for making the inside of the tank 23 a vacuum, a hole that is opened to atmospheric pressure through a filter (not shown), etc. to release the atmosphere, and a hole for introducing compressed air, respectively, through valves.
なお、符号１３は上部ケーシング、符号２０は下部ケー
シングを示している。In addition, the code|symbol 13 has shown the upper casing, and the code|symbol 20 has shown the lower casing.
次に第２図を参照して、ノズル１２に入った高圧水及び
低圧水の作用について説明する。Next, with reference to FIG. 2, the effects of the high pressure water and low pressure water entering the nozzle 12 will be explained.
第２図において、先ず配管１４を通って入ってきた低圧
水は噴出口２７より低圧水噴流３０として上方へ噴出し
てウェハ２の下面Ｓに衝突（流出）する。一方、高圧水
用配管１５を介して入ってきた高圧水は噴出口２６から
高圧水噴流２９として噴出する。この高圧水噴流２９は
、噴出口２７から噴射する低圧水噴流３０の中を通過し
て、ウェハ２の下面Ｓに衝突する。ここで噴出０２６の
径は噴出口２７の径よりも小さくなっている。In FIG. 2, first, the low-pressure water that has entered through the pipe 14 is ejected upward from the ejection port 27 as a low-pressure water jet 30 and collides with (flows out of) the lower surface S of the wafer 2. On the other hand, the high-pressure water that has entered through the high-pressure water pipe 15 is jetted out from the spout 26 as a high-pressure water jet 29 . This high-pressure water jet 29 passes through a low-pressure water jet 30 jetted from the jet nozzle 27 and collides with the lower surface S of the wafer 2 . Here, the diameter of the jet 026 is smaller than the diameter of the jet nozzle 27.
噴出口２７より流出する低圧水噴流３ｏと噴出０２６よ
り噴出する高圧水噴流２９との間には、高圧と低圧の差
にもとづいた速度差が存在し、この速度差によって低圧
水噴流３０の中を高圧水噴流２９が通過する際に両噴流
の間で摩擦が起こり、キャビテーション気泡が発生する
。一般に、低圧水圧力をＰｕ１高圧水圧力をＰＤとすれ
ば、Ｐａ／Ｐｌ）＜０．６
でキャビテーション気泡が発生（初生）する。There is a speed difference between the low pressure water jet 3o flowing out from the spout 27 and the high pressure water jet 29 jetting out from the jet 026 based on the difference between the high pressure and the low pressure. When the high-pressure water jet 29 passes through, friction occurs between the two jets and cavitation bubbles are generated. Generally, if the low water pressure is Pu and the high water pressure is PD, cavitation bubbles are generated (initial formation) when Pa/Pl)<0.6.
このキャビテーション気泡は噴出０２６から一定の距離
のところでつぶれるが、この時、非常に大きな衝撃圧力
を発生する。従って、キャビテーション気泡が潰れると
ころにウェハ２の下面Ｓを合せておけば、ウェハ上に付
着している除去しにくい汚染物をこの衝撃圧力によって
除去することができる。噴出０２６からキャビテーショ
ン気泡が潰れるところまでの距離が、該噴出口２６から
噴出口２７の出口面２８までの距離と等しいものとすれ
ば、ウェハ２の下面をこの位置（噴出口２７の出口面２
８の位置）に合せれば良い。但し、ウェハ２は回転して
いるので、ウェハ２の下面Ｓをノズル１２の面（前記出
口面）２８に接触させる事は不都合であるが、面Ｓと面
２８とは出来る限り接近するように設定しておく必要が
ある。ここで、下面Ｓと面２８との間の距離δを、例え
ば０．１ｆｉＩｌから１ｍｍの距離に設定すれば、衝撃
圧力の影響力を充分にウェハ面上に及ぼすことができる
。This cavitation bubble collapses at a certain distance from the jet 026, but at this time, a very large impact pressure is generated. Therefore, by aligning the lower surface S of the wafer 2 with the area where the cavitation bubbles are collapsed, contaminants that are hard to remove and adhere to the wafer can be removed by this impact pressure. If the distance from the jet 026 to the point where the cavitation bubble collapses is equal to the distance from the jet nozzle 26 to the exit surface 28 of the jet nozzle 27, then the lower surface of the wafer 2 is placed at this position (the exit surface 28 of the jet nozzle 27).
8). However, since the wafer 2 is rotating, it is inconvenient to bring the lower surface S of the wafer 2 into contact with the surface (the exit surface) 28 of the nozzle 12, but the surface S and surface 28 should be brought as close as possible. It is necessary to set it. Here, if the distance δ between the lower surface S and the surface 28 is set to a distance of, for example, 0.1 fiIl to 1 mm, the influence of the impact pressure can be sufficiently exerted on the wafer surface.
−更に、例えば排気孔２４より内部空気の排気を行って
タンク２３内の液体を必要に応じて脱気することにより
、キャビテーション気泡がより一層発生するように構成
することもできる。或いは、タンク２３内の液体の温度
を上昇せしめてキャビテーション気泡が発生しやすくす
るために、タンク内にヒータ２５を設置しである。-Furthermore, it is also possible to generate more cavitation bubbles by, for example, exhausting internal air through the exhaust hole 24 and deaerating the liquid in the tank 23 as necessary. Alternatively, a heater 25 may be installed within the tank 23 to increase the temperature of the liquid within the tank 23 to facilitate generation of cavitation bubbles.
［発明の効果］ 本発明の効果を以下に列挙する。[Effect of the invention] The effects of the present invention are listed below.
（１）除去された汚染物がウェハの面から重力により落
下するので、該汚染物がウェハに付着したまま残留する
事が確実に防止される。(1) Since the removed contaminants fall from the surface of the wafer due to gravity, it is reliably prevented that the contaminants remain attached to the wafer.
（２） 低圧水噴射ノズル及び高圧水噴射ノズルを組み
合わせることにより、キャビテーション気泡を発生させ
て、その壊食と同様の作用でウェハ面上の汚れ除去する
ことが出来るので、従来のジェットスクラバーでは除去
することが出来なかった汚れであっても洗浄、除去する
ことが出来る。(2) By combining a low-pressure water jet nozzle and a high-pressure water jet nozzle, it is possible to generate cavitation bubbles and remove dirt on the wafer surface with the same effect as erosion, which is difficult to remove with conventional jet scrubbers. Even dirt that could not be removed can be washed and removed.
従って、洗浄効果が非常に大きくなる。Therefore, the cleaning effect becomes very large.
（３） ウェハが下向きになるようにチャック上で保持
して、且つノズルをウェハの下側に配置するという比較
的単純な構成なので、製造コストが必要以上に嵩むこと
が無い。(3) Since the configuration is relatively simple in that the wafer is held on the chuck so as to face downward and the nozzle is disposed below the wafer, the manufacturing cost does not increase unnecessarily.
（４） 装置全体の大きさは従来のジェットスクラバー
と全く変らない。(4) The overall size of the device is no different from a conventional jet scrubber.
（５） 密閉型タンクのボートから内部の空気を適時抜
いて該タンクに充填された液体の脱気を行うように構成
するか、或いは、タンク内の液体の温度を上昇せしめる
手段を設けることにより、キャビテーション気泡を発生
し易くして洗浄効果を更に向上させることが可能である
。(5) By configuring the boat of a closed tank to remove the internal air from the boat in a timely manner to deaerate the liquid filled in the tank, or by providing a means to increase the temperature of the liquid in the tank. , it is possible to further improve the cleaning effect by making it easier to generate cavitation bubbles.
第１図は本発明の１実施例を示す断面正面図、第１図Ａ
は他の実施例の要部の正面図、第２図は第１図の部分拡
大断面図、第３図は従来技術を示す断面正面図である。
１．１２・・ツズル ２・・・ウェハ ３・・・チ
ャック １４．１８・・・低圧水用配管 １５．１
９・・・高圧水用配管 ２６．２７・・・噴出口
２９・・・高圧水噴流 ３０・・・低圧水噴流 Ｈ
・・・高圧水噴射ノズル Ｌ・・・低圧水噴射ノズル
Ｓ・・・ウェハ表面FIG. 1 is a cross-sectional front view showing one embodiment of the present invention, FIG. 1A
2 is a partially enlarged sectional view of FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional front view showing the prior art. 1.12... Tuzzle 2... Wafer 3... Chuck 14.18... Low pressure water piping 15.1
9...High pressure water piping 26.27...Spout port
29...High pressure water jet 30...Low pressure water jet H
...High pressure water injection nozzle L...Low pressure water injection nozzle S...Wafer surface
Claims (2)
し且つ噴射ノズルから液体をウェハ上へ噴射して該ウェ
ハを洗浄するジェットスクラバーにおいて、前記ウェハ
の洗浄すべき面は下側を向いており、前記噴射ノズルは
上方に向けて液体を噴射する様に前記ウェハの下方に位
置していることを特徴とするジェットスクラバー。(1) In a jet scrubber that holds a wafer on a chuck, rotates the chuck, and sprays liquid onto the wafer from a spray nozzle to clean the wafer, the surface of the wafer to be cleaned faces downward. The jet scrubber is characterized in that the jet nozzle is located below the wafer so as to jet the liquid upward.
噴射ノズルに低圧水を供給する低圧水用配管と、前記低
圧水よりもその圧力が高い高圧水を噴射する高圧水噴射
ノズルと、該高圧水噴射ノズルに高圧水を供給する高圧
水用配管とを含み、前記高圧水噴射ノズルから噴射され
た高圧水噴流が前記低圧水噴射ノズルから噴射された低
圧水噴流の中を通過してウェハ上の同じ箇所に衝突する
ように低圧水噴射ノズル及び高圧水噴射ノズルが配置さ
れている請求項（１）に記載のジェットスクラバー。(2) A low-pressure water injection nozzle that injects low-pressure water, a low-pressure water pipe that supplies low-pressure water to the low-pressure water injection nozzle, and a high-pressure water injection nozzle that injects high-pressure water whose pressure is higher than that of the low-pressure water. , a high-pressure water pipe for supplying high-pressure water to the high-pressure water injection nozzle, and the high-pressure water jet injected from the high-pressure water injection nozzle passes through the low-pressure water jet injected from the low-pressure water injection nozzle. 2. The jet scrubber according to claim 1, wherein the low-pressure water jet nozzle and the high-pressure water jet nozzle are arranged so as to impinge on the same location on the wafer.
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ID=17717487
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