JPH0314779B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0314779B2 JPH0314779B2 JP62109526A JP10952687A JPH0314779B2 JP H0314779 B2 JPH0314779 B2 JP H0314779B2 JP 62109526 A JP62109526 A JP 62109526A JP 10952687 A JP10952687 A JP 10952687A JP H0314779 B2 JPH0314779 B2 JP H0314779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- heating
- oxide
- decomposed
- lutetium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolutetiooxy)lutetium Chemical compound O=[Lu]O[Lu]=O MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材
料として有用な新規化合物であるLuGaZn7O10で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、(Yb3+Fe3+O3)oFe2+0(nは整数を表わ
す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−1の通りである。 これらの化合物は酸化鉄1モルに対して、
YbFeO3がnモルの割合で化合していると考えら
れる層状構造を持つ化合物である。
料として有用な新規化合物であるLuGaZn7O10で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、(Yb3+Fe3+O3)oFe2+0(nは整数を表わ
す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−1の通りである。 これらの化合物は酸化鉄1モルに対して、
YbFeO3がnモルの割合で化合していると考えら
れる層状構造を持つ化合物である。
【表】
発明の目的
本発明は(YbFeO3)oFeOの化学式において、
n=1/7に相当し、Yb3+の代わりにLu3+を、Fe3+
の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりにZn2+を置き
かえて得られた新規化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のLuGaZn7O10で示される化合物は、イ
オン結晶モデルではLu3+(Ga3+、Zn2+)Zn6 2+2+
O10 2-として記載され、その構造はLuO1.5層、
(Ga3+、Zn2+)O2.5層およびZnO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Zn2+イオンの1/7は
Ga3+と共に(Ga3+、Zn2+)O2.5層を作り、残り
の6/7はZnO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。 a=3.307±0.001(Å) c=72.01±0.01(Å) この化合物の面指数(hkl)、面間隔(d(Å))
(dpは実測値、dcは計算値を示す)およびX線に
対する相対反射強度(I%)を示すと、表−2の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料等に有用なものである。
n=1/7に相当し、Yb3+の代わりにLu3+を、Fe3+
の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりにZn2+を置き
かえて得られた新規化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のLuGaZn7O10で示される化合物は、イ
オン結晶モデルではLu3+(Ga3+、Zn2+)Zn6 2+2+
O10 2-として記載され、その構造はLuO1.5層、
(Ga3+、Zn2+)O2.5層およびZnO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Zn2+イオンの1/7は
Ga3+と共に(Ga3+、Zn2+)O2.5層を作り、残り
の6/7はZnO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。 a=3.307±0.001(Å) c=72.01±0.01(Å) この化合物の面指数(hkl)、面間隔(d(Å))
(dpは実測値、dcは計算値を示す)およびX線に
対する相対反射強度(I%)を示すと、表−2の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料等に有用なものである。
【表】
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしく
は加熱により酸化ルテチウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、Lu、Gaおよび
Znの割合が原子比で1対1対7の割合で混合し、
該混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはLuおよびGaが各々3価イオン
状態、Znが2価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することによつて製造し得られ
る。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μm
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Lu、Ga、及びZnの割合が
原子比で1対1対7の割合であることが必要であ
る。これをはずすと目的とする化合物の単一相を
得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
LuおよびGaが各々3価イオン状態、Znが2価イ
オン状態から還元されない還元雰囲気中で600℃
以上のもとで加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたLuGaZn7O10化合物の粉末は無色であ
り、粉末X線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
LuO1.5層、(Ga、Zn)O2.5層およびZnO層の積み
重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99%以上の酸化ルテチウム(Lu2O3)
粉末、純度99.99%以上の酸化ガリウム(Ga2O3)
粉末および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末をモ
ル比で1対1対14の割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約30分間混合し、平均粒
径数μmの微粉末混合物を得た。該混合物を白金
管内に封入し、1450℃に設定された管状シリコニ
ツト炉内に入れ、3日間加熱し、その後、試料を
炉外にとりだし室温まで急速に冷却した。得られ
た試料はLuGaZn7O10単一相であつた。粉末X線
回折法によつて面指数(hkl)、面間隔(dp)およ
び相対反射強度(I%)を測定した。その結果は
表−2の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は a=3.307±0.001(Å) c=72.01±0.01(Å) であつた。 上記の格子定数および表−2の面指数(hkl)
より算出した面間隔(dc(Å))は、実測の面間隔
(dp(Å))と極めてよく一致した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしく
は加熱により酸化ルテチウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、Lu、Gaおよび
Znの割合が原子比で1対1対7の割合で混合し、
該混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはLuおよびGaが各々3価イオン
状態、Znが2価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することによつて製造し得られ
る。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μm
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Lu、Ga、及びZnの割合が
原子比で1対1対7の割合であることが必要であ
る。これをはずすと目的とする化合物の単一相を
得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
LuおよびGaが各々3価イオン状態、Znが2価イ
オン状態から還元されない還元雰囲気中で600℃
以上のもとで加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたLuGaZn7O10化合物の粉末は無色であ
り、粉末X線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
LuO1.5層、(Ga、Zn)O2.5層およびZnO層の積み
重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99%以上の酸化ルテチウム(Lu2O3)
粉末、純度99.99%以上の酸化ガリウム(Ga2O3)
粉末および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末をモ
ル比で1対1対14の割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約30分間混合し、平均粒
径数μmの微粉末混合物を得た。該混合物を白金
管内に封入し、1450℃に設定された管状シリコニ
ツト炉内に入れ、3日間加熱し、その後、試料を
炉外にとりだし室温まで急速に冷却した。得られ
た試料はLuGaZn7O10単一相であつた。粉末X線
回折法によつて面指数(hkl)、面間隔(dp)およ
び相対反射強度(I%)を測定した。その結果は
表−2の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は a=3.307±0.001(Å) c=72.01±0.01(Å) であつた。 上記の格子定数および表−2の面指数(hkl)
より算出した面間隔(dc(Å))は、実測の面間隔
(dp(Å))と極めてよく一致した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 LuGaZn7O10で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 2 金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもし
くは加熱により酸化ルテチウムに分解される化合
物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしく
は加熱により酸化ガリウムに分解される化合物
と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱によ
り酸化亜鉛に分解される化合物とを、Lu、Gaお
よびZnの割合が原子比で1対1対7の割合で混
合し、該混合物を600℃以上の温度で大気中、酸
化性雰囲気中あるいはLuおよびGaが各々3価イ
オン状態、Znが2価イオン状態より還元されな
い還元雰囲気中で加熱することを特徴とする
LuGaZn7O10で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10952687A JPS63274622A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | LuGaZn↓70↓1↓0で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10952687A JPS63274622A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | LuGaZn↓70↓1↓0で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63274622A JPS63274622A (ja) | 1988-11-11 |
JPH0314779B2 true JPH0314779B2 (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=14512494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10952687A Granted JPS63274622A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | LuGaZn↓70↓1↓0で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63274622A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3738109A1 (de) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Bayer Ag | Mischungen von polycarbonaten mit siloxanhaltigen pfropfpolymerisaten |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | X線ct装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-01 JP JP10952687A patent/JPS63274622A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | X線ct装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63274622A (ja) | 1988-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0244258B2 (ja) | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0244260B2 (ja) | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0244262B2 (ja) | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0244259B2 (ja) | ||
JPH0244263B2 (ja) | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0314779B2 (ja) | ||
JPH0248488B2 (ja) | Lualzn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0244243B2 (ja) | Inalzn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0244251B2 (ja) | Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0348135B2 (ja) | ||
JPH0348134B2 (ja) | ||
JPH0333656B2 (ja) | ||
JPH0314778B2 (ja) | ||
JPH0435408B2 (ja) | ||
JPH0435409B2 (ja) | ||
JPH0348133B2 (ja) | ||
JPH0246529B2 (ja) | Lualzn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0244244B2 (ja) | Inaizn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0333651B2 (ja) | ||
JPH0333652B2 (ja) | ||
JPH0244252B2 (ja) | Scgazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0244245B2 (ja) | Ina1zn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0333654B2 (ja) | ||
JPH0333649B2 (ja) | ||
JPH0359005B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |