JPH03146471A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体の製造方法

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JPH03146471A
JPH03146471A JP1281965A JP28196589A JPH03146471A JP H03146471 A JPH03146471 A JP H03146471A JP 1281965 A JP1281965 A JP 1281965A JP 28196589 A JP28196589 A JP 28196589A JP H03146471 A JPH03146471 A JP H03146471A
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JP
Japan
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substrate
thermal conductivity
sintered body
aluminum nitride
sintering
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JP1281965A
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English (en)
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Satoshi Uenosono
聡 上ノ薗
Masato Kumagai
正人 熊谷
Toshihiko Funabashi
敏彦 船橋
Tadashi Nakano
正 中野
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JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野1 本発明は窒化アルミニウム焼結体の製造方法に関し、特
に産業上の要求の高い高熱伝導率窒化アルミニウム焼結
体の製造方法に関する。
〔従来の技術] 高熱伝導率AfiN焼結体の用途は、具体的には半導体
用基板材料を代表例とする絶縁材料である。半導体の高
集積化、高速化、高出力化等の動向に伴って、以下のよ
うな問題がクローズアップされてきた。すなわち、 ■ 半導体チップの発熱をいかに効率よく系外へ逃がす
か。
■ 動作精度の向上につれて基板又はパッケージ部分の
信号の遅延が問題となる。
■ チップサイズの増大により、チップとの熱膨張率差
が大きくなり、信号の信頼性が低下する。
■ 高電力チップでは使用電圧がますます増大しており
、基板の絶縁破壊が問題となりつつある。
半導体が抱えるこのような問題を解決しつる従来のアル
ミナにかわる基板又はパッケージ用セラミックスとして
は、 (イ)熱伝導率が高い。
(ロ)電気絶縁性が優れる。
(ハ)高周波特性がよい(低誘電率、低誘電損失) (ニ)熱膨張率がSi、またはGaAsに近い。
(ホ)化学的に安定である。
(へ)機械的な強度が大きい。
(ト)回路形成が容易である。
(チ)気密封止ができる。
などの特性を有することが望ましい。このような特性を
基本的に有するものとしてAl2Nが有望視されている
しかし、具体的にAl2Nセラミックスを適用しようと
すると、次に示す最低限の特性項目を満たす必要がある
。すなわち (1)焼結体が均一で緻密である。機械的強度が大きい
、相対密度が95%以上であることが望ましい。
(2)熱伝導率が高い。
(3)体積抵抗が高い(≧1Q12Ω・cm)(4)焼
き上がりの焼結体表面が平滑平坦である。
(5)焼結体の外観は、色むら、着色等がなく、均一な
色調をもつこと。
上記のうち(4)の項目は必須ではないといいながら、
焼き上がりの焼結体の表面粗度が0.5μmより大きけ
れば、表面の加工が必要となる。
このため大量に基板を製造する際には、製造コストを低
減する観点から(4)の項目は重要となってくる。また
、(5)の項目についても(4)と同様である。すなわ
ちAgN基板に回路を形成した後、回路の検査が必要で
ある。Al2N基板の表面の一部の部分に着色等の異常
があると商品イメージを損なうだけでなく、回路検査が
困難となり事実上商品価値がなくなる。また、網目状の
模様が基板の表面に発生することもある。網目状の模様
は小さな気孔の集合体であり基板強度の低下も同時に招
く。
したがって、Al2N基板には高熱伝導率はもちろんの
こと、焼き上がりの表面粗度が小さく、基板の表面に着
色や網目状の模様といった外観の異常のない、−様な色
調であることが求められている。
従来の技術では上記(1)、(2)の特性を満足させる
ため、特公昭46−41003号公報に示されるように
、Y2 oaを焼結助剤として用いたり、または特公昭
58−49510号公報に示されるように、Cab、B
aO%SrOなどを焼結助剤として用い、熱伝導率が1
00W/m−に程度のセラミックスが用いられている。
また、窯業協会誌、第25回窯業基礎討論会、IDO3
,3HO3(昭和62年1月)では/MAN成形体を還
元雰囲気中、1850〜1950℃で2〜96時間焼結
するこ・とにより、高熱伝導率のAl2N焼結体を得る
方法を示している。この方法では一旦焼成した基板を黒
鉛ルツボに再充填し再焼成するため製造コストが高い問
題点があった。
一方、特開昭62−52181号公報に、AβNに焼結
助剤として炭素換算で0.2〜3.4重量部の炭素、酸
化イツトリウム0.1−10重量部を含有させた成形体
を1600〜2100℃で焼結することを特徴とするA
βN焼結体の製造方法が開示されている。これとて最高
140W/m−に程度の熱伝導率しか得られていない。
Al2Nの単結晶の熱伝導率は32ow/m−にといわ
れており、この熱伝導率は満足できるものではない、ま
た、これらの先行技術においては基板を商品として取扱
う上で重要な、表面粗度、基板の外観等についてはほと
んど言及されていない。
〔発明が解決しようとする課題1 従来のY2 osを焼結助剤として用いた技術には (a)十分な熱伝導率が得られない(特公昭46−41
003号公報、特開昭62−52181号公報) (b)十分な熱伝導率を得るためには、−度焼成した基
板を黒鉛ルツボに詰め直して再焼成を行うため製造コス
トが高い(第25回窯業基礎討論会I DO3,3HO
3) (c)AI2N基板の商品価値や製造コストを決定する
焼き上がりの基板の表面粗度、基板表面の外観について
ほとんど検討されていない といった問題点がある。
これらの問題点を解決するため、新たな高熱伝導率Af
lN基板が求められていた。
本発明では上記(a)〜(c)の問題点を全て解決する
高熱伝導率基板を提供することを目的とする。すなわち (i)170W/m−に以上の熱伝導率をもつ。
(ii)量産性に優れる常圧焼成を採用し、−度の熱処
理で高熱伝導化を達成する。
(iii)Al2N焼結体を基板として利用する時に、
商品と重要な意味をもつ焼き上がりの表面粗度(Ra)
が0.5μm以下である。
(ivlAJ2N基板の一部に着色が生じたり、網目状
の色むらといった異常がない。
といった4項目を全て満たした商品価値の高い、IN基
板を一度の熱処理で製造する技術を提供するものである
。本発明では得られた基板の表面を研磨するといった新
たな工程を設けることは必要がない技術を提供する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは、以上述べた従来技術の問題点に鑑み、窒
化アルミニウム焼結体の熱伝導率を向上し、基板として
必要な特性を具備させるべく研究を重ねた結果、以下に
示す新規事項を発見し本発明に至ったものである。
すなわち本発明は、焼結助剤としてイツトリウム、スカ
ンジウム及びランタノイドの酸化物の群から選ばれた1
種又は2種以上を0.5〜6重量%並びに、LaB5、
MgB6及びCa13.の中から選ばれた1種または2
種以上を0.02〜3重量%を含む窒化アルミニウム混
合粉末を調製し、これを成形し、非酸化性雰囲気中で1
600〜2000℃の温度範囲において焼成する窒化ア
ルミニウム焼結体の製造方法である。
ランタノイドは、原子番号57のLaから原子番号71
のLuに至る15個の希土類元素の総称である。
本発明により緻密で、熱伝導率、電気絶縁性に優れた焼
結体を得ることができる。また基板状に焼成した場合、
基板の表面に網目状の色むらや一部の部分に着色等とい
った外観の異常がなく、焼き上がりの表面粗度Raが0
.5μm以下のAl2N焼結体が得られる。
〔作用〕
本発明によって製造される焼結体は絶縁基板として要求
される(i)〜(iv )の項目を全て満たすものであ
った。
この事実に基づき、上記要求の最適添加範囲、他の粉末
、及び化合物について広範囲な検討を行った結果、本発
明を完成した。添加元素、又はその化合物及びその添加
範囲を限定して選択すれば相対密度が95%以上、熱伝
導率が170W/m−に以上、焼き上がりの表面粗度が
0.5μm以下、網目状の色むら、基板の一部の部分の
着色等の基板表面外観の異常の全くないAl2N高熱伝
導性、電気絶縁性基板が得られる。
本発明に係る焼結助剤の複合添加が有効であるメカニズ
ムについては充分解明されてはいないが、以下のように
考えられる。
Al2Nの表層には、完全な/l!203にはなってい
なくともある種のAI2酸化物が存在している。この酸
化物を仮にAl2203とすると、加えた上記焼結助剤
成分、例えばY203との間に液相xAff203 ・
3’Y2O3を生成する。
一方、全LaB6 、MgB6 、CaB6は極めて酸
化され易い化合物であり、換言すれば強い還元作用を有
する。このためAl2N中の不純物と反応しこれを除去
する0例えばY2 oaにLaB6を添加した系におい
て、幾分液相が粒界に残存する1850℃×2時間の焼
成条件で焼成を行った。粉末X線回折の結果、焼結体の
粒界相はAl22 Y4 osが主成分であり、わずか
にY2 oaが共存した。Y203単独添加の場合、粒
界層はYAG (Ya Al25012)とYAI20
3がほぼ同じX線回折強度を有した。このことから焼結
途中の液相組成は、Y203−LaB6系の方がY2 
oa系に比べY2 oaに冨む組成であることが分かる
。これはLaB6がAfiN粉末の表面のAff2 o
a層に還元剤として有効に働き、液相中のAff203
層が少なくなった結果と思われる。
このようなLaB6 、MgH2、CaBsの焼結中に
おける還元作用により、液相の生成から粒成長に至る段
階で、Al2N表面の酸素は還元され減量しながらAf
fN粉末を浄化していく。この結果として得られた焼結
体は、高熱伝導、電気絶縁性基板として理想的なものに
なる。
LaB6 、MgH2、CaB6添加による効果として
は、それ自身の還元力が焼結に有効に作用し高熱伝導率
化をもたらすと共に、電気絶縁性に優れ、色むら着色の
ない基板を得ることができる。
この作用については詳しくは明らかでない。
LaB6 、MgH2、CaBsの添加はAflN粉末
表層のAβ203に還元剤として有効に働いた結果、B
203になると考えられる。このB2 oaは液相の粘
性を下げるため、液相が焼結体中に均一に拡散する。こ
の結果基板中の液相の分布が均一となり、Al2Nの焼
結そのものを均質にすると考えられる。このため基板内
部表面とも均一に焼結が進行し、色むら、着色等がなく
なると思われる。
上記イツトリウム、スカンジウム及びランタノイドの酸
化物の群から選ばれた1種または2種以上の添加量が0
.5重量%に満たないと熱伝導率が小さく、基板に求め
られる特性を満たさない。
方、6重量%を越えると、逆に粒界相の量が多すぎるた
め、熱伝導率は低下する。
また上記LaB6 、MgH2及びCaB6から選ばれ
る1種または2種以上の添加量が0.01重量%に満た
ないと170W/m−に以上の高い熱伝導率は得られな
い。また基板の一部に網目状に色むらや着色等が発生し
易い、また焼き上がりの表面粗度が0.5μm以上とな
ることが多い。逆に添加量が3重量%を越えると粒界相
としてYNが残存し、基板の一部の部分が黄色く着色が
認められる。又、焼結中の収縮速度が小さく、95%以
上の相対密度を得られないこともある。
〔実施例J 実施例−■ 平均粒径1μmのAj2N粉末に、第1表に示す量の平
均粒径1μmのY2O3粉末と平均粒径2gmのLaB
6、MgH2、CaB6とをトルエン−エタノール混合
溶媒と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕した
後、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し
、/INスラリーを調製した。
これを用い、ドクターブレード法にてグリーンシートを
作成し65X65mm角に打抜き加工し、グリーン成形
体を得た。
これらをN2中にて700℃で脱脂した後、N2雰囲気
中常圧下で1900℃で3時間焼成しAβN基板を得た
得られたA4N板について、外観、相対密度。
熱伝導率、絶縁抵抗、表面粗度等の特性を測定した。そ
の結果を第1表に示す、特に基板の外観で網目状の着色
むらは「網目」、基板の一部の部分に着色が生じた場合
は「着色」と表示した。
実施例1〜14によりy2oaを0.5〜6重量%、L
aB6を0.O1〜3重量%配合することにより、熱伝
導率が170w/m−に以上、絶縁抵抗が1Q14Ω’
cm以上、表面粗度Ra < 0.5μm、相対密度9
5%以上の緻密な焼結体が得られた。また基板とした場
合、網目状の着色むら、基板の一部の部分の着色といっ
た異常は認められなかった。
比較例!ではY2O3の配合量が0.5重量%より少な
いと熱伝導率は135w/m−にと低かった。比較例2
ではY2O3の配合量が6重量%より多い時には熱伝導
率が低く、網目状の着色むらが認められるものがあった
比較例3.4.5ではLaB6の配合量が0.01重量
%より少ないと熱伝導率は170W/m−に以下となり
、網目状の着色むらが現われた。また表面粗度は0.5
μm以上となり、基板として用いるには研磨加工が必要
となった。
比較例6〜11ではLaB6の配合量が3重量%を越え
ると、基板外観に着色・基板の一部の部分に黄色い着色
が生じた。
実施例15〜23、比較例12〜17ではLaB6の代
りにMgBsを用いたがLaB6と全く同じ効果を持つ
ことを示した。
実施例24〜32比較例18・〜23ではLaB5の代
りにCaB6を用いた例を示した。
これらもLaBeと全く同じ効果を持つことを示した。
実施例33〜35ではLaBe、MgH2、CaB6の
うち2種又は3種を加えた例を示した。これらもすぐれ
た特性を示した。
実施例−■ 実施例−■のY2O3粉末に代えて平均粒径1μmの5
c203を用いて実施例−■と同様に処理し、Al2N
基板を得た。
得られたAffN板について、外観、相対密度、熱伝導
率、絶縁抵抗1表面粗度等の特性を測定した。その結果
を第2表に示す、特に基板の外観で網目状の着色むらは
「網目」、基板の一部の部分に着色が生じた場合は「着
色」と表示した。実施例1〜32は熱伝導率、相対密度
、表面粗度、外観にすぐれ、比較例1〜23はこれらが
劣る。
すなわち、5c203を用いた場合も、Y2O3と同様
の効果がある。
実施例−■ 実施例−工のY2O3粉末に代えてCeO2粉末を用い
、実施例−■と同様に処理し、Al2N基板を得た。
得られたAl2N板について、外観、相対密度、熱伝導
率、絶縁抵抗、表面粗度等の特性を測定した。その結果
を第3表に示す、「網目J、「着色」は実施例−■と同
様である。実施例−IIIの実施例1〜32、比較例1
〜23は実施例−■とほぼ同様の数値を示していること
がわかる。
実施例−■ 実施例−IのY2O3扮末の代りに平均粒径1μmのN
d2O3を用いて実施例−■と同様に処理したAβN板
について、外観、相対密度、熱伝導率、絶縁抵抗、表面
粗度等の特性を測定し第4表に示す、第4表からNd2
03を用いた場合も、優れた効果を奏することが明らか
である。
実施例−V 他の焼結助剤として、他のランタノイドの酸化物である
D3’203、Yb2O3について、及び2種以上の焼
結助剤を組合わせた場合の相互作用を見るためにこれら
の2種〜3種の混合粉末について、実施例−■と同様に
処理し、Al2N基板を得た。
得られたAl2N板について、外観、相対密度。
熱伝導率、絶縁抵抗、表面粗度等の特性を測定し、その
結果を第5表に示した。
これらの、IN板の諸特性はいずれも優れた性能を示し
た。
〔発明の効果】
本発明により、量産性の優れた常圧焼結法を採用し、1
回の焼成により170W/m−に以上の高熱伝導率、1
014Ω・cm以上の高絶縁性を両立し、かつ緻密で外
観に網目状の色むらや、着色等の以上のない商品価値の
高いAIN基板を安価に製造することができるようにな
った。本発明方法によればホーニング以外全く基板研磨
加工等の別工程を設ける必要がなくなった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 焼結助剤として、イットリウム、スカンジウム及び
    ランタノイドの酸化物の群から選ばれた1種又は2種以
    上を0.5〜6重量%並びにLaB_6、MgB_6及
    びCaB_6の中から選ばれた1種又は2種以上を0.
    01〜3重量%を含む窒化アルミニウム混合粉末を調 製し、これを成形し、非酸化性雰囲気中で 1600〜2000℃の温度範囲において焼成すること
    を特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
JP1281965A 1989-10-31 1989-10-31 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 Pending JPH03146471A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5330692A (en) * 1992-12-22 1994-07-19 Matsushita Electric Works, Ltd. Process for producing an aluminum nitride sintered product
WO1995002563A1 (en) * 1993-07-12 1995-01-26 The Dow Chemical Company Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and its preparation
JP2001122666A (ja) * 1999-10-26 2001-05-08 Toshiba Corp 窒化アルミニウム焼結体と、それを用いた半導体装置および加熱用装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63195175A (ja) * 1987-02-09 1988-08-12 川崎製鉄株式会社 窒化アルミニウム焼結体用組成物

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63195175A (ja) * 1987-02-09 1988-08-12 川崎製鉄株式会社 窒化アルミニウム焼結体用組成物

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5330692A (en) * 1992-12-22 1994-07-19 Matsushita Electric Works, Ltd. Process for producing an aluminum nitride sintered product
WO1995002563A1 (en) * 1993-07-12 1995-01-26 The Dow Chemical Company Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and its preparation
JP2001122666A (ja) * 1999-10-26 2001-05-08 Toshiba Corp 窒化アルミニウム焼結体と、それを用いた半導体装置および加熱用装置

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