JPH03144452A - 位相差マスク - Google Patents
位相差マスクInfo
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- JPH03144452A JPH03144452A JP1282681A JP28268189A JPH03144452A JP H03144452 A JPH03144452 A JP H03144452A JP 1282681 A JP1282681 A JP 1282681A JP 28268189 A JP28268189 A JP 28268189A JP H03144452 A JPH03144452 A JP H03144452A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体製造におけるホトリソグラフィ工程で
位相差法を用いる際に使用される位相差マスク、特に位
相反転のために設けられた位相シフター層の位置等の検
査が可能な位相差マスクに関するものである。
位相差法を用いる際に使用される位相差マスク、特に位
相反転のために設けられた位相シフター層の位置等の検
査が可能な位相差マスクに関するものである。
(従来の技術〉
従来、この種の分野の技術としては、例えば、第2図の
ようなものがあった。以下、その構成を図を用いて説明
する。
ようなものがあった。以下、その構成を図を用いて説明
する。
第2図は、従来の位相差マスクの一構成例を示す縦断面
図である。
図である。
この位相差マスクは、光りを透過するためのガラス板1
を有し、そのガラス板↓の表面の一方叫には、光りを遮
蔽するクロム等からなる遮光層2が所定のパターンで形
成されている。これらガラス板1及び遮光層2の表面の
一部に光りの振幅に)80°の位相差を与えるための位
相シフター層3が形成されている。
を有し、そのガラス板↓の表面の一方叫には、光りを遮
蔽するクロム等からなる遮光層2が所定のパターンで形
成されている。これらガラス板1及び遮光層2の表面の
一部に光りの振幅に)80°の位相差を与えるための位
相シフター層3が形成されている。
この位相シフター層3の膜厚dは、
d=λ1/(2(n 1))
但し、n;屈折率
λ1 ;露光波長
となり、感光後のホトレジス1〜、S i 02 、S
。
。
G、及びMGF2等の透明膜で単層構造に構成されてい
る。
る。
第3図は、第2図の位相差マスクのウェハ測からの平面
図である。
図である。
ガラス板上と遮光層2とで開ロバターン2aが形成され
ている。そのパターン2aの四隅及び遮光層2の表面の
1部に渡り、位相シフター層3が形成されている。
ている。そのパターン2aの四隅及び遮光層2の表面の
1部に渡り、位相シフター層3が形成されている。
以上のように構成される位相差マスクの表面に光りが照
射されると、その光りは次のような状態変化を経てマス
ク上に到達する。その過程を第4図および第5図を用い
て説明する。
射されると、その光りは次のような状態変化を経てマス
ク上に到達する。その過程を第4図および第5図を用い
て説明する。
第4図は、第3図の投影図を示す図である。第5図は、
第2図中の光りの状態例を示す図であり、同図(a)は
第2図中の位相シフター層3を通過後の光りの振幅を示
す波形図、同図(b)はマスク上の光りの振幅を示す波
形図、同図(C>はマスク上の光りの光強度を示す波形
図である。
第2図中の光りの状態例を示す図であり、同図(a)は
第2図中の位相シフター層3を通過後の光りの振幅を示
す波形図、同図(b)はマスク上の光りの振幅を示す波
形図、同図(C>はマスク上の光りの光強度を示す波形
図である。
まず、光りはガラス板上を通過し、その後、遮光層2上
以外の部分、即ち、第4図に示すような開ロバターンの
投影図が図示しないウェハ上のレジストに達し、露光が
行われる。この時、位相差シフター層3を通過する光り
は、第5図(a)のLaに示すように、その振幅に対し
て↓80°の位相差が与えられる。そして、第5図(b
>が示すようにウェハ上の光の振幅をコントロールし、
第5図(C)が示す最大値Xと最小値yとの差であるウ
ェハ上での光強度の差(コントラスト)を増大させる。
以外の部分、即ち、第4図に示すような開ロバターンの
投影図が図示しないウェハ上のレジストに達し、露光が
行われる。この時、位相差シフター層3を通過する光り
は、第5図(a)のLaに示すように、その振幅に対し
て↓80°の位相差が与えられる。そして、第5図(b
>が示すようにウェハ上の光の振幅をコントロールし、
第5図(C)が示す最大値Xと最小値yとの差であるウ
ェハ上での光強度の差(コントラスト)を増大させる。
これにより、ウェハ上の投影像のコントラストを改善し
ている。
ている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記構成の位相差マスクでは、次のよう
な課題があった。
な課題があった。
位相シフター層3を通過する光りの透過率は、−殻内に
光学式検査機に用いられている光の波長に対して一様に
高い。このため、位相シフター層3の検査において、あ
る波長の光を用いた場合にそのマスクの遮光部分以外で
は透過光量が多いので、位相シフター層3のパターン位
置等の検査が困難となる。
光学式検査機に用いられている光の波長に対して一様に
高い。このため、位相シフター層3の検査において、あ
る波長の光を用いた場合にそのマスクの遮光部分以外で
は透過光量が多いので、位相シフター層3のパターン位
置等の検査が困難となる。
第6図は、例えば感光後のホトレジストを用いて構成し
た第2図中の位相シフター層3の分光透過率曲線を示す
波形図であり、第7図は、ある透明膜を用いて構成した
第2図中の位相シフター層3の分光反射率曲線を示す波
形図である。この第6図が示すように可視光領域の波長
に対して一様に透過率が高く、また第7図が示すように
単層透明膜しては反射率が低いので、光りは透過しやす
い。その半面、第6図及び第7図における例えば波長λ
1.λ2のいづれを使用した場合でも透過光量が多くな
る。
た第2図中の位相シフター層3の分光透過率曲線を示す
波形図であり、第7図は、ある透明膜を用いて構成した
第2図中の位相シフター層3の分光反射率曲線を示す波
形図である。この第6図が示すように可視光領域の波長
に対して一様に透過率が高く、また第7図が示すように
単層透明膜しては反射率が低いので、光りは透過しやす
い。その半面、第6図及び第7図における例えば波長λ
1.λ2のいづれを使用した場合でも透過光量が多くな
る。
これにより、開ロバターン2aに対して位相シフター層
3を形成した場合、波長λ1.λ2のいづれにおいても
検出されるパターンは、第4図に示すような投影図にな
り、位相シフター層3の位置(重なり精度)および欠陥
等の検査をすることができないという問題があった。
3を形成した場合、波長λ1.λ2のいづれにおいても
検出されるパターンは、第4図に示すような投影図にな
り、位相シフター層3の位置(重なり精度)および欠陥
等の検査をすることができないという問題があった。
本発明は、前記従来技術が持っていた課題として、位相
シフター層の位置および欠陥等の検査をすることができ
ない点について解決した位相差マスクを提供するもので
ある。
シフター層の位置および欠陥等の検査をすることができ
ない点について解決した位相差マスクを提供するもので
ある。
(課題を解決するための手段)
第1の発明では、前記課題を解決するために、所定の振
幅を有する光をウェハ測へ通過させる透光板と、前記透
光板の表面に所定のパターンで形威され、前記光を遮蔽
して前記ウェハ上に所定のパターンの投影像を露光する
ための遮光層と、前記透光板及び前記遮光層の表面の一
部に形戒され、前記投影像のコントラストを該位相差に
応じて増大させる位相シフター層と、を備えた位相差マ
スクにおいて、前記位相シフター層を次のように構成し
たものである。
幅を有する光をウェハ測へ通過させる透光板と、前記透
光板の表面に所定のパターンで形威され、前記光を遮蔽
して前記ウェハ上に所定のパターンの投影像を露光する
ための遮光層と、前記透光板及び前記遮光層の表面の一
部に形戒され、前記投影像のコントラストを該位相差に
応じて増大させる位相シフター層と、を備えた位相差マ
スクにおいて、前記位相シフター層を次のように構成し
たものである。
前記光の透過率が前記光の第1の波長により高レベルに
、第2の波長により低レベルにそれぞれ設定される染料
を含有し、かつ、前記第1の波長による前記投影像の光
強度に対して前記第2の波長での光強度が判別可能な膜
厚の有機膜で構成したものである。
、第2の波長により低レベルにそれぞれ設定される染料
を含有し、かつ、前記第1の波長による前記投影像の光
強度に対して前記第2の波長での光強度が判別可能な膜
厚の有機膜で構成したものである。
第2の発明では、前記位相シフター層は、前記光の反射
率が前記第1の波長により低レベルに、前記第2の波長
により高レベルにそれぞれ設定される材質で構成し、前
記遮光層は、前記光の反射率が前記第1の波長により高
レベルに、前記第2の波長により低レベルにそれぞれ設
定される材質で構成したものである。
率が前記第1の波長により低レベルに、前記第2の波長
により高レベルにそれぞれ設定される材質で構成し、前
記遮光層は、前記光の反射率が前記第1の波長により高
レベルに、前記第2の波長により低レベルにそれぞれ設
定される材質で構成したものである。
(作用)
第1の発明によれば、以上のように位相差マスクを構成
したので、位相シスター層は、露光時の第1の波長に対
して高透過率となり、検査時の第2の波長に対して低透
過率となる。さらに、露光時において、光の振幅に位相
差を与えるように働く。
したので、位相シスター層は、露光時の第1の波長に対
して高透過率となり、検査時の第2の波長に対して低透
過率となる。さらに、露光時において、光の振幅に位相
差を与えるように働く。
第2の発明によれば、位相シスター層は、露光時の第1
の波長に対して低反射率となり、検査時の第2の波長に
対して高反射率となる。遮光層は露光時の第1の波長に
対して高反射率となり、検査時の第2の波長に対して低
反射率となるように働く。
の波長に対して低反射率となり、検査時の第2の波長に
対して高反射率となる。遮光層は露光時の第1の波長に
対して高反射率となり、検査時の第2の波長に対して低
反射率となるように働く。
したがって、前記課題を解決することができるのである
。
。
(実施例)
第1図は、本発明の第1の実施例を示す位相差マスクの
縦断面図である。
縦断面図である。
この位相差マスクは、所定の振幅を有する光りを透過す
るための透光板であるガラス板11を有し、そのガラス
板11の表面には、光りを遮蔽するクロムCr等からな
る遮光層12が所定のパターンで形成されている。これ
らガラス板l↑及び遮光層上2の表面の一部に光りの振
幅に180゜の位相差を与えるための有機膜からなる位
相シフター層13が形成されている。
るための透光板であるガラス板11を有し、そのガラス
板11の表面には、光りを遮蔽するクロムCr等からな
る遮光層12が所定のパターンで形成されている。これ
らガラス板l↑及び遮光層上2の表面の一部に光りの振
幅に180゜の位相差を与えるための有機膜からなる位
相シフター層13が形成されている。
位相シフター層13には、その位置及び欠陥等を検査す
るための染料(例えば、長瀬産業株式会社製の商品名Σ
)が含有され、感光後のホトレジスト、SiO2、SO
G、及びM G F 2等の透明膜で単層構造に構成さ
れている。
るための染料(例えば、長瀬産業株式会社製の商品名Σ
)が含有され、感光後のホトレジスト、SiO2、SO
G、及びM G F 2等の透明膜で単層構造に構成さ
れている。
第8図は、第1図の位相差マスクのウェハ測からの平面
図である。
図である。
透光板であるガラス板1工と遮光層12とで開ロバター
ン12aが形戒されている。そのパターン12aの四隅
及び遮光層12の表面の一部に渡り、染料13aを含有
した位相シフター層13が形成されている。
ン12aが形戒されている。そのパターン12aの四隅
及び遮光層12の表面の一部に渡り、染料13aを含有
した位相シフター層13が形成されている。
第9図は、第1図中の位相シフター層13にホトレジス
ト膜を用いたときの分光透過率曲線を示す波形図である
。
ト膜を用いたときの分光透過率曲線を示す波形図である
。
この第9図が示す分光透過率が高レベルの第1の波長λ
1 (例えば、365nm)がウェハ上に露光するため
の露光波長、分光透過率が低レベルの第2の波長λ2
(例えば、436nm)が位相シフター層13の位置及
び欠陥等を検査するための検査波長としてそれぞれ用い
られている。
1 (例えば、365nm)がウェハ上に露光するため
の露光波長、分光透過率が低レベルの第2の波長λ2
(例えば、436nm)が位相シフター層13の位置及
び欠陥等を検査するための検査波長としてそれぞれ用い
られている。
第10図は、位相シフター層13であるホトレジスト膜
に対する波長λ2の透過光強度を示す図である。この第
10図が示すように、ホトレジスト膜の膜厚の増加に従
って透過光強度は減少する。
に対する波長λ2の透過光強度を示す図である。この第
10図が示すように、ホトレジスト膜の膜厚の増加に従
って透過光強度は減少する。
なお、位相シフター層13の膜厚りは、波長λ1による
投影像の光強度に対して波長λ2での光強度が判別でき
るように設定され、かつD=λ1 / (2(n−1)
) 但し、n;屈折率 λ1 ;露光波長 の関係が成り立つように設定されている。
投影像の光強度に対して波長λ2での光強度が判別でき
るように設定され、かつD=λ1 / (2(n−1)
) 但し、n;屈折率 λ1 ;露光波長 の関係が成り立つように設定されている。
以上のように構成される位相差マスクの表面に光りが照
射されると、その先りは次のような状態変化を経てマス
ク上に到達する。その過程を第11図(a>(b)を用
いて説明する。
射されると、その先りは次のような状態変化を経てマス
ク上に到達する。その過程を第11図(a>(b)を用
いて説明する。
第11図(a)(b)は、第8図の投影図を示す図であ
り、同図(a)は波長λ2により得られる投影図、及び
同図(b>は波長λ1により得られる投影図である。
り、同図(a)は波長λ2により得られる投影図、及び
同図(b>は波長λ1により得られる投影図である。
位相シフター層13の位置等を検査する場合、波長λ2
の光りが、ガラス板11の上部から照射されると、その
光りはガラス板11を通過し、遮光層)2及び位相シフ
ター層13以外の部分、つまり、第I1図(a)に示す
ような投影図が得られる。この第11図(a)の投影図
の太線部x1〜x4の位置を検査することにより、位相
シフター層13の位置及び欠陥等が検査される。
の光りが、ガラス板11の上部から照射されると、その
光りはガラス板11を通過し、遮光層)2及び位相シフ
ター層13以外の部分、つまり、第I1図(a)に示す
ような投影図が得られる。この第11図(a)の投影図
の太線部x1〜x4の位置を検査することにより、位相
シフター層13の位置及び欠陥等が検査される。
図示しないウェハ上のレジストに露光する場合、波長λ
1の光りを使用する。その光りをガラス板11の上部か
ら照射すると、その光りはガラス板11から遮光N12
以外の部分を通過して図示しないウェハ上のレジストに
達する。つまり、第8図の開ロバターン12aと等しい
形状である第11図(b)に示すような投影図が、その
レジストに露光される。この時、位相差シフター屑3を
通過する光りは、その振幅に対して180°の位相差が
与えられる。
1の光りを使用する。その光りをガラス板11の上部か
ら照射すると、その光りはガラス板11から遮光N12
以外の部分を通過して図示しないウェハ上のレジストに
達する。つまり、第8図の開ロバターン12aと等しい
形状である第11図(b)に示すような投影図が、その
レジストに露光される。この時、位相差シフター屑3を
通過する光りは、その振幅に対して180°の位相差が
与えられる。
本実施例では、次のような利点がある。
染料を含有して透過光率が高レベルの第1の波長λ1と
低レベルの第2の波長λ2とを有する有機膜で位相シフ
ター層13を構成したので、透過光率の低レベルの第2
の波長λ2を用いて位相差シフター413の検査を行う
ことにより、透過光量を変えないで容易に位相差シフタ
ー層13の位置等の検査ができる。
低レベルの第2の波長λ2とを有する有機膜で位相シフ
ター層13を構成したので、透過光率の低レベルの第2
の波長λ2を用いて位相差シフター413の検査を行う
ことにより、透過光量を変えないで容易に位相差シフタ
ー層13の位置等の検査ができる。
第12図は、本発明の第2の実施例を示す位相差マスク
の縦断面図であり、同一の要素には共通の符号が付され
ている。
の縦断面図であり、同一の要素には共通の符号が付され
ている。
この位相差マスクには、第1図と同様にガラス板11及
び遮光層12Aが設けられている。これらガラス板11
及び遮光層12Aの表面の一部に、光りの振幅に180
°の位相差を与えるための位相シフター、IW13Aが
形成されている。
び遮光層12Aが設けられている。これらガラス板11
及び遮光層12Aの表面の一部に、光りの振幅に180
°の位相差を与えるための位相シフター、IW13Aが
形成されている。
位相シフター層13Aには、露光波長に対しては高反射
率(低透過率)、検出波長に対しては低反射率(高透過
率〉となるような材質、例えば、MGF2等で構成され
ている。
率(低透過率)、検出波長に対しては低反射率(高透過
率〉となるような材質、例えば、MGF2等で構成され
ている。
さらに、遮光層12Aは、露光波長に対しては低反射率
(高透過率)、検出波長に対しては高反射率(低透過率
〉となるような材質、例えば、5rTi03等で構成さ
れている。
(高透過率)、検出波長に対しては高反射率(低透過率
〉となるような材質、例えば、5rTi03等で構成さ
れている。
第13図は、第12図の位相差マスクのウェハ側からの
平面図である。
平面図である。
第1図と同様に、ガラス板11及び遮光層↑2Aが設け
られ、それらガラス板11及び遮光層12Aにより開ロ
バターン12aが形成されている。
られ、それらガラス板11及び遮光層12Aにより開ロ
バターン12aが形成されている。
そのパターン12aの四隅及び遮光112Aの表面の一
部に渡り、位相シフター層13Aか形成されている。
部に渡り、位相シフター層13Aか形成されている。
第14図は、第12図中の位相シフター層13A及び遮
光層12Aの分光反射率曲線を示す波形図である。
光層12Aの分光反射率曲線を示す波形図である。
この第14図の曲線Pは位相シフター層13Aの分光反
射率曲線を示し、曲線Qは遮光112Aの分光反射率曲
線を示すもので、第1の波長λ1(例えば、200nm
)が露光波長、第2の波長λ2 (例えば、350nm
)が検査波長としてそれぞれ用いられている。
射率曲線を示し、曲線Qは遮光112Aの分光反射率曲
線を示すもので、第1の波長λ1(例えば、200nm
)が露光波長、第2の波長λ2 (例えば、350nm
)が検査波長としてそれぞれ用いられている。
以上のように構成される位相差マスクの表面に光りが照
射されると、その先りは次のような経過を経る。その経
過を第15図および第16図を用いて説明する。
射されると、その先りは次のような経過を経る。その経
過を第15図および第16図を用いて説明する。
第15図(a>(b)は、第1図の位相差マスクに光り
が照射された場合の使用状態図であり、同図(a)は第
1の波長λ1が照射された場合を示す図、同図(b)は
第2の波長λ2が照射された場合を示す図である。
が照射された場合の使用状態図であり、同図(a)は第
1の波長λ1が照射された場合を示す図、同図(b)は
第2の波長λ2が照射された場合を示す図である。
また、第16図(a>(b)は、第15図の投影図を示
す図であり、同図(a)は波長λ1により得られる投影
図、及び同図(b)は波長λ2により得られる投影図で
ある。
す図であり、同図(a)は波長λ1により得られる投影
図、及び同図(b)は波長λ2により得られる投影図で
ある。
波長λ1の光りがガラス板11の上部から照射されると
、第15図(a)に示すように、遮光層12Aはその光
りを反射し、位相シフター層13Aおよびガラス板11
は光りを透過する。このため、第16図(a)に示され
るような投影図が得られる。
、第15図(a)に示すように、遮光層12Aはその光
りを反射し、位相シフター層13Aおよびガラス板11
は光りを透過する。このため、第16図(a)に示され
るような投影図が得られる。
また、波長λ2がガラス板11の上部から照射されると
、第15図(b)に示すように、位相シフター113A
はその光りを反射し、遮光112Aおよびガラス板1↑
は光りを透過する。このため、第16図(b)に示され
るような投影図が得られる。これにより、位相シスター
層13Aの位置及び欠陥等の検査が行われる。
、第15図(b)に示すように、位相シフター113A
はその光りを反射し、遮光112Aおよびガラス板1↑
は光りを透過する。このため、第16図(b)に示され
るような投影図が得られる。これにより、位相シスター
層13Aの位置及び欠陥等の検査が行われる。
本実施例では、第)の実施例と同様に、透過光量を変え
ないで容易に位相差シフター層13Aの位置等の検査が
できるという利点がある。
ないで容易に位相差シフター層13Aの位置等の検査が
できるという利点がある。
なお、本発明は、図示の実施例に限定されず、種々の変
形が可能である。
形が可能である。
(I) 透光板にガラス11を用いたが、他の透光板
性の基板を用いてもよい。
性の基板を用いてもよい。
(II) 遮光N12にCr、遮光層12Aに5rT
i○3を用いたが、材質はこれらに限定されない。
i○3を用いたが、材質はこれらに限定されない。
(発明の効果〉
以上詳細に説明したように、第1の発明では、染料を含
有して透過光率が高レベルの第Iの波長と低レベルの第
2の波長とを有する有機膜で位相シフター層を構成した
ので、透過光率の低レベルの第2の波長を用いて位相差
シフター層の検査を行うことにより、透過光量を変えな
いで容易に位相差シフター層の位置等の検査ができる。
有して透過光率が高レベルの第Iの波長と低レベルの第
2の波長とを有する有機膜で位相シフター層を構成した
ので、透過光率の低レベルの第2の波長を用いて位相差
シフター層の検査を行うことにより、透過光量を変えな
いで容易に位相差シフター層の位置等の検査ができる。
第2の発明では、位相シフター層と遮光層とを第1及び
第2の波長でそれぞれ反射率が大きく相違するようにし
たので、第2の波長を用いた場合に、遮光層の反射率は
小さく、位相シフター層の反射率は大きいので、その位
相シフター層の反射光を検出することにより、位相シフ
ター層の位置及び欠陥等の検査が可能となる。
第2の波長でそれぞれ反射率が大きく相違するようにし
たので、第2の波長を用いた場合に、遮光層の反射率は
小さく、位相シフター層の反射率は大きいので、その位
相シフター層の反射光を検出することにより、位相シフ
ター層の位置及び欠陥等の検査が可能となる。
第1図は本発明の第1の実施例を示す位相差マスクの縦
断面図、第2図は従来の位相差マスクの縦断面図、第3
図は第2図の位相差マスクの平面図、第4図は第2図の
投影図、第5図は第2図中の光りの状態例を示す図、第
6図は従来の分光透過率曲線を示す波形図、第7図は従
来の分光反射率曲線を示す波形図、第8図は第1図の位
相差マスクの平面図、第9図は第1の実施例の分光透過
率曲線を示す波形図、第10図は第2の波長時の透過光
強度を示す波形図、第11図は第8図の投影図を示す図
、第12図は本発明の第2の実施例を示す位相差マスク
の縦断面図、第13図は第12図の位相差マスクの平面
図、第14図は第2の実施例の分光透過率[1j線を示
す図、第15図(a>(b)は第12図の位相差マスク
に光りが照射された場合の使用状態図であり、同図(a
)は第1の波長の場合を示す図、同図(b)は第2の波
長の場合を示す図、第16図(a)(b)は第15図(
a>(b)の投影図をそれぞれ示す図である。 11・・・・・・ガラス板、12.12A・・・・・・
遮光層、13゜ 13A・・・・・・位相シスター層、 13a・・・・・・染 料、 L・・・・・・光。
断面図、第2図は従来の位相差マスクの縦断面図、第3
図は第2図の位相差マスクの平面図、第4図は第2図の
投影図、第5図は第2図中の光りの状態例を示す図、第
6図は従来の分光透過率曲線を示す波形図、第7図は従
来の分光反射率曲線を示す波形図、第8図は第1図の位
相差マスクの平面図、第9図は第1の実施例の分光透過
率曲線を示す波形図、第10図は第2の波長時の透過光
強度を示す波形図、第11図は第8図の投影図を示す図
、第12図は本発明の第2の実施例を示す位相差マスク
の縦断面図、第13図は第12図の位相差マスクの平面
図、第14図は第2の実施例の分光透過率[1j線を示
す図、第15図(a>(b)は第12図の位相差マスク
に光りが照射された場合の使用状態図であり、同図(a
)は第1の波長の場合を示す図、同図(b)は第2の波
長の場合を示す図、第16図(a)(b)は第15図(
a>(b)の投影図をそれぞれ示す図である。 11・・・・・・ガラス板、12.12A・・・・・・
遮光層、13゜ 13A・・・・・・位相シスター層、 13a・・・・・・染 料、 L・・・・・・光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、所定の振幅を有する光をウェハ側へ通過させる透光
板と、前記透光板の表面に所定のパターンで形成され、
前記光を遮蔽して前記ウェハ上に所定のパターンの投影
像を露光するための遮光層と、前記透光板及び前記遮光
層の表面の一部に形成され、前記振幅に対して位相差を
与える位相シフター層と、を備えた位相差マスクにおい
て、 前記位相シフター層は、 前記光の透過率が前記光の第1の波長により高レベルに
、第2の波長により低レベルにそれぞれ設定される染料
を含有し、かつ、前記第1の波長による前記投影像の光
強度に対して前記第2の波長での光強度が判別可能な膜
厚の有機膜で構成したことを特徴とする位相差マスク。 2、請求項1記載の位相差マスクにおいて、前記位相シ
フター層は、 前記光の反射率が前記第1の波長により低レベルに、前
記第2の波長により高レベルにそれぞれ設定される材質
で構成し、 前記遮光層は、 前記光の反射率が前記第1の波長により高レベルに、前
記第2の波長により低レベルにそれぞれ設定される材質
で構成した位相差マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1282681A JPH03144452A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 位相差マスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1282681A JPH03144452A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 位相差マスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03144452A true JPH03144452A (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=17655673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1282681A Pending JPH03144452A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 位相差マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03144452A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0686876A2 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Attenuated phase shift mask and process for fabricating such a mask |
US6841314B2 (en) | 2001-11-01 | 2005-01-11 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a photomask |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP1282681A patent/JPH03144452A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0686876A2 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Attenuated phase shift mask and process for fabricating such a mask |
US5601954A (en) * | 1994-05-31 | 1997-02-11 | Advanced Micro Devices Incorporated | Attenuated phase shift mask comprising phase shifting layer with parabolically shaped sidewalls |
US5928813A (en) * | 1994-05-31 | 1999-07-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Attenuated phase shift mask |
US6841314B2 (en) | 2001-11-01 | 2005-01-11 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a photomask |
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