JPH03142736A - 光磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、Ｅ　−Ｄ　ＲＡ　Ｗ　（Ｅｒａｓａｂｌｅ−
ＤＩｒｅｃｔ　ＲｅａｄＡｆｔｅｒ　　Ｉｆｒｌｔｅ）
型の光磁気ディスクに関し、特に希土類金属元素と遷移
金属元素とを主成分とするアモルファス合金薄膜を磁気
記録媒体とした光磁気ディスクに関する。

背景技術 光磁気記録技術において、一定の条件下で成膜される希
土類金属と遷移金属との合金薄膜層はアモルファス構造
をとり、その層面に垂直な一軸磁気異方性を有すること
が知られている。従来から、この性質を利用しこの合金
薄膜を光磁気記録層とする光磁気ディスクが開発されて
いる。この光磁気記録層は酸化などにより劣化されやす
いので、これを挟む窒化珪素Ｓ　ｉＮｘなどの誘電体か
らなる一対の保護層が設けられる。これら保護層は、光
磁気記録層を湿気から遮断する働きと、磁気光学効果の
増強すなわち、レーザ光が通過する際に生じるファラデ
ー効果によってレーザ光のカー回転角を大きくする働き
をなす。

従来の光磁気ディスクの構造として、第４図の拡大部分
断面図に示す光磁気ディスクが知られている。

かかる光磁気ディスクは、ＰＣ等からなる透明基板１１
の主面上に、カー効果エンハンス層としても作用する３
ｉＮｘ等からなる第１保護層１２と、ＴｂＦｅＣｏ　（
テルビュームー鉄−コバルト）等からなる光磁気記録層
１３と、カー効果エンハンス層としても作用する５ｔＮ
ｘ等からなる第２保護層１４、アルミニウムＡρからな
る反射層１５とを順に積層してなる。また１例えば反射
層１５上に接着剤層１６を介して裏板１７を貼着して光
磁気ディスクが得られる。この光磁気ディスクにおいて
は、各々第１保護層１２が１００ＯＡ。

光磁気記録層１３が３００Ａ、第２保護層１４が４０Ｏ
Ａ、反射層１５が５００人の膜厚で積層されている。

光磁気ディスクの情報の記録再生は次のように行われる
。先ず、光磁気記録層１３上にレーザービーム８を集光
することによってこれをそのキューリー温度又は補償温
度付近の温度まで局部的に加熱せしめる。この時、光磁
気記録層の昇温部分に記録すべき情報に対応して層面垂
直方向に一様に磁界を印加し熱消磁又は磁極の反転の熱
的効果により、一方向に一様に磁化された層面内に小さ
な反転磁区を任意に形成する。次に、この反転磁区に偏
光レーザ光を入射すれば、光磁気記録層１３上のカー効
果及びカー効果エンハンス層（保護層１２及び１４）中
のファラデー効果よる反射層１５からの反射光の偏光楕
円体の主軸の回転と楕円率との変化から、反転磁区の有
無を信号として検出できる。このようにして光磁気ディ
スクにおいて反転磁区の有無を“１°　　“０”に対応
させることによって記録情報の記録再生が可能となる。

ここで、金属反射層例えばＡＮ反射層の場合は、必要な
反射率を得るために本来なら１００〜２００Ａ程度の膜
厚があれば十分である。けれどもＡｇ反射層の２００Ａ
以下の薄い膜厚では、Ａｊｌ１反射層の成膜後にこれを
大気中に出した途端、アルミニウムの表面が酸化される
ため、光磁気ディスクとしたときに記録再生時のノイズ
が大きくなる。

そこで、実際にはＡρ反射層の場合、これよりも厚い４
００〜６００Ａの膜厚を必要とする。

しかしならが、厚い膜厚のＡＩ反射層を有する光磁気デ
ィスクの場合、金属Ａｇのヒートシンク効果のため、レ
ーザ光照射時の高温が保たれず熱が逃げ過ぎるので低感
度の光磁気ディスクとなってしまう。そこで、カー効果
及びカー効果エンハンス層である保護層１２及び１４を
厚くして断熱性を高めると共に防湿性及び低い熱伝導性
を向上させようとすると、例えば光磁気ディスクのＣ／
Ｎ比等の初期特性が悪化する問題が生じる。

発明の概要 ［発明の目的］ 本発明の目的は、高感度の光磁気ディスク及びその製造
方法を提供することである。

〔発明の構成コ 本発明の光磁気ディスクは、透明基板上の少なくとも一
対の保護膜間に配置されかつ層面に垂直な方向に一軸の
磁気異方性を有する希土類金属−遷移金属のアモルファ
ス合金薄膜からなる光磁気記録層と、前記保護膜を介し
て前記光磁気記録層に対向する金属反射層とを有する光
磁気ディスクであって、前記金属反射層を挾んで前記光
磁気記録層に対向する誘電体層を有することを特徴とす
る。

本発明の光磁気ディスク製造方法は、透明基板上の少な
くとも一対の保護膜間に配置されかつ層面に垂直な方向
に一軸の磁気異方性を有する希土類金属−遷移金属のア
モルファス合金薄膜からなる光磁気記録層と、前記保護
膜を介して前記光磁気記録層に対向する金属反射層と、
前記金属反射層を挾んで前記光磁気記録層に対向する誘
電体層とを有する光磁気ディスクを製造する方法であっ
て、光磁気記録層及び保護層の形成後、金属を積層させ
て金属反射層の形成する工程に続いて、前記金属反射層
の形成用気密容器中で前記金属と前記金属に反応して誘
電体となる物質とをプラズマ状態で存在させて誘電体を
析出、積層して前記金属反射層と前記誘電体層とを一体
的に形成することを特徴とする。

［発明の作用］ この本発明によれば、金属反射層形成に続いて誘電体層
を形成しているのでレーザ光の照射による金属反射層か
らの熱の逃げが防止される故に、光磁気ディスクが高感
度となる。

実施例 以下、本発明の実施例を添附図面に基づいて説明する。

第１図は本実施例の光磁気ディスクの構造を示す拡大部
分断面図である。

かかる光磁気ディスクは、透明基板１の主面上に、第１
保護層２と、光磁気記録層３と、第２保護層４と、反射
層５とを順に積層し、さらに反射層５上に誘電体層６を
積層して得られる。誘電体層６の上に接着剤層７を介し
て裏板８を貼着してもよい。この光磁気ディスクにおい
ては、各々第１保護層２が１００ＯＡ、光磁気記録層３
が３０ＯＡ、Ｎ４２保Ｗｉ１ｍ４が４０ＯＡ、反射層５
が１゜Ｏ〜４００Ａの膜厚で積層され、さらに誘電体層
５が５ＯＡ以上の膜厚で積層されている。

該光磁気ディスクは、次のように作成される。

先ず、ＰＣからなる透明な円盤の主面上に複数の同心円
状案内溝を担持したものを基板１として用意する。該案
内溝は、スタンパによってフォトポリマーの転写層とし
て予め形成されている。基板１は、光透過性に優れてい
るガラス、Ｐ　ＭＭＡ等の円板も用いられる。

本実施例においても、従来と同様に第１保護層２と、光
磁気記録層３と、第２保護層４とを順にスパッタ法によ
って積層し、光磁気記録層３をＴｂＦｅＣｏアモルファ
ス合金で、第１及び第２保護層２．４をＳｉＮｘで成膜
する。

次の反射層及び誘電体層形成工程においては、スパッタ
リング装置を用いて反射層及び誘電体層積層、形成する
。該装置のスパッタを行う気密容器においては、ターゲ
ットには反射層を形成するアルミニウムＡＩが用いられ
、スパッタ条件をスパッタガス（Ａｒ）圧が５ｍＴｏ　
ｒ　ｒ、析出率２５０Ａ／分の条件で１分間行い、Ａｇ
反射層を形成する。

続いて、ＡＩＩのスパッタ開始から１分経過後、気密容
器に設けられたガスフロー弁から窒素ガスを容器内へ導
入する。このとき、Ａｒガス対窒素ガスの割合を例えば
１対１となるように両者のガスの質量を調節する。この
両ガスはプラズマ状態となりここで反応性スパッタが行
われＡ１反射層の上に窒化アルミニウムＡＩＮの誘電体
が積層する。このときスパッタ条件をスパッタガス（Ａ
ｒ及びＮ２）圧が５ｍＴｏｒ　ｒ、析出率１００Ａ／分
の条件で１分間行いＡＩＮ誘電体層を連続的に形成する
。

このように多層形成された基板１を例えばフォトポリマ
ー系の接着剤層６を介して裏板７に貼着して光磁気ディ
スクを得る。

ここで、第２図に、反射層及び誘電体層の形成工程にお
いて、一体的反射誘電体層の成膜時間におけるかかるＡ
ｌ　ｌ−＊　Ｎ、反射誘電体層のＡＩＩの窒化される割
合Ｘの変化を示す。

第３図に示すように反射層及び誘電体層をＡｌからＡＩ
Ｎへと連続的に変化させて積層することにより、第１図
に示す反射層及び誘電体層の界面がはっきりしたものの
他に反射層及び誘電体層の一体的な層が形成される。

これによって、従来、ＡＮ反射層を極めて薄く形成して
ＡＤＮやＳｉＮｘ等の誘電体層を後から成膜しても必要
な反射率が得られないが、Ａｌ１をＡρＮへ連続的に移
行することにより２００Ａ程度の薄膜としたとしても必
要なＡρ反射層の反射率が得られる。しかも、熱伝導率
の高いＡ１反射層を薄くかつ熱伝導率の低いＡＪＮ誘電
体層を厚く形成するので、反射層側からの熱の逃げが少
く高い感度の光磁気ディスクが得られる。また誘電体層
が５０Ａ以上の膜厚で積層されていれば、酸化による１
反射層の反射率の低下が防げる。

また、反射層及び誘電体層をＡｌｌからＡＩＩＮへと連
続的に変化させて形成することにより、同一の気密容器
中で一連の成膜がなされるので、工程数が減り、光磁気
ディスクの製造において生産性を向上できる。

ＴｂＦｅＣｏ合金の他には、例えばＧｄＴｂＦｅ等のア
モルファス合金層からなる光磁気記録層３を成膜しても
よい。

また、保護層４及び反射層５の間に従来から用いられて
いるような更なるカー効果エンハンス層を積層してもよ
い。

発明の効果 以上のように本発明によれば、透明基板上の一対の保護
膜間に配置された光磁気記録層と、保護膜の光磁気記録
層に対向する金属反射層とを有する光磁気ディスクにお
いて、金属反射層の光磁気記録層に対向しない側に誘電
体層を形成している故に、高感度の光磁気ディスクが得
られる。また、本発明の方法によれば、光磁気記録層及
び保護層の形成後、金属を積層させて金属反射層の形成
する工程に続いて、金属反射層の形成用気密容器中で金
属と、金属に反応して誘電体となる物質と、をプラズマ
状態で存在させて誘電体を析出、積層して金属反射層と
誘電層とを一体的に形成するので、光磁気ディスク製造
の生産性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第３図は本発明による光磁気ディスクの構造
を示す拡大部分断面図であり、第２図は本実施例におけ
る反射層及び誘電体層の成膜時間におけるＡＩ　Ｉ−ｍ
　Ｎ、反射誘電体層のＡｆＩの窒化される割合Ｘの変化
を示すグラフであり、第４図は従来の光磁気ディスクの
構造を示す拡大部分断面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・基板 ２・・・・・・第１保護層 ３・・・・・・光磁気記録層 ４・・・・・・第２保護層 ５・・・・・・誘電体層 ６・・・・・・接着剤層 ７・・・・・・裏板 ８・・・・・・レーザ光

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基板上の少なくとも一対の保護膜間に配置さ
   れかつ層面に垂直な方向に一軸の磁気異方性を有する希
   土類金属−遷移金属のアモルファス合金薄膜からなる光
   磁気記録層と、前記保護膜を介して前記光磁気記録層に
   対向する金属反射層とを有する光磁気ディスクであって
   、前記金属反射層を挾んで前記光磁気記録層に対向する
   誘電体層を有することを特徴とする光磁気ディスク。
2. （２）前記金属反射層と前記誘電体層とが一体的に形成
   されていることを特徴とする請求項１記載の光磁気ディ
   スク。
3. （３）前記金属反射層がアルミニウムであり、前記誘電
   体層が窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項
   １又は２記載の光磁気ディスク。
4. （４）透明基板上の少なくとも一対の保護膜間に配置さ
   れかつ層面に垂直な方向に一軸の磁気異方性を有する希
   土類金属−遷移金属のアモルファス合金薄膜からなる光
   磁気記録層と、前記保護膜を介して前記光磁気記録層に
   対向する金属反射層と、前記金属反射層を挾んで前記光
   磁気記録層に対向する誘電体層とを有する光磁気ディス
   クを製造する方法であって、光磁気記録層及び保護層の
   形成後、金属を積層させて金属反射層の形成する工程に
   続いて、前記金属反射層の形成用気密容器中で前記金属
   と前記金属に反応して誘電体となる物質とをプラズマ状
   態で存在させて誘電体を析出、積層して前記金属反射層
   と前記誘電体層とを一体的に形成することを特徴とする
   方法。
5. （５）前記金属がアルミニウムであり、前記物質が窒素
   ガスであることを特徴とする請求項４記載の方法。