JPH0311785A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0311785A JPH0311785A JP14801689A JP14801689A JPH0311785A JP H0311785 A JPH0311785 A JP H0311785A JP 14801689 A JP14801689 A JP 14801689A JP 14801689 A JP14801689 A JP 14801689A JP H0311785 A JPH0311785 A JP H0311785A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- laser
- laser device
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Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザ装置に関するものであり、特に
半導体レーザを冷却する機構を有するものに関する。
半導体レーザを冷却する機構を有するものに関する。
半導体レーザは、その発光効率を高めること、および発
振波長を安定に保つことなどを目的として、通常の室温
を下回る一定の温度に冷却して使用することが多い。半
導体レーザの冷却には、般に次の方法がとられる。すな
わち、半導体レーザを保持する台（マウントと呼ぶ）を
ペルチェ素子低温面に装着し、ペルチェ素子高温面には
放熱フィンを装着する。ペルチエ素子は、半導体レーザ
から発生する熱をマウントを通して吸収し、吸収した熱
を放熱フィンを通して半導体レーザ装置外に排除する。
振波長を安定に保つことなどを目的として、通常の室温
を下回る一定の温度に冷却して使用することが多い。半
導体レーザの冷却には、般に次の方法がとられる。すな
わち、半導体レーザを保持する台（マウントと呼ぶ）を
ペルチェ素子低温面に装着し、ペルチェ素子高温面には
放熱フィンを装着する。ペルチエ素子は、半導体レーザ
から発生する熱をマウントを通して吸収し、吸収した熱
を放熱フィンを通して半導体レーザ装置外に排除する。
この結果、半導体レーザが所定の温度に冷却される。
一方、半導体レーザには、出力光を変調する交流電流、
および直流のバイアス電流を共に供給する必要がある。
および直流のバイアス電流を共に供給する必要がある。
半導体レーザ装置には、各々の入力電流に対応した入力
端子が装着され、それらの端子と半導体レーザとを結合
する電気回路が内蔵される。電気回路は抵抗器を含み、
コンデンサーと共にフィルタを形成して、入力電流が含
む外部雑音を遮断する。しかし、抵抗器は同時にジュー
ル熱を発生する。フィルタは、特に外部雑音を遮断する
目的から半導体レーザに近接して設置されるので、フィ
ルタが含む抵抗器は発熱源として半導体レーザに影響を
与える。したがって、ペルチエ素子は、半導体レーザ自
身の発熱の他に、フィルタから供給された熱をも吸収し
装置外に排除しなければならない。
端子が装着され、それらの端子と半導体レーザとを結合
する電気回路が内蔵される。電気回路は抵抗器を含み、
コンデンサーと共にフィルタを形成して、入力電流が含
む外部雑音を遮断する。しかし、抵抗器は同時にジュー
ル熱を発生する。フィルタは、特に外部雑音を遮断する
目的から半導体レーザに近接して設置されるので、フィ
ルタが含む抵抗器は発熱源として半導体レーザに影響を
与える。したがって、ペルチエ素子は、半導体レーザ自
身の発熱の他に、フィルタから供給された熱をも吸収し
装置外に排除しなければならない。
このように、半導体レーザ装置は、半導体レーザとフィ
ルタが含む抵抗器の２種類の発熱体を内蔵する。冷却す
る必要があるのはこのうち前者のみである。しかし、従
来の半導体レーザ装置においては、両者から発生する熱
を共に装置外に排除している。したがって、ペルチエ素
子の消費電力がその分増大する。このことは、半導体レ
ーザ装置全体に供給すべき電力を増加させるだけでなく
、近接して設置された他の諸装置に対しても、その周囲
温度を上昇させるなどの問題を生ずる。ユニに、従来の
技術に基づく半導体レーザ装置の欠点がある。
ルタが含む抵抗器の２種類の発熱体を内蔵する。冷却す
る必要があるのはこのうち前者のみである。しかし、従
来の半導体レーザ装置においては、両者から発生する熱
を共に装置外に排除している。したがって、ペルチエ素
子の消費電力がその分増大する。このことは、半導体レ
ーザ装置全体に供給すべき電力を増加させるだけでなく
、近接して設置された他の諸装置に対しても、その周囲
温度を上昇させるなどの問題を生ずる。ユニに、従来の
技術に基づく半導体レーザ装置の欠点がある。
本発明の目的は、半導体レーザを冷却する機構を有する
半導体レーザ装置において、半導体レーザの冷却に要す
る電力を低減し、発熱量を最小限に抑える半導体レーザ
装置を提供することにある。
半導体レーザ装置において、半導体レーザの冷却に要す
る電力を低減し、発熱量を最小限に抑える半導体レーザ
装置を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために、ペルチエ素子によ
って冷却されたマウントに保持された半導体レーザと、
この半導体レーザから出力される光を変調する交流信号
を入力する端子およびこの端子と半導体レーザとを結合
する電気回路と、前記半導体レーザにバイアス電流を供
給する入力端子およびこの端子と半導体レーザとを結合
する電気回路を有する半導体レーザ装置において、装置
内部に断熱材によって仕切られた空間を有し、この空間
内には半導体レーザ、半導体レーザを保持するマウント
、およびペルチェ素子冷却面が含まれ、かつ他の発熱体
を含まないことを特徴とするもので、半導体レーザを冷
却する機構を何し、半導体レーザの冷却に要する電力を
低減し、発熱量を最小限に抑えたものである。
って冷却されたマウントに保持された半導体レーザと、
この半導体レーザから出力される光を変調する交流信号
を入力する端子およびこの端子と半導体レーザとを結合
する電気回路と、前記半導体レーザにバイアス電流を供
給する入力端子およびこの端子と半導体レーザとを結合
する電気回路を有する半導体レーザ装置において、装置
内部に断熱材によって仕切られた空間を有し、この空間
内には半導体レーザ、半導体レーザを保持するマウント
、およびペルチェ素子冷却面が含まれ、かつ他の発熱体
を含まないことを特徴とするもので、半導体レーザを冷
却する機構を何し、半導体レーザの冷却に要する電力を
低減し、発熱量を最小限に抑えたものである。
第１図は、本発明を適用した半導体レーザ装置を模式的
に示したものである。半導体レーザ１はマウント２に保
持され、マウント２はペルチエ素子低温面３に装着され
る。これらの構成要素は、断熱材４によって他の発熱体
５および６と熱的に遮断されている。断熱材４の内側の
熱は、ペルチエ素子高温面７を通して半導体レーザ装置
の外側に排出される。
に示したものである。半導体レーザ１はマウント２に保
持され、マウント２はペルチエ素子低温面３に装着され
る。これらの構成要素は、断熱材４によって他の発熱体
５および６と熱的に遮断されている。断熱材４の内側の
熱は、ペルチエ素子高温面７を通して半導体レーザ装置
の外側に排出される。
本発明の特徴は、半導体レーザ装置内部に断熱材４によ
る仕切りを設け、これによって半導体レーザ１を他の発
熱体５．６から熱的に遮断している点にある。これに対
して従来の技術に基づく半導体レーザ装置においては、
このような仕切りがなく、したがって半導体レーザが他
の発熱体からの影響を受けるので、前述の諸問題が生ず
る。
る仕切りを設け、これによって半導体レーザ１を他の発
熱体５．６から熱的に遮断している点にある。これに対
して従来の技術に基づく半導体レーザ装置においては、
このような仕切りがなく、したがって半導体レーザが他
の発熱体からの影響を受けるので、前述の諸問題が生ず
る。
第２図は、本発明の特徴を用いた半導体レーザ装置の一
例である。半導体レーザ１はマウント２ニ保持され、マ
ウント２はペルチエ素子低温面３に装着される。放熱フ
ィン１２はペルチエ素子高温面７に装着される。半導体
レーザ出力光はレンズ系１９を経由し、光ファイバ２０
を通して出力される。入力交流電流は、入力端子１３か
ら入力され、回路基盤１４に搭載されたコンデンサ８及
び抵抗器１５よりなる電気回路を経由して半導体レーザ
１に供給される。バイアス電流は、入力端子１６から入
力され、回路基盤１７に搭載されたコンデンサ９及び抵
抗器１８よりなる電気回路を経由して半導体レーザ１に
供給される。
例である。半導体レーザ１はマウント２ニ保持され、マ
ウント２はペルチエ素子低温面３に装着される。放熱フ
ィン１２はペルチエ素子高温面７に装着される。半導体
レーザ出力光はレンズ系１９を経由し、光ファイバ２０
を通して出力される。入力交流電流は、入力端子１３か
ら入力され、回路基盤１４に搭載されたコンデンサ８及
び抵抗器１５よりなる電気回路を経由して半導体レーザ
１に供給される。バイアス電流は、入力端子１６から入
力され、回路基盤１７に搭載されたコンデンサ９及び抵
抗器１８よりなる電気回路を経由して半導体レーザ１に
供給される。
これらの構成要素のうち、半導体レーザ１およびマウン
ト２は、断熱材２１によって囲われ、他の発熱体と分離
される。したがって、抵抗器１５および１８による発熱
は、半導体レーザ１に影響を及ぼさず、ペルチエ素子の
消費電力を増大させることもない。なお、抵抗器１５お
よび１８は、半導体レーザ装置外壁に通風口を設けるな
どの方法により、自然対流を用いて冷却するものとする
。
ト２は、断熱材２１によって囲われ、他の発熱体と分離
される。したがって、抵抗器１５および１８による発熱
は、半導体レーザ１に影響を及ぼさず、ペルチエ素子の
消費電力を増大させることもない。なお、抵抗器１５お
よび１８は、半導体レーザ装置外壁に通風口を設けるな
どの方法により、自然対流を用いて冷却するものとする
。
〔発明の効果〕；
以上述べたように本発明によれば、フィルタが含む抵抗
器等の発熱体を内蔵しない。冷却するのは半導体レーザ
のみである。したがって、ペルチエ素子の消費電力を低
減することができる。このことは、半導体レーザ装置全
体に供給すべき電力を低減させるだけでなく、近接して
設置された他の諸装置に対しても、その周囲温度を上昇
させるなどの問題を生ずることがなくなる。このように
半導体レーザを冷却する機構を有する半導体レーザ装置
において、半導体レーザの冷却に要する電力を低減し、
当該装置の発熱量を最小限に抑えることができる。
器等の発熱体を内蔵しない。冷却するのは半導体レーザ
のみである。したがって、ペルチエ素子の消費電力を低
減することができる。このことは、半導体レーザ装置全
体に供給すべき電力を低減させるだけでなく、近接して
設置された他の諸装置に対しても、その周囲温度を上昇
させるなどの問題を生ずることがなくなる。このように
半導体レーザを冷却する機構を有する半導体レーザ装置
において、半導体レーザの冷却に要する電力を低減し、
当該装置の発熱量を最小限に抑えることができる。
第１図は、本発明の特徴を示した模式図、第２図は、本
発明を適用した半導体レーザ装置の一例を示す構成図。 １・・・半導体レーザ、２・・・マウント、３・・・ペ
ルチエ素子低温面、４．２１・・・断熱材、５．６・・
・発熱体、７・・・ペルチェ素子高温面、１２・・・放
熱フィン、１３．１６・・・入力端子、１４．１７・・
・回路基盤、１５．１８・・・抵抗器、１９・・・レン
ズ系、２０・・・出力光ファイバ。
発明を適用した半導体レーザ装置の一例を示す構成図。 １・・・半導体レーザ、２・・・マウント、３・・・ペ
ルチエ素子低温面、４．２１・・・断熱材、５．６・・
・発熱体、７・・・ペルチェ素子高温面、１２・・・放
熱フィン、１３．１６・・・入力端子、１４．１７・・
・回路基盤、１５．１８・・・抵抗器、１９・・・レン
ズ系、２０・・・出力光ファイバ。
Claims (1)
- ペルチエ素子によって冷却されたマウントに保持された
半導体レーザと、この半導体レーザから出力される光を
変調する交流信号を入力する端子およびこの端子と半導
体レーザとを結合する電気回路と、前記半導体レーザに
バイアス電流を供給する入力端子およびこの端子と半導
体レーザとを結合する電気回路を有する半導体レーザ装
置において、装置内部に断熱材によって仕切られた空間
を有し、この空間内には半導体レーザ、半導体レーザを
保持するマウント、およびペルチエ素子冷却面が含まれ
、かつ他の発熱体を含まないことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14801689A JPH0311785A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14801689A JPH0311785A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311785A true JPH0311785A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15443221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14801689A Pending JPH0311785A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311785A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774420A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-17 | Fujitsu Ltd | 光半導体回路及びそれを構成するための光モジュール及び電源回路 |
| JP2002270943A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置用キャップとこれを用いた光半導体装置 |
| JP2005303242A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-10-27 | Hitachi Cable Ltd | 冷却機能付き電気−光変換モジュール |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14801689A patent/JPH0311785A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774420A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-17 | Fujitsu Ltd | 光半導体回路及びそれを構成するための光モジュール及び電源回路 |
| JP2002270943A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置用キャップとこれを用いた光半導体装置 |
| JP2005303242A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-10-27 | Hitachi Cable Ltd | 冷却機能付き電気−光変換モジュール |
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