JPH03116523A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜磁気記
録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。

従来の技術 近年、高密度記録への要望から、従来の長手記録方式で
もＣｏ　−Ｎ　ｉ　−０斜め蒸着膜、原理的に高密度で
の記録減磁の少ない垂直磁気記録方式では、Ｃｏ　−Ｃ
ｒ垂直磁化膜等の強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁
気記録媒体の実用化が待望されている。かかる磁気記録
媒体は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の
高分子フィルム上に直接又は下地層か軟磁性層を介して
、強磁性金属薄膜を電子ビーム蒸着法、イオンブレーテ
ィング法、スパッタリング法等により配設し、その上に
各種の潤滑剤、保護膜を配し所定の形状に加工すること
で得るものである。

保護膜は、プラズマ重合膜（特開昭６１−１５１８３７
号公報、特開昭６０−５７５３６号公報）酸化膜（特開
昭６１−１３１２２４号公報。

Ｕ、Ｓ、Ｐ、３１０９７４６号公報）硬質カーボン膜（
特開昭６１−１２６６２７号公報、特開昭６１−１４２
５２５号公報、特開昭６１−２３３４１２号公報）等数
多くの提案がなされていて、ダイアモンド状硬質炭素薄
膜の有無で、スチル耐久性は大幅に改善されることが報
告され〔外国論文誌：アイイーイーイ−トラヌザクシラ
ンズ　オンマグネティクヌ（ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣ
ＴＩＯＮＳＯＮ　ＭＡＧＮＥＴＩＣ８）ｖｏ４ＭＡＧ　
　２３　、＆６゜Ｐ、Ｐ、　２４１０〜２４１２　（１
９８７）　）特に期待されている。ダイアモンド状硬質
炭素薄膜は、上記論文誌に示されているようなプラズマ
インジェクション型のＣＶＤ法をはじめ、高周波スパッ
タリング法、イオンビームデポジション法等により形成
されていて、スペーシング損失の点から、膜厚を極力小
さくして耐久性を得る条件の模索が続けられている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記した構成では、耐久性に重要な要素
である硬さの上限に制限があシ、膜厚を薄くすると環境
条件によって十分な耐久性が得られないといった課題が
あった。本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、
薄くしても耐久性を確保できる保護膜の形成を可能にし
た製造方法を提供するものである。

課題を解決するだめの手段 上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、強磁性金属薄膜上にクラスターイオン蒸着
により炭素膜を形成する際、添加元素を含む有機化合物
のグロー放電雰囲気にさらすようにしたものである。

作　　用 本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、添加元素を含む炭素膜がクリーニング作用と薄膜成長
のバランスの上で成膜できるのと、ち密な膜となるのと
、炭素と添加元素が均一に分散しないようにできるので
硬度を十分大きくできるのと、もろさを改善できるので
、保護膜厚を小さくすることができるようになる。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。

（実施例１） 第１図は本発明を実施するのに用いた保護膜形成装置の
要部断面構成図である。第１図で、１は、処理基板で高
分子フィルム上に微粒子塗布層を配し、その上にＣｏ−
Ｎｉ　−０、Ｃｏ−Ｃｒ　、　Ｃｏ　−Ｔａ　、Ｃｏ−
Ｍｏ等の強磁性金属薄膜を配したものが適する。２は回
転支持体で一般にはバイアス電圧を印加できるように、
回転軸の絶縁保持するのが望ましい。３は巻出し軸、４
は巻取り軸、６は高周波電極、６はクラスターソースで
、７は圧力容器８は微細孔、９は放電電極、１ｏはガス
導入孔で、１１はクラスターイオンビームである。

本発明は、炭素膜をクラスターイオンビーム蒸着する同
時過程とシテ、Ｂ２Ｈ６，ＷＦ０．Ｎ１（Ｃｏ）４゜Ｇ
ｏ（Ｇｏ）４．Ｍｏ（Ｃｏ）０．Ｗ（Ｃｏ）６，０ｒ（
Ｃ９Ｈ１２）２等のガスをグロー放電状態にするもので
ある。

又クラスターイオン生成は、グラファイト電極を対向さ
せて、アーク放電を起こし、炭素源とする方法や、炭化
水素系の気体を放電分解する方法等がアリ、特に限定は
ない。

以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。

厚み１０．６μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ム上に直径２００人の５１０２　微粒子を１６ケ／μ２
配し、その上に直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、Ｃｏ
−Ｎｉ　（Ｃｏ　：　７　ｅ　ｗｔ％　）を３　ｘ　１
０　　（Ｔｏｒｒ）の酸素中で、最小入射角４１度とし
、０．２μｍ電子ビーム蒸着した基板を準備した。クラ
スターイオン源は、クラスタービームを噴射させる極＊
細孔は６ｏμφとし、カーボン電極を対抗させて、ＣＨ
４が１　（Ｔｏｒｒ）とし、アーク放電を形成し炭素原
子の集まったクラスタービームを形成するようにした。

又、グロー放電は３ターンの高周波コイルに１３　、５
６　（ＭＨｚ　）　　の高周波電界を印加し、Ｂ２Ｈ６
゜ＷＦ６　等のガスを１０−’　（Ｔｏｒｒ）台にして
発生させた。尚キャンは頁の３６０（Ｖ）の電位とした
。

比較例Ａは、グラフ１イトをターゲットにして、Ａ　ｒ
　十Ｈ２ガフ、（Ａｒ：Ｈ２＝１＝３）を０．０６（Ｔ
ｏｒｒ）とし、１３　、５６　（ＭＨｚ　）　、　１　
（ＫＷ）でスパッタリングして硬質炭素膜を形成したも
ので、比較例Ｂは、クラスターイオンビーム蒸着法で、
放電ガスをＡｒとしたものを用いた。

夫々は、保護膜の上に、潤滑剤として、モンテジソ７社
製のフォンブリンＺ−２５を１◆５（Ｔｕｊ／／ｒｒ？
］塗布し８ミリ幅の磁気テープとした。夫々のテープを
、市販のハイバンド８ミリビデオ（ＥＶ−３９００ソニ
ー製）でＣ／Ｎ特性とスチル特性を評価した。テープの
主な製造条件を評価結果と共に第１表に示した。

第 表 （実施例２） 課題を解決するための別の手段は、炭化水素系％体ＶＣ
Ｎ　、　Ｐ　、　Ｂｉ　、　Ｓｂ　、　Ａｓ　ｃＱ水素
化合物を混合させたプラズマを生じさセテＮ　、　Ｐ　
、　Ｂｉ　、　Ｓｂ。

Ａｓのいずれかの元素を０．０１〜０．２　ａｔ　％の
範囲にコントロールしたダイヤモンド状炭素膜を形成す
るようにしたものである。

本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した構成によ
り、炭素の配列が、Ｎ、Ｐ　、Ｂｉ　、Ｓｂ。

Ａｓをドーピングするのに水素化合物以外の場合乱され
、後述する効果を得るのに、硬度が低下してしまうのに
比較し、殆んど硬度低下なしで摺動特性を改善できるも
のである。

第２図は本発明を実施するのに用いた薄膜形成装置の要
部断面構成図である。第２図で１２は反応管で、１３は
誘導コイルで高周波電源へマツチングボックスを介して
接続、高周波電力を利用し炭化水素系気体等の分解を放
電エネルギーにより行う。１４はメツシュ電極で、１６
は炭化水素系気体導入パイプ、１６は添加ガス系導入パ
イプで１７．１８は、流量調整弁で、１９は真空槽、２
０は真空排気系である。

以下、第２図の装置を用いて実施した例を比較例との対
比で説明する。

厚み１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径２８０人のポリイミド粒子を８ケ／（μｍ）２配
し、その上に直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、Ｃｏを
８×１０””６（Ｔｏｒｒ）の酸素中で最小入射角５８
度で０．２２μｍ蒸着し、その上に硬質炭素膜を形成し
、更にその上に潤滑剤として、デュポン社のＫＲＹＴＯ
Ｘ　１４３ＡＣを９０＋９／ｒｎ’塗布し、０．５μｍ
のカーボンフィフーを含むポリウレタン系のバックコー
ト層を配し、夫々％インチ幅の磁気テープとした。

夫々のテープを放送用の規格のひとつを用いたＭＩＩＶ
ＴＲ（ＡＵ−ｅｓｏＰ　、机下電器製）を改造し、相対
速度１５　（ｍ／５ｅｃ）　、帯域２０　（ＭＨｚ　）
　。

最短波長ｏ、３３μｍでメタルインギャップアモルファ
スヘッド（ギャップ長０．１８μｍ）を用い記録再生を
行い、広帯域Ｃ／ＮとＤＯの増加を評価した結果を第２
表に示した。

発明の効果 以上のように本発明によれば、耐久性、　Ｃ／Ｎの優れ
た磁気記録媒体を製造できるといったすぐれた効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施するのに用いた保護膜形成装置の
要部断面構成図、第２図は本発明を実施するのに用いた
薄膜形成装置の要部断面構成図である。 １６・・・・・処理基板、２・・・・・・回転支持体、
６・・・・・・高周波電極、６・・・・・・クツスター
ソース、８・・・・・・微細孔、１２・・・・・・反応
管、１３・・・・・・誘導コイル、１６・・・・・・炭
化水素系気体導入パイプ、１６・・・・・・添加ガス導
入パイプ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）強磁性金属薄膜上にクラスターイオン蒸着により
   炭素膜を形成する際、添加元素を含む有機化合物のグロ
   ー放電雰囲気にさらすことを特徴とする磁気記録媒体の
   製造方法。（２）強磁性金属薄膜上に硬質炭素膜をプラ
   ズマＣＶＤ法で形成する際、炭化水素系気体にＮ、Ｐ、
   Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｓの水素化合物を混合させたプラズマを
   生じさせて、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｓのいずれかの元
   素を０．０１〜０．２ａｔ％の範囲にコントロールして
   形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。