JPH03116523A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH03116523A JPH03116523A JP1255662A JP25566289A JPH03116523A JP H03116523 A JPH03116523 A JP H03116523A JP 1255662 A JP1255662 A JP 1255662A JP 25566289 A JP25566289 A JP 25566289A JP H03116523 A JPH03116523 A JP H03116523A
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Landscapes
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜磁気記
録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術
近年、高密度記録への要望から、従来の長手記録方式で
もCo −N i −0斜め蒸着膜、原理的に高密度で
の記録減磁の少ない垂直磁気記録方式では、Co −C
r垂直磁化膜等の強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁
気記録媒体の実用化が待望されている。かかる磁気記録
媒体は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の
高分子フィルム上に直接又は下地層か軟磁性層を介して
、強磁性金属薄膜を電子ビーム蒸着法、イオンブレーテ
ィング法、スパッタリング法等により配設し、その上に
各種の潤滑剤、保護膜を配し所定の形状に加工すること
で得るものである。
もCo −N i −0斜め蒸着膜、原理的に高密度で
の記録減磁の少ない垂直磁気記録方式では、Co −C
r垂直磁化膜等の強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁
気記録媒体の実用化が待望されている。かかる磁気記録
媒体は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の
高分子フィルム上に直接又は下地層か軟磁性層を介して
、強磁性金属薄膜を電子ビーム蒸着法、イオンブレーテ
ィング法、スパッタリング法等により配設し、その上に
各種の潤滑剤、保護膜を配し所定の形状に加工すること
で得るものである。
保護膜は、プラズマ重合膜(特開昭61−151837
号公報、特開昭60−57536号公報)酸化膜(特開
昭61−131224号公報。
号公報、特開昭60−57536号公報)酸化膜(特開
昭61−131224号公報。
U、S、P、3109746号公報)硬質カーボン膜(
特開昭61−126627号公報、特開昭61−142
525号公報、特開昭61−233412号公報)等数
多くの提案がなされていて、ダイアモンド状硬質炭素薄
膜の有無で、スチル耐久性は大幅に改善されることが報
告され〔外国論文誌:アイイーイーイ−トラヌザクシラ
ンズ オンマグネティクヌ(IEEE TRANSAC
TIONSON MAGNETIC8)vo4MAG
23 、&6゜P、P、 2410〜2412 (1
987) )特に期待されている。ダイアモンド状硬質
炭素薄膜は、上記論文誌に示されているようなプラズマ
インジェクション型のCVD法をはじめ、高周波スパッ
タリング法、イオンビームデポジション法等により形成
されていて、スペーシング損失の点から、膜厚を極力小
さくして耐久性を得る条件の模索が続けられている。
特開昭61−126627号公報、特開昭61−142
525号公報、特開昭61−233412号公報)等数
多くの提案がなされていて、ダイアモンド状硬質炭素薄
膜の有無で、スチル耐久性は大幅に改善されることが報
告され〔外国論文誌:アイイーイーイ−トラヌザクシラ
ンズ オンマグネティクヌ(IEEE TRANSAC
TIONSON MAGNETIC8)vo4MAG
23 、&6゜P、P、 2410〜2412 (1
987) )特に期待されている。ダイアモンド状硬質
炭素薄膜は、上記論文誌に示されているようなプラズマ
インジェクション型のCVD法をはじめ、高周波スパッ
タリング法、イオンビームデポジション法等により形成
されていて、スペーシング損失の点から、膜厚を極力小
さくして耐久性を得る条件の模索が続けられている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記した構成では、耐久性に重要な要素
である硬さの上限に制限があシ、膜厚を薄くすると環境
条件によって十分な耐久性が得られないといった課題が
あった。本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、
薄くしても耐久性を確保できる保護膜の形成を可能にし
た製造方法を提供するものである。
である硬さの上限に制限があシ、膜厚を薄くすると環境
条件によって十分な耐久性が得られないといった課題が
あった。本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、
薄くしても耐久性を確保できる保護膜の形成を可能にし
た製造方法を提供するものである。
課題を解決するだめの手段
上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、強磁性金属薄膜上にクラスターイオン蒸着
により炭素膜を形成する際、添加元素を含む有機化合物
のグロー放電雰囲気にさらすようにしたものである。
製造方法は、強磁性金属薄膜上にクラスターイオン蒸着
により炭素膜を形成する際、添加元素を含む有機化合物
のグロー放電雰囲気にさらすようにしたものである。
作 用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、添加元素を含む炭素膜がクリーニング作用と薄膜成長
のバランスの上で成膜できるのと、ち密な膜となるのと
、炭素と添加元素が均一に分散しないようにできるので
硬度を十分大きくできるのと、もろさを改善できるので
、保護膜厚を小さくすることができるようになる。
、添加元素を含む炭素膜がクリーニング作用と薄膜成長
のバランスの上で成膜できるのと、ち密な膜となるのと
、炭素と添加元素が均一に分散しないようにできるので
硬度を十分大きくできるのと、もろさを改善できるので
、保護膜厚を小さくすることができるようになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
(実施例1)
第1図は本発明を実施するのに用いた保護膜形成装置の
要部断面構成図である。第1図で、1は、処理基板で高
分子フィルム上に微粒子塗布層を配し、その上にCo−
Ni −0、Co−Cr 、 Co −Ta 、Co−
Mo等の強磁性金属薄膜を配したものが適する。2は回
転支持体で一般にはバイアス電圧を印加できるように、
回転軸の絶縁保持するのが望ましい。3は巻出し軸、4
は巻取り軸、6は高周波電極、6はクラスターソースで
、7は圧力容器8は微細孔、9は放電電極、1oはガス
導入孔で、11はクラスターイオンビームである。
要部断面構成図である。第1図で、1は、処理基板で高
分子フィルム上に微粒子塗布層を配し、その上にCo−
Ni −0、Co−Cr 、 Co −Ta 、Co−
Mo等の強磁性金属薄膜を配したものが適する。2は回
転支持体で一般にはバイアス電圧を印加できるように、
回転軸の絶縁保持するのが望ましい。3は巻出し軸、4
は巻取り軸、6は高周波電極、6はクラスターソースで
、7は圧力容器8は微細孔、9は放電電極、1oはガス
導入孔で、11はクラスターイオンビームである。
本発明は、炭素膜をクラスターイオンビーム蒸着する同
時過程とシテ、B2H6,WF0.N1(Co)4゜G
o(Go)4.Mo(Co)0.W(Co)6,0r(
C9H12)2等のガスをグロー放電状態にするもので
ある。
時過程とシテ、B2H6,WF0.N1(Co)4゜G
o(Go)4.Mo(Co)0.W(Co)6,0r(
C9H12)2等のガスをグロー放電状態にするもので
ある。
又クラスターイオン生成は、グラファイト電極を対向さ
せて、アーク放電を起こし、炭素源とする方法や、炭化
水素系の気体を放電分解する方法等がアリ、特に限定は
ない。
せて、アーク放電を起こし、炭素源とする方法や、炭化
水素系の気体を放電分解する方法等がアリ、特に限定は
ない。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み10.6μmのポリエチレンテレフタレートフィル
ム上に直径200人の5102 微粒子を16ケ/μ2
配し、その上に直径1mの円筒キャンに沿わせて、Co
−Ni (Co : 7 e wt% )を3 x 1
0 (Torr)の酸素中で、最小入射角41度とし
、0.2μm電子ビーム蒸着した基板を準備した。クラ
スターイオン源は、クラスタービームを噴射させる極*
細孔は6oμφとし、カーボン電極を対抗させて、CH
4が1 (Torr)とし、アーク放電を形成し炭素原
子の集まったクラスタービームを形成するようにした。
ム上に直径200人の5102 微粒子を16ケ/μ2
配し、その上に直径1mの円筒キャンに沿わせて、Co
−Ni (Co : 7 e wt% )を3 x 1
0 (Torr)の酸素中で、最小入射角41度とし
、0.2μm電子ビーム蒸着した基板を準備した。クラ
スターイオン源は、クラスタービームを噴射させる極*
細孔は6oμφとし、カーボン電極を対抗させて、CH
4が1 (Torr)とし、アーク放電を形成し炭素原
子の集まったクラスタービームを形成するようにした。
又、グロー放電は3ターンの高周波コイルに13 、5
6 (MHz ) の高周波電界を印加し、B2H6
゜WF6 等のガスを10−’ (Torr)台にして
発生させた。尚キャンは頁の360(V)の電位とした
。
6 (MHz ) の高周波電界を印加し、B2H6
゜WF6 等のガスを10−’ (Torr)台にして
発生させた。尚キャンは頁の360(V)の電位とした
。
比較例Aは、グラフ1イトをターゲットにして、A r
十H2ガフ、(Ar:H2=1=3)を0.06(T
orr)とし、13 、56 (MHz ) 、 1
(KW)でスパッタリングして硬質炭素膜を形成したも
ので、比較例Bは、クラスターイオンビーム蒸着法で、
放電ガスをArとしたものを用いた。
十H2ガフ、(Ar:H2=1=3)を0.06(T
orr)とし、13 、56 (MHz ) 、 1
(KW)でスパッタリングして硬質炭素膜を形成したも
ので、比較例Bは、クラスターイオンビーム蒸着法で、
放電ガスをArとしたものを用いた。
夫々は、保護膜の上に、潤滑剤として、モンテジソ7社
製のフォンブリンZ−25を1◆5(Tuj//rr?
]塗布し8ミリ幅の磁気テープとした。夫々のテープを
、市販のハイバンド8ミリビデオ(EV−3900ソニ
ー製)でC/N特性とスチル特性を評価した。テープの
主な製造条件を評価結果と共に第1表に示した。
製のフォンブリンZ−25を1◆5(Tuj//rr?
]塗布し8ミリ幅の磁気テープとした。夫々のテープを
、市販のハイバンド8ミリビデオ(EV−3900ソニ
ー製)でC/N特性とスチル特性を評価した。テープの
主な製造条件を評価結果と共に第1表に示した。
第
表
(実施例2)
課題を解決するための別の手段は、炭化水素系%体VC
N 、 P 、 Bi 、 Sb 、 As cQ水素
化合物を混合させたプラズマを生じさセテN 、 P
、 Bi 、 Sb。
N 、 P 、 Bi 、 Sb 、 As cQ水素
化合物を混合させたプラズマを生じさセテN 、 P
、 Bi 、 Sb。
Asのいずれかの元素を0.01〜0.2 at %の
範囲にコントロールしたダイヤモンド状炭素膜を形成す
るようにしたものである。
範囲にコントロールしたダイヤモンド状炭素膜を形成す
るようにしたものである。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した構成によ
り、炭素の配列が、N、P 、Bi 、Sb。
り、炭素の配列が、N、P 、Bi 、Sb。
Asをドーピングするのに水素化合物以外の場合乱され
、後述する効果を得るのに、硬度が低下してしまうのに
比較し、殆んど硬度低下なしで摺動特性を改善できるも
のである。
、後述する効果を得るのに、硬度が低下してしまうのに
比較し、殆んど硬度低下なしで摺動特性を改善できるも
のである。
第2図は本発明を実施するのに用いた薄膜形成装置の要
部断面構成図である。第2図で12は反応管で、13は
誘導コイルで高周波電源へマツチングボックスを介して
接続、高周波電力を利用し炭化水素系気体等の分解を放
電エネルギーにより行う。14はメツシュ電極で、16
は炭化水素系気体導入パイプ、16は添加ガス系導入パ
イプで17.18は、流量調整弁で、19は真空槽、2
0は真空排気系である。
部断面構成図である。第2図で12は反応管で、13は
誘導コイルで高周波電源へマツチングボックスを介して
接続、高周波電力を利用し炭化水素系気体等の分解を放
電エネルギーにより行う。14はメツシュ電極で、16
は炭化水素系気体導入パイプ、16は添加ガス系導入パ
イプで17.18は、流量調整弁で、19は真空槽、2
0は真空排気系である。
以下、第2図の装置を用いて実施した例を比較例との対
比で説明する。
比で説明する。
厚み12μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径280人のポリイミド粒子を8ケ/(μm)2配
し、その上に直径1mの円筒キャンに沿わせて、Coを
8×10””6(Torr)の酸素中で最小入射角58
度で0.22μm蒸着し、その上に硬質炭素膜を形成し
、更にその上に潤滑剤として、デュポン社のKRYTO
X 143ACを90+9/rn’塗布し、0.5μm
のカーボンフィフーを含むポリウレタン系のバックコー
ト層を配し、夫々%インチ幅の磁気テープとした。
に直径280人のポリイミド粒子を8ケ/(μm)2配
し、その上に直径1mの円筒キャンに沿わせて、Coを
8×10””6(Torr)の酸素中で最小入射角58
度で0.22μm蒸着し、その上に硬質炭素膜を形成し
、更にその上に潤滑剤として、デュポン社のKRYTO
X 143ACを90+9/rn’塗布し、0.5μm
のカーボンフィフーを含むポリウレタン系のバックコー
ト層を配し、夫々%インチ幅の磁気テープとした。
夫々のテープを放送用の規格のひとつを用いたMIIV
TR(AU−esoP 、机下電器製)を改造し、相対
速度15 (m/5ec) 、帯域20 (MHz )
。
TR(AU−esoP 、机下電器製)を改造し、相対
速度15 (m/5ec) 、帯域20 (MHz )
。
最短波長o、33μmでメタルインギャップアモルファ
スヘッド(ギャップ長0.18μm)を用い記録再生を
行い、広帯域C/NとDOの増加を評価した結果を第2
表に示した。
スヘッド(ギャップ長0.18μm)を用い記録再生を
行い、広帯域C/NとDOの増加を評価した結果を第2
表に示した。
発明の効果
以上のように本発明によれば、耐久性、 C/Nの優れ
た磁気記録媒体を製造できるといったすぐれた効果があ
る。
た磁気記録媒体を製造できるといったすぐれた効果があ
る。
第1図は本発明を実施するのに用いた保護膜形成装置の
要部断面構成図、第2図は本発明を実施するのに用いた
薄膜形成装置の要部断面構成図である。 16・・・・・処理基板、2・・・・・・回転支持体、
6・・・・・・高周波電極、6・・・・・・クツスター
ソース、8・・・・・・微細孔、12・・・・・・反応
管、13・・・・・・誘導コイル、16・・・・・・炭
化水素系気体導入パイプ、16・・・・・・添加ガス導
入パイプ。
要部断面構成図、第2図は本発明を実施するのに用いた
薄膜形成装置の要部断面構成図である。 16・・・・・処理基板、2・・・・・・回転支持体、
6・・・・・・高周波電極、6・・・・・・クツスター
ソース、8・・・・・・微細孔、12・・・・・・反応
管、13・・・・・・誘導コイル、16・・・・・・炭
化水素系気体導入パイプ、16・・・・・・添加ガス導
入パイプ。
Claims (1)
- (1)強磁性金属薄膜上にクラスターイオン蒸着により
炭素膜を形成する際、添加元素を含む有機化合物のグロ
ー放電雰囲気にさらすことを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。(2)強磁性金属薄膜上に硬質炭素膜をプラ
ズマCVD法で形成する際、炭化水素系気体にN、P、
Bi、Sb、Asの水素化合物を混合させたプラズマを
生じさせて、N、P、Bi、Sb、Asのいずれかの元
素を0.01〜0.2at%の範囲にコントロールして
形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1255662A JPH03116523A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1255662A JPH03116523A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03116523A true JPH03116523A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17281870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1255662A Pending JPH03116523A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03116523A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6468617B1 (en) | 1993-07-20 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
JP2013082957A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Toyota Motor Corp | 摺動部材およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1255662A patent/JPH03116523A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
US6468617B1 (en) | 1993-07-20 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
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