JPH03113414A - 光アイソレータ - Google Patents
光アイソレータInfo
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- JPH03113414A JPH03113414A JP25157089A JP25157089A JPH03113414A JP H03113414 A JPH03113414 A JP H03113414A JP 25157089 A JP25157089 A JP 25157089A JP 25157089 A JP25157089 A JP 25157089A JP H03113414 A JPH03113414 A JP H03113414A
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Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、光源から発した光が光学系の端面で反射し光
源に戻るのを防止するための光アイソレータに関するも
のである。
源に戻るのを防止するための光アイソレータに関するも
のである。
光源からの光を光学系を介して伝達しようとすると、光
学系の端面で反射した光が光源に戻ってくる。例えば光
ファイバによる信号伝送で、レーザー光源から発した光
はレンズを介してファイバ端面に投影され、その多くは
伝送光としてファイバ内部に入ってゆくが、レンズやフ
ァイバの端面で表面反射をしてレーザー光源まで戻って
その端面で再度表面反射し、ノイズとなってしまう。 このようなノイズを消去するため、光アイソレークが使
用されている。光アイソレータは、第1図に示すように
、偏光子1、ファラデー回転子3および検光子2をこの
順に並べたものである。 偏光子lは矢印Z方向に偏光方向を持っている。 ファラデー回転子3は磁界5−4N中に置かれており、
透過する光の偏光面を入射側から視て時計方向(図示の
出射側から視ると反時計方向)に45゜回転させる。検
光子2は、偏光子1に対し偏光方向が上記の45°回転
した矢印Z −4y方向になっている。 光源からの光Oは、矢印Oz力方向偏光面を持つ偏光だ
けが偏光子1を通過し、ファラデー回転子3で偏光面が
45°回転して検光子2の偏光方向Z−yに合致するた
め、検光子2を透過する。その透過光O(偏光面Oz−
+y)のうち、多くは次の光学系、例えば光ファイバ(
不図示)に入射するが、一部は光ファイバの端面で表面
反射する。 その反射光R(偏光面RZ −1y )が上記とは逆向
に検光子2を透過し、ファラデー回転子3で偏光面が反
時計方向に45°回転する。そのため反射光は、偏光面
Ryが偏光子1と直交するので透過することがない。し
たがって反射光Rがノイズになることを防止できる。 このような光アイソレータでは、偏光子や検光子がその
偏光方向と直交する偏光面を有する光を消す性能、すな
わち消光性能が充分に高いことが求められる一方で、偏
光方向と同方向の偏光面を有する光の透過率の損失が少
ないこと、すなわち挿入損失が充分に低いことが要求さ
れている。 一方、第1図に示すように光アイソレークの光学端面を
、光源からの光軸と垂直に配置すると、入射光が偏光子
、ファラデー回転子、検光子の表面で反射して光源に戻
り、ノイズとなってしまう。このノイズを防ぐには、光
学端面を光源からの光軸に対して傾けて配置することで
、表面反射光を光路外に外すことが有効である。例えば
特開昭64−20522号公報には、偏光子、ファラデ
ー回転子、検光子を個別に傾け、偏光子、ファラデー回
転子、検光子の表面反射光が光源に戻らないようにした
光アイソレータが開示されている。
学系の端面で反射した光が光源に戻ってくる。例えば光
ファイバによる信号伝送で、レーザー光源から発した光
はレンズを介してファイバ端面に投影され、その多くは
伝送光としてファイバ内部に入ってゆくが、レンズやフ
ァイバの端面で表面反射をしてレーザー光源まで戻って
その端面で再度表面反射し、ノイズとなってしまう。 このようなノイズを消去するため、光アイソレークが使
用されている。光アイソレータは、第1図に示すように
、偏光子1、ファラデー回転子3および検光子2をこの
順に並べたものである。 偏光子lは矢印Z方向に偏光方向を持っている。 ファラデー回転子3は磁界5−4N中に置かれており、
透過する光の偏光面を入射側から視て時計方向(図示の
出射側から視ると反時計方向)に45゜回転させる。検
光子2は、偏光子1に対し偏光方向が上記の45°回転
した矢印Z −4y方向になっている。 光源からの光Oは、矢印Oz力方向偏光面を持つ偏光だ
けが偏光子1を通過し、ファラデー回転子3で偏光面が
45°回転して検光子2の偏光方向Z−yに合致するた
め、検光子2を透過する。その透過光O(偏光面Oz−
+y)のうち、多くは次の光学系、例えば光ファイバ(
不図示)に入射するが、一部は光ファイバの端面で表面
反射する。 その反射光R(偏光面RZ −1y )が上記とは逆向
に検光子2を透過し、ファラデー回転子3で偏光面が反
時計方向に45°回転する。そのため反射光は、偏光面
Ryが偏光子1と直交するので透過することがない。し
たがって反射光Rがノイズになることを防止できる。 このような光アイソレータでは、偏光子や検光子がその
偏光方向と直交する偏光面を有する光を消す性能、すな
わち消光性能が充分に高いことが求められる一方で、偏
光方向と同方向の偏光面を有する光の透過率の損失が少
ないこと、すなわち挿入損失が充分に低いことが要求さ
れている。 一方、第1図に示すように光アイソレークの光学端面を
、光源からの光軸と垂直に配置すると、入射光が偏光子
、ファラデー回転子、検光子の表面で反射して光源に戻
り、ノイズとなってしまう。このノイズを防ぐには、光
学端面を光源からの光軸に対して傾けて配置することで
、表面反射光を光路外に外すことが有効である。例えば
特開昭64−20522号公報には、偏光子、ファラデ
ー回転子、検光子を個別に傾け、偏光子、ファラデー回
転子、検光子の表面反射光が光源に戻らないようにした
光アイソレータが開示されている。
しかし同公報に開示された構成の光アイソレータでは、
消光性能および挿入損失ともに不充分である。 従来、偏光子および検光子に用いられていた偏光ビーム
スプリッタPBSは、消光比が30〜50dBであり、
視野角が小さいために傾斜角度をあまり大きくできない
。天然の複屈折性結晶(例えば方解石)を用いた偏光プ
リズムは、視野角が広いものの、結晶内における特性の
ばらつきが太き(、光路長が短いローションタイプで消
光比が50dB程度であった。消光比60dB程度以上
を得るためには、光路長が長(なり、光アイソレータの
高性能化と小型化を両立させることが困難であった。 本発明は、このような点を改善し、消光性能および挿入
損失が優れた光アイソレータを提供するものである。
消光性能および挿入損失ともに不充分である。 従来、偏光子および検光子に用いられていた偏光ビーム
スプリッタPBSは、消光比が30〜50dBであり、
視野角が小さいために傾斜角度をあまり大きくできない
。天然の複屈折性結晶(例えば方解石)を用いた偏光プ
リズムは、視野角が広いものの、結晶内における特性の
ばらつきが太き(、光路長が短いローションタイプで消
光比が50dB程度であった。消光比60dB程度以上
を得るためには、光路長が長(なり、光アイソレータの
高性能化と小型化を両立させることが困難であった。 本発明は、このような点を改善し、消光性能および挿入
損失が優れた光アイソレータを提供するものである。
【課題を解決するための手段]
前記課厘を解決するための本発明を適用した光アイソレ
ータを、図面により説明する。 本発明の第1発明の光アイソレータは、第1図に示すよ
うに、偏光子1、光の進行方向の磁界5−IN中に置か
れたファラデー回転子3、および検光子2を順に並べた
もので、偏光子1または/および検光子2としてルチル
セナルモンプリズムを用いることを特徴としている。 本発明の第2発明の光アイソレータは、同じく第1図に
示すように、偏光子1、光の進行方向の磁界5−4N中
に置かれたファラデー回転子3、および検光子2を順に
並べたもので、偏光子lまたは/および検光子2として
ルチルセナルモンプリズムを用いる。例えば偏光子1に
ルチルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子1の持
つ光軸Cと偏光方向Zに直交する方向yとにより形成さ
れる面を基準直交面c−y(第3図参照)として偏光子
1を基準直交面c−yが保たれる方向に角度θy=Q、
l〜16°傾斜させる。偏光方向Zと光源から光学系に
至る光軸Cとにより形成される面を基準面c−z(第3
図参照)としたとき、基準面C−Zが保たれる方向に0
.1〜10°傾斜させる。 尚、上記のように偏光子1を傾斜させる場合は、ファラ
デー回転子3を同時に傾斜させてもよい。 本発明の第3発明の光アイソレータは、第2図に示すよ
うに、偏光子l、ファラデー回転子3、および検光子2
と、偏光子2(検光子2と共通)、ファラデー回転子5
、および検光子4の組み合わせが複数の多段型になって
いる。偏光子1または/および検光子2と、偏光子2ま
たは/および検光子4としてルチルセナルモンプリズム
を用いる。さらにルチルセナルモンプリズムを用いた偏
光子または/および検光子を第2発明のように傾斜させ
てもよい。 【作用】 ルチルセナルモンプリズムは、視野角が大きいために傾
斜角度を大きくできる。結晶内における特性のばらつき
が少ない。そのため、上記のように偏光子または/およ
び検光子としてルチルセナルモンプリズムを用いて光ア
イソレータを構成したことにより、消光性能を向上させ
ることができる。特に光アイソレータの素子を角度を大
きく傾斜させることができるため、各光学素子表面で起
こる表面反射成分は光軸から外れ、光源に戻ることがな
(なるから、光源のノイズを減らすことができる。傾斜
角度を上記の角度範囲内にしたことにより、光アイソレ
ータとしての消光性能が充分に高く、挿入損失が充分に
低いまま表面反射成分が光源に戻ることを防止できる。 【実施例] 以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。 第1図に示すように本発明の光アイソレータは、偏光子
11磁界S−N中に置かれたファラデー回転子3、およ
び検光子2を順に並べたもので、例えば半導体レーザー
と光ファイバの中間に配置されている。 偏光子lにルチルセナルモンプリズムを用いる。ルチル
セナルモンプリズムは、ルチル結晶の光学軸方位の異な
る2個のプリズム1a、1bを接合しである。偏光子l
と検光子2の光入射面および光出射面には夫々反射防止
の薄膜コーティングが施されている。また上下面および
両側面は迷光を吸収するために黒塗りがされている。 ファラデー回転子3は、GGG (ガドリニウム、ガリ
ウム、ガーネット)単結晶の一部をGa、Mg、 Zr
で置換した厚さ 500μmの基板に、ガーネット(B
iGdTb) s (FeGa) 8012単結晶を液
相エキビタルシャルで400μmの厚さに着けてか′ら
380μmの厚さまでに研磨したものである。光入射
面および光出射面には夫々反射防止膜、上下面および両
側面には黒塗りが施されている。 この光アイソレータで、偏光子l及び検光子2に挿入損
失が0.03dBで消光比が60dBのルチルセナルモ
ンプリズム、ファラデー回転子3に挿入損失が0.03
dBで消光比が47dBの磁気光学素子を用い、偏光子
1、ファラデー回転子3、および検光子2を全く傾けな
いで構成した場合、挿入損失が0、09dBで消光比が
45dBであった。ファラデー回転子3の大きさを3
mm口にした光アイソレータでは8mmφX8mmの大
きさにすることができた。 第1図に示した光アイソレータを、偏光子lの持つ偏光
方向Zと光軸Cとにより形成される面を基準面c−z(
第3図参照)としたとき、偏光子lおよびファラデー回
転子3を基準面C−Zが保たれる方向に角度θz= 0
.1〜10@傾斜させる。また光軸Cと偏光方向Zに直
交する方向yとにより形成される面を基準直交面c−y
(第3図参照)として、基準直交面c−yが保たれる方
向に角度θy= 0.1〜16°傾斜させた。挿入損失
および消光性能にさしたる劣化がなく、表面反射による
ノイズを軽減できた。 同じ(第1図に示した光アイソレータで、偏光子1とフ
ァラデー回転子3だけを、前記と同じ角度だけ傾斜させ
たが、挿入損失および消光性能にさしたる劣化がなく、
表面反射によるノイズを軽減できた。 多段型の光アイソレータは、第2図に示すように、偏光
子1、偏光子(検光子)2および偏光子(検光子)4に
挿入損失が0.03dBで消光比が60dBのルチルセ
ナルモンプリズム、ファラデー回転子3及びファラデー
回転子5に挿入損失が0.03dBで消光比が夫々43
dBおよび45dBの磁気光学素子を用い、光アイソレ
ータを全く傾けないで構成した場合、挿入損失が0.1
5dBで消光比が60dBであった。 ファラデー回転子3および5の大きさを3 mm口にし
た光アイソレータでは8mm◆X 12mmの大きさに
することができた。 同じく第2図に示す多段型の光アイソレータで、偏光子
(検光子)2を挿入損失が0.03dBで消光比が60
dBのルチルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子
1および偏光子(検光子)2に挿入損失が0.03dB
で消光比が60dBのルチルセナルモンプリズムを用い
た場合も同様な結果であった。 同じく第2図に示す多段型の光アイソレータで、各素子
を前記の角度だけ傾けたが、挿入損失および消光性能に
さしたる劣化がなく、表面反射によるノイズを軽減でき
た。 なお角度θyは0.1〜16°で、角度θZは0.1〜
10°以下が好ましいという根拠は、上記によって得ら
れたルチルセナルモンプリズムの偏光子1(または検光
子2)につき挿入損失の入射角依存性および消光性能の
入射角依存性を測定することによりにより決定された。 測定にあたって、入射光角度をθyにするには、第4図
に示すように、光路Oを固定のままにしておき、偏光子
lの持つ偏光方向Zに直交する方向yと光軸Cとにより
形成される面を基準直交面c−y(第3図参照)とした
とき、偏光子1を基準直交面c−yが保たれる方向に角
度θyだけ傾斜させてゆ(。また入射角度θZにするに
は、光軸Cと偏光方向Zとにより形成される面を基準面
c−zとしたとき、偏光子lを基準面c−zが保たれる
方向に角度θZだけ傾斜させてゆく。プリズム1aの側
から光を入射させた場合(光路0.)と、プリズム1b
の側から光を入射させた場合(光路0□)の両方につい
て、挿入損失および消光性能の変化を調べた。 第5図には偏光子であるルチルセナルモンプリズムにつ
いての入射角度θyまたはθZに対する挿入損失の変化
を示しである。 第6図には同じ(ルチルセナルモンプリズムについての
入射角度θyまたはθZに対する消光性能の変化を示し
である。 第5図に示した挿入損失と第6図に示した消光比性能か
ら、ルチルセナルモンプリズムを偏光子および検光子と
して光アイソレータに用いる場合、表面反射成分を除去
するため偏光子および検光子を傾けるには、従来のよう
に単に偏光子等を傾けるだけではなく、傾ける方向およ
びその方向によって規制されるべき角度の限界が必要な
ことがわかる。挿入損失と消光性能の関係から、角度θ
y力方向の傾けは0.1〜16°、角度θ2方向への傾
けは0.1〜lO°程度の範囲内であれば挿入損失と消
光性能の劣化は殆どない。 なお、第5図と第6図に示した結果から、接合されたプ
リズム結晶光学軸方位の違いにより、光の入射方向で挿
入損失、消光比が異なることがわかる。このプリズムを
アイソレータに用いる場合、消光比が太き(なる方向と
逆の方向から入射させ(光路0.を採る)、反射光が入
射する(光路0□を採る)方向の消光比を高(するよう
にすることが好ましいことがわかる。 【発明の効果] 以上詳細に説明したように本発明の光アイソレータは、
ルチルセナルモンプリズムを用いることで高性能化、小
型化をじつげんできた。また光学素子を傾斜させたこと
により、表面反射成分が光源に戻ることがな(なるから
、消光性能を高(保ち光源のノイズを減らすことができ
る。傾斜方向を特定し、その角度を制限したことにより
、挿入損失が充分に低いまま消光性能を高く保つことが
できる。
ータを、図面により説明する。 本発明の第1発明の光アイソレータは、第1図に示すよ
うに、偏光子1、光の進行方向の磁界5−IN中に置か
れたファラデー回転子3、および検光子2を順に並べた
もので、偏光子1または/および検光子2としてルチル
セナルモンプリズムを用いることを特徴としている。 本発明の第2発明の光アイソレータは、同じく第1図に
示すように、偏光子1、光の進行方向の磁界5−4N中
に置かれたファラデー回転子3、および検光子2を順に
並べたもので、偏光子lまたは/および検光子2として
ルチルセナルモンプリズムを用いる。例えば偏光子1に
ルチルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子1の持
つ光軸Cと偏光方向Zに直交する方向yとにより形成さ
れる面を基準直交面c−y(第3図参照)として偏光子
1を基準直交面c−yが保たれる方向に角度θy=Q、
l〜16°傾斜させる。偏光方向Zと光源から光学系に
至る光軸Cとにより形成される面を基準面c−z(第3
図参照)としたとき、基準面C−Zが保たれる方向に0
.1〜10°傾斜させる。 尚、上記のように偏光子1を傾斜させる場合は、ファラ
デー回転子3を同時に傾斜させてもよい。 本発明の第3発明の光アイソレータは、第2図に示すよ
うに、偏光子l、ファラデー回転子3、および検光子2
と、偏光子2(検光子2と共通)、ファラデー回転子5
、および検光子4の組み合わせが複数の多段型になって
いる。偏光子1または/および検光子2と、偏光子2ま
たは/および検光子4としてルチルセナルモンプリズム
を用いる。さらにルチルセナルモンプリズムを用いた偏
光子または/および検光子を第2発明のように傾斜させ
てもよい。 【作用】 ルチルセナルモンプリズムは、視野角が大きいために傾
斜角度を大きくできる。結晶内における特性のばらつき
が少ない。そのため、上記のように偏光子または/およ
び検光子としてルチルセナルモンプリズムを用いて光ア
イソレータを構成したことにより、消光性能を向上させ
ることができる。特に光アイソレータの素子を角度を大
きく傾斜させることができるため、各光学素子表面で起
こる表面反射成分は光軸から外れ、光源に戻ることがな
(なるから、光源のノイズを減らすことができる。傾斜
角度を上記の角度範囲内にしたことにより、光アイソレ
ータとしての消光性能が充分に高く、挿入損失が充分に
低いまま表面反射成分が光源に戻ることを防止できる。 【実施例] 以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。 第1図に示すように本発明の光アイソレータは、偏光子
11磁界S−N中に置かれたファラデー回転子3、およ
び検光子2を順に並べたもので、例えば半導体レーザー
と光ファイバの中間に配置されている。 偏光子lにルチルセナルモンプリズムを用いる。ルチル
セナルモンプリズムは、ルチル結晶の光学軸方位の異な
る2個のプリズム1a、1bを接合しである。偏光子l
と検光子2の光入射面および光出射面には夫々反射防止
の薄膜コーティングが施されている。また上下面および
両側面は迷光を吸収するために黒塗りがされている。 ファラデー回転子3は、GGG (ガドリニウム、ガリ
ウム、ガーネット)単結晶の一部をGa、Mg、 Zr
で置換した厚さ 500μmの基板に、ガーネット(B
iGdTb) s (FeGa) 8012単結晶を液
相エキビタルシャルで400μmの厚さに着けてか′ら
380μmの厚さまでに研磨したものである。光入射
面および光出射面には夫々反射防止膜、上下面および両
側面には黒塗りが施されている。 この光アイソレータで、偏光子l及び検光子2に挿入損
失が0.03dBで消光比が60dBのルチルセナルモ
ンプリズム、ファラデー回転子3に挿入損失が0.03
dBで消光比が47dBの磁気光学素子を用い、偏光子
1、ファラデー回転子3、および検光子2を全く傾けな
いで構成した場合、挿入損失が0、09dBで消光比が
45dBであった。ファラデー回転子3の大きさを3
mm口にした光アイソレータでは8mmφX8mmの大
きさにすることができた。 第1図に示した光アイソレータを、偏光子lの持つ偏光
方向Zと光軸Cとにより形成される面を基準面c−z(
第3図参照)としたとき、偏光子lおよびファラデー回
転子3を基準面C−Zが保たれる方向に角度θz= 0
.1〜10@傾斜させる。また光軸Cと偏光方向Zに直
交する方向yとにより形成される面を基準直交面c−y
(第3図参照)として、基準直交面c−yが保たれる方
向に角度θy= 0.1〜16°傾斜させた。挿入損失
および消光性能にさしたる劣化がなく、表面反射による
ノイズを軽減できた。 同じ(第1図に示した光アイソレータで、偏光子1とフ
ァラデー回転子3だけを、前記と同じ角度だけ傾斜させ
たが、挿入損失および消光性能にさしたる劣化がなく、
表面反射によるノイズを軽減できた。 多段型の光アイソレータは、第2図に示すように、偏光
子1、偏光子(検光子)2および偏光子(検光子)4に
挿入損失が0.03dBで消光比が60dBのルチルセ
ナルモンプリズム、ファラデー回転子3及びファラデー
回転子5に挿入損失が0.03dBで消光比が夫々43
dBおよび45dBの磁気光学素子を用い、光アイソレ
ータを全く傾けないで構成した場合、挿入損失が0.1
5dBで消光比が60dBであった。 ファラデー回転子3および5の大きさを3 mm口にし
た光アイソレータでは8mm◆X 12mmの大きさに
することができた。 同じく第2図に示す多段型の光アイソレータで、偏光子
(検光子)2を挿入損失が0.03dBで消光比が60
dBのルチルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子
1および偏光子(検光子)2に挿入損失が0.03dB
で消光比が60dBのルチルセナルモンプリズムを用い
た場合も同様な結果であった。 同じく第2図に示す多段型の光アイソレータで、各素子
を前記の角度だけ傾けたが、挿入損失および消光性能に
さしたる劣化がなく、表面反射によるノイズを軽減でき
た。 なお角度θyは0.1〜16°で、角度θZは0.1〜
10°以下が好ましいという根拠は、上記によって得ら
れたルチルセナルモンプリズムの偏光子1(または検光
子2)につき挿入損失の入射角依存性および消光性能の
入射角依存性を測定することによりにより決定された。 測定にあたって、入射光角度をθyにするには、第4図
に示すように、光路Oを固定のままにしておき、偏光子
lの持つ偏光方向Zに直交する方向yと光軸Cとにより
形成される面を基準直交面c−y(第3図参照)とした
とき、偏光子1を基準直交面c−yが保たれる方向に角
度θyだけ傾斜させてゆ(。また入射角度θZにするに
は、光軸Cと偏光方向Zとにより形成される面を基準面
c−zとしたとき、偏光子lを基準面c−zが保たれる
方向に角度θZだけ傾斜させてゆく。プリズム1aの側
から光を入射させた場合(光路0.)と、プリズム1b
の側から光を入射させた場合(光路0□)の両方につい
て、挿入損失および消光性能の変化を調べた。 第5図には偏光子であるルチルセナルモンプリズムにつ
いての入射角度θyまたはθZに対する挿入損失の変化
を示しである。 第6図には同じ(ルチルセナルモンプリズムについての
入射角度θyまたはθZに対する消光性能の変化を示し
である。 第5図に示した挿入損失と第6図に示した消光比性能か
ら、ルチルセナルモンプリズムを偏光子および検光子と
して光アイソレータに用いる場合、表面反射成分を除去
するため偏光子および検光子を傾けるには、従来のよう
に単に偏光子等を傾けるだけではなく、傾ける方向およ
びその方向によって規制されるべき角度の限界が必要な
ことがわかる。挿入損失と消光性能の関係から、角度θ
y力方向の傾けは0.1〜16°、角度θ2方向への傾
けは0.1〜lO°程度の範囲内であれば挿入損失と消
光性能の劣化は殆どない。 なお、第5図と第6図に示した結果から、接合されたプ
リズム結晶光学軸方位の違いにより、光の入射方向で挿
入損失、消光比が異なることがわかる。このプリズムを
アイソレータに用いる場合、消光比が太き(なる方向と
逆の方向から入射させ(光路0.を採る)、反射光が入
射する(光路0□を採る)方向の消光比を高(するよう
にすることが好ましいことがわかる。 【発明の効果] 以上詳細に説明したように本発明の光アイソレータは、
ルチルセナルモンプリズムを用いることで高性能化、小
型化をじつげんできた。また光学素子を傾斜させたこと
により、表面反射成分が光源に戻ることがな(なるから
、消光性能を高(保ち光源のノイズを減らすことができ
る。傾斜方向を特定し、その角度を制限したことにより
、挿入損失が充分に低いまま消光性能を高く保つことが
できる。
第1図は光アイソレータの実施例を示す斜視図、第2図
は光りアイソレータの別な実施例の概略図、第3図は光
アイソレータの傾きを説明する図、第4図は偏光子を示
す斜視図、第5図は光アイソレータの挿入損失を示す図
、第6図は光アイソレータの消光比性能を示す図である
。 l、2.4・・・偏光子 3.5・・・ファラデー回転子 la、1b・・・ルチル結晶プリズム
は光りアイソレータの別な実施例の概略図、第3図は光
アイソレータの傾きを説明する図、第4図は偏光子を示
す斜視図、第5図は光アイソレータの挿入損失を示す図
、第6図は光アイソレータの消光比性能を示す図である
。 l、2.4・・・偏光子 3.5・・・ファラデー回転子 la、1b・・・ルチル結晶プリズム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光源と光学系の中間に配置され、偏光子、光の進行
方向の磁界中に置かれたファラデー回転子、および検光
子からなる光アイソレータにおいて、偏光子または/お
よび検光子としてルチルセナルモンプリズムを用いるこ
とを特徴とする光アイソレータ。 2、光源と光学系の中間に配置され、偏光子、光の進行
方向の磁界中に置かれたファラデー回転子、および検光
子からなる光アイソレータにおいて、偏光子または/お
よび検光子としてルチルセナルモンプリズムを用い、該
ルチルセナルモンプリズムの持つ偏光方向と光源から光
学系に至る光軸とにより形成される面を基準面とし、該
光軸と該偏光方向に直交する面とにより形成される面を
基準直交面として、偏光子およびファラデー回転子を前
記基準面が保たれる方向に0.1〜10゜傾斜させ、前
記基準直交面が保たれる方向に0.1〜16゜傾斜させ
たことを特徴とする光アイソレータ。 3、請求項第1項または第2項に記載の光アイソレータ
が多段型であることを特徴とする光アイソレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1251570A JP2686453B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1251570A JP2686453B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光アイソレータ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03113414A true JPH03113414A (ja) | 1991-05-14 |
JP2686453B2 JP2686453B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=17224781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1251570A Expired - Fee Related JP2686453B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光アイソレータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2686453B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0780717A3 (en) * | 1995-12-18 | 1999-05-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator and optical part having heat-resistant anti-reflection coating |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6481927A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Toshiba Corp | Optical device |
JPH01139213U (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-22 |
-
1989
- 1989-09-27 JP JP1251570A patent/JP2686453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6481927A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Toshiba Corp | Optical device |
JPH01139213U (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-22 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0780717A3 (en) * | 1995-12-18 | 1999-05-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator and optical part having heat-resistant anti-reflection coating |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2686453B2 (ja) | 1997-12-08 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |