JPH0311319A - Optical modulation element - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光変調素子に関し、特にキャリア注入効果を
用いた外部光変調器に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an optical modulation element, and particularly to an external optical modulator using a carrier injection effect.
半導体レーザ光の直接変調が困難な場合や、特殊な変調
には電気光学効果あるいはキャリア注入効果などを用い
た外部変調の方法が用いられる。When direct modulation of semiconductor laser light is difficult or for special modulation, external modulation methods using electro-optic effects or carrier injection effects are used.
中でも導波路型の光変調器は狭い導波路に光が閉じ込め
られているので回折現象がなく、狭い間隔の電極間に印
加電界を加えるので、印加電圧を小さくできる特徴があ
る。Among them, waveguide type optical modulators have the characteristic that there is no diffraction phenomenon because the light is confined in a narrow waveguide, and that the applied voltage can be reduced because the applied electric field is applied between narrowly spaced electrodes.
第３図（ａ）は例えばオプチカル アンド クオンタム
エレクトロニクス１７ （１９８５）ρｐ４４９〜
４５５ （Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １７ （１９８５）ｐｐ４４
９〜４５５）に記載された従来の導波路型光変調器の基
本的な構成を示す図であり、図において、３２はＩｎＧ
ａＡｓＰで形成されたりッジ導波路で、４３の角度２θ
で交叉しており、バンドギャップ波長は１．２μｍにな
るようにその組成が選ばれている。３１はｎ型１ｎＰ基
板である。導波路３２の交叉部上にはクラッド層をのせ
た電極部分４２が形成されており、第３図ら）はこの部
分の断面図である。第３図山）において、３３はｐ−１
ｎＰクラッド層、３４は電極のコンタクトをとるための
ｐ−１ｎＧａＡｓＰキャップ層である。これらｐ−１ｎ
Ｐクラッド層３３．ＩｎＧａＡｓＰ導波路３２．ｎ−１
ｎＰ基板３１により、ｐ−１ｎＰ／Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ
／ｎ−１ｎＰダブルへテロ構造が形成され、部分３６の
屈折率は等節約にそれ以外の部分よりも高くなる。３５
はマスク用のＳｔＯ，膜である。Figure 3(a) is, for example, Optical and Quantum Electronics 17 (1985) ρp449~
455 (Optical and Quantum
Electronics 17 (1985) pp44
9-455) is a diagram showing the basic configuration of the conventional waveguide type optical modulator described in 9-455), in which 32 is InG
In the edge waveguide formed of aAsP, the angle 2θ of 43
The composition is selected so that the bandgap wavelength is 1.2 μm. 31 is an n-type 1nP substrate. An electrode portion 42 on which a cladding layer is placed is formed on the intersection of the waveguide 32, and FIGS. 3 and 3) are cross-sectional views of this portion. 3), 33 is p-1
The nP cladding layer 34 is a p-1nGaAsP cap layer for contacting the electrode. These p-1n
P cladding layer 33. InGaAsP waveguide 32. n-1
By the nP substrate 31, p-1nP/InGaAsP
/n-1nP double heterostructure is formed, and the refractive index of the portion 36 is equally parsimoniously higher than that of the other portions. 35
is a StO film for a mask.
入射光４１は第１のボート３７又は第２のボート３８か
ら素子内に入り、後述するような動作原理によって第３
のボート３９又は第４のボート４０から出射光として出
てくる。Incident light 41 enters the element from the first boat 37 or the second boat 38, and enters the third boat according to the operating principle described below.
The light is emitted from the fourth boat 39 or the fourth boat 40 as emitted light.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
入射光の波長がＩｎＧａＡｓＰのバンドギャップ波長よ
りも長い（例えば１．５μｍ）時、光は比較的低い損失
で導波路内に閉じ込められる。キャリアが電極４２から
ｐｎ接合を介して導波路層３２に注入されると、部分６
６の屈折率はプラズマ効果により低下する。When the wavelength of the incident light is longer than the bandgap wavelength of InGaAsP (eg, 1.5 μm), the light is confined within the waveguide with relatively low loss. When carriers are injected into the waveguide layer 32 from the electrode 42 through the pn junction, the portion 6
The refractive index of 6 is reduced due to plasma effects.
今、半導体レーザの出力光が第１のボート３７から入射
したとする。キャリアの注入を行わない場合、導波路内
に入った光はその大部分が第３のボート３９から出てく
る。一方、キャリアの注入を行うと、ＩｎＰクラッド層
３３の接合平面に沿ったキャリア濃度の空間的変化、従
って屈折率の空間的変化が急峻となり、交叉角４３が適
当な値であれば、大部分の入射光が第４のボート４０か
ら出てくるようにすることができる。即ち、第１のボー
ト３７に入射した光を部分３６に注入する電流値を変え
ることによって、第３のボート３９第４のボート４０に
出てくる光のパワーの比を変えることができる。Now, assume that the output light of the semiconductor laser is incident from the first boat 37. When carriers are not injected, most of the light that enters the waveguide comes out from the third boat 39. On the other hand, when carriers are injected, the spatial change in the carrier concentration along the junction plane of the InP cladding layer 33, and therefore the spatial change in the refractive index, becomes steep, and if the intersection angle 43 is an appropriate value, most incident light can be made to exit from the fourth boat 40. That is, by changing the current value for injecting the light incident on the first boat 37 into the portion 36, the power ratio of the light coming out on the third boat 39 and the fourth boat 40 can be changed.
上記のような原理で、入射光のスイッチングを行うこと
ができる。Switching of incident light can be performed using the principle described above.
次に第４図（ａ）はアプライド フィジクス レターズ
５２ （１９８８） ｐｐ１６０８〜１６１０ （Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ５２
（１９８８） ｐｐ１６０８〜１６１０）に記載された
従来のパイボーラトンネリング電界効果トランジスタ（
以下ＢｉＴＦＥＴと記す）の基本的な構成を示す模式図
である０図において、１はソース電極、２はゲート電極
、３はドレイン電極、４は基板裏面に設けられた電極で
ある。を極にコンタクトをとるために設けられたのが、
ｎ″層１３、ｐ゛層２１である。１４はｎ−層、２２は
ｐ−層であり、例えばイオン注入法によってｎ゛層１３
及びｐ゛層２１を形成した場合に自然に生じる。Next, Figure 4(a) is from Applied Physics Letters 52 (1988) pp1608-1610 (Ap
Plied Physics Letters 52
(1988) pp. 1608-1610).
In Figure 0, which is a schematic diagram showing the basic structure of a BiTFET (hereinafter referred to as BiTFET), 1 is a source electrode, 2 is a gate electrode, 3 is a drain electrode, and 4 is an electrode provided on the back surface of the substrate. It was established to make contact with the pole.
They are an n'' layer 13 and a p'' layer 21. 14 is an n-layer, and 22 is a p-layer. For example, the n'' layer 13 is formed by ion implantation.
This occurs naturally when the p layer 21 is formed.
結晶の層構造としてはゲート電極２に近い方からｎ−−
１ｎＰ層２０、ノンドープＩｎＧａＡｓ層１９、ｎ”−
１ｎＧａＡｓｉｉ１Ｂ、ｐ”−１ｎＧａＡｓ層１７、ノ
ンドープＩ ｎＧａＡｓ層２３、ｐ−−ＩｎＰ層５とな
っている。ｉＥ子１５はソースｍ１ｌｌから供給され、
正孔１６はドレイン電極３から供給される。The layer structure of the crystal is n-- from the side closest to the gate electrode 2.
1nP layer 20, non-doped InGaAs layer 19, n''-
1nGaAsii 1B, p"-1nGaAs layer 17, non-doped InGaAs layer 23, and p--InP layer 5. The iE element 15 is supplied from the source m1ll,
Holes 16 are supplied from the drain electrode 3.
次に動作について説明する。熱平衡状態において、高濃
度ドープされた２つの層、即ちｐ”−１ｎＧａＡｓ層１
７及びｎ” −Ｉ ｎＧａＡｓ１ｌ ８は完全に空乏化
して空間電荷令頁域が形成され、ドナー２７及びアクセ
プタ２８が第４図（ｂ）に示すように残る。キャリアは
出払ってノンドープＩｎＧａＡｓ層１９には電子が、ノ
ンドープＩｎＧａＡｓ層２３には正孔が拡散する。この
結果、第４回し）に示すように変調ドーピングの場合と
同様に、電子と正孔は縮退したチャネルを形成し、トン
ネル接合の２次元電極として働（、ｐｎ接合に順バイア
スをかけると、を流はソース電１１． ドレイン電極
３からコンタクト層であるｎ゛層１３．ｐ”層２１を通
ってチャネルに低い入力抵抗で流れ込む、キャリアは２
次元チャネル内で縮退しており、ソース電極１．ドレイ
ン電極３の間のわずかなバイアスでも通常のトンネルダ
イオードにおけるトンネルｉ！Ａ程と同様のメカニズム
で、電子が接合部をトンネルして電流が流れる。Next, the operation will be explained. In thermal equilibrium, two heavily doped layers, namely p''-1nGaAs layer 1
7 and n''-I nGaAs1l 8 are completely depleted to form a space charge region, and donors 27 and acceptors 28 remain as shown in FIG. electrons diffuse into the non-doped InGaAs layer 23, and holes diffuse into the non-doped InGaAs layer 23.As a result, as shown in Part 4), the electrons and holes form a degenerate channel, similar to the case of modulation doping, and the tunnel junction When a forward bias is applied to the pn junction, the current flows from the source electrode 11.drain electrode 3 through the contact layer n'layer 13.p'' layer 21 and into the channel with low input resistance. , career is 2
is degenerate within the dimensional channel, and the source electrode 1. Even a slight bias between the drain electrodes 3 causes a tunnel i! in a normal tunnel diode! Electrons tunnel through the junction and current flows through the same mechanism as in section A.
一方、２次元電子と正孔のエネルギーレベルの重なる部
分がなくなると、トンネル電流は急激に減少し、負性抵
抗特性が現われる。このとき、電子と正孔の基準エネル
ギーレベルの差はゲート電極２．基板電極４間に逆バイ
アスをかけることによって増加させることができ、その
結果、電子と正孔のエネルギーレベルの重なり合う部分
が大きくなって、再び電流が増加する。これらの電極の
作用によって製作プロセスに依存するドーピング濃度プ
ロファイルで決定される。電子と正孔の工ネルギーレベ
ルを外部から制御することができ、三端子の食性抵抗素
子として使用することが可能となる。On the other hand, when the energy levels of two-dimensional electrons and holes no longer overlap, the tunnel current rapidly decreases and negative resistance characteristics appear. At this time, the difference between the reference energy levels of electrons and holes is determined by the difference between the reference energy levels of the gate electrode 2. It can be increased by applying a reverse bias between the substrate electrodes 4, and as a result, the area where the energy levels of electrons and holes overlap becomes larger, and the current increases again. The action of these electrodes determines the doping concentration profile which depends on the fabrication process. The energy levels of electrons and holes can be controlled externally, making it possible to use it as a three-terminal corrosion resistance element.
バンドギャップの大きい層、即ちｐ−−ＩｎＰ層５及び
ｎ−ＩｎＰ層２０中に存在するＰ−層２２及びｎ−層１
４はそれぞれへテロ接合を介してファウラー・ノルドハ
イム型トンネリングを防止する役目を果たしている。P- layer 22 and n- layer 1 present in layers with large band gaps, that is, p--InP layer 5 and n-InP layer 20
4 each serve to prevent Fowler-Nordheim type tunneling through the heterojunction.
ＢｉＴＦＥＴは電流スイッチ素子として使うことが可能
である。この使用法においてはソース電ｆｆ１ｌとドレ
イン電極３の間の電圧は負性抵抗が現われる所に設定さ
れ、ゲー）’ｔｉ２と基板電極４の間の電圧を変化させ
て負性抵抗特性が現われる直前の高い電流レベルと、負
性抵抗特性が現れた直後の低い電流レベルとを切り換え
ることができる。BiTFET can be used as a current switching element. In this usage, the voltage between the source electrode ff1l and the drain electrode 3 is set at a point where a negative resistance appears, and the voltage between the gate electrode ff1l and the substrate electrode 4 is changed just before the negative resistance characteristic appears. It is possible to switch between a high current level and a low current level immediately after the negative resistance characteristic appears.
トンネリング状態の２次元的性質により、電流のオン状
態とオフ状態の切り換えを行うために、量子化されたエ
ネルギーレベルをシフトさせるのに必要なゲート電圧の
変化はごくわずかで済む。Due to the two-dimensional nature of the tunneling state, only a small change in gate voltage is required to shift the quantized energy level to switch the current between on and off states.
従って、電流利得は大きく、ｌｐｓ程度の高速のスイッ
チングが可能である。Therefore, the current gain is large and high-speed switching on the order of lps is possible.
従来の導波路型の光変調素子は以上のように構成されて
おり、このようなダブルへテロ接合では電流注入を停止
した後もキャリア再結合によって電子が消費されるまで
は電子が導波路に存在するため、スイッチ時間が変調器
内部のキャリア再結合時間（ＩｎＰの場合約５ｎｓ）で
制限されてしまうことが多く、より高速の変調が困難で
あるという問題点があった。Conventional waveguide-type optical modulators are constructed as described above, and in such a double heterojunction, even after current injection is stopped, electrons remain in the waveguide until they are consumed by carrier recombination. Because of this, the switching time is often limited by the carrier recombination time inside the modulator (approximately 5 ns in the case of InP), making it difficult to perform higher-speed modulation.
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、優れた高速応答性を持ち、わずかな電圧変化
で変調可能な光変調素子を得ることを目的とする。The present invention was made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to obtain an optical modulation element that has excellent high-speed response and can be modulated with a slight voltage change.
（課題を解決するための手段）
この発明に係る光変調素子は、導波路を構成する半導体
層を挟んで上下に電子と正孔の２次元チャネル層を実現
し、両者の間での導波層を介した電子のトンネル伝導を
制御することにより、入射光の変調を実現するようにし
たものである。(Means for Solving the Problems) An optical modulation element according to the present invention realizes two-dimensional channel layers for electrons and holes above and below a semiconductor layer constituting a waveguide, and provides waveguide between the two. Modulation of incident light is achieved by controlling tunnel conduction of electrons through the layer.
この発明においては、導波路を構成する半導体層にＢｉ
ＴＦＥＴ構造の注入電流制御部分を設け、トンネル伝導
によって導波層にキャリアが注入されると、その部分の
等節約な屈折率が低下し、また制御電圧を変化させてト
ンネル伝導が起こらない状態を実現すると、導波層から
速やかにキャリアが引き抜かれる構成としたから、スイ
ッチング時間を大幅に短縮することができる。In this invention, Bi is added to the semiconductor layer constituting the waveguide.
An injection current control part of the TFET structure is provided, and when carriers are injected into the waveguide layer by tunnel conduction, the equal-saving refractive index of that part decreases, and the control voltage is changed to prevent tunnel conduction from occurring. If realized, the carriers would be quickly extracted from the waveguide layer, which would significantly shorten the switching time.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例による導波路型光変調素子の
基本的な構成を示す斜視図である０図において、ｌはソ
ース！橋、２はゲート電極、３はドレイン電極、４は基
板裏面に設けられた電極である。結晶の層構造は大別す
るとｐ−−ＩｎＰ層５、ＩｎＣａＡｓｎＣａＡｓ導波ｌ
−６ｎＰ層７に分けられる。入射光１２は第１のボート
８又は第２のボート９から素子内に入り、後述するよう
な動作原理によって第３のボート１０又は第４のボート
１１から出射光として出てくる。FIG. 1 is a perspective view showing the basic configuration of a waveguide type optical modulation device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 0, l is the source! 2 is a gate electrode, 3 is a drain electrode, and 4 is an electrode provided on the back surface of the substrate. The layer structure of the crystal can be roughly divided into p--InP layer 5, InCaAsnCaAs waveguide l
-6nP layer 7. The incident light 12 enters the element from the first boat 8 or the second boat 9, and comes out as output light from the third boat 10 or the fourth boat 11 according to the operating principle described below.
第２図は第１図Ａ−Ａ ′を結ぶ線に沿って基板に垂直
に切断したときの断面の模式図である。従来例で説明し
たＢｉＴＦＥＴ構造が導波路の交叉部に形成されている
０図において、記号はすべて第４図のものと対応する。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken perpendicularly to the substrate along the line connecting A-A' in FIG. In FIG. 0, where the BiTFET structure described in the conventional example is formed at the intersection of the waveguides, all symbols correspond to those in FIG.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
今、第１図で入射光１２が第１のボート８から入射する
ものとする。交叉部のＢｉＴＦＥＴのソース電極１とド
レイン１！掻３の間の電圧は先に説明したように負性抵
抗が現われる所に設定されている。まず、ゲート電極２
．基板電極４の間の電圧をチャネルに注入される電流レ
ベルが低くなるように調節しであるとする。この時、大
部分の入射光は直進して第３のボート１０から出てくる
。Now, assume that the incident light 12 enters from the first boat 8 in FIG. Source electrode 1 and drain 1 of BiTFET at the intersection! As explained above, the voltage between the resistors 3 and 3 is set at a point where negative resistance appears. First, gate electrode 2
．． Suppose that the voltage between the substrate electrodes 4 is adjusted so that the level of current injected into the channel is low. At this time, most of the incident light travels straight and comes out from the third boat 10.
次にゲート電極２．基板型ｉ４の間の電圧を変えて、チ
ャネルに注入される電流レベルが高くなるようにする。Next, gate electrode 2. The voltage across substrate type i4 is varied so that the level of current injected into the channel is increased.
この場合には第２図のｎ”−１ｎＧａＡｓｉｌｌＢ、ｐ
”−１ｎＧａＡｓ層１７のチャネル部分にトンネル伝導
により大量のキャリアが注入されるため、この部分の屈
折率が低下する。In this case, n”-1nGaAsillB, p in FIG.
Since a large amount of carriers are injected into the channel portion of the -1nGaAs layer 17 by tunnel conduction, the refractive index of this portion decreases.
従って、入射光１２から素子を見て左半分の導波路の等
節約な屈折率が低下するため、適当な導波路の形状を採
用すれば、大部分の入射光１２が第４のボート１１から
出てくるようにすることができる。ゲート・基板間電圧
をもとの値に戻せばトンネル伝導が起こらなくなり、導
波路部分の屈折率は従来例と比べて十分速やかにもとの
値に戻る。Therefore, when looking at the element from the incident light 12, the refractive index of the waveguide on the left half decreases, so if an appropriate waveguide shape is adopted, most of the incident light 12 will be transferred from the fourth boat 11 You can make it come out. If the voltage between the gate and the substrate is returned to its original value, tunnel conduction will no longer occur, and the refractive index of the waveguide portion will return to its original value much more quickly than in the conventional example.
このように本実施例ではゲート・基板間の制御電圧を変
化させて、キャリアの注入レベルを高速に制御し光のス
イッチング時間を大幅に短縮することができる。As described above, in this embodiment, by changing the control voltage between the gate and the substrate, the carrier injection level can be controlled at high speed, and the light switching time can be significantly shortened.
なお、上記実施例では材料としてはＩ ｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ。In addition, in the above embodiment, the material is I n Ga A
s.
ＩｎＰを用いた場合を述べたが、ＧａＡｓ、ＡｆｆｉＧ
ａＡｓを材料としてもよい。The case using InP has been described, but GaAs, AffiG
It may be made of aAs.
（発明の効果］
以上のように、この発明によれば導波路型の光変調素子
において、ＢｉＴＦＥＴ構造の電流注入領域を有し、ト
ンネル注入により電流を流すだけでな（、同じくトンネ
ル注入により高速で上記電流注入領域からキャリアを取
り出すことにより、導波路内の屈折率分布を変化させ、
入射光の変調を行う構成としたから、光変調素子の高速
変調特性を大幅に改善できる効果がある。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, a waveguide type optical modulation element has a current injection region of BiTFET structure, and not only allows current to flow by tunnel injection (but also allows high-speed current to flow by tunnel injection). By extracting carriers from the current injection region, the refractive index distribution within the waveguide is changed,
Since the structure modulates the incident light, the high-speed modulation characteristics of the light modulation element can be significantly improved.
第１図、第２図はそれぞれこの発明の一実施例による導
波路型光変態素子の斜視図及び断面図、第３図（ａ）、
（ｂ）は従来の導波路型光変調素子の斜視図及び断面
図、第４図（ａ）、 （ｂ）はパイボーラトンネリング
電界効果トランジスタの基本的な構成、及び動作を説明
するための図である。
１はソース電極、２はゲート電極、３はドレイン電極、
４は基板電極、５はｐ−ＩｎＰ層、６はＩｎＧａＡｓ導
波層、７はｎ−−１ｎＰ層、８は第７のボート、９は第
２のボート、１０は第３のボート、１１は第４のボート
、１２は入射光、１３はｎ１層、１４はｎ−層、１５は
電子、１６は正孔、１７はｐ”−１ｎＧａＡｓ層、１８
はｎ”−Ｉ ｎＧａＡｓ層、１９はノンドープＩｎＧａ
Ａｓ層、２０はｎ−−１ｎＰ層、２１はｐ゛層、２２は
ｐ−層、２３はノンドープＩ ｎＧａＡｓ層、２７はド
ナー、２８はアクセプタである。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。1 and 2 are respectively a perspective view and a sectional view of a waveguide type optical transformation element according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3(a),
(b) is a perspective view and a cross-sectional view of a conventional waveguide type optical modulation element, and FIGS. 4(a) and (b) are diagrams for explaining the basic structure and operation of a pibora tunneling field effect transistor. It is. 1 is a source electrode, 2 is a gate electrode, 3 is a drain electrode,
4 is a substrate electrode, 5 is a p-InP layer, 6 is an InGaAs waveguide layer, 7 is an n-1nP layer, 8 is a seventh boat, 9 is a second boat, 10 is a third boat, 11 is a 4th boat, 12 is incident light, 13 is n1 layer, 14 is n-layer, 15 is electron, 16 is hole, 17 is p''-1nGaAs layer, 18
19 is an n”-I nGaAs layer, and 19 is a non-doped InGa layer.
20 is an n--1nP layer, 21 is a p' layer, 22 is a p- layer, 23 is a non-doped InGaAs layer, 27 is a donor, and 28 is an acceptor. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
を有し、 該導波路の交叉部にキャリアを注入することによって屈
折率を変化させ、上記導波路を伝搬する導波光の強度を
変化させるようにした光変調素子において、 上記導波路の交叉部において、ＢｉＴＦＥＴによりキャ
リアをトンネル伝導させて導波路内のキャリア密度を変
化させることを特徴とする光変調素子。(1) It has multilayer semiconductor layers constituting a waveguide that intersects in an X-shape, and changes the refractive index by injecting carriers into the intersection of the waveguide, thereby changing the intensity of the guided light propagating through the waveguide. An optical modulation element that changes the carrier density in the waveguide by tunneling carriers using a BiTFET at the intersection of the waveguide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14732389A JP2735623B2 (en) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | Light modulation element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14732389A JP2735623B2 (en) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | Light modulation element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311319A true JPH0311319A (en) | 1991-01-18 |
| JP2735623B2 JP2735623B2 (en) | 1998-04-02 |
Family
ID=15427587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14732389A Expired - Fee Related JP2735623B2 (en) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | Light modulation element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735623B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994006052A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and its constituents |
| US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14732389A patent/JP2735623B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994006052A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and its constituents |
| US5757989A (en) * | 1992-09-10 | 1998-05-26 | Fujitsu Limited | Optical circuit system capable of producing optical signal having a small fluctuation and components of same |
| US6215585B1 (en) | 1992-09-10 | 2001-04-10 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same technical field |
| US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2735623B2 (en) | 1998-04-02 |
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