JPH03103397A - 高強度ダイヤモンド - Google Patents
高強度ダイヤモンドInfo
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- JPH03103397A JPH03103397A JP24262789A JP24262789A JPH03103397A JP H03103397 A JPH03103397 A JP H03103397A JP 24262789 A JP24262789 A JP 24262789A JP 24262789 A JP24262789 A JP 24262789A JP H03103397 A JPH03103397 A JP H03103397A
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 77
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 34
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は切削工具や掘削工具に適用できる高強度気相合
成ダイヤモンドに関するものである。
成ダイヤモンドに関するものである。
ダイヤモンドの微粉末と金属バインダーを超高圧下で焼
結して作製する焼結ダイヤモンドが非鉄金属の切削工具
,ドリルビット,線引ダイス等に使用されている。また
近年低圧下の気相中より合或された気相合成ダイヤモン
ドを切削工具や掘削工具に適用することが検討されてい
るが、未だ十分な性能が得られていなかった。
結して作製する焼結ダイヤモンドが非鉄金属の切削工具
,ドリルビット,線引ダイス等に使用されている。また
近年低圧下の気相中より合或された気相合成ダイヤモン
ドを切削工具や掘削工具に適用することが検討されてい
るが、未だ十分な性能が得られていなかった。
一般に用いられている焼結ダイヤモンドには耐熱性が劣
るという欠点があった。これはダイヤモンド粒子と金属
バインダーとの界面においてダイヤモンドの黒鉛化が生
じること、および両者の間の熱膨張率の差に起因する熱
応力によるものと考えらる。この欠点を改善するために
焼結体を酸処理して金属パインダーを除去することが提
案されているが、除去された金属の部分が空隙となるた
めに耐熱性は向上するが強度が低下してしまうという欠
点があった。また結合材としてSi及び/またはSiC
を含有する耐熱性の焼結ダイヤモンドも開発されている
が、ダイヤモンド粒子同士の結合が弱く、耐摩耗性に劣
ると言う問題がある。一方気相合成ダイヤモンドは実質
的にダイヤモンドのみからなり、結合材を全く含有しな
いため、耐熱性は良好である。しかし、ダイヤモンド粒
子同士の結合が、超高圧で焼結した焼結ダイヤモンドの
ようにネッキングにより粒界で原子の相互拡散が生じな
いために弱く、強度が低いという欠点があった。
るという欠点があった。これはダイヤモンド粒子と金属
バインダーとの界面においてダイヤモンドの黒鉛化が生
じること、および両者の間の熱膨張率の差に起因する熱
応力によるものと考えらる。この欠点を改善するために
焼結体を酸処理して金属パインダーを除去することが提
案されているが、除去された金属の部分が空隙となるた
めに耐熱性は向上するが強度が低下してしまうという欠
点があった。また結合材としてSi及び/またはSiC
を含有する耐熱性の焼結ダイヤモンドも開発されている
が、ダイヤモンド粒子同士の結合が弱く、耐摩耗性に劣
ると言う問題がある。一方気相合成ダイヤモンドは実質
的にダイヤモンドのみからなり、結合材を全く含有しな
いため、耐熱性は良好である。しかし、ダイヤモンド粒
子同士の結合が、超高圧で焼結した焼結ダイヤモンドの
ようにネッキングにより粒界で原子の相互拡散が生じな
いために弱く、強度が低いという欠点があった。
本発明者らは焼結ダイヤの欠点である耐熱性を改善し、
かつ気相合或ダイヤの機械的強度を向上させるために鋭
意検討を重ねた結果、本発明に至ったのである。即ち、
気相合或法で合戒されるダイヤモンドにおいて周期律表
第IVa族,va族,VIa族、VIIa族、VIII
族の金属元素および周期律表第mb族.■b族,Vb族
の金属元素並びに半金属元素の中から選ばれる少なくと
も一つ以上の元素を含有し、かつその含有量が原子%で
o. ooi%以上2.0%以下とすることによって、
耐熱性に優れかつ機械的強度にも優れたダイヤモンドが
得られることを新規に知見したのである。
かつ気相合或ダイヤの機械的強度を向上させるために鋭
意検討を重ねた結果、本発明に至ったのである。即ち、
気相合或法で合戒されるダイヤモンドにおいて周期律表
第IVa族,va族,VIa族、VIIa族、VIII
族の金属元素および周期律表第mb族.■b族,Vb族
の金属元素並びに半金属元素の中から選ばれる少なくと
も一つ以上の元素を含有し、かつその含有量が原子%で
o. ooi%以上2.0%以下とすることによって、
耐熱性に優れかつ機械的強度にも優れたダイヤモンドが
得られることを新規に知見したのである。
またそれに加えて、La, Ce, Th, Reの中
から選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含有し、かつ
その含有量が原子%で0. 001%以上0.2%以下
とすることにより、前述の性能がさらに向上することを
見い出したのである。
から選ばれる少なくとも一つ以上の元素を含有し、かつ
その含有量が原子%で0. 001%以上0.2%以下
とすることにより、前述の性能がさらに向上することを
見い出したのである。
気相合戒ダイヤモンドの機械的強度の劣る原因の一つは
、焼結ダイヤと異なり、ダイヤモンド粒子同士がネッキ
ングにより結晶粒界で原子の相互拡散を生じないために
、結晶粒界での結合が弱いためと考えられる。また気相
合成法でダイヤモンドのバルクを作製しようとすると、
特別な処置をしない限り結晶粒は粗大化し、組織も柱状
晶となるが、これも気相合成ダイヤモンドの強度を低下
させる原因と思われる。ところが本発明の高強度ダイヤ
モンドでは含有される金属元素または半金属元素が結晶
粒界に存在し粒界の強度を高め、また結晶粒内にも存在
してマトリックスの強度を高めるため高強度が実現され
るものと思われる。またバルクを作製した際、本発明の
高強度ダイヤモンドは金属元素、半金属元素を含まない
場合と比較して結晶粒の粗大化が抑制され、緻密な組織
が得られることも高強度化に寄与しているものと考えら
れる。本発明の高強度ダイヤモンドでは約100μmの
厚さまでダイヤモンドを或長させた時の戊長上面から観
察されるダイヤモンドの結晶粒径は15μm以下に抑制
される。特許請求の範囲に規定した添加元素の含有量の
下限値よりも少ない場合にはこの抑制効果が明確に認め
られない。
、焼結ダイヤと異なり、ダイヤモンド粒子同士がネッキ
ングにより結晶粒界で原子の相互拡散を生じないために
、結晶粒界での結合が弱いためと考えられる。また気相
合成法でダイヤモンドのバルクを作製しようとすると、
特別な処置をしない限り結晶粒は粗大化し、組織も柱状
晶となるが、これも気相合成ダイヤモンドの強度を低下
させる原因と思われる。ところが本発明の高強度ダイヤ
モンドでは含有される金属元素または半金属元素が結晶
粒界に存在し粒界の強度を高め、また結晶粒内にも存在
してマトリックスの強度を高めるため高強度が実現され
るものと思われる。またバルクを作製した際、本発明の
高強度ダイヤモンドは金属元素、半金属元素を含まない
場合と比較して結晶粒の粗大化が抑制され、緻密な組織
が得られることも高強度化に寄与しているものと考えら
れる。本発明の高強度ダイヤモンドでは約100μmの
厚さまでダイヤモンドを或長させた時の戊長上面から観
察されるダイヤモンドの結晶粒径は15μm以下に抑制
される。特許請求の範囲に規定した添加元素の含有量の
下限値よりも少ない場合にはこの抑制効果が明確に認め
られない。
さらに本発明のダイヤモンドに添加する元素の内、炭素
と結合しやすいもの(例えば7i, Ta, Mo,W
等)を用いた場合には、ダイヤモンドが気相中から析出
する際に、同時に析出する無定形炭素や黒鉛と結合して
炭化物を形或することが考えられ、無定形炭素や黒鉛の
析出を阻止する効果があると予想される。このことも高
強度化に寄与するものと思われる。
と結合しやすいもの(例えば7i, Ta, Mo,W
等)を用いた場合には、ダイヤモンドが気相中から析出
する際に、同時に析出する無定形炭素や黒鉛と結合して
炭化物を形或することが考えられ、無定形炭素や黒鉛の
析出を阻止する効果があると予想される。このことも高
強度化に寄与するものと思われる。
本発明においてダイヤモンドに含有させる元素並びに含
有量を限定したのは以下の理由による。
有量を限定したのは以下の理由による。
周期律表第1a族およびIIa族の金属元素に関しては
ダイヤモンド中への添加が難しく、含有量の制御も困難
なためである。ma族の金属元素に関してはLa, C
e, Th, Re以外の元素では明瞭な効果が認めら
れなかったからである。
ダイヤモンド中への添加が難しく、含有量の制御も困難
なためである。ma族の金属元素に関してはLa, C
e, Th, Re以外の元素では明瞭な効果が認めら
れなかったからである。
また周期律表第IVa族,Va族,VIa族、VIIa
族、VIII族の金属元素および周期律表第mb族、I
Vb族,vb族の金属元素並びに半金属元素の中から選
ばれる少なくとも一つ以上の元素を含有し、かつその含
有量が原子%で0.001%以上2.0%以下としたの
は、o. ooi%よりも少ないとダイヤモンドを高強
度化する改善の効果が不十分であり、逆に2.0%より
も多いとかえって強度の低下を招くからである。これら
の元素の中でもTi, V, Nb,Ta, Cr,
Mo, W , Ni. B , Ag. Si,
N並びにPがより好ましい効果を発揮する。
族、VIII族の金属元素および周期律表第mb族、I
Vb族,vb族の金属元素並びに半金属元素の中から選
ばれる少なくとも一つ以上の元素を含有し、かつその含
有量が原子%で0.001%以上2.0%以下としたの
は、o. ooi%よりも少ないとダイヤモンドを高強
度化する改善の効果が不十分であり、逆に2.0%より
も多いとかえって強度の低下を招くからである。これら
の元素の中でもTi, V, Nb,Ta, Cr,
Mo, W , Ni. B , Ag. Si,
N並びにPがより好ましい効果を発揮する。
一方上述の元素に加えてLa, Ce, Th, Re
を微量添加することによりさらに高強度化が図られるが
、その添加量を原子%で0.001%以上0.2%以下
としたのは、0. 001%よりも少ないと高強度化の
効果が不十分であり、0.2%を超えると逆に強度が低
下するからである。
を微量添加することによりさらに高強度化が図られるが
、その添加量を原子%で0.001%以上0.2%以下
としたのは、0. 001%よりも少ないと高強度化の
効果が不十分であり、0.2%を超えると逆に強度が低
下するからである。
本発明の高強度ダイヤモンドの製造方法は一般に使用さ
れるダイヤモンドの気相合成法を用いることができる。
れるダイヤモンドの気相合成法を用いることができる。
金属並びに半金属元素の添加方法としては
■添加元素の化合物(塩化物.フッ化物.有機金属化合
物等)をガスソースとして反応容器に導入する。
物等)をガスソースとして反応容器に導入する。
■添加する元素単体または化合物の固体を反応容器内部
で原料ガスの励起ゾーンに入れるか、近づけるかして、
加熱により蒸発させたり、あるいはプラズマでスパッタ
することにより行う。
で原料ガスの励起ゾーンに入れるか、近づけるかして、
加熱により蒸発させたり、あるいはプラズマでスパッタ
することにより行う。
■熱電子放射材に添加する元素を使用するか、熱電子放
射材に予め添加する元素を含有させておき、熱電子放射
材を高温加熱することにより行う。
射材に予め添加する元素を含有させておき、熱電子放射
材を高温加熱することにより行う。
等が一例と考えられるが、本発明のダイヤモンドを製造
できればこれらに限定されなくても構わない。
できればこれらに限定されなくても構わない。
実施例1
高温加熱した熱電子放射材を原料ガスの分解,活性化に
使用する熱フィラメン}CVD法並びに特開昭64−5
2699号公報にて開示した熱電子放射材を陰極に、基
材もしくは基材支持台を正極に接続してDCプラズマ形
戊し、高温加熱した熱電子放射材による熱活性化とプラ
ズマ活性化を併用する方法を用いた。熱電子放射材は直
径0.25mlB.長さ120 armのものを5lQ
II+間隔で15本張り、基材との間隔は5mmに設定
した。基材並びに基材支持台にはMOを使用し、その下
にさらに冷却支持台を設け、冷却能を調整して基材表面
温度を980℃に制御した。基材表面は予め3000番
のダイヤパウダーで傷付け処理を行ってから合成を実施
した。
使用する熱フィラメン}CVD法並びに特開昭64−5
2699号公報にて開示した熱電子放射材を陰極に、基
材もしくは基材支持台を正極に接続してDCプラズマ形
戊し、高温加熱した熱電子放射材による熱活性化とプラ
ズマ活性化を併用する方法を用いた。熱電子放射材は直
径0.25mlB.長さ120 armのものを5lQ
II+間隔で15本張り、基材との間隔は5mmに設定
した。基材並びに基材支持台にはMOを使用し、その下
にさらに冷却支持台を設け、冷却能を調整して基材表面
温度を980℃に制御した。基材表面は予め3000番
のダイヤパウダーで傷付け処理を行ってから合成を実施
した。
第1表に示した作製条件を用い、合或時間を調節して膜
厚が約100μになるようにダイヤモンドを合成した。
厚が約100μになるようにダイヤモンドを合成した。
イオンマイクロアナライザーを用いて作製したダイヤモ
ンドの不純物を分析した結果を第1表に併記した。また
合成したダイヤモンドの戊長上面の結晶粒径は試料八が
25μ,Bが20μであったのに対し、他の試料はいず
れも15μ以下であった。
ンドの不純物を分析した結果を第1表に併記した。また
合成したダイヤモンドの戊長上面の結晶粒径は試料八が
25μ,Bが20μであったのに対し、他の試料はいず
れも15μ以下であった。
この試料を熱王水中に浸漬し、Mo基材を溶解除去して
高強度ダイヤモンドを採取した。この高強度ダイヤモン
ドを切削工具として使用した場合の性能を評価するため
に、超硬合金の合金にろう付けし、切削チップを作製し
た。比較材として、結合材にCoを10容量%含有する
平均粒径1oμmの超高圧焼結ダイヤモンドを用いて、
同様に切削チップを作製した。被削材として10mm幅
を有する溝が90度ごとの角度をなして4本、軸方向に
沿って外周面に入れられたAβ−12%Si合金(AC
8A−T6)を使用し、第2表に示す条件で切削試験を
実施した。60分間切削後の結果を第3表に取りまとめ
て示した。
高強度ダイヤモンドを採取した。この高強度ダイヤモン
ドを切削工具として使用した場合の性能を評価するため
に、超硬合金の合金にろう付けし、切削チップを作製し
た。比較材として、結合材にCoを10容量%含有する
平均粒径1oμmの超高圧焼結ダイヤモンドを用いて、
同様に切削チップを作製した。被削材として10mm幅
を有する溝が90度ごとの角度をなして4本、軸方向に
沿って外周面に入れられたAβ−12%Si合金(AC
8A−T6)を使用し、第2表に示す条件で切削試験を
実施した。60分間切削後の結果を第3表に取りまとめ
て示した。
第
3
表
本発明の高強度ダイヤモンドを使用した試料C.D,E
.FおよびGは良好な切削特性を示し、比較材として用
いた焼結ダイヤモンドよりも優れた性能を示した。これ
に対して本発明の範囲をはずれる試料A,BおよびHは
短時間で欠損を生じ、本発明品並びに焼結ダイヤと比較
して強度が低いものと判断される。
.FおよびGは良好な切削特性を示し、比較材として用
いた焼結ダイヤモンドよりも優れた性能を示した。これ
に対して本発明の範囲をはずれる試料A,BおよびHは
短時間で欠損を生じ、本発明品並びに焼結ダイヤと比較
して強度が低いものと判断される。
実施例2
ダイヤモンドの気相合成に一般に使用されるマイクロ波
プラズマCVD法を用いて第4表に示す条件でSi基材
にダイヤモンドを合成した。ダイヤモンド中に本発明の
金属元素または半金属元素を含有させる方法としては、
基材の近傍にこれらの元素の酸化物あるいは塩化物の固
体粉末を置きプラズマ中にさらして高温加熱し、蒸発あ
るいはスパッタリングにより合或ダイヤ中に添加する方
法を採用した。この際粉末のサイズや量並びに置き場所
を変えてダイヤモンド中に添加する量を調節した。透明
石英円盤の上に31厚さのMO円盤を置き基材支持台と
した。反応容器内の圧力は100Torrとし、マイク
ロ波出力を調節して基材表面温度を1000℃に制御し
た。基材表面は予め5000番のダイヤパウダーで傷付
け処理を行ってから合成を実施した。合成時間を調節し
て各々の条件で膜厚が約120μのダイヤモンドを合成
した。イオンマイクロアナライザーを用いて作製したダ
イヤモンドの不純物を分析した結果を第4表に併記した
。また合或したダイヤモンドの戊長上面の結晶粒径は試
料■が30μであったのに対し、他の試料はいずれも1
5μ以下であった。
プラズマCVD法を用いて第4表に示す条件でSi基材
にダイヤモンドを合成した。ダイヤモンド中に本発明の
金属元素または半金属元素を含有させる方法としては、
基材の近傍にこれらの元素の酸化物あるいは塩化物の固
体粉末を置きプラズマ中にさらして高温加熱し、蒸発あ
るいはスパッタリングにより合或ダイヤ中に添加する方
法を採用した。この際粉末のサイズや量並びに置き場所
を変えてダイヤモンド中に添加する量を調節した。透明
石英円盤の上に31厚さのMO円盤を置き基材支持台と
した。反応容器内の圧力は100Torrとし、マイク
ロ波出力を調節して基材表面温度を1000℃に制御し
た。基材表面は予め5000番のダイヤパウダーで傷付
け処理を行ってから合成を実施した。合成時間を調節し
て各々の条件で膜厚が約120μのダイヤモンドを合成
した。イオンマイクロアナライザーを用いて作製したダ
イヤモンドの不純物を分析した結果を第4表に併記した
。また合或したダイヤモンドの戊長上面の結晶粒径は試
料■が30μであったのに対し、他の試料はいずれも1
5μ以下であった。
第
4
表
*:vo1%はH2に対する容量%
この試料をフッ酸と硝酸の混合液に浸漬し、Si基材を
溶解除去して高強度ダイヤモンドを採取した。この高強
度ダイヤモンドを切削工具として使用した場合の性能を
評価するために、超硬合金の合金にろう付けし、切削チ
ップを作製した。比較材として、結合材にCoを10容
量%含有する平均粒i10μmの超高圧焼結ダイヤモン
ドを用いて、同様に切削チップを作製した。被削材とし
て幅100mm,長さ400 mmのM−17%Si合
金( A 390−T 6 )を使用しJ第5表に示し
た条件で7ライス切削試験を実施した。20Pass切
削後の結果を第6表に取りまとめて示した。
溶解除去して高強度ダイヤモンドを採取した。この高強
度ダイヤモンドを切削工具として使用した場合の性能を
評価するために、超硬合金の合金にろう付けし、切削チ
ップを作製した。比較材として、結合材にCoを10容
量%含有する平均粒i10μmの超高圧焼結ダイヤモン
ドを用いて、同様に切削チップを作製した。被削材とし
て幅100mm,長さ400 mmのM−17%Si合
金( A 390−T 6 )を使用しJ第5表に示し
た条件で7ライス切削試験を実施した。20Pass切
削後の結果を第6表に取りまとめて示した。
第 6
表
本発明の高強度ダイヤモンドを使用した試料J.K.M
およびNは良好な切削特性を示し、比較材として用いた
焼結ダイヤモンドよりも優れた性能を示した。これに対
して本発明のW?L囲をはずれる試料I,L,Oおよび
Pは短時間で欠損を生じ、本発明品並びに焼結ダイヤと
比較して強度が低いものと判断された。
およびNは良好な切削特性を示し、比較材として用いた
焼結ダイヤモンドよりも優れた性能を示した。これに対
して本発明のW?L囲をはずれる試料I,L,Oおよび
Pは短時間で欠損を生じ、本発明品並びに焼結ダイヤと
比較して強度が低いものと判断された。
実施例3
ダイヤモンドの気相合成に一般に使用されるマイクロ波
プラズマCVD法を用いて第7表に示す条件でMo基材
にダイヤモンドを合成した。ダイヤモンド中に本発明の
金属元素あるいは半金属元素を添加させる方法としては
、添加元素の化合物をガスの形態で原料ガス中に混合し
、合成するダイヤモンドに含有させる方法を採用した。
プラズマCVD法を用いて第7表に示す条件でMo基材
にダイヤモンドを合成した。ダイヤモンド中に本発明の
金属元素あるいは半金属元素を添加させる方法としては
、添加元素の化合物をガスの形態で原料ガス中に混合し
、合成するダイヤモンドに含有させる方法を採用した。
表中のVOl%は原料ガス中のC H 4に対する容量
%を意味し、WF.及びNH.につぃては予め所定の濃
度に八rで希釈したボンベを作製しておき添加した。
%を意味し、WF.及びNH.につぃては予め所定の濃
度に八rで希釈したボンベを作製しておき添加した。
T+Cj!nはH2をキャリャーガスに用いて所定濃度
に添加した。A(l cl sはMチップを入れたジェ
ネレイターにH c(lとH2を通して発生させ、H
C1の流量を調節して所定濃度にtA節した。石英円盤
の上に3mlTl厚さのMo円盤を置き基材支持台とし
た。
に添加した。A(l cl sはMチップを入れたジェ
ネレイターにH c(lとH2を通して発生させ、H
C1の流量を調節して所定濃度にtA節した。石英円盤
の上に3mlTl厚さのMo円盤を置き基材支持台とし
た。
反応容器内の圧力は80Torrとし、マイクロ波出力
を調節して基材表面温度を950℃に制御した。基材表
面は予め3000番のダイヤモンドパウダーで傷付け処
理を行ってから合成を実施した。合或時間を調節して各
々の条件で膜厚が約lOOμのダイヤモンドを合成した
。イオンマイクロアナライザーを用いて作製したダイヤ
モンドの不純物を分析した結果を第8表に併記した。な
おNの分析に関してはSIMS法を用いた。
を調節して基材表面温度を950℃に制御した。基材表
面は予め3000番のダイヤモンドパウダーで傷付け処
理を行ってから合成を実施した。合或時間を調節して各
々の条件で膜厚が約lOOμのダイヤモンドを合成した
。イオンマイクロアナライザーを用いて作製したダイヤ
モンドの不純物を分析した結果を第8表に併記した。な
おNの分析に関してはSIMS法を用いた。
第8表
*:vo1%はCH.に対する容量%
この試料を熱王水中に浸漬し、旧基材を溶解除去して高
強度ダイヤモンドを採取した。この高強度ダイヤモンド
を切削工具として使用した場合の性能を評価するために
、超硬合金の合金にろう付けし、切削チップを作製した
。比較材として、結合材にCOをIO容量%含有する平
均粒径10μmの超高圧焼結ダイヤモンドを用いて、同
様に切削チップを作製した。被削材として幅100mm
,長さ400 mmのADC12を使用し、第9表に示
した条件でフライス切削試験を実施した。30pass
切削後の結果を第10表に取りまとめて示した。
強度ダイヤモンドを採取した。この高強度ダイヤモンド
を切削工具として使用した場合の性能を評価するために
、超硬合金の合金にろう付けし、切削チップを作製した
。比較材として、結合材にCOをIO容量%含有する平
均粒径10μmの超高圧焼結ダイヤモンドを用いて、同
様に切削チップを作製した。被削材として幅100mm
,長さ400 mmのADC12を使用し、第9表に示
した条件でフライス切削試験を実施した。30pass
切削後の結果を第10表に取りまとめて示した。
以上説明した様に本発明による気相合或ダイヤモンドは
従来の気相合成ダイヤモンドと比較して高強度であり、
かつダイヤモンドの微粉末と金属バインダーを超高圧下
で焼結して作製する焼結ダイヤモンドよりも耐摩耗性に
優れるので、耐摩工具,切削工具,掘削工具等の分野に
利用すると効果的である。
従来の気相合成ダイヤモンドと比較して高強度であり、
かつダイヤモンドの微粉末と金属バインダーを超高圧下
で焼結して作製する焼結ダイヤモンドよりも耐摩耗性に
優れるので、耐摩工具,切削工具,掘削工具等の分野に
利用すると効果的である。
Claims (2)
- (1)気相合成法で合成されるダイヤモンドにおいて、
該ダイヤモンドが周期律表第IVa族、Va族、VIa族、
VIIa族、VIII族の金属元素および周期律表第IIIb族、
IVb族、Vb族の金属元素並びに半金属元素の中から選
ばれる少なくとも一つ以上の元素を含有し、かつその含
有量が原子%で0.001%以上2.0%以下であるこ
とを特徴とする高強度ダイヤモンド。 - (2)La、Ce、Th、Reの中から選ばれる少なく
とも一つ以上の元素を含有し、かつその含有量が原子%
で0.001以上0.2%であることを特徴とする高強
度ダイヤモンド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24262789A JPH03103397A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 高強度ダイヤモンド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24262789A JPH03103397A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 高強度ダイヤモンド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03103397A true JPH03103397A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17091868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24262789A Pending JPH03103397A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 高強度ダイヤモンド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03103397A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0846792A1 (en) * | 1996-12-04 | 1998-06-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of synthesizing diamond |
US6200652B1 (en) | 1997-07-07 | 2001-03-13 | Cvd Diamond Corporation | Method for nucleation and deposition of diamond using hot-filament DC plasma |
KR20170010839A (ko) * | 2014-08-01 | 2017-02-01 | 핼리버튼 에너지 서비시즈 인코퍼레이티드 | 화학적 증기 증착-개질된 다결정 다이아몬드 |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP24262789A patent/JPH03103397A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0846792A1 (en) * | 1996-12-04 | 1998-06-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of synthesizing diamond |
US5993919A (en) * | 1996-12-04 | 1999-11-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of synthesizing diamond |
US6200652B1 (en) | 1997-07-07 | 2001-03-13 | Cvd Diamond Corporation | Method for nucleation and deposition of diamond using hot-filament DC plasma |
KR20170010839A (ko) * | 2014-08-01 | 2017-02-01 | 핼리버튼 에너지 서비시즈 인코퍼레이티드 | 화학적 증기 증착-개질된 다결정 다이아몬드 |
CN106795627A (zh) * | 2014-08-01 | 2017-05-31 | 哈利伯顿能源服务公司 | 化学气相沉积改性的多晶金刚石 |
JP2017526809A (ja) * | 2014-08-01 | 2017-09-14 | ハリバートン エナジー サヴィシーズ インコーポレイテッド | 化学蒸着修飾した多結晶ダイヤモンド |
CN106795627B (zh) * | 2014-08-01 | 2019-06-21 | 哈利伯顿能源服务公司 | 化学气相沉积改性的多晶金刚石 |
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