JPH0310206A - LiNbO↓3光導波路およびその製造方法 - Google Patents
LiNbO↓3光導波路およびその製造方法Info
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- JPH0310206A JPH0310206A JP1145576A JP14557689A JPH0310206A JP H0310206 A JPH0310206 A JP H0310206A JP 1145576 A JP1145576 A JP 1145576A JP 14557689 A JP14557689 A JP 14557689A JP H0310206 A JPH0310206 A JP H0310206A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 13
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、光スイッチ、光変調器、モード・コンバー
タなどの光導波路に用いて好適なL i N 1103
光導波路およびその製造方法に関する。
タなどの光導波路に用いて好適なL i N 1103
光導波路およびその製造方法に関する。
「従来の技術」
Ti拡散法によって作成されたL i N 110 !
l光導波路は、その屈折率分布がガウス分布をしており
、ソングルモートの光導波路として適している。また、
光導波路に電界を加えることによってその屈折率が変化
することを利用して光スィッチ、光変調器及びモード・
コンバータなどとして用いられる。
l光導波路は、その屈折率分布がガウス分布をしており
、ソングルモートの光導波路として適している。また、
光導波路に電界を加えることによってその屈折率が変化
することを利用して光スィッチ、光変調器及びモード・
コンバータなどとして用いられる。
第2図は上述した従来のしlNb01光導波路の製造方
法を示す工程図である。この図において、まず、L +
N bo 3基板1の」二にTi等の金属2をデボジ
ッション・パターニングによってストライプ状に形成す
る(第2図(λ)、(b)参照)。次に、この金属2を
熱拡散することによってL+ N 1103基板1より
高屈折率の光導波路3を形成していた(第2図(c)参
照)。
法を示す工程図である。この図において、まず、L +
N bo 3基板1の」二にTi等の金属2をデボジ
ッション・パターニングによってストライプ状に形成す
る(第2図(λ)、(b)参照)。次に、この金属2を
熱拡散することによってL+ N 1103基板1より
高屈折率の光導波路3を形成していた(第2図(c)参
照)。
上述した製造方法によって形成されたL i N b0
3光導波路ては、光導波路3の断面か図示のように縦・
横比の大きな楕円状になる。このようなLiNbO3光
導波路において、光ファイバのような縦・横比が1:1
1ずなわち光導波路の断面形状が円形のものと楕円形状
の光導波路3とが接続された場合には、両者の断面形状
の違いに起因する接続損失を生ずるという欠点がある。
3光導波路ては、光導波路3の断面か図示のように縦・
横比の大きな楕円状になる。このようなLiNbO3光
導波路において、光ファイバのような縦・横比が1:1
1ずなわち光導波路の断面形状が円形のものと楕円形状
の光導波路3とが接続された場合には、両者の断面形状
の違いに起因する接続損失を生ずるという欠点がある。
上述した欠点を改善する方法としては、第3図に示すM
g0(酸化マグネシウム)追拡散法がある。
g0(酸化マグネシウム)追拡散法がある。
このMgO追拡散法では、まず、第2図と同様にLiN
bO3基板1の上にストライプ状に金属2をパターニン
グする(第3図(a)、(b)参照)。
bO3基板1の上にストライプ状に金属2をパターニン
グする(第3図(a)、(b)参照)。
次に、この金属2をLiNbO3基板1に熱拡散して高
屈折率の光導波路3を形成した後、MgO(酸化マグネ
ノウム)を堆積する(第3図(c) 、(d)参照)。
屈折率の光導波路3を形成した後、MgO(酸化マグネ
ノウム)を堆積する(第3図(c) 、(d)参照)。
そして、MgOをLiNb0.基板1に熱拡散する(第
3図(e)参照)。
3図(e)参照)。
上述のMgO追拡散法によって形成されたL 1NbO
3光導波路では、LiNbO3基板1の」二部が一様に
低屈折率になり、光導波路3の実質的な断面形状が縦・
横比11の円形に近くなる1゜「発明か解決しようとす
る課題」 ところで、上述した従来のMgO追拡散法による製造方
法では、拡散プロセスが2回必要であるため、作業性が
悪く、里産性に劣る。また、−J=述した製造方法によ
って形成されたL +N bo s光導波路の先導波特
性はTi、MgOの膜厚に対して非常に敏感であるため
、両者の膜厚を10人程度で厳密に制御しなければなら
ないという問題を生しる。
3光導波路では、LiNbO3基板1の」二部が一様に
低屈折率になり、光導波路3の実質的な断面形状が縦・
横比11の円形に近くなる1゜「発明か解決しようとす
る課題」 ところで、上述した従来のMgO追拡散法による製造方
法では、拡散プロセスが2回必要であるため、作業性が
悪く、里産性に劣る。また、−J=述した製造方法によ
って形成されたL +N bo s光導波路の先導波特
性はTi、MgOの膜厚に対して非常に敏感であるため
、両者の膜厚を10人程度で厳密に制御しなければなら
ないという問題を生しる。
この発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、作
業性を落とさずに光導波路の断面を縦・横比の小さな形
状にすることができ、がっ、LIN b 03基板」二
に堆積させる金属の膜厚とその拡散条件を制御すること
により簡単に屈折率構造を制御できるI−i N bo
3光導波路およびその製造方法を提供することを目的
としている。
業性を落とさずに光導波路の断面を縦・横比の小さな形
状にすることができ、がっ、LIN b 03基板」二
に堆積させる金属の膜厚とその拡散条件を制御すること
により簡単に屈折率構造を制御できるI−i N bo
3光導波路およびその製造方法を提供することを目的
としている。
「課題を解決するための手段」
このような問題点を解決するために、請求項I記載の発
明ではL iN bo 3基板と、コノL + N l
) O。
明ではL iN bo 3基板と、コノL + N l
) O。
基板に近い屈折率を有し、L i N bo !1基板
上に形成される透明誘電体層と、前記L iN b O
3基板と前記透明誘電体層との間に形成される高屈折率
の光導波路とを備えることを特徴とする 請求項2記載の発明ではI、1Nb03基板上に、この
L i N bo 3基板の屈折率を高める金属を所定
の形状に堆積し、この」二に前記L iN bo 3基
板の屈折率に近い屈折率を有する透明誘電体を堆積した
後に、前記金属を熱拡散することによって高屈折率の光
導波路を形成することを特徴とする。
上に形成される透明誘電体層と、前記L iN b O
3基板と前記透明誘電体層との間に形成される高屈折率
の光導波路とを備えることを特徴とする 請求項2記載の発明ではI、1Nb03基板上に、この
L i N bo 3基板の屈折率を高める金属を所定
の形状に堆積し、この」二に前記L iN bo 3基
板の屈折率に近い屈折率を有する透明誘電体を堆積した
後に、前記金属を熱拡散することによって高屈折率の光
導波路を形成することを特徴とする。
「作用」
L iN bo 3基板上に、このL iN bo 3
基板の屈折率を高める金属を堆積し、この上に前記L
iN bo 3基板の屈折率に近い屈折率を有する透明
誘電体を堆積する。次?こ、上記金属を熱拡散すること
によって断面の縦・横比が小さい高屈折率光導波路層を
形成する。
基板の屈折率を高める金属を堆積し、この上に前記L
iN bo 3基板の屈折率に近い屈折率を有する透明
誘電体を堆積する。次?こ、上記金属を熱拡散すること
によって断面の縦・横比が小さい高屈折率光導波路層を
形成する。
「実施例」
次に図面を参照してこの発明の実施例について説明する
。
。
第1図は、この発明の一実施例によるLiNbO3光導
波路の製造方法を示す工程図である。この図において、
まず、LiNbO3基板lの上基板口のLiNb0.基
板Iの屈折率を高める金属2としてTi(ヂタン)をR
Fスパッタを用いて600人の厚さに堆積させた後、リ
フトオフ法によってストライプ状に形成した(第1図(
a)、(b)参照)。次に、この上にLiNbO3基板
1に近い屈折率を有する透明誘電体6としてLiNbO
3をRFスパッタを用いて1μmの厚さに堆積させ(第
1図(c)参照)、これを1050℃の不活性ガス中で
6時間熱拡散し、高屈折率の光導波路3を形成した(第
1図(d)参照)。
波路の製造方法を示す工程図である。この図において、
まず、LiNbO3基板lの上基板口のLiNb0.基
板Iの屈折率を高める金属2としてTi(ヂタン)をR
Fスパッタを用いて600人の厚さに堆積させた後、リ
フトオフ法によってストライプ状に形成した(第1図(
a)、(b)参照)。次に、この上にLiNbO3基板
1に近い屈折率を有する透明誘電体6としてLiNbO
3をRFスパッタを用いて1μmの厚さに堆積させ(第
1図(c)参照)、これを1050℃の不活性ガス中で
6時間熱拡散し、高屈折率の光導波路3を形成した(第
1図(d)参照)。
このような製造方法によって得られた光導波路3の実質
的な断面形状は、縦が3.5μm1横が4.5μmの楕
円状であり、縦・横比は1・136であった。また、光
導波路3と光ファイバ七の接続損失は約1dBであり、
従来の製造方法による縦・横比1:1.61(縦が2
、8 p m 、横が4゜5μm)の光導波路上光ファ
イバとの接続損失2clBに比へ損失面で改善が見られ
た。
的な断面形状は、縦が3.5μm1横が4.5μmの楕
円状であり、縦・横比は1・136であった。また、光
導波路3と光ファイバ七の接続損失は約1dBであり、
従来の製造方法による縦・横比1:1.61(縦が2
、8 p m 、横が4゜5μm)の光導波路上光ファ
イバとの接続損失2clBに比へ損失面で改善が見られ
た。
なお、」−述の高屈折率の光導波路3を形成する金属2
としては、TI以外に、例えば、Ni、Cuなどを用い
てもよい。また、透明誘電体6の材料としテハ、LiN
bO3以外に、例えば、LiNbO3Δl、03. S
iO、−T iO、などを用いてもよい。
としては、TI以外に、例えば、Ni、Cuなどを用い
てもよい。また、透明誘電体6の材料としテハ、LiN
bO3以外に、例えば、LiNbO3Δl、03. S
iO、−T iO、などを用いてもよい。
「発明の効果」
以」二説明したように、この発明によれば、熱拡散プロ
セスにおいて、基板lt ItがL iN bo 3基
板および透明誘電体中にほぼ均等に拡散するため、光導
波路の断面の縦・横比が小さくなり、光ファイバとの接
続損失を低減することができる。また、熱拡散プロセス
において、Li N bo !1基板の屈折率は透明誘
電体によって変化しないため、その膜厚を厳密に制御す
る必要がない。したがって、LiNbO3基板上に堆積
させる金属の膜厚とその拡散条件だ(」を制御すること
により簡単に屈折率構造を制御できる利点が得られる。
セスにおいて、基板lt ItがL iN bo 3基
板および透明誘電体中にほぼ均等に拡散するため、光導
波路の断面の縦・横比が小さくなり、光ファイバとの接
続損失を低減することができる。また、熱拡散プロセス
において、Li N bo !1基板の屈折率は透明誘
電体によって変化しないため、その膜厚を厳密に制御す
る必要がない。したがって、LiNbO3基板上に堆積
させる金属の膜厚とその拡散条件だ(」を制御すること
により簡単に屈折率構造を制御できる利点が得られる。
第1図(J、この発明の一実施例による LiNbO3
光導波路の製造方法を示す工程図、第2図および第3図
は従来のLiNbO3光導波路の製造方法を示す工程図
である。 1 ・ L i N bo 3基板、2導波路、6・・
・透明誘電体。 金属、3 光
光導波路の製造方法を示す工程図、第2図および第3図
は従来のLiNbO3光導波路の製造方法を示す工程図
である。 1 ・ L i N bo 3基板、2導波路、6・・
・透明誘電体。 金属、3 光
Claims (2)
- (1)LiNbO_3基板と、このLiNbO_3基板
に近い屈折率を有し、LiNbO_3基板上に形成され
る透明誘電体層と、前記LiNbO_3基板と前記透明
誘電体層との間に形成される高屈折率の光導波路とを備
えることを特徴とするLiNbO_3光導波路。 - (2)LiNbO_3基板上に、このLiNbO_3基
板の屈折率を高める金属を所定の形状に堆積し、この上
に前記LiNbO_3基板に近い屈折率を有する透明誘
電体を堆積した後に、前記金属を熱拡散することによっ
て高屈折率の光導波路を形成することを特徴とするLi
NbO_3光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1145576A JPH0310206A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | LiNbO↓3光導波路およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1145576A JPH0310206A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | LiNbO↓3光導波路およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0310206A true JPH0310206A (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=15388300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1145576A Pending JPH0310206A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | LiNbO↓3光導波路およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0310206A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006250877A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Canon Inc | 光学式エンコーダ |
JP2006284449A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Canon Inc | 位置検出装置、該位置検出装置を有する光学装置 |
JP2008545978A (ja) * | 2005-06-11 | 2008-12-18 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | スケール用の保持具 |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP1145576A patent/JPH0310206A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006250877A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Canon Inc | 光学式エンコーダ |
JP2006284449A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Canon Inc | 位置検出装置、該位置検出装置を有する光学装置 |
JP2008545978A (ja) * | 2005-06-11 | 2008-12-18 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | スケール用の保持具 |
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