JPH0296407A - 温度補償水晶発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明；、ｔ′温度補償水晶発振器（以下、温度補償回
路恭とする）を利用分野とし、特に水晶振動子を多電極
構造として水晶発振器の周波数温度特性（以下、温度特
性とする）を二重に補償した温度補償発振器に関する。

（発明の背景） 温度補償発振器は、特に水晶振動子に起因した温度特性
による周波数変化を補償するものとして広く普及してい
る。近年では、年々厳しくなる通信事情等によ＃）温度
に対１７て更に高安定な温度補償光振器が望まれている
。

（従来技術） 第８図はこの種の一従来例を説明する温度補償発振器の
ブ四ツク図である。

温度補償発振器は発振回路１と温度補償回路２とからな
る。発振回路１は水晶振動子３を発振子とし、その一端
側を例えば回路部４の発振用トラレジ３夕５に接続する
。そして、図示しないコンデンサ等の他の回路素子と相
俟って例えばコルピッツ型の回路ｍを形成する。水晶振
動子３は切断角度を例えばＡＴカットとじた厚みすべり
振動姿態とする。なお、図中のｖａ。はＴ１源、ｖｏは
出力である。このような発振回路１では、第９図の曲線
（イ）に示したような温度特性になる。すなわち、水晶
振動子３を主因とした常温２５℃近傍に変曲点をもった
三次曲線となる。

温度補償回路２は補償電圧発生回路６（以下、電圧発生
回路６とする）と電圧可変容量素子７とからなる。電圧
発生回路６は電源Ｖ６゜とアース電位間に接続した！！
！温素子（例えばサーミスタ８）及び抵抗９の図示しな
い直・並列回路網からなる。

そして、サーミスタ８の抵抗値により、周囲温度に応答
した補償電圧ｖ、１を出力端ｎに得る。？ｌｒｌ償電圧
ｖ虐電は、発振回路１の温度特性とは逆の三次曲線とな
る周波数電圧特性に設定される「前第９図の曲線（ロ）
」。電圧可変容量素子７は例えば電圧可変容量ダイオー
ド（以下、可変容量ダイオードとする）とし、カソード
側を電圧発生回路日の出力＠ｎに、アノード側をアース
電位に接地する。そして、電圧発生回路６と可変ダイオ
ード７の接続点を水晶振動子３の一端側に接続する。し
ｉこがって、このようなものでは、周囲温度に応答した
？ＩＱ償電圧■、□に基づいて可変容量ダイオード７の
容量値を変化させ、発振回路１の乙晶度特性を７１０償
して規格を満足する補償温度特性を得ることがでさる「
前第９図の曲線（ハ）」。

（従来技術の問題点） しかしながら、上記構成の温度補償発振器では理論上避
けることのできない次のような問題があった。

すなわち、上記補償温度特性を拡大した第１０図の０印
を結ぶ曲線（ニ）から明らかなように、規格を例えば温
度範囲ΔＴ、が一３０〜７０℃で周波数許容偏差（以下
、許容偏差とする）Δｆ／ｒが＋２ｐｐｍとすれば、こ
の補償温度特性は同規格を満足する。しかし、規格を同
温度範囲ΔＴ、で許容偏差±ｌｐｐｍとした場合には、
点線枠で示す一２０℃及び６０℃の部分で同規格外とな
る。

従来、このような場合には、その補償温度特性に基づき
、各抵抗９の値を百計算により修正する。

そして、これにより電圧発生器′Ｉ８６を新たに製作し
て交換し、許容偏差±ｉｐｐｍの規格を満足させていた
。しかし、一般には、抵抗のその値は良い物でも１〜２
％の誤差を持つ。また、サーミスタに関しても、厳密に
は各温度におけろ抵抗値の誤差やＢ定数も変化する。し
たがって、各Ｉバ抗９の値を修正したとしても理論計算
による補ＩＩＦｔ温度特性とは±０．５ｐｐｍ程度の誤
差を生ずる。このようなことから、従来の潤度？ｍ償発
振器では電圧発生回路６を再製作したとしても許容偏差
を±１ｐｐＩｎ以下にすることは、各素子の精度上の問
題から理論的Ｃζ困デ「と２ノでいた。そして、許容側
差Δ「／「を士ｌｐｐｍ以下とする場合２とは、非常に
歩留りを悪くして生産性を低下するＩｊ３１題があった
。（発明の目的） 本発明は？Ｉ１１償温度特性を規格内に満足して生産性
を向上する温度？ｌ（Ｉ併発振器を提供することを目的
とする。

（解決手段） 本発明は、水晶片に複数のＴｉ極対を形成して多Ｔｉ極
構造の水晶振動子とし、前記電極対の一つに規格内温度
領域の温度特性を？Ｉ１１償する第１温度補償同諮を備
えた発振回路部を設け、他の電極対に前記第１渇度？ｌ
ｔＩ償回路による補償温度特性のうち特定温度領域を更
２ζ？ｌｌ１ｌ償する第２温度ガｎ償部を設けて発振回
路の温度特性を二重に補償したことを解決手段とする。

（発明の作用） 本発明は、第１澗度補償回路により得られる補償温度特
性のうち特定温度領域を第２温度補償回路１ζより補償
したので、第１温度補償部の回路素子を交換する必要が
ない。また、第１温度補償回路とｆ５２温度補償回路と
は異なる電極対に接続するので、第１主温度？ＩＹｌ償
回路と第２温度補償回路あるいは第２温度補償回路同志
の相互干渉を少なく１７てそれぞれ独立的に機能させる
作用がある。

（ｍｊＪｉｉ例） 第１図は本発明の一実施例を説明する温度補償発振器の
ブロック図である。なお、前実施例図と同一部分には同
番号を付与してその説明を簡略する。そして、本実施例
では、前従来例の補償温度特性のうち規格から＋側に外
れた部分の特定温度領域を更に？Ｉｎ償する場合を説明
する。

温度補償発振器は多電極型の水晶振動子１０を利用する
。水晶振動子１０１；ｔＡＴカットの水晶片１１に二組
のＴｈ極対１２．１３を設けてなる。第１Ｍ極対１２に
は前述した発振回路部４と第１温度補償回路１４とを接
続する。第２電極対１３には第２温度補償回路１５を接
続する。

第１温度？ｌＹｌ償回路１４は従来の温度ｈｎ償回路（
前第８図の２）に相当１７、第１電圧発生回路１６（同
図の６に相当）と第１可変容爪ダイオード１７（同図の
７に相当）とからなる。そして、規格内の周囲温度に応
答した第１補償電圧ｖ、１を出力端ｎに得る。

第２温度補償回路】５は第２電圧発生回路１８と第２可
変容量ダイオード１９とからなる。第２電圧発生回路１
８は一端を第１電圧発生回路１６と共用する電源ｖ０゜
側、他端をアース電位とする。

そして、出力端すには規格内温度に応答した第２補ｆｆ
Ｔ電圧ｖ、、を得るように形成される。第２？ｌｒ！償
電圧■、は、第２図への温度電圧特性図「曲線（ホ）」
に示したように、規格内温度の特定温度領域ΔＴ、外で
は略一定値の通常電圧Ｖ、とする。

特定温度領域ΔＴ、内では通常電圧ｖ１より低いレベル
の特定補償電圧（以下、特定電圧）■、とする。第２可
変容量ダイオード１９はカソード側を電圧発生回路１８
の出力端すに接続し、１ノード側をアース電位とする。

このようなものでは、補償電圧Ｖ□による第２可変容量
ダイオード１９の容量変化が、対電極１２と１３の弾性
的結合により発振回路４に影響を及ぼしその発振周波数
を変化させる。なお、電極対１３とアース電位との間の
コンデンサ２０は周波数調整用である。　ｆＰ、３図は
第２電圧発生回路１８の具体的な一例である。

この回路例では、電源Ｖ。（＋）をコレクタ側、アース
電位をエミッタ側とｉノでトランジスタＴｒｌ。

Ｔ　ｒ　ｚをシリーズに設ける。トランジスタＴｒ１の
コレクタ側には負荷抵抗Ｒ，を、Ｔ　ｒ　１のコレクタ
とＴ　ｒ　２のエミッタ間には抵抗Ｒ３とＲ１とを縦続
して設ける。そして、抵抗Ｒ２とＲ８との接続点を第２
補償電圧ｖ、２の出力端すとする。また、トランジスタ
Ｔ　ｒ　１のバイアス分割抵抗用としてサーミスタ１じ
１と抵抗Ｒ４を、Ｔｒｙの同抵抗用として抵抗Ｒ５とサ
ーミスタＲＴ２をそれぞれベース側（こ設ける。このよ
うな電圧発生回路１８では、！・ランジスタ１°ｒｌは
低温でＯＦＦ’、’ｉｇｉでＯＮとり、Ｔｒｙは低温で
ＯＮ、高温で（’）ＦＦとなる。

！、たがって、特定温度領域ΔＴ２の下限温度Ｔ、はサ
ーミスタＴｔＴ、と抵抗Ｒ４との比によって、」二限澗
度Ｔ２はサーミスタｌｔＴ、と抵抗Ｒ１との比によって
決定する。また、特定温度領域Δ′ｒ、の周波数補正量
によって求められ４特定電圧Ｖ、は抵抗Ｒ２とＲ１の比
によって決定される。この場合には、特定温度領域ΔＴ
、の上下限温度Ｔ、、Ｔ、及び特定電圧Ｖ、を決定すれ
ば、抵抗ｎ、、ｒｔ、、Ｒ，は必然的（ご決定される。

このような構成の温度補償発振器では、第１温度補償回
ｙ８１４により、発振＠路４の温度特性（三次曲線）を
規ｔ８温度範囲ΔＴ、にて補償する。

そして、前述したような温度＠Ｕｎ−３０〜７０℃内に
おいて一２０℃及び６０℃近傍でのみ±１ｐｐＩｎを越
え、他の部分ではｌｐｐｍ以内とした周波数偏差の補償
温度特性（以下、第１補償温度特性）を１（＃る「前第
１０図曲線（ニ）」。

以下、第２温度？Ｉｎ償回路１５により、第１？１１１
償扁度特性のうち規格から＋側に外れた一２０℃部分を
更に補償して±ｌｐｐｍ以内にする場合を説明する。

先ず、第１補償温度特性に基づき、特定温度領域ΔＴ！
の上下限温度Ｔ□、Ｔ、及び特定電圧■、を設定する。

すなわち、第１補ｆｆ１度特性の一２０℃近傍周辺では
１．８ｐｐｍ＠最大として順次小さくなる凸状間ｊネと
する。これにより、−２０℃近傍での超過分が０．Ｆｌ
ｐｐｍであることから、周波数個差を±ｌｐｐｍ以内と
するために周波数の補正量を一１ｐｐｍとする。そして
、補正量−１ｐｐｍに相当する可変容量ダイオード１６
への特定電圧Ｖ、を設定する（前第２図Ａ参照）。なお
、特定電圧Ｖ、は一定に設定しても、実際にはＴｒ。

Ｔｒｙの動作特性上、上下限温度Ｔ８、Ｔ、８部では徐
々にその電圧レベルを小さくする。次に、特定温度領域
ΔＴ、は一２０℃近傍を略中心とし、その上限温度Ｔ８
を例えば周波数側差０である一５℃、下限温度Ｔｌを同
一３０℃とする。

とのような設定から、特定湿度領域ΔＴ２内では、特定
電圧ｖ８が第２可変容量ダイオード１９に印加される。

そして、第２可変容景ダイオードのＣ１からＣ，に上昇
する変化分ΔＣ１［第２図Ｈの曲線（へ）」は、対Ｗｉ
ｔ！１ｌｉ１２と１３との弾性的結合により、発振回路
４の発振周波数をΔ１１の変化量をもってｆｌからｆ、
に低下させる「第２図Ｃの曲１５１（＋−）Ｊ。すなわ
ち、−２０℃近傍では周波数幅差を一１ｐｐｍ変化させ
、１．８ｐｐｍから０．８ｐｐｍにする。そして、−２
０℃近めでの変化率を最大（−１ｐｐｍ）とし、その周
辺では実際上の印加電圧に応じて徐々に小さくする。

その結果、特定温度領域ΔＴ、内では一２０℃近傍を中
心として緩やかな１ｐｐｆｆＩ以内の略凸状曲線となる
「＠第１０図の三角印で結ぶ曲線（チ）のうちり部分」
。

なお、特定湿度領域ΔＴ、外では、第２可変容屋ダイオ
ード１９に通常電圧ｖ８が印加されるので、第１補償温
度特性に変化を来す。したがって、コンデンサ２０をＦ
Ｉ塾して例えばｍｉ？２２５℃における発振周波数を第
１湿度補償部１１のみ付加しｔこときと同一の発振周波
数に戻す必要がある。

以上から、この湿度補償発振蕎では、第１補償温度特性
のうちｔＪｌ格から＋側に外れた一２０℃部分を、第２
湿度補償部１１により更に選択的に補償１．てｌｐｐｍ
以内にする。したがって、規格を例えば湿度範囲一３０
〜５０℃内にて周波数偏差＋ｉ　ｐ　ｐ　ｍ以内とした
場合には、同規堵を満足する。そして、従来のように第
１８１度補償回路１４を再製作１７て交換する必要もな
いので、歩留を良好として生産性を向上する。また、第
１と第２の温度補償回路１４と１５とは異なる電極対１
２．１３に接続して弾性的に結合するのみで、電気的に
は遮断されるので相互間の電気的影響を軽減して独立的
な補償特性を得ることができる。したがって、設計１７
やすい利点を持つ。

（他の実施例） 第４図は本発明の他の実施例図を示す温度？ｌｎ＊ｌｎ
型のブロック図である。なお、前実施例と同一部分には
同番号を付与してその説明は省略する。

乙の実施例は、前実施例がＭ１？ｌ１１償渇度特性の１
−側に越えた部分の周波数偏差を第２温度補償回路１５
により補償したのに対し、−側に越えた部分を第２温度
補償回ｉ１５に換えた第３温度補償回路２１により補償
する場合を説明するものである。

本実施例では、水晶振動子１０（水晶片１１）の一方の
電極対１２に前述ｎ様の光Ｍ回路部４と第１温度補償回
路１６を接続する。そして、規格内の温度範囲ΔＴ、に
わたって発振回路１の温度特性を補償（７、第１補償湿
度特性を１する「前第１０図の曲線（ニ）参照」。

第３温度補償回路２１は他方の電極対１３に接続し、第
３Ｔｉ圧発生回路２２とその出力端Ｃに接続１７た可変
容星ダイオード２３とからなる。第３電圧発生回路２２
は一端を第１ＴＩ圧発生回路１６と共用する電ｇｉｖ、
、側、他端をアース電位とする。

そして、出力端Ｃに規格内温度に応答しｔこ第３補償電
圧Ｖ、を得るように形成される。この場合、第３前ｆｆ
′ｔｒｉ圧ｖ、３は、第５図への温度電圧特性図「曲線
（す）」に示したように特定温度領域ΔＴ、外では一定
値の通常電圧Ｖ、とする。特定温度領域ΔＴ、内では通
常電圧より高いレベルの特定電圧ｖ４とする。

第６図は第３Ｔｉ圧発生回路２２の具体的な一例である
。この？ｌ（ｌ償回路例は、電源Ｖａ。（＋）をコレク
タ側、アース電位をエミッタ側としたトランジスタ゛ｒ
ｒ３．Ｔｒ４をパラレルに設ける。トランジスタＴｒ３
（Ｔｒ４）のコレクタ側には負荷抵抗Ｒ＠を、Ｔｒ３の
コレクタとエミッタ　（アース電位）間には抵抗Ｒ７と
Ｒ１とを縦続して設ける。そして、抵抗Ｒ１とＲ，との
接続点を補償電圧Ｖ、の出力端Ｃとする。また、トラン
ジスタＴ　ｒ　、のバイアス分割１１（杭用としてサー
ミスタＲＴ　２とｆｉｔ抗Ｒ０を、Ｔ　ｒ　４の同抵抗
用として抵抗Ｒ１，とサーミスタＲ１゛４とをそれぞれ
ベース側に設ける。このような電圧発生回路２２では、
トランジスタＴｒ３は低温でＯＦＦ、高温でＯＮとし、
Ｔｒ４は低温でＯＮ、高温でＯＦＦとする。したがって
、特定温度ｍ域ΔＴ３の下限潤度Ｔ３はサーミスタＲＴ
、と抵抗ａＳＳとの比によって、下限温度Ｔ４はサーミ
スタＲＴ、と抵抗Ｒ・との比によって決定される。また
、特定温度領域ΔＴ、の°周波数補正量で求められる特
定電圧ｖ４は抵抗Ｒ，とＲ，の比によって決定される。

この場合には、特定温度領域Δ′ｒ、の上下＠温度Ｔ１
、Ｔ４及び特定電圧ｖ４を決定すれば、抵抗Ｒ，、Ｒゆ
、Ｒ１゜は必然的に決定される。

以下、第３温度補償回路２１により、第１補償温度特性
のうち規格から一側に外れた６０℃部分を更に補償して
±ｌｐｐｍ以内にする場合を説明する。

先ず、第１渇度補償特性ｒ前第１０図の曲線（ニ）」に
基づき、特定温度領域Δ′ｒ、の上下限温度゛ｒ１、Ｔ
４及び特定電圧■４を設定する。すなわち、ＧＯ℃近傍
周辺では−１，８ｐｐｍを最大として順次小さ（なる凹
状曲線とする。これにより、超過分が−０，８ｐｐｍで
あることから、６０℃近傍での周波数偏差を±ｌｐｐｍ
以内とするために補正量を１　ｐ　ｌ）　ｍとする。そ
して、補正量１ｐｐ＋ｎに相当する第３可変容量ダイオ
ード２３への特定電圧ｖ４を設定する（前第５図Ａ）。

次に、特定湿度領域を６０℃近傍な略中心とし、その上
限湿度Ｔ４を例えば周波数偏差−０，５ｐｐｍである７
０℃、下限温度Ｔ、を同一５０℃とする。

このような設定から、特定温度領域ΔＴ、内では、特定
電圧ｖ４が第３可変容量ダイオード２３に印加される。

そして、第３可変容量ダイオード２３のＣ８からＣ４に
低下する変化分ΔＣ２「第５図Ｂの曲線（ス）」は、対
電極１２と１３との弾性的結合により発振回路１の発振
周波数「、をΔ「鵞の変化量をもってｆ４に上昇させる
「第５図Ｃの曲線（ル）」。すなわち、−６０℃近傍で
は周波数偏差をｉｐｐｍ変化させ、　１．８ｐｐｍから
−０，８ｐｐｍにする。そして、−６０℃近傍での変化
率を最大（ＩＩＩＰＩｌｌ）としてその周辺では実際上
の印加電圧に応じて徐々に小さ（する。

その結果、特定温度領域ΔＴ、内では一６０℃近傍を中
心として緩やかな１ｐｐｍｍ内の略凹状曲線となる「前
第１０図の曲線（チ）の１７！ｉ分」。

なお、この場合においても、第３可変容量グイオード２
１に通常ｍ　ｒＥ　ｖ　ｚが印加されて第１　？Ｉ（ｌ
償温度特性に変化を来すので、コンデンサ２０を調整し
て第１温度補償部１４のみ付加したときと同一の発振周
波数（例えば常温時）にする必要がある。

以上から、この実施例では、第１補償温度特性のうち規
格から一側に外れた６０℃部分でも、第３温度補償回路
２１７こより更に選択的に補償して±１　ｐ　ｐ　ｍ以
内にする。したがって、規格を例えば温度範囲一１０〜
７０℃内にて周波数偏差上ｌｐｐｍ以内とした場合には
、同規格を満足する。

そして、従来のように第１温度補償回路１１を再製作し
て交換する必要もないので、歩留を良好として生産性を
向上する。また、第１と第３の温度補償回ｒＩｌｐ１１
４と２１とは弾性的に結合するのみで、相互干渉を軽減
して独立的に第１補償湿度特性に作用するので、設計し
易い利点をもつ。

（他の事項） なお、上記実施例ては第１温度補償回路１４と第２澗度
補償回路１５又は第３補償回路２Ｌを使用してｆ５１補
（ｆｔ　２ｍ度特性の周波数偏差が＋側又は−側に外れ
た部分を補償する場合を説明したが、第３の実施例とし
て第７図に示したように構成し、第１温度補償特性の十
及び−側に外れた部分をともに？＋！ｌ償して例えば温
度範囲一３０〜７０℃にて周波数偏差±１ｐｐ＋ｒ＋以
内とする規格を満足するようにしてもよい。すなわち、
水晶片１１に３組の電極対１２．１３．２４を設け、電
極対１２には発振回路１と第１温度補償回路１４を、電
極対１３には第２温度補償回路１５を、電極対２４には
第３温度補償回路２１を接続すればよい。　また、本発
明は第１温度補償特性の形態には拘らず規格を越える部
分についてその補償を基本的に行え得ることは勿論で、
規格を越える部分が３箇所以上の場合には、水晶振動子
をその数に応じた多電極構造として第１、第２、・・・
、第ｎの温度補償回路を付加してその部分の補償をすれ
ばよい。この点、特許請求の範囲では第２温度補償部と
しかＩＵＪ記していないが、第３、第４、・・・、第ｎ
温度補償部を付加したものも本発明の技術範囲に含まれ
ることは明らかである。また、特定温度領域例えばΔＴ
３の上下限温度Ｔ８、ΔＴ、は周波数偏差Ｏｐｐｍｔと
なる、−３０℃及び５℃としたが「第１０図の曲線（ニ
）参照」、これに限らず例えば実際に１　ｐ　ｐ　ｒｎ
を越える部分を特定温度領域とし、この部分を補償して
±１ｐｐｎｎ以内とする特定電圧を設定してもよい。ま
た、第１及び第２実施例においても、通常電圧は所定レ
ベルの電圧値としたが、例えばこれを０レベルとして第
１補償温度特性への影響を防止するようにしたとしても
よい。

また、上記従来例では水晶振動子の多電極構造の１漸配
置については格別言及しなかったが、発振回路と接続す
るＴｉ極対はその振動特性」二から水晶片の中央に形成
されることが望よしい。

また、本発明の多電極構造とした温度補償発振器の基本
は、本出願人が特顆昭６３−１５１４２号、同６３−２
５０９３号にて開示するもので、必要（ζ応１シで参照
されたい。

また、第１温度補償回ｖＩＳ１４は第１電圧光生回路１
６と可変容量ダイオード１７から形成したが、例えばサ
ーミスタ、コンデンサ、抵抗の直・並列回路からなる所
０７直接補償法により構成して第１補償湿度特性を＃り
なものでも本発明は適用する。

また、本発明では付随的に次の効果を生ずる。

すなわち、水晶振動子３の温度特性は理論上では常温２
５℃近防に変曲点をもつ三次曲線となるが、現実的には
理論上の温度特性を目標として設計しても副振動や微少
の切断角度差等の僅かな影響によりその温度特性に歪み
を来す。そして、このようなもの中には、温度補償発振
器用の水晶振動子としては温度特性を補償しきれず使用
できないものがある。しかｌ／　、本発明を適用すれば
、理論値から多少逸脱した温度特性のものでも、温度特
性を部分的に補償して充分に利用でき、メーカとして経
済的に非常に有利にする効果を奏する。

（発明の効果） 本発明は、第１温度補償回路により発振回路の温度特性
を吏用温度範囲にわたって？Ｉｎ償し、第１温度補償回
路により補償された補償温度特性のうち規格外となる部
分の特定温度領域を第２温度補償回路より更に？ｌ（Ｉ
償したので、第１温度補償回路を従来のように交換する
ことな（補償温度特性を規格内に満足して生産性を向−
ヒする温度補償発振器を提供でき、産業上の価値は極め
゛て高い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例を説明する温度補償光振器
のブロック図である。第２図は第１実施例における特性
図で、同図へは温度電圧特性図、同図Ｒ１，を湿度容量
特性図、同図Ｃは温度周波数特性図である。第３図は第
１実施例における電圧発生回路図である。 第４図は本発明の第２実施例を説明する温度補償光振器
のブロック図である。第５図は第２実廁例における特性
図で、同図Ａは温度電圧特性図、同図Ｂは湿度容量特性
図、同図Ｃは温度周波数特性図である。第６図は第２ｙ
ＳＭＪｉ例における電圧発生回路図である。 第７図は本発明の第３実施例を説明する温度補償発振器
のブロック図である。 第８図は従来例を説明する温度補償発振器のブロック図
である。第９図は温度？ｌ！］償発振器の温度特性図で
ある。 第１０図は第９図の温度特性を拡大しＲ２図で、曲線（
ニ）は従来例、曲線（チ）上記実施例によるものである
。 １１１３発振回路、２．１４．１５．２１・・・温度補
償回路、３．１０・・・水晶振動子、４・・・発振回路
部、５、Ｔｒｌ、Ｔ　ｒ　＠−発振用トランジスタ、６
．１６．１８．２２・・・電圧発生回路、７．１７．１
９．２３・・・可変容量ダイオード、８、ｒｔ’ｒ、−
ＲＴ４・・・サーミスタ、９、Ｒ１−Ｒ，。・・・抵抗
、１１・・・水晶片１．１２．１３．２４・・・電極対
、２０・・・コンデンサ。 第１Ｉ！！ 第３閃 雲６＝ （＋） （＋） 第２１！ＩＡ 第７図 第！５ＣＩＡ ３６一

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 水晶片に複数の電極対を形成して多電極構造の水晶振動
   子とし、前記電極対の一つに規格内温度領域の周波数温
   度特性を補償する第１温度補償回路の接続した発振回路
   部を設け、他の電極対に前記主温度補償回路による補償
   周波数温度特性のうち特定温度領域を更に補償する第２
   温度補償回路を設けて構成したことを特徴とする温度補
   償水晶発振器。