JPH0296407A - Temperature compensation crystal oscillator - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To easily satisfy a temperature compensation characteristic by compensating the temperature characteristic of an oscillating circuit over the working temperature range by a first temperature compensating circuit and further compensating a special temperature are by a second temperature compensating circuit. CONSTITUTION:A crystal oscillator 10 is provided with electrode pairs 12 and 13 at the crystal piece of an AT cut, an oscillating circuit part 4 and a first temperature compensating circuit 14 are connected to an electrode pair 12 and a second temperature compensating circuit 15 is connected to an electrode pair 13. In the temperature compensating oscillator of such a constitution, the temperature characteristic of the circuit 4 is compensated at a standard temperature range by the circuit 14. For example, in the temperature range -30 to 70 deg.C, only near -20 deg.C and -60 deg.C, + or -1ppm is exceeded, and other part is within 1ppm and such a compensation temperature characteristic is obtained. Consequently, by the circuit 15, -20 deg.C part to slip off to a + side from a standard out of a first compensation characteristic is further compensated and is within + or -1ppm. Thus, without changing the circuit 14, the compensation temperature characteristic can be satisfied in the standard.

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明；、ｔ′温度補償水晶発振器（以下、温度補償回
路恭とする）を利用分野とし、特に水晶振動子を多電極
構造として水晶発振器の周波数温度特性（以下、温度特
性とする）を二重に補償した温度補償発振器に関する。Detailed Description of the Invention (Industrial Field of Application) The field of the present invention is a temperature-compensated crystal oscillator (hereinafter referred to as a "temperature-compensated circuit"). The present invention relates to a temperature-compensated oscillator that double compensates for the frequency-temperature characteristics (hereinafter referred to as temperature characteristics) of .

（発明の背景） 温度補償発振器は、特に水晶振動子に起因した温度特性
による周波数変化を補償するものとして広く普及してい
る。近年では、年々厳しくなる通信事情等によ＃）温度
に対１７て更に高安定な温度補償光振器が望まれている
。(Background of the Invention) Temperature-compensated oscillators are widely used to compensate for frequency changes due to temperature characteristics, particularly those caused by crystal resonators. In recent years, due to communications conditions that are becoming more severe year by year, there has been a demand for temperature-compensated optical oscillators that are even more stable with respect to temperature.

（従来技術） 第８図はこの種の一従来例を説明する温度補償発振器の
ブ四ツク図である。(Prior Art) FIG. 8 is a block diagram of a temperature compensated oscillator illustrating a conventional example of this type.

温度補償発振器は発振回路１と温度補償回路２とからな
る。発振回路１は水晶振動子３を発振子とし、その一端
側を例えば回路部４の発振用トラレジ３夕５に接続する
。そして、図示しないコンデンサ等の他の回路素子と相
俟って例えばコルピッツ型の回路ｍを形成する。水晶振
動子３は切断角度を例えばＡＴカットとじた厚みすべり
振動姿態とする。なお、図中のｖａ。はＴ１源、ｖｏは
出力である。このような発振回路１では、第９図の曲線
（イ）に示したような温度特性になる。すなわち、水晶
振動子３を主因とした常温２５℃近傍に変曲点をもった
三次曲線となる。The temperature compensated oscillator consists of an oscillation circuit 1 and a temperature compensation circuit 2. The oscillation circuit 1 uses a crystal resonator 3 as an oscillator, and one end thereof is connected to, for example, an oscillation register 3 or 5 of the circuit section 4. In combination with other circuit elements such as a capacitor (not shown), a Colpitts type circuit m is formed, for example. The crystal resonator 3 has a thickness-shear vibration state with a cutting angle of, for example, an AT cut. In addition, va in the figure. is the T1 source and vo is the output. Such an oscillation circuit 1 has a temperature characteristic as shown by the curve (a) in FIG. 9. In other words, it becomes a cubic curve with an inflection point near the room temperature of 25° C. mainly caused by the crystal resonator 3.

温度補償回路２は補償電圧発生回路６（以下、電圧発生
回路６とする）と電圧可変容量素子７とからなる。電圧
発生回路６は電源Ｖ６゜とアース電位間に接続した！！
！温素子（例えばサーミスタ８）及び抵抗９の図示しな
い直・並列回路網からなる。The temperature compensation circuit 2 includes a compensation voltage generation circuit 6 (hereinafter referred to as voltage generation circuit 6) and a voltage variable capacitance element 7. The voltage generating circuit 6 is connected between the power supply V6° and the ground potential! !
! It consists of a series/parallel network (not shown) of a thermal element (for example, a thermistor 8) and a resistor 9.

そして、サーミスタ８の抵抗値により、周囲温度に応答
した補償電圧ｖ、１を出力端ｎに得る。？ｌｒｌ償電圧
ｖ虐電は、発振回路１の温度特性とは逆の三次曲線とな
る周波数電圧特性に設定される「前第９図の曲線（ロ）
」。電圧可変容量素子７は例えば電圧可変容量ダイオー
ド（以下、可変容量ダイオードとする）とし、カソード
側を電圧発生回路日の出力＠ｎに、アノード側をアース
電位に接地する。そして、電圧発生回路６と可変ダイオ
ード７の接続点を水晶振動子３の一端側に接続する。し
ｉこがって、このようなものでは、周囲温度に応答した
？ＩＱ償電圧■、□に基づいて可変容量ダイオード７の
容量値を変化させ、発振回路１の乙晶度特性を７１０償
して規格を満足する補償温度特性を得ることがでさる「
前第９図の曲線（ハ）」。Then, depending on the resistance value of the thermistor 8, a compensation voltage v,1 responsive to the ambient temperature is obtained at the output terminal n. ? The lrl compensation voltage v is set to the frequency-voltage characteristic that is a cubic curve opposite to the temperature characteristic of the oscillation circuit 1.
”. The voltage variable capacitance element 7 is, for example, a voltage variable capacitance diode (hereinafter referred to as a variable capacitance diode), and its cathode side is grounded to the output @n of the voltage generating circuit, and its anode side is grounded to the earth potential. Then, the connection point between the voltage generation circuit 6 and the variable diode 7 is connected to one end of the crystal resonator 3. Shit, something like this responded to ambient temperature? It is possible to change the capacitance value of the variable capacitance diode 7 based on the IQ compensation voltages ■ and □, compensate for the O crystallinity characteristic of the oscillation circuit 1 by 710 degrees, and obtain a compensation temperature characteristic that satisfies the standard.
Curve (c) in Figure 9 above.

（従来技術の問題点） しかしながら、上記構成の温度補償発振器では理論上避
けることのできない次のような問題があった。(Problems with the Prior Art) However, the temperature compensated oscillator having the above configuration has the following problems that cannot be avoided theoretically.

すなわち、上記補償温度特性を拡大した第１０図の０印
を結ぶ曲線（ニ）から明らかなように、規格を例えば温
度範囲ΔＴ、が一３０〜７０℃で周波数許容偏差（以下
、許容偏差とする）Δｆ／ｒが＋２ｐｐｍとすれば、こ
の補償温度特性は同規格を満足する。しかし、規格を同
温度範囲ΔＴ、で許容偏差±ｌｐｐｍとした場合には、
点線枠で示す一２０℃及び６０℃の部分で同規格外とな
る。That is, as is clear from the curve (d) connecting the 0 marks in Fig. 10, which is an enlarged view of the above-mentioned compensation temperature characteristics, the standard is set to, for example, the frequency tolerance (hereinafter referred to as tolerance) in the temperature range ΔT of 130 to 70°C. ) If Δf/r is +2 ppm, this compensation temperature characteristic satisfies the same standard. However, if the standard is the same temperature range ΔT and the tolerance ±lppm,
The temperature is outside the standard at -20°C and 60°C, which are indicated by the dotted line frame.

従来、このような場合には、その補償温度特性に基づき
、各抵抗９の値を百計算により修正する。Conventionally, in such a case, the value of each resistor 9 is corrected by a hundred calculations based on the compensation temperature characteristics.

そして、これにより電圧発生器′Ｉ８６を新たに製作し
て交換し、許容偏差±ｉｐｐｍの規格を満足させていた
。しかし、一般には、抵抗のその値は良い物でも１〜２
％の誤差を持つ。また、サーミスタに関しても、厳密に
は各温度におけろ抵抗値の誤差やＢ定数も変化する。し
たがって、各Ｉバ抗９の値を修正したとしても理論計算
による補ＩＩＦｔ温度特性とは±０．５ｐｐｍ程度の誤
差を生ずる。このようなことから、従来の潤度？ｍ償発
振器では電圧発生回路６を再製作したとしても許容偏差
を±１ｐｐＩｎ以下にすることは、各素子の精度上の問
題から理論的Ｃζ困デ「と２ノでいた。そして、許容側
差Δ「／「を士ｌｐｐｍ以下とする場合２とは、非常に
歩留りを悪くして生産性を低下するＩｊ３１題があった
。（発明の目的） 本発明は？Ｉ１１償温度特性を規格内に満足して生産性
を向上する温度？ｌ（Ｉ併発振器を提供することを目的
とする。As a result, the voltage generator 'I86 was newly manufactured and replaced, and the standard of tolerance ±ippm was satisfied. However, in general, the value of the resistor is 1 to 2 even if it is good.
% error. Furthermore, regarding the thermistor, strictly speaking, the error in resistance value and the B constant also change at each temperature. Therefore, even if the value of each I resistance 9 is corrected, there will be an error of about ±0.5 ppm from the theoretically calculated complementary IIFt temperature characteristic. Because of this, is the conventional moisture? In the m-compensated oscillator, even if the voltage generation circuit 6 was remanufactured, it would be theoretically difficult to reduce the tolerance to ±1 ppIn or less due to the accuracy problems of each element. In case 2, when Δ'/' is set to less than 1ppm, there is a problem of Ij31 which greatly deteriorates the yield and reduces productivity. (Objective of the invention) What is the present invention? It is an object of the present invention to provide a temperature ?l(I) oscillator that satisfies and improves productivity.

（解決手段） 本発明は、水晶片に複数のＴｉ極対を形成して多Ｔｉ極
構造の水晶振動子とし、前記電極対の一つに規格内温度
領域の温度特性を？Ｉ１１償する第１温度補償同諮を備
えた発振回路部を設け、他の電極対に前記第１渇度？ｌ
ｔＩ償回路による補償温度特性のうち特定温度領域を更
２ζ？ｌｌ１ｌ償する第２温度ガｎ償部を設けて発振回
路の温度特性を二重に補償したことを解決手段とする。(Solution Means) In the present invention, a plurality of Ti pole pairs are formed on a crystal piece to obtain a crystal resonator with a multi-Ti pole structure, and one of the electrode pairs has temperature characteristics within the standard temperature range. An oscillation circuit section having a first temperature compensation circuit for compensating for I11 is provided, and the other electrode pair is provided with the first temperature compensation coefficient ? l
Is the specific temperature region of the compensation temperature characteristics by the tI compensation circuit further increased by 2ζ? The solution is to double compensate the temperature characteristics of the oscillation circuit by providing a second temperature compensation section that compensates for the temperature characteristics of the oscillation circuit.

（発明の作用） 本発明は、第１澗度補償回路により得られる補償温度特
性のうち特定温度領域を第２温度補償回路１ζより補償
したので、第１温度補償部の回路素子を交換する必要が
ない。また、第１温度補償回路とｆ５２温度補償回路と
は異なる電極対に接続するので、第１主温度？ＩＹｌ償
回路と第２温度補償回路あるいは第２温度補償回路同志
の相互干渉を少なく１７てそれぞれ独立的に機能させる
作用がある。(Function of the Invention) In the present invention, a specific temperature region of the compensation temperature characteristics obtained by the first degree compensation circuit is compensated by the second temperature compensation circuit 1ζ, so it is not necessary to replace the circuit elements of the first temperature compensation section. There is no. Also, since the first temperature compensation circuit and the f52 temperature compensation circuit are connected to different electrode pairs, the first main temperature? This has the effect of minimizing mutual interference between the IY1 compensation circuit and the second temperature compensation circuit or between the second temperature compensation circuits and allowing them to function independently.

（ｍｊＪｉｉ例） 第１図は本発明の一実施例を説明する温度補償発振器の
ブロック図である。なお、前実施例図と同一部分には同
番号を付与してその説明を簡略する。そして、本実施例
では、前従来例の補償温度特性のうち規格から＋側に外
れた部分の特定温度領域を更に？Ｉｎ償する場合を説明
する。(mjJii example) FIG. 1 is a block diagram of a temperature compensated oscillator illustrating an embodiment of the present invention. Note that the same parts as in the previous embodiment drawings are given the same numbers to simplify the explanation thereof. In this embodiment, the specific temperature range of the portion of the compensation temperature characteristic of the previous conventional example that deviates from the standard to the + side is further expanded. A case of indemnification will be explained.

温度補償発振器は多電極型の水晶振動子１０を利用する
。水晶振動子１０１；ｔＡＴカットの水晶片１１に二組
のＴｈ極対１２．１３を設けてなる。第１Ｍ極対１２に
は前述した発振回路部４と第１温度補償回路１４とを接
続する。第２電極対１３には第２温度補償回路１５を接
続する。The temperature compensated oscillator uses a multi-electrode type crystal resonator 10. Crystal resonator 101: Two sets of Th pole pairs 12 and 13 are provided on a tAT cut crystal piece 11. The oscillation circuit section 4 and the first temperature compensation circuit 14 described above are connected to the first M pole pair 12 . A second temperature compensation circuit 15 is connected to the second electrode pair 13 .

第１温度？ｌＹｌ償回路１４は従来の温度ｈｎ償回路（
前第８図の２）に相当１７、第１電圧発生回路１６（同
図の６に相当）と第１可変容爪ダイオード１７（同図の
７に相当）とからなる。そして、規格内の周囲温度に応
答した第１補償電圧ｖ、１を出力端ｎに得る。First temperature? The lYl compensation circuit 14 is a conventional temperature hn compensation circuit (
It consists of a first voltage generating circuit 16 (corresponding to 6 in the same figure) and a first variable capacitance diode 17 (corresponding to 7 in the same figure). Then, the first compensation voltage v,1 responsive to the ambient temperature within the standard is obtained at the output terminal n.

第２温度補償回路】５は第２電圧発生回路１８と第２可
変容量ダイオード１９とからなる。第２電圧発生回路１
８は一端を第１電圧発生回路１６と共用する電源ｖ０゜
側、他端をアース電位とする。[Second temperature compensation circuit] 5 consists of a second voltage generation circuit 18 and a second variable capacitance diode 19. Second voltage generation circuit 1
8 has one end at the power supply v0° side shared with the first voltage generating circuit 16, and the other end at ground potential.

そして、出力端すには規格内温度に応答した第２補ｆｆ
Ｔ電圧ｖ、、を得るように形成される。第２？ｌｒ！償
電圧■、は、第２図への温度電圧特性図「曲線（ホ）」
に示したように、規格内温度の特定温度領域ΔＴ、外で
は略一定値の通常電圧Ｖ、とする。Then, at the output terminal, there is a second compensator ff that responds to the temperature within the specification.
It is formed to obtain a T voltage v, . Second? lr! The compensation voltage ■ is the temperature-voltage characteristic diagram "Curve (E)" in Figure 2.
As shown in FIG. 2, it is assumed that the specified temperature range ΔT is within the standard temperature, and the normal voltage V is approximately constant outside the specified temperature range ΔT.

特定温度領域ΔＴ、内では通常電圧ｖ１より低いレベル
の特定補償電圧（以下、特定電圧）■、とする。第２可
変容量ダイオード１９はカソード側を電圧発生回路１８
の出力端すに接続し、１ノード側をアース電位とする。Within the specific temperature range ΔT, a specific compensation voltage (hereinafter referred to as specific voltage) is set at a level lower than the normal voltage v1. The second variable capacitance diode 19 has a cathode connected to the voltage generation circuit 18.
Connect to the output terminal of the terminal, and set the 1st node side to ground potential.

このようなものでは、補償電圧Ｖ□による第２可変容量
ダイオード１９の容量変化が、対電極１２と１３の弾性
的結合により発振回路４に影響を及ぼしその発振周波数
を変化させる。なお、電極対１３とアース電位との間の
コンデンサ２０は周波数調整用である。　ｆＰ、３図は
第２電圧発生回路１８の具体的な一例である。In such a device, a change in the capacitance of the second variable capacitance diode 19 due to the compensation voltage V□ affects the oscillation circuit 4 due to the elastic coupling between the counter electrodes 12 and 13, changing its oscillation frequency. Note that the capacitor 20 between the electrode pair 13 and the ground potential is for frequency adjustment. fP, FIG. 3 is a specific example of the second voltage generation circuit 18.

この回路例では、電源Ｖ。（＋）をコレクタ側、アース
電位をエミッタ側とｉノでトランジスタＴｒｌ。In this circuit example, the power supply V. Transistor Trl with (+) on the collector side and the ground potential on the emitter side and i.

Ｔ　ｒ　ｚをシリーズに設ける。トランジスタＴｒ１の
コレクタ側には負荷抵抗Ｒ，を、Ｔ　ｒ　１のコレクタ
とＴ　ｒ　２のエミッタ間には抵抗Ｒ３とＲ１とを縦続
して設ける。そして、抵抗Ｒ２とＲ８との接続点を第２
補償電圧ｖ、２の出力端すとする。また、トランジスタ
Ｔ　ｒ　１のバイアス分割抵抗用としてサーミスタ１じ
１と抵抗Ｒ４を、Ｔｒｙの同抵抗用として抵抗Ｒ５とサ
ーミスタＲＴ２をそれぞれベース側（こ設ける。このよ
うな電圧発生回路１８では、！・ランジスタ１°ｒｌは
低温でＯＦＦ’、’ｉｇｉでＯＮとり、Ｔｒｙは低温で
ＯＮ、高温で（’）ＦＦとなる。T r z is provided in series. A load resistor R is provided on the collector side of the transistor Tr1, and resistors R3 and R1 are connected in series between the collector of Tr1 and the emitter of Tr2. Then, connect the connection point between resistors R2 and R8 to the second
Assume that the output terminal has a compensation voltage v,2. Further, a thermistor 1 and a resistor R4 are provided on the base side for the bias dividing resistance of the transistor T r 1, and a resistor R5 and the thermistor RT2 are provided on the base side for the same resistance of the transistor T r 1. In such a voltage generating circuit 18,!・The transistor 1°rl is OFF' at low temperature and ON at 'igi.Try is ON at low temperature and (') FF at high temperature.

！、たがって、特定温度領域ΔＴ２の下限温度Ｔ、はサ
ーミスタＴｔＴ、と抵抗Ｒ４との比によって、」二限澗
度Ｔ２はサーミスタｌｔＴ、と抵抗Ｒ１との比によって
決定する。また、特定温度領域Δ′ｒ、の周波数補正量
によって求められ４特定電圧Ｖ、は抵抗Ｒ２とＲ１の比
によって決定される。この場合には、特定温度領域ΔＴ
、の上下限温度Ｔ、、Ｔ、及び特定電圧Ｖ、を決定すれ
ば、抵抗ｎ、、ｒｔ、、Ｒ，は必然的（ご決定される。! Therefore, the lower limit temperature T of the specific temperature range ΔT2 is determined by the ratio of the thermistor TtT and the resistor R4, and the second limit temperature T2 is determined by the ratio of the thermistor ltT and the resistor R1. Further, the specific voltage V, determined by the frequency correction amount of the specific temperature region Δ'r, is determined by the ratio of the resistors R2 and R1. In this case, the specific temperature range ΔT
If the upper and lower temperature limits T, ,T, and the specific voltage V, of , are determined, the resistances n, rt, ,R, are inevitably (determined).

このような構成の温度補償発振器では、第１温度補償回
ｙ８１４により、発振＠路４の温度特性（三次曲線）を
規ｔ８温度範囲ΔＴ、にて補償する。In the temperature compensated oscillator having such a configuration, the first temperature compensation circuit y814 compensates the temperature characteristic (cubic curve) of the oscillation@path 4 within the specified temperature range ΔT.

そして、前述したような温度＠Ｕｎ−３０〜７０℃内に
おいて一２０℃及び６０℃近傍でのみ±１ｐｐＩｎを越
え、他の部分ではｌｐｐｍ以内とした周波数偏差の補償
温度特性（以下、第１補償温度特性）を１（＃る「前第
１０図曲線（ニ）」。Then, within the temperature range @Un-30 to 70°C as described above, the compensation temperature characteristic of the frequency deviation (hereinafter referred to as the first compensation Temperature characteristics) to 1 ("Previous Figure 10 curve (d)".

以下、第２温度？Ｉｎ償回路１５により、第１？１１１
償扁度特性のうち規格から＋側に外れた一２０℃部分を
更に補償して±ｌｐｐｍ以内にする場合を説明する。Below is the second temperature? By the In compensation circuit 15, the 1st?111
A case will be described in which the -20°C portion of the compensation characteristic that deviates from the standard on the + side is further compensated to be within ±1 ppm.

先ず、第１補償温度特性に基づき、特定温度領域ΔＴ！
の上下限温度Ｔ□、Ｔ、及び特定電圧■、を設定する。First, based on the first compensation temperature characteristic, a specific temperature range ΔT!
Set the upper and lower temperature limits T□, T, and specific voltage ■.

すなわち、第１補ｆｆ１度特性の一２０℃近傍周辺では
１．８ｐｐｍ＠最大として順次小さくなる凸状間ｊネと
する。これにより、−２０℃近傍での超過分が０．Ｆｌ
ｐｐｍであることから、周波数個差を±ｌｐｐｍ以内と
するために周波数の補正量を一１ｐｐｍとする。そして
、補正量−１ｐｐｍに相当する可変容量ダイオード１６
への特定電圧Ｖ、を設定する（前第２図Ａ参照）。なお
、特定電圧Ｖ、は一定に設定しても、実際にはＴｒ。That is, in the vicinity of -20° C. of the first compensation ff1 degree characteristic, the convex gap is set to 1.8 ppm@maximum and gradually decreases. As a result, the excess at around -20°C is reduced to 0. Fl
ppm, the frequency correction amount is set to -1 ppm in order to keep the individual frequency difference within ±1 ppm. Then, the variable capacitance diode 16 corresponding to the correction amount -1 ppm
(See FIG. 2A above). Note that even if the specific voltage V is set constant, it is actually Tr.

Ｔｒｙの動作特性上、上下限温度Ｔ８、Ｔ、８部では徐
々にその電圧レベルを小さくする。次に、特定温度領域
ΔＴ、は一２０℃近傍を略中心とし、その上限温度Ｔ８
を例えば周波数側差０である一５℃、下限温度Ｔｌを同
一３０℃とする。Due to the operating characteristics of Try, the voltage level is gradually reduced at the upper and lower temperature limits T8, T, and 8 parts. Next, the specific temperature range ΔT is approximately centered around -20°C, and its upper limit temperature T8
For example, it is assumed that the frequency side difference is -5°C, and the lower limit temperature Tl is the same 30°C.

とのような設定から、特定湿度領域ΔＴ２内では、特定
電圧ｖ８が第２可変容量ダイオード１９に印加される。Based on the settings, a specific voltage v8 is applied to the second variable capacitance diode 19 within the specific humidity region ΔT2.

そして、第２可変容景ダイオードのＣ１からＣ，に上昇
する変化分ΔＣ１［第２図Ｈの曲線（へ）」は、対Ｗｉ
ｔ！１ｌｉ１２と１３との弾性的結合により、発振回路
４の発振周波数をΔ１１の変化量をもってｆｌからｆ、
に低下させる「第２図Ｃの曲１５１（＋−）Ｊ。すなわ
ち、−２０℃近傍では周波数幅差を一１ｐｐｍ変化させ
、１．８ｐｐｍから０．８ｐｐｍにする。そして、−２
０℃近めでの変化率を最大（−１ｐｐｍ）とし、その周
辺では実際上の印加電圧に応じて徐々に小さくする。Then, the amount of change ΔC1 [the curve (to) in FIG.
T! Due to the elastic coupling between 1li12 and 13, the oscillation frequency of the oscillation circuit 4 changes from fl to f with a change amount of Δ11.
"Track 151(+-)J in Figure 2 C. That is, in the vicinity of -20°C, the frequency width difference is changed by -1 ppm, from 1.8 ppm to 0.8 ppm. Then, -2
The rate of change is set at a maximum (-1 ppm) near 0° C., and is gradually decreased around that point in accordance with the actual applied voltage.

その結果、特定温度領域ΔＴ、内では一２０℃近傍を中
心として緩やかな１ｐｐｆｆＩ以内の略凸状曲線となる
「＠第１０図の三角印で結ぶ曲線（チ）のうちり部分」
。As a result, within the specific temperature range ΔT, a roughly convex curve within 1 ppffI is formed with a center around -20°C.
.

なお、特定湿度領域ΔＴ、外では、第２可変容屋ダイオ
ード１９に通常電圧ｖ８が印加されるので、第１補償温
度特性に変化を来す。したがって、コンデンサ２０をＦ
Ｉ塾して例えばｍｉ？２２５℃における発振周波数を第
１湿度補償部１１のみ付加しｔこときと同一の発振周波
数に戻す必要がある。Note that outside the specific humidity range ΔT, the normal voltage v8 is applied to the second variable temperature diode 19, so that the first compensation temperature characteristic changes. Therefore, the capacitor 20 is
For example, mi? It is necessary to return the oscillation frequency at 225° C. to the same oscillation frequency by adding only the first humidity compensator 11.

以上から、この湿度補償発振蕎では、第１補償温度特性
のうちｔＪｌ格から＋側に外れた一２０℃部分を、第２
湿度補償部１１により更に選択的に補償１．てｌｐｐｍ
以内にする。したがって、規格を例えば湿度範囲一３０
〜５０℃内にて周波数偏差＋ｉ　ｐ　ｐ　ｍ以内とした
場合には、同規堵を満足する。そして、従来のように第
１８１度補償回路１４を再製作１７て交換する必要もな
いので、歩留を良好として生産性を向上する。また、第
１と第２の温度補償回路１４と１５とは異なる電極対１
２．１３に接続して弾性的に結合するのみで、電気的に
は遮断されるので相互間の電気的影響を軽減して独立的
な補償特性を得ることができる。したがって、設計１７
やすい利点を持つ。From the above, in this humidity-compensated oscillator, the -20°C portion of the first compensation temperature characteristic that deviates from the tJl rating to the + side is
The humidity compensator 11 further selectively compensates 1. te lppm
within. Therefore, if the standard is, for example, humidity range - 30
If the frequency deviation is within +i p p m at a temperature of ~50° C., the uniformity is satisfied. Further, unlike the conventional method, there is no need to remanufacture 17 and replace the 181st degree compensation circuit 14, thereby improving yield and improving productivity. Further, the first and second temperature compensation circuits 14 and 15 are different from each other in the electrode pair 1.
2.13 and are coupled elastically, they are electrically cut off, so that mutual electrical influence can be reduced and independent compensation characteristics can be obtained. Therefore, design 17
It has the advantage of being easy to use.

（他の実施例） 第４図は本発明の他の実施例図を示す温度？ｌｎ＊ｌｎ
型のブロック図である。なお、前実施例と同一部分には
同番号を付与してその説明は省略する。(Other Embodiments) FIG. 4 shows another embodiment of the present invention. ln*ln
FIG. 3 is a block diagram of the mold. Note that the same parts as in the previous embodiment are given the same numbers and their explanations will be omitted.

乙の実施例は、前実施例がＭ１？ｌ１１償渇度特性の１
−側に越えた部分の周波数偏差を第２温度補償回路１５
により補償したのに対し、−側に越えた部分を第２温度
補償回ｉ１５に換えた第３温度補償回路２１により補償
する場合を説明するものである。In the embodiment of B, is the previous embodiment M1? l11 Compensation degree characteristic 1
The second temperature compensation circuit 15 compensates for the frequency deviation in the part that exceeds the - side.
The following describes a case where the third temperature compensation circuit 21 replaces the second temperature compensation circuit i15 with compensation for the portion exceeding the negative side.

本実施例では、水晶振動子１０（水晶片１１）の一方の
電極対１２に前述ｎ様の光Ｍ回路部４と第１温度補償回
路１６を接続する。そして、規格内の温度範囲ΔＴ、に
わたって発振回路１の温度特性を補償（７、第１補償湿
度特性を１する「前第１０図の曲線（ニ）参照」。In this embodiment, the aforementioned n-type optical M circuit section 4 and the first temperature compensation circuit 16 are connected to one electrode pair 12 of the crystal resonator 10 (crystal blank 11). Then, the temperature characteristics of the oscillation circuit 1 are compensated over the temperature range ΔT within the standard (7. See the curve (d) in FIG. 10 above, where the first compensation humidity characteristic is set to 1).

第３温度補償回路２１は他方の電極対１３に接続し、第
３Ｔｉ圧発生回路２２とその出力端Ｃに接続１７た可変
容星ダイオード２３とからなる。第３電圧発生回路２２
は一端を第１ＴＩ圧発生回路１６と共用する電ｇｉｖ、
、側、他端をアース電位とする。The third temperature compensation circuit 21 is connected to the other electrode pair 13 and includes a third Ti pressure generation circuit 22 and a variable capacity star diode 23 connected 17 to its output terminal C. Third voltage generation circuit 22
is a voltage giv whose one end is shared with the first TI pressure generation circuit 16;
, and the other end is at ground potential.

そして、出力端Ｃに規格内温度に応答しｔこ第３補償電
圧Ｖ、を得るように形成される。この場合、第３前ｆｆ
′ｔｒｉ圧ｖ、３は、第５図への温度電圧特性図「曲線
（す）」に示したように特定温度領域ΔＴ、外では一定
値の通常電圧Ｖ、とする。特定温度領域ΔＴ、内では通
常電圧より高いレベルの特定電圧ｖ４とする。The third compensation voltage V is formed at the output terminal C in response to the temperature within the specification. In this case, the third front ff
The 'tri pressure v, 3 is assumed to be the normal voltage V, which is constant outside the specific temperature range ΔT, as shown in the temperature-voltage characteristic diagram ``curve'' in FIG. Within the specific temperature range ΔT, the specific voltage v4 is set at a higher level than the normal voltage.

第６図は第３Ｔｉ圧発生回路２２の具体的な一例である
。この？ｌ（ｌ償回路例は、電源Ｖａ。（＋）をコレク
タ側、アース電位をエミッタ側としたトランジスタ゛ｒ
ｒ３．Ｔｒ４をパラレルに設ける。トランジスタＴｒ３
（Ｔｒ４）のコレクタ側には負荷抵抗Ｒ＠を、Ｔｒ３の
コレクタとエミッタ　（アース電位）間には抵抗Ｒ７と
Ｒ１とを縦続して設ける。そして、抵抗Ｒ１とＲ，との
接続点を補償電圧Ｖ、の出力端Ｃとする。また、トラン
ジスタＴ　ｒ　、のバイアス分割１１（杭用としてサー
ミスタＲＴ　２とｆｉｔ抗Ｒ０を、Ｔ　ｒ　４の同抵抗
用として抵抗Ｒ１，とサーミスタＲ１゛４とをそれぞれ
ベース側に設ける。このような電圧発生回路２２では、
トランジスタＴｒ３は低温でＯＦＦ、高温でＯＮとし、
Ｔｒ４は低温でＯＮ、高温でＯＦＦとする。したがって
、特定温度ｍ域ΔＴ３の下限潤度Ｔ３はサーミスタＲＴ
、と抵抗ａＳＳとの比によって、下限温度Ｔ４はサーミ
スタＲＴ、と抵抗Ｒ・との比によって決定される。また
、特定温度領域ΔＴ、の°周波数補正量で求められる特
定電圧ｖ４は抵抗Ｒ，とＲ，の比によって決定される。FIG. 6 shows a specific example of the third Ti pressure generation circuit 22. this? l(l) An example of a compensation circuit is a transistor with the power supply Va. (+) on the collector side and the earth potential on the emitter side.
r3. Tr4 is provided in parallel. Transistor Tr3
A load resistor R@ is provided on the collector side of (Tr4), and resistors R7 and R1 are connected in series between the collector and emitter (ground potential) of Tr3. The connection point between the resistors R1 and R is the output terminal C of the compensation voltage V. In addition, the bias division 11 of the transistor T r (a thermistor RT 2 and a fit resistor R0 are provided for the pile, and a resistor R1 and thermistor R1-4 are provided for the same resistance of the transistor T r 4 on the base side. In the voltage generation circuit 22,
Transistor Tr3 is turned off at low temperature and turned on at high temperature,
Tr4 is turned on at low temperature and turned off at high temperature. Therefore, the lower limit humidity T3 of the specific temperature m range ΔT3 is determined by the thermistor RT.
, and the resistance aSS, and the lower limit temperature T4 is determined by the ratio of the thermistor RT and the resistance R. Further, the specific voltage v4 obtained by the degree frequency correction amount of the specific temperature region ΔT is determined by the ratio of the resistors R and R.

この場合には、特定温度領域Δ′ｒ、の上下＠温度Ｔ１
、Ｔ４及び特定電圧ｖ４を決定すれば、抵抗Ｒ，、Ｒゆ
、Ｒ１゜は必然的に決定される。In this case, the upper and lower sides of the specific temperature range Δ′r @temperature T1
, T4 and the specific voltage v4, the resistances R, , R, and R1° are inevitably determined.

以下、第３温度補償回路２１により、第１補償温度特性
のうち規格から一側に外れた６０℃部分を更に補償して
±ｌｐｐｍ以内にする場合を説明する。Hereinafter, a case will be described in which the third temperature compensation circuit 21 further compensates for the 60° C. portion of the first compensation temperature characteristic that deviates from the standard to within ±lppm.

先ず、第１渇度補償特性ｒ前第１０図の曲線（ニ）」に
基づき、特定温度領域Δ′ｒ、の上下限温度゛ｒ１、Ｔ
４及び特定電圧■４を設定する。すなわち、ＧＯ℃近傍
周辺では−１，８ｐｐｍを最大として順次小さ（なる凹
状曲線とする。これにより、超過分が−０，８ｐｐｍで
あることから、６０℃近傍での周波数偏差を±ｌｐｐｍ
以内とするために補正量を１　ｐ　ｌ）　ｍとする。そ
して、補正量１ｐｐ＋ｎに相当する第３可変容量ダイオ
ード２３への特定電圧ｖ４を設定する（前第５図Ａ）。First, based on the curve (d) in FIG. 10 before the first thirst compensation characteristic r, the upper and lower limit temperatures ゛r1,T of the specific temperature range Δ'r are determined.
4 and specific voltage ■4. In other words, it is a concave curve with a maximum value of -1.8 ppm around GO℃, which gradually decreases.As a result, since the excess is -0.8ppm, the frequency deviation near 60℃ is ±lppm.
In order to keep it within the range, the correction amount is set to 1 p l) m. Then, a specific voltage v4 to the third variable capacitance diode 23 corresponding to a correction amount of 1 pp+n is set (see FIG. 5A).

次に、特定湿度領域を６０℃近傍な略中心とし、その上
限湿度Ｔ４を例えば周波数偏差−０，５ｐｐｍである７
０℃、下限温度Ｔ、を同一５０℃とする。Next, set the specific humidity region approximately at the center near 60°C, and set the upper limit humidity T4 to 7, which is, for example, a frequency deviation of -0.5 ppm.
0°C and lower limit temperature T are the same 50°C.

このような設定から、特定温度領域ΔＴ、内では、特定
電圧ｖ４が第３可変容量ダイオード２３に印加される。Based on such settings, a specific voltage v4 is applied to the third variable capacitance diode 23 within the specific temperature range ΔT.

そして、第３可変容量ダイオード２３のＣ８からＣ４に
低下する変化分ΔＣ２「第５図Ｂの曲線（ス）」は、対
電極１２と１３との弾性的結合により発振回路１の発振
周波数「、をΔ「鵞の変化量をもってｆ４に上昇させる
「第５図Ｃの曲線（ル）」。すなわち、−６０℃近傍で
は周波数偏差をｉｐｐｍ変化させ、　１．８ｐｐｍから
−０，８ｐｐｍにする。そして、−６０℃近傍での変化
率を最大（ＩＩＩＰＩｌｌ）としてその周辺では実際上
の印加電圧に応じて徐々に小さ（する。The change ΔC2 of the third variable capacitance diode 23 from C8 to C4 (curve (S) in FIG. ``Curve (L) in Figure 5'' that raises the value to f4 with a change amount of Δ. That is, in the vicinity of -60°C, the frequency deviation is changed by ippm, from 1.8 ppm to -0.8 ppm. Then, the rate of change near -60° C. is the maximum (IIIPIll), and around that point it gradually decreases (depending on the actual applied voltage).

その結果、特定温度領域ΔＴ、内では一６０℃近傍を中
心として緩やかな１ｐｐｍｍ内の略凹状曲線となる「前
第１０図の曲線（チ）の１７！ｉ分」。As a result, within the specific temperature range ΔT, the curve becomes a roughly concave curve within 1 ppmm centered around −60° C., which is “17!i minutes of the curve (h) in FIG. 10”.

なお、この場合においても、第３可変容量グイオード２
１に通常ｍ　ｒＥ　ｖ　ｚが印加されて第１　？Ｉ（ｌ
償温度特性に変化を来すので、コンデンサ２０を調整し
て第１温度補償部１４のみ付加したときと同一の発振周
波数（例えば常温時）にする必要がある。Note that also in this case, the third variable capacitance guide 2
Normally m rE v z is applied to the first ? I(l
Since the compensation temperature characteristics change, it is necessary to adjust the capacitor 20 to make the oscillation frequency the same as when only the first temperature compensator 14 is added (for example, at room temperature).

以上から、この実施例では、第１補償温度特性のうち規
格から一側に外れた６０℃部分でも、第３温度補償回路
２１７こより更に選択的に補償して±１　ｐ　ｐ　ｍ以
内にする。したがって、規格を例えば温度範囲一１０〜
７０℃内にて周波数偏差上ｌｐｐｍ以内とした場合には
、同規格を満足する。From the above, in this embodiment, even the 60° C. portion of the first compensation temperature characteristic that deviates from the standard is further selectively compensated for by the third temperature compensation circuit 217 to within ±1 ppm. Therefore, for example, the temperature range -10~
If the frequency deviation is within lppm at 70°C, the standard is satisfied.

そして、従来のように第１温度補償回路１１を再製作し
て交換する必要もないので、歩留を良好として生産性を
向上する。また、第１と第３の温度補償回ｒＩｌｐ１１
４と２１とは弾性的に結合するのみで、相互干渉を軽減
して独立的に第１補償湿度特性に作用するので、設計し
易い利点をもつ。Further, unlike the conventional method, there is no need to remanufacture and replace the first temperature compensation circuit 11, thereby improving yield and improving productivity. In addition, the first and third temperature compensation circuits rIlp11
4 and 21 are only elastically coupled, reduce mutual interference, and act independently on the first compensation humidity characteristic, so they have the advantage of being easy to design.

（他の事項） なお、上記実施例ては第１温度補償回路１４と第２澗度
補償回路１５又は第３補償回路２Ｌを使用してｆ５１補
（ｆｔ　２ｍ度特性の周波数偏差が＋側又は−側に外れ
た部分を補償する場合を説明したが、第３の実施例とし
て第７図に示したように構成し、第１温度補償特性の十
及び−側に外れた部分をともに？＋！ｌ償して例えば温
度範囲一３０〜７０℃にて周波数偏差±１ｐｐ＋ｒ＋以
内とする規格を満足するようにしてもよい。すなわち、
水晶片１１に３組の電極対１２．１３．２４を設け、電
極対１２には発振回路１と第１温度補償回路１４を、電
極対１３には第２温度補償回路１５を、電極対２４には
第３温度補償回路２１を接続すればよい。　また、本発
明は第１温度補償特性の形態には拘らず規格を越える部
分についてその補償を基本的に行え得ることは勿論で、
規格を越える部分が３箇所以上の場合には、水晶振動子
をその数に応じた多電極構造として第１、第２、・・・
、第ｎの温度補償回路を付加してその部分の補償をすれ
ばよい。この点、特許請求の範囲では第２温度補償部と
しかＩＵＪ記していないが、第３、第４、・・・、第ｎ
温度補償部を付加したものも本発明の技術範囲に含まれ
ることは明らかである。また、特定温度領域例えばΔＴ
３の上下限温度Ｔ８、ΔＴ、は周波数偏差Ｏｐｐｍｔと
なる、−３０℃及び５℃としたが「第１０図の曲線（ニ
）参照」、これに限らず例えば実際に１　ｐ　ｐ　ｒｎ
を越える部分を特定温度領域とし、この部分を補償して
±１ｐｐｎｎ以内とする特定電圧を設定してもよい。ま
た、第１及び第２実施例においても、通常電圧は所定レ
ベルの電圧値としたが、例えばこれを０レベルとして第
１補償温度特性への影響を防止するようにしたとしても
よい。(Other matters) In addition, in the above embodiment, the first temperature compensation circuit 14 and the second degree compensation circuit 15 or the third compensation circuit 2L are used to compensate for f51 (ft) when the frequency deviation of the 2m degree characteristic is on the + side or Although we have described the case of compensating for the part that deviates to the - side, the third embodiment is configured as shown in FIG. For example, the frequency deviation may be within ±1 pp+r+ in the temperature range -30 to 70° C.
Three pairs of electrodes 12, 13, and 24 are provided on the crystal piece 11, the oscillation circuit 1 and the first temperature compensation circuit 14 are connected to the electrode pair 12, the second temperature compensation circuit 15 is connected to the electrode pair 13, and the electrode pair 24 The third temperature compensation circuit 21 may be connected to the third temperature compensation circuit 21. Furthermore, it goes without saying that the present invention can basically compensate for the portion exceeding the standard regardless of the form of the first temperature compensation characteristic.
If there are three or more parts that exceed the standard, the crystal resonator should have a multi-electrode structure according to the number of parts, such as the first, second,...
, an n-th temperature compensation circuit may be added to compensate for that portion. In this regard, in the claims, only the second temperature compensator is described as IUJ, but the third, fourth, ..., nth
It is clear that the technical scope of the present invention also includes a device with a temperature compensation section added thereto. In addition, a specific temperature range, for example ΔT
The upper and lower limit temperatures T8 and ΔT of 3 are set to -30°C and 5°C, which are the frequency deviation Oppmt, but "see curve (d) in Fig. 10", but not limited to this, for example, actually 1 p p rn
It is also possible to set a specific temperature range where the temperature exceeds 1, and set a specific voltage within ±1 ppnn by compensating for this temperature range. Further, in the first and second embodiments, the normal voltage is set to a predetermined voltage level, but it may be set to 0 level, for example, to prevent the influence on the first compensation temperature characteristic.

また、上記従来例では水晶振動子の多電極構造の１漸配
置については格別言及しなかったが、発振回路と接続す
るＴｉ極対はその振動特性」二から水晶片の中央に形成
されることが望よしい。Furthermore, although the above conventional example does not specifically mention the gradual arrangement of the multi-electrode structure of the crystal resonator, the Ti pole pair connected to the oscillation circuit is formed at the center of the crystal piece due to its vibration characteristics. is desirable.

また、本発明の多電極構造とした温度補償発振器の基本
は、本出願人が特顆昭６３−１５１４２号、同６３−２
５０９３号にて開示するもので、必要（ζ応１シで参照
されたい。Furthermore, the basics of the temperature-compensated oscillator having a multi-electrode structure according to the present invention are disclosed in Tokuko No. 63-15142 and No. 63-2.
It is disclosed in No. 5093, and is necessary (please refer to ζReference 1).

また、第１温度補償回ｖＩＳ１４は第１電圧光生回路１
６と可変容量ダイオード１７から形成したが、例えばサ
ーミスタ、コンデンサ、抵抗の直・並列回路からなる所
０７直接補償法により構成して第１補償湿度特性を＃り
なものでも本発明は適用する。Further, the first temperature compensation circuit vIS14 is connected to the first voltage photogenerating circuit 1.
6 and a variable capacitance diode 17, for example, the present invention is also applicable to a device configured by the direct compensation method and having a different first compensation humidity characteristic, for example, a series/parallel circuit of a thermistor, a capacitor, and a resistor.

また、本発明では付随的に次の効果を生ずる。Further, the present invention additionally produces the following effects.

すなわち、水晶振動子３の温度特性は理論上では常温２
５℃近防に変曲点をもつ三次曲線となるが、現実的には
理論上の温度特性を目標として設計しても副振動や微少
の切断角度差等の僅かな影響によりその温度特性に歪み
を来す。そして、このようなもの中には、温度補償発振
器用の水晶振動子としては温度特性を補償しきれず使用
できないものがある。しかｌ／　、本発明を適用すれば
、理論値から多少逸脱した温度特性のものでも、温度特
性を部分的に補償して充分に利用でき、メーカとして経
済的に非常に有利にする効果を奏する。In other words, the temperature characteristics of the crystal resonator 3 are theoretically equal to room temperature 2.
It is a cubic curve with an inflection point around 5 degrees Celsius, but in reality, even when designing with the theoretical temperature characteristics as the target, slight effects such as secondary vibrations and slight differences in cutting angles may cause the temperature characteristics to change. causes distortion. Among these devices, there are some that cannot be used as crystal resonators for temperature-compensated oscillators because their temperature characteristics cannot be fully compensated for. However, if the present invention is applied, even if the temperature characteristics slightly deviate from the theoretical values, the temperature characteristics can be partially compensated for and fully utilized, resulting in an extremely advantageous economical effect for the manufacturer. .

（発明の効果） 本発明は、第１温度補償回路により発振回路の温度特性
を吏用温度範囲にわたって？Ｉｎ償し、第１温度補償回
路により補償された補償温度特性のうち規格外となる部
分の特定温度領域を第２温度補償回路より更に？ｌ（Ｉ
償したので、第１温度補償回路を従来のように交換する
ことな（補償温度特性を規格内に満足して生産性を向−
ヒする温度補償発振器を提供でき、産業上の価値は極め
゛て高い。(Effects of the Invention) According to the present invention, the temperature characteristics of the oscillation circuit can be adjusted over the temperature range by the first temperature compensation circuit. In compensation, the specific temperature range of the portion outside the standard among the compensated temperature characteristics compensated by the first temperature compensation circuit is further compensated for by the second temperature compensation circuit? l(I
Now that the first temperature compensation circuit has been compensated for, there is no need to replace it like in the past.
It is possible to provide a temperature-compensated oscillator with high performance, and its industrial value is extremely high.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の第１実施例を説明する温度補償光振器
のブロック図である。第２図は第１実施例における特性
図で、同図へは温度電圧特性図、同図Ｒ１，を湿度容量
特性図、同図Ｃは温度周波数特性図である。第３図は第
１実施例における電圧発生回路図である。 第４図は本発明の第２実施例を説明する温度補償光振器
のブロック図である。第５図は第２実廁例における特性
図で、同図Ａは温度電圧特性図、同図Ｂは湿度容量特性
図、同図Ｃは温度周波数特性図である。第６図は第２ｙ
ＳＭＪｉ例における電圧発生回路図である。 第７図は本発明の第３実施例を説明する温度補償発振器
のブロック図である。 第８図は従来例を説明する温度補償発振器のブロック図
である。第９図は温度？ｌ！］償発振器の温度特性図で
ある。 第１０図は第９図の温度特性を拡大しＲ２図で、曲線（
ニ）は従来例、曲線（チ）上記実施例によるものである
。 １１１３発振回路、２．１４．１５．２１・・・温度補
償回路、３．１０・・・水晶振動子、４・・・発振回路
部、５、Ｔｒｌ、Ｔ　ｒ　＠−発振用トランジスタ、６
．１６．１８．２２・・・電圧発生回路、７．１７．１
９．２３・・・可変容量ダイオード、８、ｒｔ’ｒ、−
ＲＴ４・・・サーミスタ、９、Ｒ１−Ｒ，。・・・抵抗
、１１・・・水晶片１．１２．１３．２４・・・電極対
、２０・・・コンデンサ。 第１Ｉ！！ 第３閃 雲６＝ （＋） （＋） 第２１！ＩＡ 第７図 第！５ＣＩＡ ３６一FIG. 1 is a block diagram of a temperature compensated optical oscillator illustrating a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a characteristic diagram of the first embodiment, where R1 is a temperature-voltage characteristic diagram, R1 is a humidity-capacity characteristic diagram, and C is a temperature-frequency characteristic diagram. FIG. 3 is a voltage generation circuit diagram in the first embodiment. FIG. 4 is a block diagram of a temperature compensated optical oscillator illustrating a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a characteristic diagram of the second practical example, in which A is a temperature-voltage characteristic diagram, B is a humidity-capacity characteristic diagram, and C is a temperature-frequency characteristic diagram. Figure 6 is 2y
FIG. 3 is a voltage generation circuit diagram in an example of SMJi. FIG. 7 is a block diagram of a temperature compensated oscillator illustrating a third embodiment of the present invention. FIG. 8 is a block diagram of a temperature compensated oscillator illustrating a conventional example. What is the temperature in Figure 9? l! ] FIG. 2 is a temperature characteristic diagram of a compensated oscillator. Figure 10 is an R2 diagram that expands the temperature characteristics of Figure 9, and shows the curve (
D) is the conventional example, and curve (H) is based on the above embodiment. 1113 Oscillation circuit, 2.14.15.21... Temperature compensation circuit, 3.10... Crystal resonator, 4... Oscillation circuit section, 5, Trl, Tr@-transistor for oscillation, 6
．． 16.18.22... Voltage generation circuit, 7.17.1
9.23...variable capacitance diode, 8, rt'r, -
RT4...Thermistor, 9, R1-R,. ...Resistor, 11...Crystal piece 1.12.13.24...Electrode pair, 20...Capacitor. 1st I! ! Third flash cloud 6 = (+) (+) 21st! IA Figure 7! 5CIA 36-1

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 水晶片に複数の電極対を形成して多電極構造の水晶振動
子とし、前記電極対の一つに規格内温度領域の周波数温
度特性を補償する第１温度補償回路の接続した発振回路
部を設け、他の電極対に前記主温度補償回路による補償
周波数温度特性のうち特定温度領域を更に補償する第２
温度補償回路を設けて構成したことを特徴とする温度補
償水晶発振器。A crystal resonator with a multi-electrode structure is obtained by forming a plurality of electrode pairs on a crystal piece, and an oscillation circuit section connected to one of the electrode pairs is connected to a first temperature compensation circuit for compensating the frequency temperature characteristics in the standard temperature range. A second electrode is provided on the other electrode pair to further compensate for a specific temperature region of the compensation frequency temperature characteristics by the main temperature compensation circuit.
A temperature-compensated crystal oscillator characterized in that it is configured with a temperature-compensated circuit.