JPH0291954A - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
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- JPH0291954A JPH0291954A JP24522588A JP24522588A JPH0291954A JP H0291954 A JPH0291954 A JP H0291954A JP 24522588 A JP24522588 A JP 24522588A JP 24522588 A JP24522588 A JP 24522588A JP H0291954 A JPH0291954 A JP H0291954A
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- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 40
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- IGRCWJPBLWGNPX-UHFFFAOYSA-N 3-(2-chlorophenyl)-n-(4-chlorophenyl)-n,5-dimethyl-1,2-oxazole-4-carboxamide Chemical compound C=1C=C(Cl)C=CC=1N(C)C(=O)C1=C(C)ON=C1C1=CC=CC=C1Cl IGRCWJPBLWGNPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電荷転送装置に関し、特に、その出力部の構
成に関する。
成に関する。
本発明の電荷転送装置は、第1及び第2のレジスタと、
フローティング・ディフュージョン型増幅器を構成する
出力部とを有し、上記第1及び第2のレジスタはそれら
の一端で合流し、この合流部に隣接して単一のフローテ
ィング・ディフュージョンが形成され、上記合流部にお
ける信号電荷の転送は合流前の上記第1及び第2のレジ
スタにおける信号電荷の転送用のクロックパルスの周波
数よりも高い周波数のクロックパルスにより行われ、上
記第1及び第・2のレジスタのそれぞれにより転送され
る信号電荷は上記フローティング・ディフュージョンに
交互に注入されるように構成されている。これによって
、出力後の信号処理を簡単にすることができるとともに
、高い感度を得ることができる。
フローティング・ディフュージョン型増幅器を構成する
出力部とを有し、上記第1及び第2のレジスタはそれら
の一端で合流し、この合流部に隣接して単一のフローテ
ィング・ディフュージョンが形成され、上記合流部にお
ける信号電荷の転送は合流前の上記第1及び第2のレジ
スタにおける信号電荷の転送用のクロックパルスの周波
数よりも高い周波数のクロックパルスにより行われ、上
記第1及び第・2のレジスタのそれぞれにより転送され
る信号電荷は上記フローティング・ディフュージョンに
交互に注入されるように構成されている。これによって
、出力後の信号処理を簡単にすることができるとともに
、高い感度を得ることができる。
電荷結合型ラインセンサー(以下、CCDラインセンサ
ーという)は電荷転送装置の一種である。
ーという)は電荷転送装置の一種である。
第3図は従来のCCDラインセンサーを示す、第3図に
示すように、このCCDラインセンサーにおいては、2
列のCCDレジスタ101.102の間に多数のセンサ
ーから成るセンサ一部103が形成されている。そして
、このセンサ一部103のうちの奇数ビットのセンサー
に発生する電荷は例えばCCDレジスタ101に、また
偶数ビットのセンサーに発生する電荷は例えばCCDレ
ジスタ102に矢印で示すように転送される。これらの
電荷は、CODレジスタIOL 102の転送電極1
04に印加される2相のクロックパルスφ鳳、φ冨によ
る駆動でこれらのCCDレジスタ101.102により
信号電荷として出力側にそれぞれ転送される。
示すように、このCCDラインセンサーにおいては、2
列のCCDレジスタ101.102の間に多数のセンサ
ーから成るセンサ一部103が形成されている。そして
、このセンサ一部103のうちの奇数ビットのセンサー
に発生する電荷は例えばCCDレジスタ101に、また
偶数ビットのセンサーに発生する電荷は例えばCCDレ
ジスタ102に矢印で示すように転送される。これらの
電荷は、CODレジスタIOL 102の転送電極1
04に印加される2相のクロックパルスφ鳳、φ冨によ
る駆動でこれらのCCDレジスタ101.102により
信号電荷として出力側にそれぞれ転送される。
上述のように2列のCCDレジスタ101.102が存
在する場合に信号電荷を電圧に変換する方法としては、
第4図に示すように、これらのCCDレジスタ101.
102の出力側の一端にそれぞれフローティング・ディ
フュージョン105.106を形成し、CCDレジスタ
101,102によりそれぞれ転送される信号電荷をこ
れらのフローティング・ディフュージョン105.10
6にそれぞれ注入して電圧変換する方法がある。また、
第5図に示すように、CCDレジスタ101.102の
出力側の一端部を折り曲げ、それらの間に単一のフロー
ティング・ディフュージョン107を形成し、これらの
CCDレジスタ101.102によりそれぞれ転送され
る信号電荷をこのフローティング・ディフュージョン1
07に注入して電圧変換する方法もある。
在する場合に信号電荷を電圧に変換する方法としては、
第4図に示すように、これらのCCDレジスタ101.
102の出力側の一端にそれぞれフローティング・ディ
フュージョン105.106を形成し、CCDレジスタ
101,102によりそれぞれ転送される信号電荷をこ
れらのフローティング・ディフュージョン105.10
6にそれぞれ注入して電圧変換する方法がある。また、
第5図に示すように、CCDレジスタ101.102の
出力側の一端部を折り曲げ、それらの間に単一のフロー
ティング・ディフュージョン107を形成し、これらの
CCDレジスタ101.102によりそれぞれ転送され
る信号電荷をこのフローティング・ディフュージョン1
07に注入して電圧変換する方法もある。
なお、電荷転送装置の出力部の構成に関する先行技術文
献として特開昭61−180475号公報が挙げられる
。
献として特開昭61−180475号公報が挙げられる
。
上述の第4図に示す例においては、フローティング・デ
ィフュージョン105.106間でカップリング容量等
の容量が異なってしまうのを避けることが難しいため、
結果的にセンサ一部103の奇数ビットと偶数ビットと
で出力電圧にDC段差が生じてしまう、このため、CC
Dレジスタ101.102からの出力後の信号処理によ
ってこのDC段差分だけ電圧のオフセットをかける必要
が生じ、出力後の信号処理が複雑になってしまう。
ィフュージョン105.106間でカップリング容量等
の容量が異なってしまうのを避けることが難しいため、
結果的にセンサ一部103の奇数ビットと偶数ビットと
で出力電圧にDC段差が生じてしまう、このため、CC
Dレジスタ101.102からの出力後の信号処理によ
ってこのDC段差分だけ電圧のオフセットをかける必要
が生じ、出力後の信号処理が複雑になってしまう。
一方、第5図に示す例の場合には、フローティング・デ
ィフュージョン107の周辺の容量が増加してしまうた
め、CCDラインセンサーの感度が悪くなアてしまう。
ィフュージョン107の周辺の容量が増加してしまうた
め、CCDラインセンサーの感度が悪くなアてしまう。
従って本発明の目的は、出力後の信号処理が簡単な電荷
転送装置を提供することにある。
転送装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、感度の高い電荷転送装置を提供す
ることにある。
ることにある。
上記課題を解決するため、本発明の電荷転送装置は、第
1及び第2のレジスタ(Rt 、Rz )と、フローテ
ィング・ディフュージョン型増幅器を構成する出力部と
を有し、第1及び第2のレジスタ(R1、Rt )はそ
れらの一端で合流し、この合流部(X)に隣接して単一
のフローティング・ディフュージョン(9)が形成され
、合流部(X)における信号電荷の転送は合流前の第1
及び第2のレジスタ(Rt 、Rz )における信号電
荷の転送用のクロックパルスの周波数よりも高い周波数
のクロックパルスにより行われ、第1及び第2のレジス
タ(Rt 、Rz )のそれぞれにより転送される信号
電荷はフローティング・ディフュージョン(9)に交互
に注入されるように構成されている。
1及び第2のレジスタ(Rt 、Rz )と、フローテ
ィング・ディフュージョン型増幅器を構成する出力部と
を有し、第1及び第2のレジスタ(R1、Rt )はそ
れらの一端で合流し、この合流部(X)に隣接して単一
のフローティング・ディフュージョン(9)が形成され
、合流部(X)における信号電荷の転送は合流前の第1
及び第2のレジスタ(Rt 、Rz )における信号電
荷の転送用のクロックパルスの周波数よりも高い周波数
のクロックパルスにより行われ、第1及び第2のレジス
タ(Rt 、Rz )のそれぞれにより転送される信号
電荷はフローティング・ディフュージョン(9)に交互
に注入されるように構成されている。
上記した手段によれば、第1及び第2のレジスタ(R,
、Rt )によりそれぞれ転送される信号電荷を単一の
フローティング・ディフュージョン(9)で電圧変換す
ることができるので、第4図に示した例の場合のように
出力後の信号処理によってDC段差分だけ電圧のオフセ
ットをかける必要がなくなる。これによって、出力後の
信号処理を簡単にすることができる。また、このフロー
ティング・ディフュージヨン(9)は第1及び第2のレ
ジスタ(R+ 、、R1)の合流部(X)に隣接して形
成されているので、第5図に示した例の場合のようにこ
のフローティング・ディフユージョン(9)の周辺の容
量が増加することもない、これによって、電荷転送装置
の感度を高くすることができる。
、Rt )によりそれぞれ転送される信号電荷を単一の
フローティング・ディフュージョン(9)で電圧変換す
ることができるので、第4図に示した例の場合のように
出力後の信号処理によってDC段差分だけ電圧のオフセ
ットをかける必要がなくなる。これによって、出力後の
信号処理を簡単にすることができる。また、このフロー
ティング・ディフュージヨン(9)は第1及び第2のレ
ジスタ(R+ 、、R1)の合流部(X)に隣接して形
成されているので、第5図に示した例の場合のようにこ
のフローティング・ディフユージョン(9)の周辺の容
量が増加することもない、これによって、電荷転送装置
の感度を高くすることができる。
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。この実施例は、CCDラインセンサーに本発明
を適用した実施例である。
明する。この実施例は、CCDラインセンサーに本発明
を適用した実施例である。
第1図Aは本発明の一実施例によるCCDラインセンサ
ーの要部の平面形状を示し、第1図Bは第1図へのB−
B線に沿っての拡大断面を示す。
ーの要部の平面形状を示し、第1図Bは第1図へのB−
B線に沿っての拡大断面を示す。
第1図A及び第1図Bに示すように、本実施例によるC
CDラインセンサーにおいては、例えばn型シリコン(
Si)基板のような半導体基板1中に形成されたpウェ
ル2中に例えばn型の半導体領域3.4が互いに平行に
形成されている。これらの半導体領域3.4の上には、
例えばSi0g膜のようなゲート絶縁膜5を介して多数
の転送電極6が形成されている。この転送電極6には2
相のクロックパルスφ1、φ8が印加される。そして、
例えば半導体領域3と転送電極6とによって後述のセン
サ一部Sの奇数ビット用のCCDレジスタ(水平レジス
タ)Rsが構成され、例えば半導体領域4と転送電極6
とによって偶数ビット用のCCDレジスタ(水平レジス
タ)R1が構成されている。
CDラインセンサーにおいては、例えばn型シリコン(
Si)基板のような半導体基板1中に形成されたpウェ
ル2中に例えばn型の半導体領域3.4が互いに平行に
形成されている。これらの半導体領域3.4の上には、
例えばSi0g膜のようなゲート絶縁膜5を介して多数
の転送電極6が形成されている。この転送電極6には2
相のクロックパルスφ1、φ8が印加される。そして、
例えば半導体領域3と転送電極6とによって後述のセン
サ一部Sの奇数ビット用のCCDレジスタ(水平レジス
タ)Rsが構成され、例えば半導体領域4と転送電極6
とによって偶数ビット用のCCDレジスタ(水平レジス
タ)R1が構成されている。
本実施例においては、上述の半導体領域3.4の出力側
の一端は折・り曲げられて合流している。
の一端は折・り曲げられて合流している。
この合流部Xの上には、ゲート絶縁膜5を介して転送電
極7が形成されている。この転送電極7には2相のクロ
ックパルスφ1、φ4が印加される。
極7が形成されている。この転送電極7には2相のクロ
ックパルスφ1、φ4が印加される。
符号8は出力ゲート電極を示し、上記合流部Xの先端部
の上に形成されている。この出力ゲート電極8にはDC
電圧が常時印加される。また、この合流部Xの先端には
、この合流部Xの先端に接して例えばn0型の単一のフ
ローティング・ディフュージヨン9が形成されている。
の上に形成されている。この出力ゲート電極8にはDC
電圧が常時印加される。また、この合流部Xの先端には
、この合流部Xの先端に接して例えばn0型の単一のフ
ローティング・ディフュージヨン9が形成されている。
このフローティング・ディフュージヨン9は、四角形の
形状を有している。また、このフローティング・ディフ
ュージヨン9は、出力増幅器を構成するMOS)ランジ
スタのゲート電極(図示せず)に接続されている。符号
10はプリチャージゲート電極を示す。
形状を有している。また、このフローティング・ディフ
ュージヨン9は、出力増幅器を構成するMOS)ランジ
スタのゲート電極(図示せず)に接続されている。符号
10はプリチャージゲート電極を示す。
この場合、このプリチャージゲート電極10とフローテ
ィング・ディフュージヨン9の一辺とは例えば45°の
角度をなしている。符号11は例えばn0型のプリチャ
ージドレイン領域を示す、このプリチャージドレイン領
域11は、フローティング・ディフェージッン9の一つ
の角部に対向して形成されている。なお、PCはプリチ
ャージゲート端子、PDはプリチャーシトレイン端子、
OGは出力ゲート端子を示す。
ィング・ディフュージヨン9の一辺とは例えば45°の
角度をなしている。符号11は例えばn0型のプリチャ
ージドレイン領域を示す、このプリチャージドレイン領
域11は、フローティング・ディフェージッン9の一つ
の角部に対向して形成されている。なお、PCはプリチ
ャージゲート端子、PDはプリチャーシトレイン端子、
OGは出力ゲート端子を示す。
一方、上述の2列のCODレジスタR+ 、RgO間に
はセンサ一部Sが形成されている。このセンサ一部Sに
は、例えばフォトダイオードのようなセンサーS!
(i禦1.2.3、−・・・・)がCCDラインセンサ
ーのビット数(画素数)に応じた数だけ形成されている
。符号12は、センサ一部Sへの光の入射によりこれら
のセンサーS!に発生した電荷をCCDレジスタR,、
R1に転送するための転送ゲートを示す。
はセンサ一部Sが形成されている。このセンサ一部Sに
は、例えばフォトダイオードのようなセンサーS!
(i禦1.2.3、−・・・・)がCCDラインセンサ
ーのビット数(画素数)に応じた数だけ形成されている
。符号12は、センサ一部Sへの光の入射によりこれら
のセンサーS!に発生した電荷をCCDレジスタR,、
R1に転送するための転送ゲートを示す。
本実施例においては、合流前のCCDCCレジスタ、R
gにおける信号電荷の転送用クロックパルスφ1、φ、
の周波数としてfcLa(例えば、10MHz)を用い
、一方、合流部Xにおける信号電荷の転送用クロックパ
ルスφ1、φ4の周波数としてはクロックパルスφ1、
φ2の周波数の2倍の周波数、すなわち2fcLx(例
えば、20MHz)を用いる。・これらのクロックパル
スφ1、φ寡、φ3、φ4のタイミングをプリチャージ
ゲート電極10に印加されるパルスとともに第2図に示
す。
gにおける信号電荷の転送用クロックパルスφ1、φ、
の周波数としてfcLa(例えば、10MHz)を用い
、一方、合流部Xにおける信号電荷の転送用クロックパ
ルスφ1、φ4の周波数としてはクロックパルスφ1、
φ2の周波数の2倍の周波数、すなわち2fcLx(例
えば、20MHz)を用いる。・これらのクロックパル
スφ1、φ寡、φ3、φ4のタイミングをプリチャージ
ゲート電極10に印加されるパルスとともに第2図に示
す。
次に、上述のように構成された本実施例によるCCDラ
インセンサーの動作について説明する。
インセンサーの動作について説明する。
センサ一部Sに光が入射すると、奇数ビットのセンサー
St%3! 、ss 、’−・に発生した電荷及び偶数
ビットのセンサーSz 、S4.36 、・−・−・に
発生した電荷は、転送ゲート12によりそれぞれCCD
レジスタR,、R,に矢印で示すように転送される0次
に、CCDレジスタR+、、Rxにそれぞれ転送された
これらの電荷は、周波数f eLIIの2相のクロック
パルスφ皿、φ冨による駆動でこれらのCCDCCレジ
スタ、Rzにより出力側に信号電荷としてそれぞれ転送
される。このようにしてCCDレジスタR,、R,によ
りそれぞれ転送される信号電荷は、互いに半周期ずれて
合流部Xに到達する0次に、これらの信号電荷は、この
合流部Xを周波数2fcLxの2相クロツクパルスφ3
、φ4による駆動で互いに混じり合うことなく転送され
てフローティング・ディフュージョン9に交互に注入さ
れる。そして、このフローティング・ディフュージョン
9に注入された信号電荷は、出力増幅器を構成するMO
S)ランジスタのゲートで電圧変化として出力される。
St%3! 、ss 、’−・に発生した電荷及び偶数
ビットのセンサーSz 、S4.36 、・−・−・に
発生した電荷は、転送ゲート12によりそれぞれCCD
レジスタR,、R,に矢印で示すように転送される0次
に、CCDレジスタR+、、Rxにそれぞれ転送された
これらの電荷は、周波数f eLIIの2相のクロック
パルスφ皿、φ冨による駆動でこれらのCCDCCレジ
スタ、Rzにより出力側に信号電荷としてそれぞれ転送
される。このようにしてCCDレジスタR,、R,によ
りそれぞれ転送される信号電荷は、互いに半周期ずれて
合流部Xに到達する0次に、これらの信号電荷は、この
合流部Xを周波数2fcLxの2相クロツクパルスφ3
、φ4による駆動で互いに混じり合うことなく転送され
てフローティング・ディフュージョン9に交互に注入さ
れる。そして、このフローティング・ディフュージョン
9に注入された信号電荷は、出力増幅器を構成するMO
S)ランジスタのゲートで電圧変化として出力される。
以上のように、本実施例によれば、2列のCCDレジス
タR,、Rsの一端の合流部Xの先端に単一のフローテ
ィング・ディフュージョン9を形成し、CODレジスタ
R,、Rtのそれぞれにより転送される信号電荷をこの
フローティング・ディフュージョン9で電圧変換してい
るので、第4図のように2列のCCDレジスタのそれぞ
れの一端にフローティング・ディフュージョンを形成す
る場合に生じるDC段差の問題を解消することができる
。これによって、出力後の信号処理を簡単にすることが
できる。また、CCDレジスタR+、R8のそれぞれの
一端の間ではなく、それらの合流部Xに隣接してフロー
ティング・ディフュージョン9を形成しているので、こ
のフローティング・ディフェージョ・ン9の周辺の容量
が増加する問題がな(、従ってCODラインセンサーの
感度を高(することができる。
タR,、Rsの一端の合流部Xの先端に単一のフローテ
ィング・ディフュージョン9を形成し、CODレジスタ
R,、Rtのそれぞれにより転送される信号電荷をこの
フローティング・ディフュージョン9で電圧変換してい
るので、第4図のように2列のCCDレジスタのそれぞ
れの一端にフローティング・ディフュージョンを形成す
る場合に生じるDC段差の問題を解消することができる
。これによって、出力後の信号処理を簡単にすることが
できる。また、CCDレジスタR+、R8のそれぞれの
一端の間ではなく、それらの合流部Xに隣接してフロー
ティング・ディフュージョン9を形成しているので、こ
のフローティング・ディフェージョ・ン9の周辺の容量
が増加する問題がな(、従ってCODラインセンサーの
感度を高(することができる。
さらに、フローティング・ディフュージョン9の角部と
プリチャージドレイン領域11との間にチャネルが形成
されるようにプリチャージゲート電極10が配置されて
いるので、フローティング・ディフュージョン9とプリ
チャージゲート電極10との接触長を十分に小さくする
ことができるとともに、プリチャージゲート電極10と
フローティング・ディフュージョン9に接続される出力
増幅器を構成するMOS)ランジスタのゲート配線(図
示せず)との対向間隔を大きくすることができる。この
ため、フローティング・ディフュージョン9とプリチャ
ージゲート電極10との間の容量及びプリチャージゲー
ト電極lOと出力増幅器を構成するMOS)ランジスタ
のゲート配線との間の容量をともに最小にすることがで
きる。これによって、フローティング・ディフュージョ
ン型増幅器の出力利得の向上を図ることができ、出力信
号のS/N比の改善を図ることができる。
プリチャージドレイン領域11との間にチャネルが形成
されるようにプリチャージゲート電極10が配置されて
いるので、フローティング・ディフュージョン9とプリ
チャージゲート電極10との接触長を十分に小さくする
ことができるとともに、プリチャージゲート電極10と
フローティング・ディフュージョン9に接続される出力
増幅器を構成するMOS)ランジスタのゲート配線(図
示せず)との対向間隔を大きくすることができる。この
ため、フローティング・ディフュージョン9とプリチャ
ージゲート電極10との間の容量及びプリチャージゲー
ト電極lOと出力増幅器を構成するMOS)ランジスタ
のゲート配線との間の容量をともに最小にすることがで
きる。これによって、フローティング・ディフュージョ
ン型増幅器の出力利得の向上を図ることができ、出力信
号のS/N比の改善を図ることができる。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではな(、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではな(、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施例においては、本発明をCODライ
ンセンサーに適用した場合について説明したが、本発明
は、例えばCODエリアセンサーに適用することも可能
である。
ンセンサーに適用した場合について説明したが、本発明
は、例えばCODエリアセンサーに適用することも可能
である。
なお、例えば3列のCCDレジスタの出力側の一端を合
流させ、この合流部に隣接してフローティング・ディフ
ュージョンを形成し、これらの3列のCCDレジスタに
よりそれぞれ転送される信号電荷をこのフローティング
・ディフュージョンで電圧変換することも可能である。
流させ、この合流部に隣接してフローティング・ディフ
ュージョンを形成し、これらの3列のCCDレジスタに
よりそれぞれ転送される信号電荷をこのフローティング
・ディフュージョンで電圧変換することも可能である。
この場合には、合流部における信号電荷の転送用クロッ
クパルスの周波数は、合流前の各CCDレジスタにおけ
る信号電荷の転送用クロックパルスの周波数の3倍にす
ればよい。
クパルスの周波数は、合流前の各CCDレジスタにおけ
る信号電荷の転送用クロックパルスの周波数の3倍にす
ればよい。
以上述べたように、本発明によれば、出力信号の信号処
理を簡単にすることができるとともに、感度を高くする
ことができる。
理を簡単にすることができるとともに、感度を高くする
ことができる。
第1図Aは本発明の一実施例によるCODラインセンサ
ーの要部を示す平面図、第1図Bは第1図AのB−B線
に沿っての拡大断面図、第2図は第1図A及び第1図已
に示すCCDラインセンサーの電荷転送用のクロックパ
ルスのタイミングを示すタイミングチャート、第3図は
従来のCCDラインセンサーを説明するための概略構成
図、第4図及び第5図は従来のCCDラインセンサーに
おける出力部の構成を説明するための概略構成図である
。 図面における主要な符号の説明 1:半導体基板、 3.4:半導体領域、 R4、R,
:CCDt、ジスタ、 X : CCD1zジスタノ合
流部、 6.7:転送電極、 8:出力ゲート電極、
9:フローティング・ディフユージョン、10ニブリチ
ヤージゲート電極、 11ニブリチヤージドレイン領
域、 S:センサ一部。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 タイミング¥ヤード 第2図 第3図 第4図 第5図
ーの要部を示す平面図、第1図Bは第1図AのB−B線
に沿っての拡大断面図、第2図は第1図A及び第1図已
に示すCCDラインセンサーの電荷転送用のクロックパ
ルスのタイミングを示すタイミングチャート、第3図は
従来のCCDラインセンサーを説明するための概略構成
図、第4図及び第5図は従来のCCDラインセンサーに
おける出力部の構成を説明するための概略構成図である
。 図面における主要な符号の説明 1:半導体基板、 3.4:半導体領域、 R4、R,
:CCDt、ジスタ、 X : CCD1zジスタノ合
流部、 6.7:転送電極、 8:出力ゲート電極、
9:フローティング・ディフユージョン、10ニブリチ
ヤージゲート電極、 11ニブリチヤージドレイン領
域、 S:センサ一部。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 タイミング¥ヤード 第2図 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第1及び第2のレジスタと、フローティング・ディフュ
ージョン型増幅器を構成する出力部とを有し、 上記第1及び第2のレジスタはそれらの一端で合流し、
この合流部に隣接して単一のフローティング・ディフュ
ージョンが形成され、 上記合流部における信号電荷の転送は合流前の上記第1
及び第2のレジスタにおける信号電荷の転送用のクロッ
クパルスの周波数よりも高い周波数のクロックパルスに
より行われ、 上記第1及び第2のレジスタのそれぞれにより転送され
る信号電荷は上記フローティング・ディフュージョンに
交互に注入されるように構成されていることを特徴とす
る電荷転送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24522588A JPH0291954A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 電荷転送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24522588A JPH0291954A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 電荷転送装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0291954A true JPH0291954A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17130509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24522588A Pending JPH0291954A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 電荷転送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0291954A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08107201A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Nec Corp | 電荷転送素子 |
US7808018B2 (en) | 2006-12-12 | 2010-10-05 | Nec Electronics Corporation | Solid-state imaging apparatus |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5384486A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric charge coupled element |
JPS6098673A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-06-01 | Nec Corp | 電荷結合素子 |
JPS60187054A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Matsushita Electronics Corp | 電荷転送装置およびその駆動方法 |
JPS61289665A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
JPS63204765A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Nec Corp | 電荷結合装置 |
JPH01248665A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP24522588A patent/JPH0291954A/ja active Pending
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