JPH029164A - パターン形成方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
パターン形成方法および半導体装置の製造方法Info
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- JPH029164A JPH029164A JP63160060A JP16006088A JPH029164A JP H029164 A JPH029164 A JP H029164A JP 63160060 A JP63160060 A JP 63160060A JP 16006088 A JP16006088 A JP 16006088A JP H029164 A JPH029164 A JP H029164A
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Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は主に０ＭＯ３構造を有する半導体装置ノ製造に
有効な方法に関し、特にソース・ドレイン領域（以下活
性領域という）形成の過程におけるイオン注入マスク用
パターンの形成方法、及び上記パターンを用いた活性領
域の形成方法に関するものである。
有効な方法に関し、特にソース・ドレイン領域（以下活
性領域という）形成の過程におけるイオン注入マスク用
パターンの形成方法、及び上記パターンを用いた活性領
域の形成方法に関するものである。
従来の技術
０ＭＯ３構造のＬＳＩでは、Ｐチャネル及びＮチャネル
両方のＭＯＳ）ランシスターを形成しなければならない
。従来台チャネルの活性領域をイオン注入で形成する際
に、Ｎチャネル用のホトマスクとＰチャネル用のホトマ
スクの両方が必要であった。またこれらのマスクは、互
いに反転の関係にある。以下に従来の方法による活性領
域の形成方法について図を用いて説明する。
両方のＭＯＳ）ランシスターを形成しなければならない
。従来台チャネルの活性領域をイオン注入で形成する際
に、Ｎチャネル用のホトマスクとＰチャネル用のホトマ
スクの両方が必要であった。またこれらのマスクは、互
いに反転の関係にある。以下に従来の方法による活性領
域の形成方法について図を用いて説明する。
第４図は、従来技術でのＮチャネル及びＰチャネルの活
性領域の形成方法を示したものである。
性領域の形成方法を示したものである。
Ｎウェル１１、素子分離１２、ゲート電極１３が各々形
成された半導体基板１０上に、レジストパターン２１で
Ｐチャネル部を覆って Ｐ”イオンを注入する（第２図
（ａ））。次にレジストパターン２２でＮチャネル部を
覆って Ｂ“イオンを注入する（第２図（ｂ））。この
様にして、Ｎチャネル及びＰチャネルの活性領域２３．
２４がそれぞれ形成される（第２図（Ｃ））。ここで、
レジストパターン２１と２２は、互いに反転の関係にな
っている。１．２はゲート絶縁膜、３．４はゲート側壁
の絶縁膜である。
成された半導体基板１０上に、レジストパターン２１で
Ｐチャネル部を覆って Ｐ”イオンを注入する（第２図
（ａ））。次にレジストパターン２２でＮチャネル部を
覆って Ｂ“イオンを注入する（第２図（ｂ））。この
様にして、Ｎチャネル及びＰチャネルの活性領域２３．
２４がそれぞれ形成される（第２図（Ｃ））。ここで、
レジストパターン２１と２２は、互いに反転の関係にな
っている。１．２はゲート絶縁膜、３．４はゲート側壁
の絶縁膜である。
発明が解決しようとする課題
０ＭＯ８構造を有する半導体装置では、活性領域を形成
する為のフォトリソグラフィからイオン注入、レジスト
除去までの工程を、前記のようにＮチャネル、Ｐチャネ
ル別々に行わねばならない。
する為のフォトリソグラフィからイオン注入、レジスト
除去までの工程を、前記のようにＮチャネル、Ｐチャネ
ル別々に行わねばならない。
その為工程が長くなり、開発効率が下がる。
また、Ｎチャネル用とＰチャネル用の両方のホトマスク
が必要となる為、その分の費用がよけいにかかることに
なる。また半導体素子の微細化に伴い、イオン注入時、
特に高エネルギーもしくは高電流のイオン注入時の素子
へのダメージや、注入イオンのゲート電極突き抜けによ
る素子特性の変動が、益々深刻になっている。
が必要となる為、その分の費用がよけいにかかることに
なる。また半導体素子の微細化に伴い、イオン注入時、
特に高エネルギーもしくは高電流のイオン注入時の素子
へのダメージや、注入イオンのゲート電極突き抜けによ
る素子特性の変動が、益々深刻になっている。
本発明では、以上の観点から、０ＭＯ８構造を有する半
導体装置の試作工程の短縮化、試作費用の軽減を目的と
したパターン形成方法、更にはイオン注入による素子特
性の劣化をな（すような、半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。
導体装置の試作工程の短縮化、試作費用の軽減を目的と
したパターン形成方法、更にはイオン注入による素子特
性の劣化をな（すような、半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。
課題を解決するための手段
本発明は、レジストパターンの形成された半導体基板上
に、有機構脂膜を形成し、前記有機樹脂膜をレジストパ
ターンが露出するまで全面エツチングしくエッチバック
）、更に前記レジストパターンを除去する事を特徴とす
るパターン形成方法である。また前記方法により形成さ
れたパターンを用いて活性領域を形成する半導体装置の
製造方法である。
に、有機構脂膜を形成し、前記有機樹脂膜をレジストパ
ターンが露出するまで全面エツチングしくエッチバック
）、更に前記レジストパターンを除去する事を特徴とす
るパターン形成方法である。また前記方法により形成さ
れたパターンを用いて活性領域を形成する半導体装置の
製造方法である。
作用
本発明による方法を用いると、０ＭＯ８構造を有する半
導体装置の試作工程が短縮化でき、また試作費用も軽減
される。更にはイオン住人工程を減少させることにより
、素子特性の劣化を低減することができる。
導体装置の試作工程が短縮化でき、また試作費用も軽減
される。更にはイオン住人工程を減少させることにより
、素子特性の劣化を低減することができる。
実施例
以下、図面に基づいて本発明について更に詳しく説明す
る。
る。
（実施例１）
第１図の（ａ）〜（ｄ）は本発明によるパターン形成方
法を示したものである。まず半導体基板１０上にレジス
トパターン２１をフォトリソグラフィにより形成する（
第１図（ａ））。次に第１図（ｂ）に示す様に、有機樹
脂膜３０を回転塗布・熱処理により形成する。この時の
熱処理温度はレジストパターン２１が変形台劣化等しな
い様に１８０°Ｃ以下の温度で行う。その後、有機樹脂
膜３０をレジストパターン２１の表面が露出するまでド
ライエツチングにより全面エツチングする（エンチバッ
ク）（第１図（Ｃ））。その後０２プラズマによりレジ
ストパターン２１を除去する（第１図（ｄ））。この様
にして形成された有機樹脂膜３０のパターン３０Ａは、
自己整合的にレジストパターン２１の反転されたパター
ンになり、新たに反転パターン形成用のホトマスクを必
要としない。こうして形成されたパターン２１．３ＯＡ
をそれぞれマスクとして基板１０に選択的に不純物を導
入することができる。
法を示したものである。まず半導体基板１０上にレジス
トパターン２１をフォトリソグラフィにより形成する（
第１図（ａ））。次に第１図（ｂ）に示す様に、有機樹
脂膜３０を回転塗布・熱処理により形成する。この時の
熱処理温度はレジストパターン２１が変形台劣化等しな
い様に１８０°Ｃ以下の温度で行う。その後、有機樹脂
膜３０をレジストパターン２１の表面が露出するまでド
ライエツチングにより全面エツチングする（エンチバッ
ク）（第１図（Ｃ））。その後０２プラズマによりレジ
ストパターン２１を除去する（第１図（ｄ））。この様
にして形成された有機樹脂膜３０のパターン３０Ａは、
自己整合的にレジストパターン２１の反転されたパター
ンになり、新たに反転パターン形成用のホトマスクを必
要としない。こうして形成されたパターン２１．３ＯＡ
をそれぞれマスクとして基板１０に選択的に不純物を導
入することができる。
前記有機樹脂膜としてシロキサン結合を含む高分子樹脂
を用いると、２００°Ｃ以下の温度で硬化させることが
できるので、熱硬化時にレジストパターンの変形・劣化
の心配がない。また耐０２プラズマ性も高くレジストと
の選択比も高くとることができる。更には含有有機物の
成分を調整することにより硫酸や硝酸に可溶となる。
を用いると、２００°Ｃ以下の温度で硬化させることが
できるので、熱硬化時にレジストパターンの変形・劣化
の心配がない。また耐０２プラズマ性も高くレジストと
の選択比も高くとることができる。更には含有有機物の
成分を調整することにより硫酸や硝酸に可溶となる。
（実施例２）
第２図の（ａ）〜（ｅ）は、本発明によるパターン形成
方法を用いたＣＭＯ３半導体装置の製造方法を示したも
のである。第２図（ａ）では、従来技術により、Ｐ型シ
リコン基板１０に、Ｎチャネルの活性領域２３（Ｎ型ソ
ース、ドレイン領域）がすでに選択的に形成された状態
である。即ちＮウェル１１、素子分離１２、ゲート電極
１３が各々形成された半導体基板１０上に、レジストパ
ターン２１でＰチャネル部を覆い Ｐ”（’Ｊン）イオ
ンを注入することによりＮチャネルの活性領域２３が形
成される。その上に実施例１に記載の方法により反転パ
ターンを形成する。すなわち、まず第２図（ｂ）に示す
様に、レジストパターン２１および基板上に有機樹脂膜
３０を回転塗布・熱処理により形成する。その後、有機
樹脂膜３０をレジストパターン２１の表面が露出するま
でドライエツチングにより全面エツチングする（エツチ
ング）。
方法を用いたＣＭＯ３半導体装置の製造方法を示したも
のである。第２図（ａ）では、従来技術により、Ｐ型シ
リコン基板１０に、Ｎチャネルの活性領域２３（Ｎ型ソ
ース、ドレイン領域）がすでに選択的に形成された状態
である。即ちＮウェル１１、素子分離１２、ゲート電極
１３が各々形成された半導体基板１０上に、レジストパ
ターン２１でＰチャネル部を覆い Ｐ”（’Ｊン）イオ
ンを注入することによりＮチャネルの活性領域２３が形
成される。その上に実施例１に記載の方法により反転パ
ターンを形成する。すなわち、まず第２図（ｂ）に示す
様に、レジストパターン２１および基板上に有機樹脂膜
３０を回転塗布・熱処理により形成する。その後、有機
樹脂膜３０をレジストパターン２１の表面が露出するま
でドライエツチングにより全面エツチングする（エツチ
ング）。
その後ｏ２プラズマによりレジストパターン２１を除去
する（第２図（Ｃ））。この残された有機樹脂膜３０を
マスクとしてＮウェル１１に、Ｂ゛（ホ゛ロン）イオン
を注入してＰ型ソース、 ドレイン活性領域を形成する
（第２図（ｄ））。最後に有機構脂膜３ｏを硫酸等の強
酸で除去して、Ｎチャネル及びＰチャネルの活性領域２
３．２４が形成される（第２図（ｅ））。本実施例の様
に、実施例１によるパターン形成方法をＣＭ ＯＳ ＋
：４造を有する半導体装置の製造方法に用いると、活性
領域形成の工程が短縮化され、また試作費用がＩ！ 減
される。
する（第２図（Ｃ））。この残された有機樹脂膜３０を
マスクとしてＮウェル１１に、Ｂ゛（ホ゛ロン）イオン
を注入してＰ型ソース、 ドレイン活性領域を形成する
（第２図（ｄ））。最後に有機構脂膜３ｏを硫酸等の強
酸で除去して、Ｎチャネル及びＰチャネルの活性領域２
３．２４が形成される（第２図（ｅ））。本実施例の様
に、実施例１によるパターン形成方法をＣＭ ＯＳ ＋
：４造を有する半導体装置の製造方法に用いると、活性
領域形成の工程が短縮化され、また試作費用がＩ！ 減
される。
（実施例３）
本発明によるパターン形成方法を用いた半導体装置の製
造方法の第２の実施例として、不純物を含む有機樹脂膜
を用いた方法を以下に示す。Ｎウェル１１、素子分離１
２、ゲート電極１３ｎ、１３ｐが各々形成された半導体
基板１０上に、レジストパターン２１をフォトリソグラ
フィにより形成し、その上に実施例１に記載の方法によ
り有機樹脂膜３１による反転パターンを形成する（第３
図（ａ））。ここで有機樹脂膜３１中には、Ｎチャネル
の活性領域を形成する為の不純物として燐が含まれてい
る。この後６００″Ｃ〜９００ ’Ｃの温度で熱処理す
ると、有機樹脂膜３１中の不純物（燐）が基板中に拡散
してＮチャネルの活性領域２３が形成され、この有機樹
脂膜３１をマスクに Ｂ゛（ボロン）イオンを注入する
（第３図（ｂ））。最後に有機樹脂膜３１を硫酸等の強
酸で除去すると、第２図（ｅ）と同様のＮチャネル及び
Ｐチャネルの活性領域２３．２４が形成される。本実施
例による半導体装置の製造方法を用いると、Ｎチャネル
の活性領域形成の為のイオン注入工程か省略できるので
、Ｎチャネルに於けるイオン注入時の素子へのダメージ
や注入イオンのゲート電極突き抜けによる素子特性の変
動がなくなり、半導体装置を歩留よく製造することがで
きる。
造方法の第２の実施例として、不純物を含む有機樹脂膜
を用いた方法を以下に示す。Ｎウェル１１、素子分離１
２、ゲート電極１３ｎ、１３ｐが各々形成された半導体
基板１０上に、レジストパターン２１をフォトリソグラ
フィにより形成し、その上に実施例１に記載の方法によ
り有機樹脂膜３１による反転パターンを形成する（第３
図（ａ））。ここで有機樹脂膜３１中には、Ｎチャネル
の活性領域を形成する為の不純物として燐が含まれてい
る。この後６００″Ｃ〜９００ ’Ｃの温度で熱処理す
ると、有機樹脂膜３１中の不純物（燐）が基板中に拡散
してＮチャネルの活性領域２３が形成され、この有機樹
脂膜３１をマスクに Ｂ゛（ボロン）イオンを注入する
（第３図（ｂ））。最後に有機樹脂膜３１を硫酸等の強
酸で除去すると、第２図（ｅ）と同様のＮチャネル及び
Ｐチャネルの活性領域２３．２４が形成される。本実施
例による半導体装置の製造方法を用いると、Ｎチャネル
の活性領域形成の為のイオン注入工程か省略できるので
、Ｎチャネルに於けるイオン注入時の素子へのダメージ
や注入イオンのゲート電極突き抜けによる素子特性の変
動がなくなり、半導体装置を歩留よく製造することがで
きる。
（実施例４）
実施例３に於て Ｂ”イオンを注入する代わりに固体拡
散によりＰチャネルの活性領域を形成することができる
。不純物として燐を含む有機構脂膜による反転パターン
を形成するまでは、実施例３と全く同様である（第３図
（ａ））。この後ホウ素の拡散源と一緒に６００°Ｃ〜
９００°Ｃの温度で熱処理すると、有機樹脂膜３１から
の燐の拡散によりＮチャネルの活性領域が、また拡散源
からのホウ素の拡散によりＰチャネルの活性領域がそれ
ぞれ形成される。最後に有機樹脂膜３１を硫酸等の強酸
で除去すると、第２図（ｅ）と同様のＮチャネル及びＰ
チャネルの活性領域２３．２４が形成される。本実施例
による半導体装置の製造方法を用いると、Ｎチャネルの
活性領域形成の為のイオン注入工程に加えてＰチャネル
の活性領域形成の為のイオン注入工程も省略できるので
、Ｎチャネル及びＰチャネルに於けるイオン注入時の素
子へのダメージや注入イオンのゲート電極突き抜けによ
る素子特性の変動がなくなり、半導体装置を更に歩留よ
く製造することができる。又工程か更に短縮化できる。
散によりＰチャネルの活性領域を形成することができる
。不純物として燐を含む有機構脂膜による反転パターン
を形成するまでは、実施例３と全く同様である（第３図
（ａ））。この後ホウ素の拡散源と一緒に６００°Ｃ〜
９００°Ｃの温度で熱処理すると、有機樹脂膜３１から
の燐の拡散によりＮチャネルの活性領域が、また拡散源
からのホウ素の拡散によりＰチャネルの活性領域がそれ
ぞれ形成される。最後に有機樹脂膜３１を硫酸等の強酸
で除去すると、第２図（ｅ）と同様のＮチャネル及びＰ
チャネルの活性領域２３．２４が形成される。本実施例
による半導体装置の製造方法を用いると、Ｎチャネルの
活性領域形成の為のイオン注入工程に加えてＰチャネル
の活性領域形成の為のイオン注入工程も省略できるので
、Ｎチャネル及びＰチャネルに於けるイオン注入時の素
子へのダメージや注入イオンのゲート電極突き抜けによ
る素子特性の変動がなくなり、半導体装置を更に歩留よ
く製造することができる。又工程か更に短縮化できる。
尚、実施例２〜４に於ける有機樹脂膜としてシロキチン
結合を含む高分子樹脂膜をもちいると、２００°Ｃ以下
の温度で硬化させることができるので、熱硬化時にレジ
ストパターンの変形φ劣化の心配がない。また耐０２プ
ラズマ性も高くレジストとの選択比も高くとることがで
きる。更には含有宵機物の成分を調整することにより硫
酸や硝酸に可溶となる。特に実施例３及び実施例４の場
合では、６００′Ｃ以上の高温で拡散させるために耐熱
性が要求される。そこで不純物含有の有機樹脂膜３１と
しては、シラノールを主成分として一部を低分子ｍアル
キル基に置換したｆ’：／ｊ造のものを用いると耐熱性
は窒素雰囲気で９００ ’Ｃまで問題はない。
結合を含む高分子樹脂膜をもちいると、２００°Ｃ以下
の温度で硬化させることができるので、熱硬化時にレジ
ストパターンの変形φ劣化の心配がない。また耐０２プ
ラズマ性も高くレジストとの選択比も高くとることがで
きる。更には含有宵機物の成分を調整することにより硫
酸や硝酸に可溶となる。特に実施例３及び実施例４の場
合では、６００′Ｃ以上の高温で拡散させるために耐熱
性が要求される。そこで不純物含有の有機樹脂膜３１と
しては、シラノールを主成分として一部を低分子ｍアル
キル基に置換したｆ’：／ｊ造のものを用いると耐熱性
は窒素雰囲気で９００ ’Ｃまで問題はない。
実施例２〜４ではＮウェル構造のＣＭＯ３について述べ
たが、Ｐウェルや両ウェル構造に於いても全く同様であ
る。またＮチャネルとＰチャネルは何れから先年形成し
ても構わないし、を様相脂膜３１からの拡散はＮ型、Ｐ
挽回れも可能である。
たが、Ｐウェルや両ウェル構造に於いても全く同様であ
る。またＮチャネルとＰチャネルは何れから先年形成し
ても構わないし、を様相脂膜３１からの拡散はＮ型、Ｐ
挽回れも可能である。
更に実施例３及び４では、二重拡散を有する素子を形成
する場合には間に低電流のイオン注入を追加することが
できる。
する場合には間に低電流のイオン注入を追加することが
できる。
発明の効果
本発明による方法を用いると、１つのホトマスクで互い
に反転の関係にある２つのパターンを形成することがで
きる。また０ＭＯ８構造を有する半導体装置の試作工程
が短縮化でき、また試作費用も’Ｆｌされる。更にはイ
オン注入工程を減少させることにより、素子特性の劣化
を低減することができる。
に反転の関係にある２つのパターンを形成することがで
きる。また０ＭＯ８構造を有する半導体装置の試作工程
が短縮化でき、また試作費用も’Ｆｌされる。更にはイ
オン注入工程を減少させることにより、素子特性の劣化
を低減することができる。
第１図は本発明にかかるパターン形成方法の一実施例を
説明するための部分工程断面図、第２図、第３図は本発
明にかかるパターン形成方法を半導体装置の製造方法に
応用した一実施例を説明するための部分工程断面図、第
４図は従来の半導体装置の製造方法の部分工程断面図で
ある。 １０・・・基板、１１・・・Ｎウェル、１２・・・素子
分離、１３ｎ１１３ｐ・・・ゲート′Ｊａ極、２１．２
２・・・レジストパターン、２３．２４・・・活性領域
、３０．３１・・・有機樹脂膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第 図 ／ １ｊ）ＪＲ ツノ Ｎクエッレ
説明するための部分工程断面図、第２図、第３図は本発
明にかかるパターン形成方法を半導体装置の製造方法に
応用した一実施例を説明するための部分工程断面図、第
４図は従来の半導体装置の製造方法の部分工程断面図で
ある。 １０・・・基板、１１・・・Ｎウェル、１２・・・素子
分離、１３ｎ１１３ｐ・・・ゲート′Ｊａ極、２１．２
２・・・レジストパターン、２３．２４・・・活性領域
、３０．３１・・・有機樹脂膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第 図 ／ １ｊ）ＪＲ ツノ Ｎクエッレ
Claims (6)
- （１）レジストパターンの形成された半導体基板上に、
有機樹脂膜を形成する工程と、前記有機樹脂膜を前記レ
ジストパターンが露出するまで全面エッチングする工程
と、前記レジストを除去し、前記有機樹脂膜を選択的に
残存させる工程を有するパターン形成方法。 - （２）素子分離及びゲート電極の形成された半導体基板
上に、レジストパターンを形成する工程と、前記レジス
トパターンをマスクにして前記基板に第１のイオン注入
を行う工程と、前記基板およびレジストパターン上に有
機樹脂膜を形成する工程と、前記有機樹脂膜を前記レジ
ストパターンが露出するまで全面エッチングする工程と
、前記レジストパターンを除去する工程と、残された前
記有機樹脂膜をマスクとして第２のイオン注入を行う工
程を有する半導体装置の製造方法。 - （３）有機樹脂膜が、シロキサン系高分子樹脂であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
半導体装置の製造方法。 - （４）素子分離及びゲート電極の形成された半導体基板
上に、レジストパターンを形成する工程と、前記基板お
よびレジストパターン上に不純物を含む有機樹脂膜を形
成する工程と、前記有機樹脂膜を前記レジストが露出す
るまで、全面エッチングする工程と、前記レジストパタ
ーンを除去する工程と、熱処理して前記不純物を前記基
板に導入する工程と、残された前記有機樹脂膜をマスク
としてイオン注入を行う工程を有する半導体装置の製造
方法。 - （５）素子分離及びゲート電極の形成された半導体基板
上に、レジストパターンを形成する工程と、前記基板お
よびレジストパターン上に不純物を含む有機樹脂膜を形
成する工程と、前記有機樹脂膜を前記レジストが露出す
るまで、全面エッチングする工程と、前記レジストパタ
ーンを除去する工程と、前記基板に、前記有機樹脂膜か
ら不純物を拡散するとともに、前記有機樹脂膜をマスク
として他の不純物を拡散する工程とを有する半導体装置
の製造方法。 - （６）有機樹脂膜が、燐、ヒ素、ホウ素のうちいずれか
を含むシロキサン系高分子樹脂膜であることを特徴とす
る特許請求の範囲第４項又は第５項記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160060A JPH029164A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160060A JPH029164A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029164A true JPH029164A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15707036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63160060A Pending JPH029164A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH029164A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003531494A (ja) * | 2000-04-12 | 2003-10-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体装置の製造方法 |
| JP4879169B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2012-02-22 | ヒメネス，アルバート | 乳児／幼児支持体 |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63160060A patent/JPH029164A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003531494A (ja) * | 2000-04-12 | 2003-10-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体装置の製造方法 |
| JP4846167B2 (ja) * | 2000-04-12 | 2011-12-28 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 半導体装置の製造方法 |
| JP4879169B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2012-02-22 | ヒメネス，アルバート | 乳児／幼児支持体 |
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