JPH0290645A - 撮像素子の検査方法及びそれに使用する検査装置 - Google Patents

撮像素子の検査方法及びそれに使用する検査装置

Info

Publication number
JPH0290645A
JPH0290645A JP24114188A JP24114188A JPH0290645A JP H0290645 A JPH0290645 A JP H0290645A JP 24114188 A JP24114188 A JP 24114188A JP 24114188 A JP24114188 A JP 24114188A JP H0290645 A JPH0290645 A JP H0290645A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
image sensor
inspection
wafer
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24114188A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Iwasa
岩佐 賢二
Munenori Ozawa
小沢 宗徳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP24114188A priority Critical patent/JPH0290645A/ja
Publication of JPH0290645A publication Critical patent/JPH0290645A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体によって製造される撮像素子、例えばイ
メージセンサ等の検査に適用して有効な技術に関するも
のである。
〔従来の技術〕
撮像素子、例えば半導体により製造されるイメージセン
サ等の検査を行なう場合、大きく分けて2回の検査工程
がある。まず、第1には、ウェハ上に形成された撮像素
子をその状態で検査する工程であり、第2は該ウェハよ
り撮像素子を個々に分離し、しかるべく封止した後行な
う検査である。
従来、第1の検査工程においては、他の半導体素子と同
様に、ウェハ上に形成された撮像素子の電極にプローブ
針を当接させ電流を流し、撮像素子の検査を行うもので
ある。
第2の検査工程においては、しかるべく撮像素子を封止
した後、より実装後に近い状態において、光を照射し検
査を行うのが通常である。
尚、撮像素子についての検査ではないが、プローブ針を
ウェハ上に形成した半導体素子に接触させ検査を行うも
のを示したものとして特開昭58−100439号があ
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記に示したような従来の技術においては、第1の検査
工程であるウェハ状態の検査ではプローブ針を接触させ
、電流を流し検査な行なう。しかし、この方法では実際
に撮像素子が使用される状態に近い光を照射した検査結
果とは、条件が異なるため必らずしも良い検査結果が得
られないという課題があった。また、第2の検査工程に
おいては、しかるべく封止した後、光を照射し検査を行
なうので精度の高い検査結果を得ることができるが、不
良が出た場合、それまでの製造工程が無駄なものとなっ
てしまい、損失が多(なってしまうという課題があった
不発明の目的は、ウェハ上に形成された撮像素子をより
実装時の状態に近い状態で検査する方法及び装置を提供
することにある。
また、本発明の他の目的は、ウェハ上に形成された撮像
素子の検査を行なうにあたって精度の高い検査方法及び
検査装置を提供することにある。
〔課題な触法するための手段〕
本願発明における代表的なものの概要について説明すれ
ば下記の通りである。
すなわち、ウェハ上に形成された撮像素子の検査を行う
において、ウェハ上に形成された撮像素子に光を照射す
るための光源と、前記光源から出た光を散乱させ、均一
光に近い光とする手段とにより、均一光に近い光にして
、前記撮像素子を照射し、検査しようとするものである
〔作用〕
前記手段によれば、ウェハ上に形成された撮像素子に、
光を照射し、かつその光を均一光とすることができるの
で、撮像素子を封止した後の状態に近く、しかもバラツ
キの少ない撮像素子の検査を行うことができる。
〔実施例〕
以下、本願発明を実施例に基づいて、詳細に説明する。
第1図、第2図は本発明の一実施例の要部の断面を示す
正面図及び側面図である。第3図、第4図は上記第1図
、第2図に示した本願発明の正面図と側面図である。第
5図は本発明に使用されるセルフォックレンズを示す図
である。
本発明に使用される装置は大きく分けて、発光部とプロ
ーブカード部により構成されている。
発光部は鉄系材料からなる発光部本体6とその内部に取
り付けられる磨りガラスと光源により構成されている。
発光部本体6は箱状の形をなしており、その内側には放
電加工が施されている。この放電加工は、発光部本体6
の上部に光源として取り付けられた発光ダイオード(以
下LEDという)から、照射された光が前記発光部内で
不要な乱反射を起こし、検査に悪影響を与えるのを防ぐ
ためのものである。発光部本体6の下方には前記LED
より照射された光をほぼ均一に散乱させるための磨りガ
ラス10が取り付けられている。この磨りガラス10は
発光部本体6の内部に突き出た部分と、押え11により
、はさみ込まれるように固定されている。この押え11
0表面にも発光部本体6内部と同じ理由で放電加工が施
されている。
この磨りガラス10のさらに下方には、この発行部本体
6から外部へ光を放出する部分として、セルフォックレ
ンズ4が取り付けられている。セルフォックレンズ4は
第5図に示した様に構成されており、細長いレンズを多
数個並べ集合させたものであり、光を均一に放出する効
果がある。以上のように発光部は構成されている。
プローブカード部はプローブカード3と発光部取付枠5
かもなっている。プローブカード3所定の位置から下部
に載置される撮像素子1aが形成された半導体ウェハ1
に接触するように構成されるプローブ針2を有している
。このプローブカード3は発光部取り付は枠5を、上面
の所定位置に取り付けた以外は、半導体素子の検査に使
用するプローブカードと同様である。また取り付は枠5
のグローブカード3に接している部分の厚みを変えるこ
とによって、プローブ針2とセルフォックレンズとの距
離を調整することができる。
本願発明の装置は上記発光部をグローブカード部に取り
付けることにより完成する。
上記装置による検査方法について説明する。
LED7から照射された光は磨りガラス10に到達する
。この時LED7から出た光は発光部本体6の内部にも
あたるが、内部表面は放電加工が施されて(・るので乱
反射は起さない。磨りガラス10を通過した光は、磨り
ガラス10により充分に散乱されているのでほぼ均−元
となり、セルフォックレンズ4に到る。ここでも内部に
光があたっても、放電加工が施された面により光は吸収
される。セルフォックレンズを通過した光は約20゜の
角度で広がり放出される。この光はほぼ均一光となるの
で本願発明の対象である撮像素子の検査には最適な光と
なる。この光をウェハIK形成された撮像素子1aに照
射し、その結果前記撮像素子に流れる電流をプローブ針
2により検出することにより、前記撮像素子の検査が行
われる。
本実施例によれば次の様な効果が得られる。
(11発光部本体6の内部表面に放電加工が施しである
ので、不要な反射光が悪影響を与えることがないという
効果が得られる。
(2)  プローブカードは通常のものを加工して使用
できるので新たなプローブカードを用意する必要はない
という効果が得られる。
(31磨りガラスを使用し、LEI)から照射された光
を散乱させ、ほぼ均一光とすることができるので精度の
高い検量結果を得ることができるという効果が得られる
以上本願発明者によってなされた発明y−一実施例基づ
き具体的に説明したか、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることは言うまでもない。例えば、本実施例で
は均一光な得るための散乱手段として、磨りガラスを用
いたが、他の物を使用してもよい。本願発明者は、薄い
紙(トレース紙)を透明ガラスではさみ込んだものを使
用してみたが、充分な散乱効果が得られた。またこの実
施例では、磨りガラスで散乱させ、均一光としたものを
更にセルフォックレンズを使用し、均一化を行っている
が、特にセルフォックレンズを用いる必要はない。セル
フォックレンズなしでも検査には十分な均一光を得るこ
とができ、光な照射した撮像装置の検査には十分な効果
が得れる。
以上の説明では主として本願発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である牛尋体により製造
される撮像素子の検査技術について説明したが、そnに
限定されるものではなく、少なくとも光を受光する装置
の検査に使用できることは言うまでもない。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。
ウェハ上に形成された撮像素子に光を照射して、検査を
行うことができるので、封止する前に、より笑装状態に
近い検査結果を得ることかできる。
また前記撮像素子に対して均−元を照射できるので、精
度の高い検査結果を得ることができる。
更にウェハ状態で撮像素子の良否を判定できるので後工
程に不良品の流れる率が減少し、製品の原価低減にも大
いに役立てることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による検査装置の一実施例の要部断面の
正面図、 第2図は本発明による検査装置の一実施例の要部断面の
側面図、 第3図は不発明による検査装置の一実施例の外形を示す
正面図、 第4図は不発明による検査装置の一実施例の外形を示す
側面図、 第5図は不発明の一実施例に使用するセルフォックレン
ズの構造A−AIrr面及びそれを示す図である。 】・・・ウェハ、1a・・・ウェハ上に形成された撮像
素子、2・・・プローブ針、3・・・プローブカード、
4・・・セルフォックレンズ、5・・・取り付は枠、6
・・・発行部本体、7・・・発光ダイオード(LED)
、8・・・LED基板、9・・蓋、10・・・磨りガラ
ス、】1・・固定板、12・・・レンズ。 代理人 弁理士  小 川 勝 男 −第 図 第 図 ワ 第 図 デ グ 第。 図 ゾ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ウェハ上に形成された撮像素子に均一光を照射し、
    その結果前記撮像素子に流れる電流を測定することによ
    り、撮像素子の検査を行なうことを特徴とする撮像素子
    の検査方法。 2、所定位置にウェハを載置し、前記ウェハ上に形成さ
    れた撮像素子に光を照射し、前記撮像素子の検査を行う
    検査装置において、前記撮像素子に光を照射するための
    光源と、前記光源から出た光を散乱させ、ほぼ均一な光
    とするための手段とを有することを特徴とする撮像素子
    の検査装置。
JP24114188A 1988-09-28 1988-09-28 撮像素子の検査方法及びそれに使用する検査装置 Pending JPH0290645A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24114188A JPH0290645A (ja) 1988-09-28 1988-09-28 撮像素子の検査方法及びそれに使用する検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24114188A JPH0290645A (ja) 1988-09-28 1988-09-28 撮像素子の検査方法及びそれに使用する検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0290645A true JPH0290645A (ja) 1990-03-30

Family

ID=17069882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24114188A Pending JPH0290645A (ja) 1988-09-28 1988-09-28 撮像素子の検査方法及びそれに使用する検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0290645A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004053451A1 (ja) * 2002-12-06 2004-06-24 Inter Action Corporation 固体撮像素子の試験装置
JP2006064441A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Yokogawa Electric Corp 検査用光源装置及びicテスタ
JP2006147171A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Yokogawa Electric Corp 光源装置
KR100691087B1 (ko) * 2003-05-16 2007-03-09 동경 엘렉트론 주식회사 Lcd 검사 장치 및 촬상 소자의 검사 장치
JP2007150033A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Japan Electronic Materials Corp 光デバイス検査装置
KR100737366B1 (ko) * 2004-07-13 2007-07-09 요코가와 덴키 가부시키가이샤 검사용 광원 장치
WO2008059767A1 (fr) * 2006-11-15 2008-05-22 Japan Electronic Materials Corp. Appareil d'inspection de dispositif optique
US7589541B2 (en) 2005-06-16 2009-09-15 Fujifilm Corporation Method and apparatus for inspecting solid-state image pick-up device
TWI421502B (zh) * 2010-06-25 2014-01-01 Omnivision Tech Inc 探針卡
WO2024128175A1 (ja) * 2022-12-13 2024-06-20 株式会社インターアクション 光学モジュール、検査装置および光学モジュールの設計方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004053451A1 (ja) * 2002-12-06 2004-06-24 Inter Action Corporation 固体撮像素子の試験装置
KR100691087B1 (ko) * 2003-05-16 2007-03-09 동경 엘렉트론 주식회사 Lcd 검사 장치 및 촬상 소자의 검사 장치
KR100749434B1 (ko) * 2004-07-13 2007-08-14 요코가와 덴키 가부시키가이샤 검사용 광원 장치
KR100737366B1 (ko) * 2004-07-13 2007-07-09 요코가와 덴키 가부시키가이샤 검사용 광원 장치
JP2006064441A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Yokogawa Electric Corp 検査用光源装置及びicテスタ
JP4513059B2 (ja) * 2004-08-25 2010-07-28 横河電機株式会社 Icテスタ
JP2006147171A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Yokogawa Electric Corp 光源装置
US7589541B2 (en) 2005-06-16 2009-09-15 Fujifilm Corporation Method and apparatus for inspecting solid-state image pick-up device
JP2007150033A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Japan Electronic Materials Corp 光デバイス検査装置
WO2008059767A1 (fr) * 2006-11-15 2008-05-22 Japan Electronic Materials Corp. Appareil d'inspection de dispositif optique
TWI421502B (zh) * 2010-06-25 2014-01-01 Omnivision Tech Inc 探針卡
WO2024128175A1 (ja) * 2022-12-13 2024-06-20 株式会社インターアクション 光学モジュール、検査装置および光学モジュールの設計方法
WO2024127516A1 (ja) * 2022-12-13 2024-06-20 株式会社インターアクション 光学モジュールおよび検査装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101136804B1 (ko) 투명 소재에서 결함을 탐지하기 위한 방법 및 장치
JPH0290645A (ja) 撮像素子の検査方法及びそれに使用する検査装置
JP2002541443A (ja) 材料検査
WO2002014783A1 (fr) Appareil et procede de test de liquide transparent, procede d'enduction de liquide transparent
KR20040044071A (ko) 표시용 기판의 검사방법 및 장치
TW201819937A (zh) 半導體元件檢查裝置及半導體元件檢查方法
US6242756B1 (en) Cross optical axis inspection system for integrated circuits
JPH09511592A (ja) 三次元物体の画像形成装置
JP2008041758A (ja) フラックスの転写状態検査方法及び装置
JPH0612253B2 (ja) ハニカム成形用口金の検査方法
US6046803A (en) Two and a half dimension inspection system
JPH05206237A (ja) 半導体基板の欠け検査装置
JP2839411B2 (ja) 不良icの検査装置
JP2915785B2 (ja) 透明チューブ及び袋の加熱シール部分の不良検出方法
US5570407A (en) Distortionless x-ray inspection
JPH11287764A (ja) 欠陥検査方法
WO2023037671A1 (ja) メンテナンス方法、及び電子部品の製造方法
WO2023234048A1 (ja) 検査装置及び検査方法
JP3604618B2 (ja) 半導体素子の検査方法及び検査装置
JP4802814B2 (ja) 開口パターンの検査装置
JP3249019B2 (ja) 高粘度塗布剤の塗布幅検査装置
JPH0380600A (ja) 電子部品検査装置
JP2002228712A (ja) Cof用オートハンドラとcof撮像用照明装置及び方法
TW201800154A (zh) 金屬蓋塗膠檢測裝置
KR0137301B1 (ko) 인쇄회로기판 검사용 인서키트 테스터