JPH0288706A - ハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法及びその装置 - Google Patents
ハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法及びその装置Info
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- JPH0288706A JPH0288706A JP63238989A JP23898988A JPH0288706A JP H0288706 A JPH0288706 A JP H0288706A JP 63238989 A JP63238989 A JP 63238989A JP 23898988 A JP23898988 A JP 23898988A JP H0288706 A JPH0288706 A JP H0288706A
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Classifications
-
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- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
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-
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
-
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Landscapes
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Disintegrating Or Milling (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法及
びその装置に係わり、特に超硬・超耐熱性に優れたハフ
ニウムの高純度微粉末製造用の素原料を製造するための
ハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法及びその装置
に関するものである。
びその装置に係わり、特に超硬・超耐熱性に優れたハフ
ニウムの高純度微粉末製造用の素原料を製造するための
ハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法及びその装置
に関するものである。
[従来の技術]
近年、ハフニウム(Hf)は超硬・超耐熱性に優れてい
るため各業界に注目されている。例えば、精密鋳造分野
においては超耐熱ニッケル基合金にHfを含有する一方
向性凝固材が、又、粉末冶金の分野においてはHfを含
有する重合金、分散強化型合金、さらにはHfC及びH
fNを含む複合炭化物等が商品化されつつある。
るため各業界に注目されている。例えば、精密鋳造分野
においては超耐熱ニッケル基合金にHfを含有する一方
向性凝固材が、又、粉末冶金の分野においてはHfを含
有する重合金、分散強化型合金、さらにはHfC及びH
fNを含む複合炭化物等が商品化されつつある。
前者の場合、素材であるマスターインゴット製造時のH
fはクリスタルバーのまま添加されていた。しかし、H
fクリスタルバーが粗粉砕されていないため、歩留りの
低下や偏析の原因になっていた。
fはクリスタルバーのまま添加されていた。しかし、H
fクリスタルバーが粗粉砕されていないため、歩留りの
低下や偏析の原因になっていた。
また後者の場合、Hf塩類を水素還元し、Hfを生成・
炭化し、ていた。しかし5、塩類に含まれる最終製品に
不要な元素及び基が製造工程中に分解・脱出し、空孔と
なり、結晶に乱れを生じていた。
炭化し、ていた。しかし5、塩類に含まれる最終製品に
不要な元素及び基が製造工程中に分解・脱出し、空孔と
なり、結晶に乱れを生じていた。
これらの問題は、素原料として最高純度のHfクリスタ
ルバーの粗砕品が存在すれば解決されるが、Hfクリス
タルバーは高硬度かつ高靭性金属であること及び結晶系
が稠密六方晶であるため、これをを粗砕する従来技術は
なく、単にHfスポンジを粗粉砕して商品化し、ている
だけであった。
ルバーの粗砕品が存在すれば解決されるが、Hfクリス
タルバーは高硬度かつ高靭性金属であること及び結晶系
が稠密六方晶であるため、これをを粗砕する従来技術は
なく、単にHfスポンジを粗粉砕して商品化し、ている
だけであった。
[発明が解決し、ようとする課題]
ところで、上記Hfスポンジを粗砕し、素原料とし、て
各種用途に使用し、た場合、含有する窒素量。
各種用途に使用し、た場合、含有する窒素量。
酸素量が多く、Hfは窒素や酸素等の侵入形不純物の影
響を受けやすいため、最終製品の物理的特性及び加工性
か低下するという問題があった。
響を受けやすいため、最終製品の物理的特性及び加工性
か低下するという問題があった。
また、Hfスポンジの製造過程にて塩素、マグネシウム
が残存するため、含有する塩素量、マグネシウム量が多
く、最終製品の物理的特性低下の原因となるという問題
があった。
が残存するため、含有する塩素量、マグネシウム量が多
く、最終製品の物理的特性低下の原因となるという問題
があった。
そこで、この様な課題に鑑みて本発明は、素原料として
最高純度のHfクリスタルバーの粗砕品得ることができ
るハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法及びその装
置を提供することを目的とするものである。
最高純度のHfクリスタルバーの粗砕品得ることができ
るハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法及びその装
置を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成すべく本発明のハフニウム・クリスタル
バーの粗粉砕方法は、Hfクリスタルバーを極低温冷媒
に接触させて極低温に保持し1、これをニッケル(Ni
)超超合金で挾持して圧縮し。
バーの粗粉砕方法は、Hfクリスタルバーを極低温冷媒
に接触させて極低温に保持し1、これをニッケル(Ni
)超超合金で挾持して圧縮し。
粗粉砕するようにしたものである。
また、本発明のハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕装
置は、極低温冷媒を収容するための底部が開閉自在なN
i基超超合金製容器と、上記極低温冷媒の収容された容
器を覆って内部を極低温に保持するための断熱材と、上
記容器内でHfクリスタルバーを挾持するためのNi基
超超合金製加圧端子と、該加圧端子に押圧力を与えて上
記Hfクリスタルバーを圧mし、粗粉砕するるなめの押
圧手段とからなるものである。
置は、極低温冷媒を収容するための底部が開閉自在なN
i基超超合金製容器と、上記極低温冷媒の収容された容
器を覆って内部を極低温に保持するための断熱材と、上
記容器内でHfクリスタルバーを挾持するためのNi基
超超合金製加圧端子と、該加圧端子に押圧力を与えて上
記Hfクリスタルバーを圧mし、粗粉砕するるなめの押
圧手段とからなるものである。
[作用]
上述の如(Hfクリスタルバーは高硬度かつ高靭性金属
であること及び結晶系が稠密六方晶であることから、低
m脆性を利用してこれを粗粉砕することは考えられてい
なかった。しかし、本出願人は少ないと考えられている
Hfの低温脆性効果を積極的に利用し、たちのである。
であること及び結晶系が稠密六方晶であることから、低
m脆性を利用してこれを粗粉砕することは考えられてい
なかった。しかし、本出願人は少ないと考えられている
Hfの低温脆性効果を積極的に利用し、たちのである。
本発明のハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法の構
成によれば、極低温冷媒にHfクリスタルバーを接触さ
せて極低温に保持すると、その低温脆性効果が高められ
ると共に、これに押圧力を加えたときの発熱が抑制され
る。この状態で、Ni基超超合金Hfクリスタルバーを
挾持し、て圧縮すると、このNi基超超合金Hfよりも
高硬度かつ高靭性金属で、又、低温脆性も起こさないの
で、Hfは永久歪を生じて粗粉砕されるものである。
成によれば、極低温冷媒にHfクリスタルバーを接触さ
せて極低温に保持すると、その低温脆性効果が高められ
ると共に、これに押圧力を加えたときの発熱が抑制され
る。この状態で、Ni基超超合金Hfクリスタルバーを
挾持し、て圧縮すると、このNi基超超合金Hfよりも
高硬度かつ高靭性金属で、又、低温脆性も起こさないの
で、Hfは永久歪を生じて粗粉砕されるものである。
また、本発明のハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕装
置によれば、容器をNi基超超合金製作することにより
極低温冷媒が安全に収容される。
置によれば、容器をNi基超超合金製作することにより
極低温冷媒が安全に収容される。
この容器を断熱材で覆うことにより、この極低温冷媒の
収容された容器の内部が極低温に保持される。この極低
温に保持された容器内で、Hfクリスタルバーを上記N
i基超超合金製加圧端子で挾持し上記押圧手段により当
該加圧端子に押圧力を与えて圧縮すると、Hfには永久
歪が生じて粗粉砕されるものである。そして、上記容器
の底部は開閉自在に形成されているので、粗粉砕された
Hfクリスタルは容易に取り出されるものである。
収容された容器の内部が極低温に保持される。この極低
温に保持された容器内で、Hfクリスタルバーを上記N
i基超超合金製加圧端子で挾持し上記押圧手段により当
該加圧端子に押圧力を与えて圧縮すると、Hfには永久
歪が生じて粗粉砕されるものである。そして、上記容器
の底部は開閉自在に形成されているので、粗粉砕された
Hfクリスタルは容易に取り出されるものである。
[実施例]
以下に本発明の好適一実施例を添付図面に基づいて詳述
する。
する。
まず第1図及び第2図に示すごとく本発明のハフニウム
・クリスタルバーの粗粉砕装置の一実施例を説明する。
・クリスタルバーの粗粉砕装置の一実施例を説明する。
図示するように、基台1上には極低温冷媒2を収容する
ための容器3が設けられている。上記極低温冷媒2には
例えば液体アルゴンを使用する。また、上記容器3はN
i基超超合金て形成され、円筒状のシリンダ4aからな
るl!I壁と円盤状の底部4bとからなっている。この
シリンダ4aは、例えば内径100關φ×高さ180市
の大きさに形成する。このシリンダ4aは底部4bに舊
脱自在に取り付けられている。この容器3の側部外周は
、この容器3の内部を極低温に保持すべく断熱材5によ
って覆われている。上記容器3内には粗粉砕するための
Hfクリスタルパー7が位置される。そして、この容器
3内には、上記Hfクリスタルパー7を挾持するための
円盤状の加圧端子8か備えられている。これら一対の加
圧端子8はNi基超超合金よって形成されている。
ための容器3が設けられている。上記極低温冷媒2には
例えば液体アルゴンを使用する。また、上記容器3はN
i基超超合金て形成され、円筒状のシリンダ4aからな
るl!I壁と円盤状の底部4bとからなっている。この
シリンダ4aは、例えば内径100關φ×高さ180市
の大きさに形成する。このシリンダ4aは底部4bに舊
脱自在に取り付けられている。この容器3の側部外周は
、この容器3の内部を極低温に保持すべく断熱材5によ
って覆われている。上記容器3内には粗粉砕するための
Hfクリスタルパー7が位置される。そして、この容器
3内には、上記Hfクリスタルパー7を挾持するための
円盤状の加圧端子8か備えられている。これら一対の加
圧端子8はNi基超超合金よって形成されている。
これら加圧端子8は、図示するようにHfクリスタルパ
ー7の上部と下部とに位置される。下部の加圧端子8は
上記容器3の底部4b上に設けられ、上部の加圧端子8
にはこれに押圧力を与えて、これら上下の加圧端子8に
より挟持された上記Hfクリスタルパー7を圧縮し、粗
粉砕するるための押圧手段9が接触するようになってい
る。この押圧手段9には、300■プレス機のプレスヘ
ッド10を使用する。このプレスヘッド10は98mm
φのものを使用する。尚、図中11は上記容器3ないの
垂直圧縮及びストローク補助用の加圧ガイドである。
ー7の上部と下部とに位置される。下部の加圧端子8は
上記容器3の底部4b上に設けられ、上部の加圧端子8
にはこれに押圧力を与えて、これら上下の加圧端子8に
より挟持された上記Hfクリスタルパー7を圧縮し、粗
粉砕するるための押圧手段9が接触するようになってい
る。この押圧手段9には、300■プレス機のプレスヘ
ッド10を使用する。このプレスヘッド10は98mm
φのものを使用する。尚、図中11は上記容器3ないの
垂直圧縮及びストローク補助用の加圧ガイドである。
このように構成したハフニウム・クリスタルバの粗粉砕
装置を使用して本発明のハフニウム・クリスタルバーの
粗粉砕方法を第3図に基づき具体的に説明する。先ず、
35關ψのHfクリスタルパー7を高速切断機により4
0±5州の大きさに切断20する。次に、別に用意して
おいた断熱密閉容器(図示せず)内に上記切断したHf
クリスタルパー7をドライアイスと共に混合し1、密閉
して50℃に一次冷却21する。そし、て、この−次冷
却21したHfクリスタルパー7を、さらに別の液体ア
ルゴンの封入された断熱密閉容器内に入れて密閉り、−
150℃に二次冷却22する。この二次冷却22後、本
発明に係る破砕容器3内の底部4b上に下部の加圧端子
8を位置させ、その上に二次冷却22したHfクリスタ
ルパー7を置き、さらにその上に上部の加圧端子8を位
置させて、上下のこれら加圧端子8でHfクリスタルパ
ー7を挾持する。これと共に、容器3内に液体アルゴン
を注ぎHfクリスタルパー7を極低温冷媒2に接触させ
て一150℃以下の極低温に保持する。
装置を使用して本発明のハフニウム・クリスタルバーの
粗粉砕方法を第3図に基づき具体的に説明する。先ず、
35關ψのHfクリスタルパー7を高速切断機により4
0±5州の大きさに切断20する。次に、別に用意して
おいた断熱密閉容器(図示せず)内に上記切断したHf
クリスタルパー7をドライアイスと共に混合し1、密閉
して50℃に一次冷却21する。そし、て、この−次冷
却21したHfクリスタルパー7を、さらに別の液体ア
ルゴンの封入された断熱密閉容器内に入れて密閉り、−
150℃に二次冷却22する。この二次冷却22後、本
発明に係る破砕容器3内の底部4b上に下部の加圧端子
8を位置させ、その上に二次冷却22したHfクリスタ
ルパー7を置き、さらにその上に上部の加圧端子8を位
置させて、上下のこれら加圧端子8でHfクリスタルパ
ー7を挾持する。これと共に、容器3内に液体アルゴン
を注ぎHfクリスタルパー7を極低温冷媒2に接触させ
て一150℃以下の極低温に保持する。
この容器3をNi基超超合金製作することにより極低温
冷媒2が安全に収容される。さらに、この容器3が断熱
材5で覆われていることにより、この極低温冷媒2の収
容された容器3の内部が150℃の極低温に保持される
。爾後、上記押圧手段9である300■プレス機のプレ
スヘッド10で上記上部の加圧端子8に約9に9/−の
押圧力を加え、上記上下の加圧端子8でHf久リスタル
バフを単一方向に圧縮し粗粉砕23する。これは、液体
アルゴンの如き極低温冷媒2にHfクリスタルパー7を
接触させて極低温に保持すると、その低温脆性効果が高
められると共に、これに押圧力を加えたときの発熱が抑
制される。この状態で、Ni基超超合金形成された上下
の加圧端子8でHfクリスタルパー7を挾持して圧縮す
ると、このNi基超超合金Hfよりも高硬度かつ高靭性
金属で、又、低温脆性も起こさないので、Hfは永次歪
を生じて粗粉砕されるものである。尚、上記容器3のシ
リンダ4aは極低温冷媒2を収容するだけでなく、垂直
圧縮を補助し、又、破砕品の飛散をも防止するものであ
る。上記−次冷却21、二次冷却22及び極低温破砕2
3の工程は連続し。
冷媒2が安全に収容される。さらに、この容器3が断熱
材5で覆われていることにより、この極低温冷媒2の収
容された容器3の内部が150℃の極低温に保持される
。爾後、上記押圧手段9である300■プレス機のプレ
スヘッド10で上記上部の加圧端子8に約9に9/−の
押圧力を加え、上記上下の加圧端子8でHf久リスタル
バフを単一方向に圧縮し粗粉砕23する。これは、液体
アルゴンの如き極低温冷媒2にHfクリスタルパー7を
接触させて極低温に保持すると、その低温脆性効果が高
められると共に、これに押圧力を加えたときの発熱が抑
制される。この状態で、Ni基超超合金形成された上下
の加圧端子8でHfクリスタルパー7を挾持して圧縮す
ると、このNi基超超合金Hfよりも高硬度かつ高靭性
金属で、又、低温脆性も起こさないので、Hfは永次歪
を生じて粗粉砕されるものである。尚、上記容器3のシ
リンダ4aは極低温冷媒2を収容するだけでなく、垂直
圧縮を補助し、又、破砕品の飛散をも防止するものであ
る。上記−次冷却21、二次冷却22及び極低温破砕2
3の工程は連続し。
て3〜4回繰り返して行うものである。また、切断した
Hfクリスタルパー7については3〜4枚の連続破砕が
可能である。次に、上記容器3のシリンダ4aを底部4
bから脱離させて粗粉砕したHfクリスタルを速やかに
取り出し循環式デシゲータ(図示せず)内に保管24す
る。
Hfクリスタルパー7については3〜4枚の連続破砕が
可能である。次に、上記容器3のシリンダ4aを底部4
bから脱離させて粗粉砕したHfクリスタルを速やかに
取り出し循環式デシゲータ(図示せず)内に保管24す
る。
本発明の各特性値は各種の実験結果から最適値を求めた
ものである。その基本的な特徴は、Hfクリスタルパー
7を一150℃以下に冷却保持し、て脆性を付加し、か
つ結晶の結合エネルギの放出による大量の発熱を冷却し
て破砕効率を高めることにより約9 klJ/−の圧縮
力により粗粉砕できるようにしたものである。−150
℃より上の温度では脆性効果を高めることはできず、ま
た約9kg/mJより小さな圧縮力では破砕することは
できない。
ものである。その基本的な特徴は、Hfクリスタルパー
7を一150℃以下に冷却保持し、て脆性を付加し、か
つ結晶の結合エネルギの放出による大量の発熱を冷却し
て破砕効率を高めることにより約9 klJ/−の圧縮
力により粗粉砕できるようにしたものである。−150
℃より上の温度では脆性効果を高めることはできず、ま
た約9kg/mJより小さな圧縮力では破砕することは
できない。
このように製造しなHfクリスタル粗砕品における利点
は次の通りである。
は次の通りである。
粗砕品のまま使用する場合には、精密鋳造品(DS材、
SC材)用マスターインゴット及び鍛造合金内電極合金
の各製造時における合金添加材に使用した場合、Hfク
リスタルバーの状態にて添加する場合に比べ高歩留が期
待できる。すなわち、Hfクリスタルバーの添加歩留が
70〜80%であるのに対して、本発明Gζより製造し
たHf粗砕品の添加歩留99〜100%である。本用途
には、N、O,C,fJ、Mgを高濃度含有するHfス
ポンジは使用できない。
SC材)用マスターインゴット及び鍛造合金内電極合金
の各製造時における合金添加材に使用した場合、Hfク
リスタルバーの状態にて添加する場合に比べ高歩留が期
待できる。すなわち、Hfクリスタルバーの添加歩留が
70〜80%であるのに対して、本発明Gζより製造し
たHf粗砕品の添加歩留99〜100%である。本用途
には、N、O,C,fJ、Mgを高濃度含有するHfス
ポンジは使用できない。
また、本発明により製造しまたHf粗粉砕品は本出願人
が別途出願した「活性金属の高純度微粉末製造方法」に
素原料として使用するものである。
が別途出願した「活性金属の高純度微粉末製造方法」に
素原料として使用するものである。
二の活性金属の高純度微粉末製造方法によりHf粗砕品
を微粉化し、て使用する場合には、各種用途に素原料と
し、て使用されるが、微粉末の状態にて粉末冶金用の素
原料とする従来技術はなく、比較できないが、ハフニウ
ム炭化物(Hf C,)の状態にて素原料とする場合、
すなわちHf化合物を水素還元しHfを炭化し、てHf
Cを製造する場合に比べ、原子配列に不純物元素の浸入
が極度に少なく、また原子配列に脱出、空孔による乱れ
を生ぜず、さらに再現性が良く品質、性能が安定してい
る。
を微粉化し、て使用する場合には、各種用途に素原料と
し、て使用されるが、微粉末の状態にて粉末冶金用の素
原料とする従来技術はなく、比較できないが、ハフニウ
ム炭化物(Hf C,)の状態にて素原料とする場合、
すなわちHf化合物を水素還元しHfを炭化し、てHf
Cを製造する場合に比べ、原子配列に不純物元素の浸入
が極度に少なく、また原子配列に脱出、空孔による乱れ
を生ぜず、さらに再現性が良く品質、性能が安定してい
る。
[発明の効果コ
以上要するに本発明の請求項1及び請求項2によれば、
素原料として最高純度のHfクリスタルバーの粗砕品径
ることができる。
素原料として最高純度のHfクリスタルバーの粗砕品径
ることができる。
第1図は本発明のハフニウム・クリスタルバの粗粉砕装
置の一実施例を示す断面図、第2図は第1図の■−■線
矢視図、第3図は本発明のハフニウム・クリスタルバー
の粗粉砕方法の一実施例を示す工程図である。 図中、2は極低温冷媒、3は容器、4bは底部、5は断
熱材、7はハフニウム・クリスタルバー、8は加圧端子
、9は押圧手段である。 ζツ
置の一実施例を示す断面図、第2図は第1図の■−■線
矢視図、第3図は本発明のハフニウム・クリスタルバー
の粗粉砕方法の一実施例を示す工程図である。 図中、2は極低温冷媒、3は容器、4bは底部、5は断
熱材、7はハフニウム・クリスタルバー、8は加圧端子
、9は押圧手段である。 ζツ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ハフニウム・クリスタルバーを極低温冷媒に接触さ
せて極低温に保持し、これをニッケル基超合金で挾持し
て圧縮し粗粉砕するようにしたことを特徴とするハフニ
ウム・クリスタルバーの粗粉砕方法。 2、極低温冷媒を収容するための底部が開閉自在なニッ
ケル基超合金製の容器と、上記極低温冷媒の収容された
容器を覆って内部を極低温に保持するための断熱材と、
上記容器内でハフニウム・クリスタルバーを挾持するた
めのニッケル基超合金製の加圧端子と、該加圧端子に押
圧力を与えて上記ハフニウム・クリスタルバーを圧縮し
粗粉砕するための押圧手段とからなることを特徴とする
ハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63238989A JPH0288706A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | ハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法及びその装置 |
EP89115748A EP0370180B1 (en) | 1988-09-26 | 1989-08-25 | Process for producing particles from hafnium and apparatus therefor |
DE89115748T DE68910476T2 (de) | 1988-09-26 | 1989-08-25 | Verfahren und Vorrichtung zur Hafniumteilchen. |
US07/466,893 US4979685A (en) | 1988-09-26 | 1990-01-18 | Apparatus for crushing hafnium crystal bar |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63238989A JPH0288706A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | ハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法及びその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0288706A true JPH0288706A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17038266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63238989A Pending JPH0288706A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | ハフニウム・クリスタルバーの粗粉砕方法及びその装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4979685A (ja) |
EP (1) | EP0370180B1 (ja) |
JP (1) | JPH0288706A (ja) |
DE (1) | DE68910476T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5533680A (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-09 | U.S. Rubber Reclaiming, Inc. | Process to grind thermoset or thermoplastic materials |
WO1997020972A1 (en) * | 1995-12-08 | 1997-06-12 | The University Of Alabama At Birmingham | Method and apparatus for cooling crystals |
DE19953780C1 (de) * | 1999-11-04 | 2001-04-12 | Dresden Ev Inst Festkoerper | Verfahren zur Herstellung von Halbzeug und Formkörpern aus partikelverstärkten Silberbasiswerkstoffen |
US7229034B2 (en) * | 2004-03-02 | 2007-06-12 | Monsanto Technology Llc | Seed crusher |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5424263A (en) * | 1977-07-27 | 1979-02-23 | Nippon Steel Corp | Manufacture of pure iron powder for use of powder metallurgy from empty tin cans |
JPS561361A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Anritsu Corp | Measuring instrument of frequency characteristic |
JPS5626681A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-14 | Toyota Motor Corp | Gun self-propelling spot welder |
JPS5627562A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Tight image sensor |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3072347A (en) * | 1961-11-02 | 1963-01-08 | Du Pont | Metal processing |
US3363846A (en) * | 1965-12-16 | 1968-01-16 | Nuclear Materials & Equipment | Method of and apparatus for producing small particles |
US3514969A (en) * | 1967-10-23 | 1970-06-02 | Richard D Harza | Freezing apparatus for garbage disposal |
JPS5246681A (en) * | 1975-10-09 | 1977-04-13 | Matsushita Refrig Co | Device for compressing a refuse |
US4509695A (en) * | 1983-07-18 | 1985-04-09 | Spectrum Medical Industries, Inc. | Tissue pulverizer |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63238989A patent/JPH0288706A/ja active Pending
-
1989
- 1989-08-25 DE DE89115748T patent/DE68910476T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-25 EP EP89115748A patent/EP0370180B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-18 US US07/466,893 patent/US4979685A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5424263A (en) * | 1977-07-27 | 1979-02-23 | Nippon Steel Corp | Manufacture of pure iron powder for use of powder metallurgy from empty tin cans |
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JPS5627562A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Tight image sensor |
JPS5626681A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-14 | Toyota Motor Corp | Gun self-propelling spot welder |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0370180B1 (en) | 1993-11-03 |
US4979685A (en) | 1990-12-25 |
DE68910476D1 (de) | 1993-12-09 |
DE68910476T2 (de) | 1994-05-11 |
EP0370180A1 (en) | 1990-05-30 |
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