JPH0286125A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
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- JPH0286125A JPH0286125A JP23808388A JP23808388A JPH0286125A JP H0286125 A JPH0286125 A JP H0286125A JP 23808388 A JP23808388 A JP 23808388A JP 23808388 A JP23808388 A JP 23808388A JP H0286125 A JPH0286125 A JP H0286125A
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- vapor deposition
- substrate
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- toothed belt
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は2例えば、半導体素子に電極を形成する場合に
用いられ、減圧下で蒸着材料を加熱蒸発させて半導体基
板上に薄膜を堆積する蒸着装置に関する。
用いられ、減圧下で蒸着材料を加熱蒸発させて半導体基
板上に薄膜を堆積する蒸着装置に関する。
(従来の技術)
マイクロ波帯あるいはミリ波帯の増幅等に好適に用いら
れるGaAsショットキーバリアゲート電界効果トラン
ジスタ(Metal Sem1conductor F
ET ;MESF[!T )では、低雑音化、高利得化
を図るために。
れるGaAsショットキーバリアゲート電界効果トラン
ジスタ(Metal Sem1conductor F
ET ;MESF[!T )では、低雑音化、高利得化
を図るために。
ソースドレイン間の電流を制御するゲート電極のソース
ドレイン方向の長さ(ゲート長)を短縮することが行わ
れている。従来、ゲート電極の配設に際して、半導体素
子上にレジスト膜を形成し。
ドレイン方向の長さ(ゲート長)を短縮することが行わ
れている。従来、ゲート電極の配設に際して、半導体素
子上にレジスト膜を形成し。
ゲート電極を配設すべき部分をUV光(紫外光)やディ
ープUV光によるコンタクトリソグラフィ法にてパター
ニングして半導体素子表面を露出させておき、その露出
した部分にゲート電極を配設している。しかし、このコ
ンタクトリソグラフィ法では、0.5μ閣程度にしか解
像できないため、0.5μm以下の寸法でバターニング
しても、十分な再現性が得られず歩留りの低下を招来す
る。このため。
ープUV光によるコンタクトリソグラフィ法にてパター
ニングして半導体素子表面を露出させておき、その露出
した部分にゲート電極を配設している。しかし、このコ
ンタクトリソグラフィ法では、0.5μ閣程度にしか解
像できないため、0.5μm以下の寸法でバターニング
しても、十分な再現性が得られず歩留りの低下を招来す
る。このため。
該コンタクトリソグラフィ法では、ゲート電極を配設す
べき半導体素子部分の露出は、最小で0.5μm程度が
限度であり、従って、ゲート長も0.5μm程度にしか
短縮できない。
べき半導体素子部分の露出は、最小で0.5μm程度が
限度であり、従って、ゲート長も0.5μm程度にしか
短縮できない。
ゲート電極を形成するに際して、レジスト膜のバターニ
ングに2電子ビームにより直接パターニングする電子ビ
ーム直接描画法を用いれば、ゲート長をさらに短縮する
ことができる。しかし、この電子ビーム直接描画法では
、半導体素子が形成されたウェーハ基板1枚ずつに直接
電子ビームを照射するため、生産性が悪く、シかも、該
方法の実施に使用される装置が非常に高価であるという
問題がある。
ングに2電子ビームにより直接パターニングする電子ビ
ーム直接描画法を用いれば、ゲート長をさらに短縮する
ことができる。しかし、この電子ビーム直接描画法では
、半導体素子が形成されたウェーハ基板1枚ずつに直接
電子ビームを照射するため、生産性が悪く、シかも、該
方法の実施に使用される装置が非常に高価であるという
問題がある。
このため、前述したコンタクトリソグラフィ法を用いて
、ゲート長を一層短縮するゲート電極形成方法が開発さ
れている。このゲート電極形成方法では、まず、第5図
(a)に示すように、半絶縁性GaAsウェーハ基板1
1上に1例えばMBE法によりn型活性層12上に適当
な間隔をあけてソース電極14およびドレイン電極15
を配設する。そして、ソース電極14とドレイン電極1
5の間のn型活性層12上に、シリコン窒化(SiN)
膜13を積層する。次いで。
、ゲート長を一層短縮するゲート電極形成方法が開発さ
れている。このゲート電極形成方法では、まず、第5図
(a)に示すように、半絶縁性GaAsウェーハ基板1
1上に1例えばMBE法によりn型活性層12上に適当
な間隔をあけてソース電極14およびドレイン電極15
を配設する。そして、ソース電極14とドレイン電極1
5の間のn型活性層12上に、シリコン窒化(SiN)
膜13を積層する。次いで。
ソース電極14.シリコン窒化膜13.ドレイン電極1
5上に、レジスト16を積層して、前述のUV光を用い
たコンタクトリソグラフィ法によりレジスト16に開口
17を形成する。そして、該レジスト16をマスクとし
て、シリコン窒化膜13の一部をエツチングし、さらに
適当なエツチング液によりn型活性層12をエツチング
して、凹溝12aを形成する。
5上に、レジスト16を積層して、前述のUV光を用い
たコンタクトリソグラフィ法によりレジスト16に開口
17を形成する。そして、該レジスト16をマスクとし
て、シリコン窒化膜13の一部をエツチングし、さらに
適当なエツチング液によりn型活性層12をエツチング
して、凹溝12aを形成する。
このようにして、第5図(a)に示すような断面形状の
GaAsウェーハ基板11が得られると、咳つェーへ基
板11には、蒸着装置により9例えばAI膜が蒸着され
る。蒸着装置によるAI膜の蒸着は、減圧チャンバ内に
GaAsウェーハ基板11を固定して行われる。GaA
sウェーハ基板11は、まず蒸着材料の蒸気方向(蒸着
方向)に対してソースドレイン方向が10〜20度程度
の角度αとなるように傾けた状態に固定される(第5図
(b)参照)。このような状態で蒸着を行うと、レジス
ト16上にAI膜19aが蒸着される。このとき、蒸着
方向が開口17の軸心とは直交する方向に対しても10
〜20度の傾斜角度になるため、該開口17を通って凹
溝12aにAI膜が蒸着されず、第5図(b)に示すよ
うに、蒸着方向に対向する開目1フ内 ース電極14側内周面にAI膜19aが堆積される。
GaAsウェーハ基板11が得られると、咳つェーへ基
板11には、蒸着装置により9例えばAI膜が蒸着され
る。蒸着装置によるAI膜の蒸着は、減圧チャンバ内に
GaAsウェーハ基板11を固定して行われる。GaA
sウェーハ基板11は、まず蒸着材料の蒸気方向(蒸着
方向)に対してソースドレイン方向が10〜20度程度
の角度αとなるように傾けた状態に固定される(第5図
(b)参照)。このような状態で蒸着を行うと、レジス
ト16上にAI膜19aが蒸着される。このとき、蒸着
方向が開口17の軸心とは直交する方向に対しても10
〜20度の傾斜角度になるため、該開口17を通って凹
溝12aにAI膜が蒸着されず、第5図(b)に示すよ
うに、蒸着方向に対向する開目1フ内 ース電極14側内周面にAI膜19aが堆積される。
次いで,第5図(C)に示すように,蒸着方向に対して
GaAsウェーハ基板11が,前述の傾斜状態とは開口
17の軸心に対して対称となった傾斜状態とする。そし
て、このような状態で蒸着を行うと,先に形成されたA
I膜19a上に,新たにAI膜19bが積層される。そ
して2 この場合も,開口17を通って凹溝12aには
AI膜は積層されず.蒸着方向に対向する開目1フ内 ドレイン電極15側内周面にも^l膜19bが蒸着され
る。これにより、レジスト16の開口17は,そのソー
ス電極14側およびドレイン電極15側の内周面に積層
されたAI膜19aおよび19bにより.ソースドレイ
ン方向に挟まった状態になる。
GaAsウェーハ基板11が,前述の傾斜状態とは開口
17の軸心に対して対称となった傾斜状態とする。そし
て、このような状態で蒸着を行うと,先に形成されたA
I膜19a上に,新たにAI膜19bが積層される。そ
して2 この場合も,開口17を通って凹溝12aには
AI膜は積層されず.蒸着方向に対向する開目1フ内 ドレイン電極15側内周面にも^l膜19bが蒸着され
る。これにより、レジスト16の開口17は,そのソー
ス電極14側およびドレイン電極15側の内周面に積層
されたAI膜19aおよび19bにより.ソースドレイ
ン方向に挟まった状態になる。
その後,第5図(d)に示すように, GaAsウェー
ハ基板工1を蒸着方向に対して直交する状態に固定する
。このような状態ではレジスト16の開口の軸心方向が
蒸着方向に一致するため.このような状態で蒸着を行う
と.先に形成されたAI膜19b上にAI膜19cが積
層されると共に,レジスト16の開口17を通って,凹
溝12aにもAI膜19cが積層される。
ハ基板工1を蒸着方向に対して直交する状態に固定する
。このような状態ではレジスト16の開口の軸心方向が
蒸着方向に一致するため.このような状態で蒸着を行う
と.先に形成されたAI膜19b上にAI膜19cが積
層されると共に,レジスト16の開口17を通って,凹
溝12aにもAI膜19cが積層される。
このとき、レジスト16の開ロエ7は,先の蒸着工程に
より堆積されたAI膜19aおよび19bにてソースド
レイン方向に狭くなっているため,その狭くなった部分
を通過したA1膜19cが凹溝12aに堆積される。そ
して、その堆積されたAI膜19cがゲート電極になる
。
より堆積されたAI膜19aおよび19bにてソースド
レイン方向に狭くなっているため,その狭くなった部分
を通過したA1膜19cが凹溝12aに堆積される。そ
して、その堆積されたAI膜19cがゲート電極になる
。
このようにして、凹溝12aに所定の高さにわたってA
I膜が堆積されると.ウェーハは蒸着装置の減圧チャン
バより取り出され,ウェーハ全体を有機溶剤に浸漬させ
てレジストを除去するリフトオフ法により不要のAI膜
が取り除かれる。これにより、第5図(e)に示すME
SFETが得られる。
I膜が堆積されると.ウェーハは蒸着装置の減圧チャン
バより取り出され,ウェーハ全体を有機溶剤に浸漬させ
てレジストを除去するリフトオフ法により不要のAI膜
が取り除かれる。これにより、第5図(e)に示すME
SFETが得られる。
このような方法によれば,コンタクトリソグラフィ法に
より形成されるレジスト16の開口17の幅寸法は0.
5μm程度が限界であるが,その間口17がAI膜にて
狭まれるため.凹溝12aに形成されるゲート電極のゲ
ート長は,レジスト16の開口17の幅寸法よりも一層
短縮させることができ、クォータミクロンレベルのゲー
ト長が得られる。
より形成されるレジスト16の開口17の幅寸法は0.
5μm程度が限界であるが,その間口17がAI膜にて
狭まれるため.凹溝12aに形成されるゲート電極のゲ
ート長は,レジスト16の開口17の幅寸法よりも一層
短縮させることができ、クォータミクロンレベルのゲー
ト長が得られる。
このようなゲート電極形成方法には、減圧チャンバ内に
蒸着材料を加熱蒸発させる蒸発源が配設された蒸着装置
が用いられ、該蒸着装置では、減圧チャンバ内の蒸発源
からの加熱蒸気の流動の方向(蒸着方向)に対して所定
の傾斜角度となるように、減圧チャンバ内にウェーハが
保持される。
蒸着材料を加熱蒸発させる蒸発源が配設された蒸着装置
が用いられ、該蒸着装置では、減圧チャンバ内の蒸発源
からの加熱蒸気の流動の方向(蒸着方向)に対して所定
の傾斜角度となるように、減圧チャンバ内にウェーハが
保持される。
このような蒸着装置により、上述のゲート電極形成方法
を行う場合には9例えば、第6図(a)および働)に示
す基板保持具が使用される。第6図(a)に示す基板保
持具91は、 GaAsウェーハ基板11を蒸着方向に
対して10〜20度傾斜させた状態で減圧チャンバ内に
固定する際に使用される。該基板保持具91は、減圧チ
ャンバ内の所定位置に取付られる平板状の連結部91a
と2該連結部91aに対して100〜110度程度の所
定の角度θを有するように取付られた平板状の支持部9
1bとを有する。連結部91aには、減圧チャンバの所
定位置に係止されるフック91cが取付けられている。
を行う場合には9例えば、第6図(a)および働)に示
す基板保持具が使用される。第6図(a)に示す基板保
持具91は、 GaAsウェーハ基板11を蒸着方向に
対して10〜20度傾斜させた状態で減圧チャンバ内に
固定する際に使用される。該基板保持具91は、減圧チ
ャンバ内の所定位置に取付られる平板状の連結部91a
と2該連結部91aに対して100〜110度程度の所
定の角度θを有するように取付られた平板状の支持部9
1bとを有する。連結部91aには、減圧チャンバの所
定位置に係止されるフック91cが取付けられている。
他方の支持部91bの中央部には、 GaAsウェーハ
基板11と略等しい径を有する透孔91dが形成されて
おり、該透孔91dの周縁部にGaAsウェーハ基板1
1を該支持部91bに固定するための固定金具91eが
設けられている。
基板11と略等しい径を有する透孔91dが形成されて
おり、該透孔91dの周縁部にGaAsウェーハ基板1
1を該支持部91bに固定するための固定金具91eが
設けられている。
このような基板保持具91は次のように使用される。G
aAsウェーハ基板11では9通常、そのオリエンテー
ションフラットllaに対して、ソースドレイン方向が
直交するようにPET素子が形成される。
aAsウェーハ基板11では9通常、そのオリエンテー
ションフラットllaに対して、ソースドレイン方向が
直交するようにPET素子が形成される。
このため、 GaAsウェーハ基板11は1例えば、最
初は、オリエンテーションフラットllaが蒸着源に対
して離れた側に位置し、しかも、蒸着方向に対して直交
するように、基板保持具91の支持部91bに固定され
て、減圧チャンバ内に係止される。このような状態で、
減圧チャンバ内を減圧して真空状態とし、 GaAsウ
ェーハ基板11にAl膜が蒸着される。この場合のAt
膜の蒸着は、前述したとおりである。そして、1回目の
Al膜の蒸着が終了すると。
初は、オリエンテーションフラットllaが蒸着源に対
して離れた側に位置し、しかも、蒸着方向に対して直交
するように、基板保持具91の支持部91bに固定され
て、減圧チャンバ内に係止される。このような状態で、
減圧チャンバ内を減圧して真空状態とし、 GaAsウ
ェーハ基板11にAl膜が蒸着される。この場合のAt
膜の蒸着は、前述したとおりである。そして、1回目の
Al膜の蒸着が終了すると。
減圧チャンバ内を冷却して、該減圧チャンバ内を大気圧
に復帰させ、基板保持具91を減圧チャンバから取り出
す。そして、 GaAsウェーハ基板11を反転させて
、そのオリエンテーションフラットllaを蒸発源側に
位置させ、しかも蒸着方向に対して直交するように、該
基板保持具91の支持部91bに固定し直す。その後、
減圧チャンバ内に該基板保持具91を係止して、2回目
のAl膜の蒸着を行う。
に復帰させ、基板保持具91を減圧チャンバから取り出
す。そして、 GaAsウェーハ基板11を反転させて
、そのオリエンテーションフラットllaを蒸発源側に
位置させ、しかも蒸着方向に対して直交するように、該
基板保持具91の支持部91bに固定し直す。その後、
減圧チャンバ内に該基板保持具91を係止して、2回目
のAl膜の蒸着を行う。
GaAsウェーハ基板11を蒸着方向に対して直交させ
た状態で蒸着する3回目の蒸着には、第6図(b)の基
板保持具92が使用される。該基板保持具92は。
た状態で蒸着する3回目の蒸着には、第6図(b)の基
板保持具92が使用される。該基板保持具92は。
平板状をしており、その中央部にGaAsウェーハ基板
11とほぼ等しい径の透孔92aを有し、該透孔92a
の周縁部にGaAsウェーハ基板11の固定金具92b
が設けられている。そして、該基板保持具92の一面に
は、該基板保持具92全体を減圧チャンバ内の所定位置
に係止するフック92cが設けられている。
11とほぼ等しい径の透孔92aを有し、該透孔92a
の周縁部にGaAsウェーハ基板11の固定金具92b
が設けられている。そして、該基板保持具92の一面に
は、該基板保持具92全体を減圧チャンバ内の所定位置
に係止するフック92cが設けられている。
該基板保持具92は、その固定金具92bにてGaAs
ウェーハ基板11を固定した状態で、減圧チャンバ内に
係止され、前述したように、 Al膜の蒸着が行われる
。
ウェーハ基板11を固定した状態で、減圧チャンバ内に
係止され、前述したように、 Al膜の蒸着が行われる
。
(発明が解決しようとする課題)
このように、従来の蒸着装置により、前述したゲート電
極形成方法を実施する場合には、1回目および2回目の
Al膜の蒸着を行う都度、減圧チャンバ内の冷却および
大気圧への復帰、さらにはGaAsウェーハ基板の基板
保持具に対する姿勢の変更等を行わなければならず、非
常に作業性が悪いという問題がある。
極形成方法を実施する場合には、1回目および2回目の
Al膜の蒸着を行う都度、減圧チャンバ内の冷却および
大気圧への復帰、さらにはGaAsウェーハ基板の基板
保持具に対する姿勢の変更等を行わなければならず、非
常に作業性が悪いという問題がある。
また、1回目および2回目のAl膜の蒸着後に。
GaAsウェーハ基板11は減圧チャンバ内から取り出
されるため、該GaAsウェーハ基板11は外気に接触
することになる。このように、 GaAsウェーハ基板
が外気に接触されると、第5図(a)に示すようにn型
活性層12に形成された凹溝12aの表面が汚染され、
該凹溝12aに形成されるゲート電極とn型活性Jli
12とは、良好なショットキー接触が得られないおそれ
がある。このように良好なショットキー接触が得られな
ければ、製造されたMESFETは良好な電気的特性を
示さない。
されるため、該GaAsウェーハ基板11は外気に接触
することになる。このように、 GaAsウェーハ基板
が外気に接触されると、第5図(a)に示すようにn型
活性層12に形成された凹溝12aの表面が汚染され、
該凹溝12aに形成されるゲート電極とn型活性Jli
12とは、良好なショットキー接触が得られないおそれ
がある。このように良好なショットキー接触が得られな
ければ、製造されたMESFETは良好な電気的特性を
示さない。
また、基板保持具91および92を用いてGaAsウェ
ーハ基板を減圧チャンバ内に固定しているため。
ーハ基板を減圧チャンバ内に固定しているため。
該減圧チャンバ内に収容し得るGaAsウェーハ基板1
1の枚数が限定され9通常、その枚数は数枚程度であり
、生産効率が悪いという欠点もある。
1の枚数が限定され9通常、その枚数は数枚程度であり
、生産効率が悪いという欠点もある。
さらに、1回目および2回目のA1膜の蒸着の都度、基
板保持具に対してGaAsウェーハ基板を取り外したり
取り付けたりし、かつ、基板保持具を減圧チャンバに対
して取り外したり取り付けたりするため、それぞれのA
I膜の蒸着の都度、蒸着方向に対するGaAsウェーハ
基板11の傾斜角度等が一定せず、所定の精度の厚さに
蒸着できないおそれがある。
板保持具に対してGaAsウェーハ基板を取り外したり
取り付けたりし、かつ、基板保持具を減圧チャンバに対
して取り外したり取り付けたりするため、それぞれのA
I膜の蒸着の都度、蒸着方向に対するGaAsウェーハ
基板11の傾斜角度等が一定せず、所定の精度の厚さに
蒸着できないおそれがある。
本発明は上記従来の問題を解決するものであり。
その目的は9作業性に優れており、蒸着作業中に蒸着す
べき基板を汚染するおそれのない蒸着装置を提供するこ
とにある。
べき基板を汚染するおそれのない蒸着装置を提供するこ
とにある。
(課題を解決するための手段)
本発明は、所定の減圧状態となった減圧チャンバ内にて
蒸発源から蒸発させられる蒸気を基板上に堆積する蒸着
装置であり、蒸着される基板が取付けられる基板ホルダ
と、該基板ホルダを減圧チャンバ内にて蒸着方向に対し
て任意の傾斜角度となるように回動可能に支持する支持
部材と、該支持部材に対して該基板ホルダを回動させる
べく該基板ホルダに連結されている基板ホルダ回動手段
と、を具備しており、そのことにより上記目的が達成さ
れる。
蒸発源から蒸発させられる蒸気を基板上に堆積する蒸着
装置であり、蒸着される基板が取付けられる基板ホルダ
と、該基板ホルダを減圧チャンバ内にて蒸着方向に対し
て任意の傾斜角度となるように回動可能に支持する支持
部材と、該支持部材に対して該基板ホルダを回動させる
べく該基板ホルダに連結されている基板ホルダ回動手段
と、を具備しており、そのことにより上記目的が達成さ
れる。
(実施例)
以下に本発明を実施例について説明する。
本発明の蒸着装置は、第1図に示すように、内部を所定
の減圧状態にし得る減圧チャンバ21と。
の減圧状態にし得る減圧チャンバ21と。
該減圧チャンバ21の下部に配設され内部に蒸着材料が
収容された蒸発源るつぼ22と、該蒸発源るつぼ22内
の蒸着材料を高温に加熱するべく加速した電子を該蒸着
材料に当てる電子ビーム銃23とを有する。該蒸発源る
つぼ22の上方には、該蒸発源るつぼ22内から蒸発す
る蒸着材料の蒸気を制御するシャッタ24が設けられて
いる。
収容された蒸発源るつぼ22と、該蒸発源るつぼ22内
の蒸着材料を高温に加熱するべく加速した電子を該蒸着
材料に当てる電子ビーム銃23とを有する。該蒸発源る
つぼ22の上方には、該蒸発源るつぼ22内から蒸発す
る蒸着材料の蒸気を制御するシャッタ24が設けられて
いる。
減圧チャンバ21の上部には9円板状の基台31が水平
状に配設されている。該基台31の中心位置は。
状に配設されている。該基台31の中心位置は。
下部の蒸発源るつぼ22の中心に対向している。該基台
31の外周縁部には下方に向かって延出する環状の支持
板32が連設されている。該支持板32には。
31の外周縁部には下方に向かって延出する環状の支持
板32が連設されている。該支持板32には。
複数の基板ホルダ33.33.・・・が周方向に適当な
間隔をあけて取付けられている。各基板ホルダ33は。
間隔をあけて取付けられている。各基板ホルダ33は。
円板状をした本体部33aと、該本体部33aから径方
向に突出する連結軸33bとを有し、該連結軸33bが
支持47i32に回転可能に取付けられている。
向に突出する連結軸33bとを有し、該連結軸33bが
支持47i32に回転可能に取付けられている。
各基板ホルダ33の連結軸33bは9円板状の本体部3
3aの中心を通る蒸発源るつぼ21を中心とした円の接
線方向に伸びている。環状の支持板32は。
3aの中心を通る蒸発源るつぼ21を中心とした円の接
線方向に伸びている。環状の支持板32は。
各連結軸33bとは直交するように、下部が先細りにな
って傾斜している。従って、各基板ホルダ33の連結軸
33bが支持板32に対して回転しても1本体部33a
の中心位置は、常に変化せず、また、その回転により、
蒸発源るつぼ22からの蒸着材料の蒸気方向(蒸着方向
)に対して本体部33aの傾斜角度が変化する。該本体
部33aの一面には9例えばウェーハ基板11を係止し
得る係止具33cが設けられている。
って傾斜している。従って、各基板ホルダ33の連結軸
33bが支持板32に対して回転しても1本体部33a
の中心位置は、常に変化せず、また、その回転により、
蒸発源るつぼ22からの蒸着材料の蒸気方向(蒸着方向
)に対して本体部33aの傾斜角度が変化する。該本体
部33aの一面には9例えばウェーハ基板11を係止し
得る係止具33cが設けられている。
該支持板32を挿通して該支持板32の外周側に位置す
る各連結軸33bの端部には、第2図に示すように、歯
車34がそれぞれ取付けられている。支持板32の外周
面には、全ての歯車34に噛合する1本の歯付きベルト
35が設けられている。該歯付きベルト35は、支持板
32外周面に配設された相隣する各歯車34に端部が巻
き掛けられて1両歯車にて挟まれた残りの全ての歯車3
4に対して、第3図に示すように、挟み込んで、各歯車
34と噛合している。
る各連結軸33bの端部には、第2図に示すように、歯
車34がそれぞれ取付けられている。支持板32の外周
面には、全ての歯車34に噛合する1本の歯付きベルト
35が設けられている。該歯付きベルト35は、支持板
32外周面に配設された相隣する各歯車34に端部が巻
き掛けられて1両歯車にて挟まれた残りの全ての歯車3
4に対して、第3図に示すように、挟み込んで、各歯車
34と噛合している。
支持板32の外周面に設けられた1つの歯車34には、
歯車36が噛合しており、該歯車36には歯付きベルト
37が巻き掛けられている。該歯付きベルト37は、支
持板32に外周面に沿って配設された歯付きベルト35
とは直交するように、該支持板32外周面に沿って上方
へ延設されている。そして、該歯付きベルト37の上端
部は、基台31の上面に設けられているギヤボックス3
8に取付けられた歯車39に噛合している。該ギヤボッ
クス3日は入力される動力の伝達方向を変更するもので
あり、該ギヤボックス38には、基台31上面に沿って
、該基台31の中心位置から径方向に延設された歯付き
ベル)41にて動力が入力される。該歯付きベルト41
は、基台31の中心位置では、基台31とは略平行に配
設された歯車42に巻き掛けられており、該歯車42は
、減圧チャンバ21の外部に配設されたステッピングモ
ータ43の出力軸に連結されている。従って、ステッピ
ングモータの回転力は、歯付きベルト41を介してギヤ
ボックス38に入力され、該ギヤボックス38内のばす
両歯車等にてその回転力は、歯車39に伝達される。そ
して、該歯車39の回転力は、歯付きベルト37を介し
て歯車36に伝達され、さらに該歯車36から1つの歯
車34を介して、支持板32の外周面に沿った歯付きベ
ルト35に伝達され、該歯付きベルト35が周回移動す
る。該歯付きベルト35が周回移動すると、該歯付きベ
ルト35に噛合する各歯車34が一体的に回動されて、
各歯車34に連結された各基板ホルダ33が一体的に回
動される。
歯車36が噛合しており、該歯車36には歯付きベルト
37が巻き掛けられている。該歯付きベルト37は、支
持板32に外周面に沿って配設された歯付きベルト35
とは直交するように、該支持板32外周面に沿って上方
へ延設されている。そして、該歯付きベルト37の上端
部は、基台31の上面に設けられているギヤボックス3
8に取付けられた歯車39に噛合している。該ギヤボッ
クス3日は入力される動力の伝達方向を変更するもので
あり、該ギヤボックス38には、基台31上面に沿って
、該基台31の中心位置から径方向に延設された歯付き
ベル)41にて動力が入力される。該歯付きベルト41
は、基台31の中心位置では、基台31とは略平行に配
設された歯車42に巻き掛けられており、該歯車42は
、減圧チャンバ21の外部に配設されたステッピングモ
ータ43の出力軸に連結されている。従って、ステッピ
ングモータの回転力は、歯付きベルト41を介してギヤ
ボックス38に入力され、該ギヤボックス38内のばす
両歯車等にてその回転力は、歯車39に伝達される。そ
して、該歯車39の回転力は、歯付きベルト37を介し
て歯車36に伝達され、さらに該歯車36から1つの歯
車34を介して、支持板32の外周面に沿った歯付きベ
ルト35に伝達され、該歯付きベルト35が周回移動す
る。該歯付きベルト35が周回移動すると、該歯付きベ
ルト35に噛合する各歯車34が一体的に回動されて、
各歯車34に連結された各基板ホルダ33が一体的に回
動される。
減圧チャンバ2工の上部には膜厚計26が設けられてい
る。該膜厚計26は、蒸発源るつぼ22からの蒸着材料
の蒸気による蒸着時に、基板に蒸着される膜の厚さを測
定する。該膜厚計36の測定結果は。
る。該膜厚計26は、蒸発源るつぼ22からの蒸着材料
の蒸気による蒸着時に、基板に蒸着される膜の厚さを測
定する。該膜厚計36の測定結果は。
例えば、電子ビーム銃23の制御に用いられ、これによ
り、高精度にて基板上に薄膜を積層し得る。
り、高精度にて基板上に薄膜を積層し得る。
このような構成の蒸着装置では9例えば、前述したよう
に2第5図(a)に示す構造のGaAsウエーノ\基板
11にAt膜を蒸着する場合には、該GaAsウェーハ
基板11を、基板ホルダ330本体部33aにそれぞれ
取付ける。この場合、各GaAsウェーハ基板11のオ
リエンテーションフラットllaを、蒸発源るつぼ22
とは離れた側に位置させると共に、該オリエンテーショ
ンフラットllaを蒸着方向に対して直交状態とする。
に2第5図(a)に示す構造のGaAsウエーノ\基板
11にAt膜を蒸着する場合には、該GaAsウェーハ
基板11を、基板ホルダ330本体部33aにそれぞれ
取付ける。この場合、各GaAsウェーハ基板11のオ
リエンテーションフラットllaを、蒸発源るつぼ22
とは離れた側に位置させると共に、該オリエンテーショ
ンフラットllaを蒸着方向に対して直交状態とする。
このようにして、各基板ホルダ33にGaAsウェーハ
基板11が取付けられると、減圧チャンバ21の外部に
配設されたステッピングモータ43が駆動される。該ス
テッピングモータ43の回転力は、歯付きベルト41か
らギヤボックス38を介して、歯付きベルト37に伝達
され、支持板32の外周面に沿って配設された歯付きベ
ルト35に伝達される。そして、該歯付きベルト35が
周回移動されて。
基板11が取付けられると、減圧チャンバ21の外部に
配設されたステッピングモータ43が駆動される。該ス
テッピングモータ43の回転力は、歯付きベルト41か
らギヤボックス38を介して、歯付きベルト37に伝達
され、支持板32の外周面に沿って配設された歯付きベ
ルト35に伝達される。そして、該歯付きベルト35が
周回移動されて。
該歯付きベルト35に噛合された各歯車34がそれぞれ
回動される。その結果、各歯車34が取付けられた各基
板ホルダ33が一体的に回動され、各基板ホルダ33の
本体部33aが、第4図に実線で示すように、蒸着方向
に対してそれぞれ10〜20度程度傾斜した所定の傾斜
角度とされる。従って、該本体部33aに取付けられた
GaAsウェーハ基板1工も蒸着方向に対して所定の傾
斜状態となる。
回動される。その結果、各歯車34が取付けられた各基
板ホルダ33が一体的に回動され、各基板ホルダ33の
本体部33aが、第4図に実線で示すように、蒸着方向
に対してそれぞれ10〜20度程度傾斜した所定の傾斜
角度とされる。従って、該本体部33aに取付けられた
GaAsウェーハ基板1工も蒸着方向に対して所定の傾
斜状態となる。
このようにして、各基板ホルダ33の本体部33aが所
定の傾斜角度になると、ステッピングモータ43が駆動
が停止され、減圧チャンバ21内が所定の減圧状態とさ
れた後に1例えばAtが蒸発源るつぼ22から蒸発され
て、 GaAsウェーハ基板11に蒸着される。
定の傾斜角度になると、ステッピングモータ43が駆動
が停止され、減圧チャンバ21内が所定の減圧状態とさ
れた後に1例えばAtが蒸発源るつぼ22から蒸発され
て、 GaAsウェーハ基板11に蒸着される。
このようにして、第5図(b)に示すように、所定の膜
厚にAI膜19aが堆積されると、ステッピングモータ
43が駆動されて、各基板ホルダ330本体部33aが
一体的に回動され、第4図に二点鎖線で示すように、蒸
着方向に対して前記傾斜状態とは対称になった傾斜状態
とされる。この場合9減圧チヤンバ21内は所定の減圧
状態が維持される。
厚にAI膜19aが堆積されると、ステッピングモータ
43が駆動されて、各基板ホルダ330本体部33aが
一体的に回動され、第4図に二点鎖線で示すように、蒸
着方向に対して前記傾斜状態とは対称になった傾斜状態
とされる。この場合9減圧チヤンバ21内は所定の減圧
状態が維持される。
このような状態で、2回目の蒸着が行われ、第5図(C
)に示すように、所定の膜厚にAI膜19bが堆積され
る。その後、再度、ステッピングモータ43が駆動され
、基板ホルダ33の本体部33aが一体的に回動されて
、第4図に一点鎖線で示すように。
)に示すように、所定の膜厚にAI膜19bが堆積され
る。その後、再度、ステッピングモータ43が駆動され
、基板ホルダ33の本体部33aが一体的に回動されて
、第4図に一点鎖線で示すように。
GaAsウェーハ基板11が蒸着方向に対して直交状態
とされる。この場合も、減圧チャンバ21内は所定の減
圧状態が維持される。そして、3回目の蒸着が行われ、
第5図(d)に示すように、 Al膜19cが所定の膜
厚に堆積されると、蒸着が終了する。
とされる。この場合も、減圧チャンバ21内は所定の減
圧状態が維持される。そして、3回目の蒸着が行われ、
第5図(d)に示すように、 Al膜19cが所定の膜
厚に堆積されると、蒸着が終了する。
その後、減圧チャンバ21内からGaAsウェーハ基板
11が取り出され、不要のA1膜がリフトオフ法により
除去されて、クォータミクロンレベルのゲート長を有す
るゲート電極が形成される。
11が取り出され、不要のA1膜がリフトオフ法により
除去されて、クォータミクロンレベルのゲート長を有す
るゲート電極が形成される。
本実施例の蒸着装置では、支持板32に多数の基板ホル
ダ33が固着された状態になっているため。
ダ33が固着された状態になっているため。
基板保持具を用いる従来の蒸着装置のように、基板保持
具を取り付けたり取り外したりするためのスペースが不
要となり、多数の基板ホルダ33を支持板32に取付け
ることができ、従来の蒸着装置に比べて多数の基板を一
度に蒸着処理し得る。
具を取り付けたり取り外したりするためのスペースが不
要となり、多数の基板ホルダ33を支持板32に取付け
ることができ、従来の蒸着装置に比べて多数の基板を一
度に蒸着処理し得る。
なお、上記実施例では9本発明の蒸着装置によリ、 M
ESFETのゲート電極を形成する場合について説明し
たが1本発明の蒸着装置は、このような場合だけでなく
9例えば、被エツチング膜にサイドウオールを形成する
場合等1種々の半導体プロセスに用いることができる。
ESFETのゲート電極を形成する場合について説明し
たが1本発明の蒸着装置は、このような場合だけでなく
9例えば、被エツチング膜にサイドウオールを形成する
場合等1種々の半導体プロセスに用いることができる。
(発明の効果)
本発明の蒸着装置は、このように、減圧チャンバを解放
することな(、該減圧チャンバ内の基板の姿勢を変更す
ることができるため、N$i圧チャンバ内を所定の減圧
状態に維持した状態で蒸着作業ができ9作業性に優れて
いる。また、減圧チャンバ内の基板は、大気等にて汚染
されず、従って。
することな(、該減圧チャンバ内の基板の姿勢を変更す
ることができるため、N$i圧チャンバ内を所定の減圧
状態に維持した状態で蒸着作業ができ9作業性に優れて
いる。また、減圧チャンバ内の基板は、大気等にて汚染
されず、従って。
良好な特性を有する半導体製品を製造し得る。
の なi″H
第1図は本発明の蒸着装置の一例を示す断面図。
第2図はその要部の拡大図、第3図は第1図の矢印A方
向からみた要部側面図、第4図はその動作説明図、第5
図(a) 〜(e)はそれぞれMESFET(7)ゲー
ト電極形成方法の工程を示す断面図、第6図(a)およ
び(ロ)はそれぞれ従来の蒸着装置に用いられる基板保
持具の斜視図である。
向からみた要部側面図、第4図はその動作説明図、第5
図(a) 〜(e)はそれぞれMESFET(7)ゲー
ト電極形成方法の工程を示す断面図、第6図(a)およ
び(ロ)はそれぞれ従来の蒸着装置に用いられる基板保
持具の斜視図である。
11・・・GaAsウェーハ基板、12・・・n型活性
層、16・・・レジスト、19a、19b、19cm”
AI膜、 21・・・減圧チャンバ、22・・・蒸発源
るつぼ、 31・・・基台、32・・・支持板、33・
・・基板ホルダ、33a・・・本体部、33b・・・連
結軸、 34.36.39.42・・・歯車、 35.
37.41・・・歯付きベルト43・・・ステッピング
モータ。
層、16・・・レジスト、19a、19b、19cm”
AI膜、 21・・・減圧チャンバ、22・・・蒸発源
るつぼ、 31・・・基台、32・・・支持板、33・
・・基板ホルダ、33a・・・本体部、33b・・・連
結軸、 34.36.39.42・・・歯車、 35.
37.41・・・歯付きベルト43・・・ステッピング
モータ。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、所定の減圧状態となった減圧チャンバ内にて蒸発源
から蒸発させられる蒸気を基板上に堆積する蒸着装置で
あり、 蒸着される基板が取付けられる基板ホルダと、該基板ホ
ルダを減圧チャンバ内にて蒸着方向に対して任意の傾斜
角度となるように回動可能に支持する支持部材と、 該支持部材に対して該基板ホルダを回動させるべく該基
板ホルダに連結されている基板ホルダ回動手段と、 を具備する蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23808388A JPH0286125A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23808388A JPH0286125A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 蒸着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0286125A true JPH0286125A (ja) | 1990-03-27 |
Family
ID=17024908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23808388A Pending JPH0286125A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0286125A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000303167A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-10-31 | Hoya Corp | レンズの蒸着装置 |
CN107210340A (zh) * | 2015-01-21 | 2017-09-26 | Lg伊诺特有限公司 | 发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置 |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23808388A patent/JPH0286125A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000303167A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-10-31 | Hoya Corp | レンズの蒸着装置 |
CN107210340A (zh) * | 2015-01-21 | 2017-09-26 | Lg伊诺特有限公司 | 发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置 |
JP2018506177A (ja) * | 2015-01-21 | 2018-03-01 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子及びこれを製造する電子ビーム蒸着装置 |
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