JPH0284786A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
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- JPH0284786A JPH0284786A JP23690888A JP23690888A JPH0284786A JP H0284786 A JPH0284786 A JP H0284786A JP 23690888 A JP23690888 A JP 23690888A JP 23690888 A JP23690888 A JP 23690888A JP H0284786 A JPH0284786 A JP H0284786A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は戻り光によるトラッキングノイズを防止する半
導体レーザ装置およびその製造方法に関するものである
。
導体レーザ装置およびその製造方法に関するものである
。
従来の技術
近年、小型で堅牢、光の波長純度及び空間均一性に優れ
た半導体レーザは、コンパクトディスク(CD)やビデ
オディスク(VD)用ピックアップ光源として、実用化
されてきている。
た半導体レーザは、コンパクトディスク(CD)やビデ
オディスク(VD)用ピックアップ光源として、実用化
されてきている。
現在、半導体レーザを用いたCDやVD用のピックアッ
プは、3ビ一ム方式が主流となっている。第3図に示す
ようにレーザチップ1より放射された平行光は、ビーム
スプリッタ2で3本に分けられ、ハーフミラ−3を通り
ディスク4の面に到達し、主信号及びトラッキング信号
を伝える。
プは、3ビ一ム方式が主流となっている。第3図に示す
ようにレーザチップ1より放射された平行光は、ビーム
スプリッタ2で3本に分けられ、ハーフミラ−3を通り
ディスク4の面に到達し、主信号及びトラッキング信号
を伝える。
ディスク面で反射されたビーム(戻り光)はレーザ発光
点から40〜130μmずれた所に戻ってきて、さらに
反射し、本来のビームと干渉を起こし、トラッキングノ
イズとなる。このノイズを防止するために従来では主に
次の2つの方法が取られていた。
点から40〜130μmずれた所に戻ってきて、さらに
反射し、本来のビームと干渉を起こし、トラッキングノ
イズとなる。このノイズを防止するために従来では主に
次の2つの方法が取られていた。
その一つの方法は第4図に示すように保護膜をコーティ
ングしたレーザチップ1をベース5に組立てた後、レー
ザチップ1の端面の光が戻る領域にインク6等を塗り、
戻り光を吸収させるものである。他の方法は、第5図(
a)に示すようにアルミナ(Ai!203)の保護膜を
蒸着する段階で保護膜源7とレーザチップ1の端面の間
で遮弊物を置(か又はレーザチップ1の端面を傾ける等
をして第5図(b)に示すように保護膜8の膜厚分布に
傾斜をもたせる方法が用いられていた。
ングしたレーザチップ1をベース5に組立てた後、レー
ザチップ1の端面の光が戻る領域にインク6等を塗り、
戻り光を吸収させるものである。他の方法は、第5図(
a)に示すようにアルミナ(Ai!203)の保護膜を
蒸着する段階で保護膜源7とレーザチップ1の端面の間
で遮弊物を置(か又はレーザチップ1の端面を傾ける等
をして第5図(b)に示すように保護膜8の膜厚分布に
傾斜をもたせる方法が用いられていた。
発明が解決しようとする課題
前記の第1の解決方法はチップサイズが100×250
μi程度の大きさであるので、その中にインク等を精度
よく塗ることが困難であり、大変な労力と時間を必要と
する。一方、第2の解決方法は保護膜に傾斜を付けるこ
とが非常に難がしく、保護膜の傾斜にばらつきが生じ、
充分の効果が得られなかった。
μi程度の大きさであるので、その中にインク等を精度
よく塗ることが困難であり、大変な労力と時間を必要と
する。一方、第2の解決方法は保護膜に傾斜を付けるこ
とが非常に難がしく、保護膜の傾斜にばらつきが生じ、
充分の効果が得られなかった。
本発明はレーザーチップ端面の戻り光の反射率を低(し
、戻り光ノイズを低減した半導体レーザ装置を提供する
ものである。
、戻り光ノイズを低減した半導体レーザ装置を提供する
ものである。
課題を解決するための手段
本発明の半導体レーザ装置は、レーザ光を取り出すチッ
プ表面のうち、戻り光の帰る領域が荒れているものであ
る。また、その製造方法は、表面にレーザ発光のための
成長層が形成された化合物半導体基板を襞間し、襞間さ
れた両面に一度の蒸着でAe203の保護膜を形成し、
レーザ光を取り出す襞間面の戻り光の返る領域の前記保
護膜を除去し、前記保護膜が除去された面を荒らすもの
である。
プ表面のうち、戻り光の帰る領域が荒れているものであ
る。また、その製造方法は、表面にレーザ発光のための
成長層が形成された化合物半導体基板を襞間し、襞間さ
れた両面に一度の蒸着でAe203の保護膜を形成し、
レーザ光を取り出す襞間面の戻り光の返る領域の前記保
護膜を除去し、前記保護膜が除去された面を荒らすもの
である。
作用
本発明の半導体レーザ装置およびその製造方法によれば
、労開面のコーティングを一度の蒸着で両面とも行うこ
とにより工程を簡略化し、その後、コーテイング膜の一
部にエツチングを施し、化合物半導体基板表面を荒らし
て反射率を低くすることにより、戻り光を吸収または乱
反射させ、主ビームとの干渉を押え、ノイズを少な(す
ることができる。
、労開面のコーティングを一度の蒸着で両面とも行うこ
とにより工程を簡略化し、その後、コーテイング膜の一
部にエツチングを施し、化合物半導体基板表面を荒らし
て反射率を低くすることにより、戻り光を吸収または乱
反射させ、主ビームとの干渉を押え、ノイズを少な(す
ることができる。
実施例
本発明の半導体レーザ装置の製造方法を第1図と第2図
に示したGaAeAs半導体レーザを用いて説明する。
に示したGaAeAs半導体レーザを用いて説明する。
第2図に示すように、まず、通常の液相エピタキシャル
法を用いてp−GaAs基板11上に電流狭窄層12、
p−GaAeAsクラッド層13、活性層14、n−G
aAeAs層クラッド層15及びコンタクト層16の成
長層を形成する。各層のAeAsの混晶比(X)は0.
05゜0.08,0.5,0.04および膜厚は1.0
゜0.2,0.08,2.0,2.0μm程度である。
法を用いてp−GaAs基板11上に電流狭窄層12、
p−GaAeAsクラッド層13、活性層14、n−G
aAeAs層クラッド層15及びコンタクト層16の成
長層を形成する。各層のAeAsの混晶比(X)は0.
05゜0.08,0.5,0.04および膜厚は1.0
゜0.2,0.08,2.0,2.0μm程度である。
n側電極17として、A u G e / A uを真
空蒸着し、襞間の目安となるパターンを形成する。襞間
を容易にするため、p−GaAs基板l 1を100μ
m程度までエツチングし、薄くする。P側電極18とし
て、Au−Znを真空蒸着し、高温にてオーミック電極
を形成する。しかるのち、第1図(a)に示すようにキ
ャビティ長を230μm程度にウェハーを一次費開する
。
空蒸着し、襞間の目安となるパターンを形成する。襞間
を容易にするため、p−GaAs基板l 1を100μ
m程度までエツチングし、薄くする。P側電極18とし
て、Au−Znを真空蒸着し、高温にてオーミック電極
を形成する。しかるのち、第1図(a)に示すようにキ
ャビティ長を230μm程度にウェハーを一次費開する
。
なお、11はp−GaAs基板、20は成長層、21は
襞間面である。第1図(b)に示すように、この襞間面
21の両側に端面の保護膜22としてAg=os膜を形
成する。襞間面に形成された保護膜22の膜厚を約λ/
2n(λ:レーザ光の波長、rzA(!203の屈折率
)にする。このときの反射率は約32%である。その後
、第1図((2)に示すように、襞間面の成長層側を膜
厚が30〜40μm程度のレジスト膜23で覆う。HF
系エツチング液を用いて、露出しているAe203膜を
全てエツチングする。その後第1図ω)に示すように、
p−GaAs基板11をKOH系等のエツチング液につ
け、表面を荒す。その時の表面の反射率は0〜5%程度
となる。レジスト123を除去し、二次襞間にてレーザ
チップに分離し、ステムベースに組み立てる。このよう
にして製造された半導体レーザ装置は、戻り光が返って
くるレーザチップの表面が荒れている。
襞間面である。第1図(b)に示すように、この襞間面
21の両側に端面の保護膜22としてAg=os膜を形
成する。襞間面に形成された保護膜22の膜厚を約λ/
2n(λ:レーザ光の波長、rzA(!203の屈折率
)にする。このときの反射率は約32%である。その後
、第1図((2)に示すように、襞間面の成長層側を膜
厚が30〜40μm程度のレジスト膜23で覆う。HF
系エツチング液を用いて、露出しているAe203膜を
全てエツチングする。その後第1図ω)に示すように、
p−GaAs基板11をKOH系等のエツチング液につ
け、表面を荒す。その時の表面の反射率は0〜5%程度
となる。レジスト123を除去し、二次襞間にてレーザ
チップに分離し、ステムベースに組み立てる。このよう
にして製造された半導体レーザ装置は、戻り光が返って
くるレーザチップの表面が荒れている。
本発明はGaAeAs系結晶について述べたが、1nG
aAsP系等、他の結晶材料にも適用できることは言う
までもない。
aAsP系等、他の結晶材料にも適用できることは言う
までもない。
発明の効果
本発明の半導体レーザ装置およびその製造方法によれば
、従来の戻り光ノイズ対策に対して、精度良(制御可能
であるとともに、拡散工程で対策が可能なため、工数も
少なくノイズに対する効果も大きい。
、従来の戻り光ノイズ対策に対して、精度良(制御可能
であるとともに、拡散工程で対策が可能なため、工数も
少なくノイズに対する効果も大きい。
第1図は本発明による工程断面図、第2図は半//−P
−(rttAs基板 ?θ・−A長贋 2!“・・努開面 5図は従来の半導体レーザの製造方法を示す図である。 11・・・・・・p−GaAs基板、20・・・・・・
成長層、21・・・・・・襞間面、22・・・・・・保
護膜(Ae203膜)、23・・・・・・レジスト膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名@2図 果 4 図 5− ベース 6−”−インク /−−−レープテップ ハーフミラ− /−一〜レープテッ7a (の) /1い
−(rttAs基板 ?θ・−A長贋 2!“・・努開面 5図は従来の半導体レーザの製造方法を示す図である。 11・・・・・・p−GaAs基板、20・・・・・・
成長層、21・・・・・・襞間面、22・・・・・・保
護膜(Ae203膜)、23・・・・・・レジスト膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名@2図 果 4 図 5− ベース 6−”−インク /−−−レープテップ ハーフミラ− /−一〜レープテッ7a (の) /1い
Claims (2)
- (1)レーザ光を取り出すチップ表面のうち、戻り光の
返る領域が荒れていることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - (2)表面にレーザ発光のための成長層が形成された化
合物半導体基板を劈開する工程と、同劈開された両面に
一度の蒸着で保護膜を形成する工程と、レーザ光を取り
出す劈開面の戻り光の返る領域の前記保護膜を除去する
工程と、前記保護膜が除去された面を荒らす工程とを備
えたことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23690888A JPH0284786A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23690888A JPH0284786A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0284786A true JPH0284786A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=17007537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23690888A Pending JPH0284786A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0284786A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0593031A2 (en) * | 1992-10-14 | 1994-04-20 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
US5621746A (en) * | 1992-10-14 | 1997-04-15 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23690888A patent/JPH0284786A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0593031A2 (en) * | 1992-10-14 | 1994-04-20 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
EP0593031A3 (en) * | 1992-10-14 | 1994-09-07 | Sony Corp | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
US5621746A (en) * | 1992-10-14 | 1997-04-15 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
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