JPH0283221A - 光学素子成形用型 - Google Patents
光学素子成形用型Info
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- JPH0283221A JPH0283221A JP23223488A JP23223488A JPH0283221A JP H0283221 A JPH0283221 A JP H0283221A JP 23223488 A JP23223488 A JP 23223488A JP 23223488 A JP23223488 A JP 23223488A JP H0283221 A JPH0283221 A JP H0283221A
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Landscapes
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[f′、業ト、の利用分野]
本発明は、レンズ、プリズム等のガラスよりなる光学素
子を、ガラス素材のブレス成形により製造するのに使用
される型に関するものである。
子を、ガラス素材のブレス成形により製造するのに使用
される型に関するものである。
[従来の技術]
研磨工程を必要としないでガラス毒材のブレス成形によ
ってレンズを製造する技術は従来のレンズの製造におい
て必要とされた複雑な工程をなくし、簡単且つ安価にレ
ンズを製造することを可能とし、近来、レンズのみなら
ずプリズムその他のガラスよりなる光学素子の製造に使
用されるようになってきた。
ってレンズを製造する技術は従来のレンズの製造におい
て必要とされた複雑な工程をなくし、簡単且つ安価にレ
ンズを製造することを可能とし、近来、レンズのみなら
ずプリズムその他のガラスよりなる光学素子の製造に使
用されるようになってきた。
このようなガラスの光学素子のブレス成形に使用される
型材に要求される性質としては、硬さ、耐熱性、離型性
、鏡面加工性等に優れている事が挙げられる。従来、こ
の柿の型材として、金属、セラミック及びそれらをコー
ディングした材料等、数多くの提案がされている。いく
つかの例を挙げるならば、特開昭49−51112には
13C「マルテンサイト鋼が、特開昭52−45613
にはSiC及び5isN4が、特開昭60−24623
0には超硬合金に貴金属をコーディングした材料が、又
、特開昭61−183134にはダイヤモンド薄膜又は
ダイヤモンド状炭素膜をコーティングした材料が提案さ
れている。
型材に要求される性質としては、硬さ、耐熱性、離型性
、鏡面加工性等に優れている事が挙げられる。従来、こ
の柿の型材として、金属、セラミック及びそれらをコー
ディングした材料等、数多くの提案がされている。いく
つかの例を挙げるならば、特開昭49−51112には
13C「マルテンサイト鋼が、特開昭52−45613
にはSiC及び5isN4が、特開昭60−24623
0には超硬合金に貴金属をコーディングした材料が、又
、特開昭61−183134にはダイヤモンド薄膜又は
ダイヤモンド状炭素膜をコーティングした材料が提案さ
れている。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、 13Crマルデンサイト鋼は酸化しやすく、
さらに高温でFeが硝子中に拡散して硝子が着色する欠
点をもつ。SIC,51384は・般的には酸化されに
くいとされているが、高温ではやはり酸化がおこり表面
に310.の膜が形成される為硝子と融着を起こし、さ
らに高硬度の為型自体の加工性が極めて悪いという欠点
を持つ。貴金属をコーティングした材料は融着は起こし
にくいが、極めて軟らかい為、傷がつきやすく又変形し
やすい欠点をもつ。又、ダイヤモンド薄膜をコーティン
グした材料は表面の平6fさに欠けるため得られた光学
素子の鏡面性が不足する。
さらに高温でFeが硝子中に拡散して硝子が着色する欠
点をもつ。SIC,51384は・般的には酸化されに
くいとされているが、高温ではやはり酸化がおこり表面
に310.の膜が形成される為硝子と融着を起こし、さ
らに高硬度の為型自体の加工性が極めて悪いという欠点
を持つ。貴金属をコーティングした材料は融着は起こし
にくいが、極めて軟らかい為、傷がつきやすく又変形し
やすい欠点をもつ。又、ダイヤモンド薄膜をコーティン
グした材料は表面の平6fさに欠けるため得られた光学
素子の鏡面性が不足する。
又、ダイヤモンド状炭素膜と称される膜は、種類に決ま
るものではなく 、 (1)炭素のみからなっているが
、結合の形式はsp、sp” 、sp’混成からなるア
モルファスの膜、■微小なグラファイトの集合体、■炭
素原子以外に水素原子を含むアモルファス膜(水素化ア
モルファス炭ぶ膜、以トa −C: H膜と略す)、■
微小なダイヤモンドや微小なグラファイトと、アモルフ
ァスの自省の構造を含む膜等がある。又、上述の各校に
ついても(1)はSp、 Sp” 、Sp’の割合、■
はグラファイトの大きさ、■は水素と炭素の割合、■は
結晶とアモルファスの割合がそれぞれ異なれば膜の性質
が異なってくる。特開昭61−+83134に開示され
ているダイヤモンド状炭素膜はこの点について記述が全
く無く、イオンビームスパッタで作ったとシ己・成され
ているのみである。一般に、グラファイトのイオンビー
ムスパッタでは、■の膜が形成される。しかしながら、
■、■、■の膜のように多重結合を多く含んだり、ある
いは多重結合が非局在化して共役系が長かったり、グラ
ファイト微結晶を含んだりした膜は■の膜に比べてガラ
スの成分である酸化鉛を還元しやすいので、鉛の析出が
起こって、型の耐久性が低下したり、光学素子の面精度
が低下したりする欠点をもつ。
るものではなく 、 (1)炭素のみからなっているが
、結合の形式はsp、sp” 、sp’混成からなるア
モルファスの膜、■微小なグラファイトの集合体、■炭
素原子以外に水素原子を含むアモルファス膜(水素化ア
モルファス炭ぶ膜、以トa −C: H膜と略す)、■
微小なダイヤモンドや微小なグラファイトと、アモルフ
ァスの自省の構造を含む膜等がある。又、上述の各校に
ついても(1)はSp、 Sp” 、Sp’の割合、■
はグラファイトの大きさ、■は水素と炭素の割合、■は
結晶とアモルファスの割合がそれぞれ異なれば膜の性質
が異なってくる。特開昭61−+83134に開示され
ているダイヤモンド状炭素膜はこの点について記述が全
く無く、イオンビームスパッタで作ったとシ己・成され
ているのみである。一般に、グラファイトのイオンビー
ムスパッタでは、■の膜が形成される。しかしながら、
■、■、■の膜のように多重結合を多く含んだり、ある
いは多重結合が非局在化して共役系が長かったり、グラ
ファイト微結晶を含んだりした膜は■の膜に比べてガラ
スの成分である酸化鉛を還元しやすいので、鉛の析出が
起こって、型の耐久性が低下したり、光学素子の面精度
が低下したりする欠点をもつ。
従って1本発明の目的は、ガラスの光学素f−の成形に
適した光学素子成形用型を提供することで、特に、高温
でガラスと融着をおこさず、鏡面研磨が可能で、適当な
硬さを有し、酸化されにくく、鉛の析出が生じない光学
素子成形用型を提供することにある。
適した光学素子成形用型を提供することで、特に、高温
でガラスと融着をおこさず、鏡面研磨が可能で、適当な
硬さを有し、酸化されにくく、鉛の析出が生じない光学
素子成形用型を提供することにある。
[課題を解決するだめの手段]
本発明に従ってガラスよりなる光学素−rのブレス成形
に用いる光学素子成形用型において、型母材の少なくと
も成形面に、tす相成分の炭化物からなる中間層または
母材成分とa−C: tlからなる中間層を介して、a
C: H膜が被覆されていることを特徴とする光字
素子成形用型が提供される。
に用いる光学素子成形用型において、型母材の少なくと
も成形面に、tす相成分の炭化物からなる中間層または
母材成分とa−C: tlからなる中間層を介して、a
C: H膜が被覆されていることを特徴とする光字
素子成形用型が提供される。
を[上材としては、炭化物を生成しつる成分元素を含有
するものが好ましく、例えば超硬合金(WCを主成分と
するもの等) 、 SiC,^IN、サーメ・lト等が
挙げられる。
するものが好ましく、例えば超硬合金(WCを主成分と
するもの等) 、 SiC,^IN、サーメ・lト等が
挙げられる。
yllす材の少な(とも成形面、すなわちガラスと接触
する面に被覆されるa−C:II膜は、型母材との間に
(+)l相成分の炭化物からなる中間層、または(2)
母材成分とa −C: Hからなる中間層を介している
。本発明においては上記(1)、(2)の中間層はa−
C:H膜との境界が明瞭な層の他、連続的に組成、構造
が変化するためa−C:II膜との境界が必ずしも明瞭
でない層も含むものとする。
する面に被覆されるa−C:II膜は、型母材との間に
(+)l相成分の炭化物からなる中間層、または(2)
母材成分とa −C: Hからなる中間層を介している
。本発明においては上記(1)、(2)の中間層はa−
C:H膜との境界が明瞭な層の他、連続的に組成、構造
が変化するためa−C:II膜との境界が必ずしも明瞭
でない層も含むものとする。
上記a −C: 8層はダイヤモンド結晶を含イ1して
いても、いなくても良いが、グラファイト結晶層は含有
せずグラッシーカーボン、パn合膜と比較して硬度、熱
的安定性、化学的安定性に優れた炭Ji膜であり、一般
に1−カーボン膜と言われる膜も含むものである。
いても、いなくても良いが、グラファイト結晶層は含有
せずグラッシーカーボン、パn合膜と比較して硬度、熱
的安定性、化学的安定性に優れた炭Ji膜であり、一般
に1−カーボン膜と言われる膜も含むものである。
上記中間層の層厚は、型と膜の密着性を向1−するため
10〜100011人程度が好ましい。また上記のa−
C:I−(1模の膜厚は、50人未満では表面精度が低
くなる傾向があり、 、5000八を越えると膜の歪み
が増加して密着性が低トする傾向があるので、50〜5
000人程度が好ましい。
10〜100011人程度が好ましい。また上記のa−
C:I−(1模の膜厚は、50人未満では表面精度が低
くなる傾向があり、 、5000八を越えると膜の歪み
が増加して密着性が低トする傾向があるので、50〜5
000人程度が好ましい。
wi fil材の少なくとも成形面に、上記中間層、a
−C:H膜を被覆する方法としては、プラズマ蒸着法、
イオンビーム蒸着法、プラズマバッタ蒸着法、プラズマ
イオンブレーティング、電r・サイクロトロン共鳴法等
の種々のP V D法、CIVD法を用いることができ
る。
−C:H膜を被覆する方法としては、プラズマ蒸着法、
イオンビーム蒸着法、プラズマバッタ蒸着法、プラズマ
イオンブレーティング、電r・サイクロトロン共鳴法等
の種々のP V D法、CIVD法を用いることができ
る。
[実施例]
以下、図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。
する。
実施例1
第1図及び第2図は本発明に係る光学^予成形用型の1
つの実施態様を示すものである。
つの実施態様を示すものである。
第1図は光学素子のブレス成形面の状態を示し、第2図
は光学素子成形後の状態を示す、第1図中は型母材、2
.5は該型母材のガラス素材の接触する成形面に形成さ
れたa −C: H膜5中間層、3はガラス素材であり
、第2図中4は光学素子である。第1図に示すように型
の間に置かれた硝子素材3をブレス成形することによっ
て、第2図に示すようにレンズ等の光学素子4が成形さ
れる。
は光学素子成形後の状態を示す、第1図中は型母材、2
.5は該型母材のガラス素材の接触する成形面に形成さ
れたa −C: H膜5中間層、3はガラス素材であり
、第2図中4は光学素子である。第1図に示すように型
の間に置かれた硝子素材3をブレス成形することによっ
て、第2図に示すようにレンズ等の光学素子4が成形さ
れる。
次に1本発明の光学素子成形用型の製造例について詳述
する。a−C:H膜および中間層を形成するのに用いた
装置の概略図を第3図に示す。
する。a−C:H膜および中間層を形成するのに用いた
装置の概略図を第3図に示す。
図中、11は真空容器、12はイオン銃、13はガス導
入口、14は基板、 15は排気口、16はタング
ステン、17は電子銃である。
入口、14は基板、 15は排気口、16はタング
ステン、17は電子銃である。
型母材はWC(90%)+Co (10%)を用いた。
真空容器li内をI X 10−’Torrに減圧して
後、ガス導入CI 13よりArガスをイオン銃12に
導入して^「0イオンビームとして基板(lv材)14
の表向に照射クリーニングをした。
後、ガス導入CI 13よりArガスをイオン銃12に
導入して^「0イオンビームとして基板(lv材)14
の表向に照射クリーニングをした。
その後中間層を生成した。イオン銃にガス導入口よりメ
タンガスを導入し加速電圧100v、イオン電流0.0
5m^/cm”を印加しイオンビームとし、刃高純度(
99,99%)タングステン16に電子銃17より電子
ビーム(9にV、IA)を照射して同時に蒸着を行なっ
た。基板温度は300℃に保持し、真空容器内圧力は4
X I O−’Torrであった。生成した中間層は
1.000人とした。
タンガスを導入し加速電圧100v、イオン電流0.0
5m^/cm”を印加しイオンビームとし、刃高純度(
99,99%)タングステン16に電子銃17より電子
ビーム(9にV、IA)を照射して同時に蒸着を行なっ
た。基板温度は300℃に保持し、真空容器内圧力は4
X I O−’Torrであった。生成した中間層は
1.000人とした。
次にa−’C:II膜を形成した。イオン銃にC11,
/l+1= 1/2に割合の混合ガスを導入し、加速電
圧600vを印加、イオン電流0.85mA/cm”の
イオンビームな基板温度150℃に保持した基板Cfd
材十材間中間層に照射した。
/l+1= 1/2に割合の混合ガスを導入し、加速電
圧600vを印加、イオン電流0.85mA/cm”の
イオンビームな基板温度150℃に保持した基板Cfd
材十材間中間層に照射した。
圧力は2 X 10−’Torrであり、a−C:8層
は膜厚5.000人であった。
は膜厚5.000人であった。
次に1本発明による光学素子成形用型によって硝子レン
ズのブレス成形を行なった例について詳述する。下記の
表1は実験に供した型材の種類を示す。
ズのブレス成形を行なった例について詳述する。下記の
表1は実験に供した型材の種類を示す。
表1
No、1〜3は比較材であり、N004は本発明で促案
する材料である。使用したレンズの成形装置を第7図に
示す。
する材料である。使用したレンズの成形装置を第7図に
示す。
第7図中、51は真空槽本体、52はそのフタ、53は
光学素子を成形する為の」ユ型、54はその’F型、5
5は上型をおさえるための」−型おさえ、56は用型、
57は型ホルダ−,58はヒータ、59は下型をつき1
−げるつき上げ棒、60は該つき上げ棒を作動するエア
シリンダ、61は油回転ポンプ、62.63.64はバ
ルブ、65は不活性ガス流入バイブ、66はバルブ、6
7はJ−クバイプ、68はバルブ、69は温度センサ、
70は水冷バイブ、7+1:を真空槽を支持する台を示
す。
光学素子を成形する為の」ユ型、54はその’F型、5
5は上型をおさえるための」−型おさえ、56は用型、
57は型ホルダ−,58はヒータ、59は下型をつき1
−げるつき上げ棒、60は該つき上げ棒を作動するエア
シリンダ、61は油回転ポンプ、62.63.64はバ
ルブ、65は不活性ガス流入バイブ、66はバルブ、6
7はJ−クバイプ、68はバルブ、69は温度センサ、
70は水冷バイブ、7+1:を真空槽を支持する台を示
す。
まず、フリント系九′?−硝子(Sl−’+4)を所定
の量に調整し、球状にした硝子素材を型のキャビデイ−
内に置き、これを装置内に設置する。
の量に調整し、球状にした硝子素材を型のキャビデイ−
内に置き、これを装置内に設置する。
ガラス素材を投入した型を装置内に設置してから真空槽
51のフタ52を閉じ、水冷バイブ70に水を流し、ヒ
ータ58に電流を通ず。この時窒素ガス用バルブ66及
び68は閉じ、排気系バルブ62.63.64も閉じて
いる6白油回転ポンプ61は常に回転している。
51のフタ52を閉じ、水冷バイブ70に水を流し、ヒ
ータ58に電流を通ず。この時窒素ガス用バルブ66及
び68は閉じ、排気系バルブ62.63.64も閉じて
いる6白油回転ポンプ61は常に回転している。
バルブ62を開は排気をはじめI O−”Torr以ド
になったらバルブ62を閉じ、バルブ66を開い−(窒
素ガスをボンベより真空槽内に導入する。所定温度にな
ったらエアシリンダ60を作動させて10 kg/cm
”の圧力で5分間加圧する。圧力を除去した後、冷却速
度を一り℃/minで転位点以ドになるまで冷却し、そ
の後は一り0℃/min以ヒの速度で冷却を行ない、2
00℃以ドにさがったらバルブ66を閉じ、リークバル
ブ63を開いて真空槽51内に空気に導入する6それか
らフタ52を開はト型おさえをはずして成形物を取り出
す。
になったらバルブ62を閉じ、バルブ66を開い−(窒
素ガスをボンベより真空槽内に導入する。所定温度にな
ったらエアシリンダ60を作動させて10 kg/cm
”の圧力で5分間加圧する。圧力を除去した後、冷却速
度を一り℃/minで転位点以ドになるまで冷却し、そ
の後は一り0℃/min以ヒの速度で冷却を行ない、2
00℃以ドにさがったらバルブ66を閉じ、リークバル
ブ63を開いて真空槽51内に空気に導入する6それか
らフタ52を開はト型おさえをはずして成形物を取り出
す。
上記のようにして、フリント系光学硝子Sト”+48
(軟化点S p = 586℃、転位点Tg=485℃
)を使用して、第2図に示すレンズ4を成形した。この
時の成形条件すなわち時間−温度関係図を第9図に示す
。
(軟化点S p = 586℃、転位点Tg=485℃
)を使用して、第2図に示すレンズ4を成形した。この
時の成形条件すなわち時間−温度関係図を第9図に示す
。
次に成形したレンズの表面粗さ及び成形前後でのIj7
1の表面粗さを測定した。その結果を表2に示す。
1の表面粗さを測定した。その結果を表2に示す。
次に融着をおこさないNo、1.4について同じをを用
いて200回の成形を行った後表面粗さを71111定
した。子の結果を表3に示す、。
いて200回の成形を行った後表面粗さを71111定
した。子の結果を表3に示す、。
表3
L述の表29表3の結果から明らかなように本発明によ
る型材は硝子との離型性にすぐれ、くり返し使用しても
従来の1v1材に比較して表面の劣化が極めて少ない。
る型材は硝子との離型性にすぐれ、くり返し使用しても
従来の1v1材に比較して表面の劣化が極めて少ない。
実施例2
実施例1と同様の型母材、装置を用いた。同様にし−C
基板クリーニングを行なった後、圧力4 X I O−
’Torr基板温度150℃に保ちイオンガンにメタン
ガスを導入してイオンビーム照射し同時にタングステン
の蒸着を行なった。その時のイオンガンの加速電圧と蒸
着用電子ビームの電流値を第4図に示すように変化させ
、中間層、a−C:F1層を連続的に全体で6.000
人成膜した。
基板クリーニングを行なった後、圧力4 X I O−
’Torr基板温度150℃に保ちイオンガンにメタン
ガスを導入してイオンビーム照射し同時にタングステン
の蒸着を行なった。その時のイオンガンの加速電圧と蒸
着用電子ビームの電流値を第4図に示すように変化させ
、中間層、a−C:F1層を連続的に全体で6.000
人成膜した。
次に、第8図に示す装置を用り入り」−2型によって硝
子レンズのブレス成形を行った例について詳述する。
子レンズのブレス成形を行った例について詳述する。
第8図において、+04は取入れ用置換室であつ、10
6は成形室であり、108は蒸着室であり、10は取出
し用置換室である。112.114.116はゲートバ
ルブであり、118はレールであり、+20は該レース
l−を矢印A方向に搬送せしめられるパレットである。
6は成形室であり、108は蒸着室であり、10は取出
し用置換室である。112.114.116はゲートバ
ルブであり、118はレールであり、+20は該レース
l−を矢印A方向に搬送せしめられるパレットである。
124.138. 140. 150はシリンダであ
り、126.152はバルブである。128は成形室1
06内においてレール118に沿って配列されているヒ
ータである。
り、126.152はバルブである。128は成形室1
06内においてレール118に沿って配列されているヒ
ータである。
成形室106内はパレット搬送方向に沿って順に加熱ゾ
ーン+06−1.ブレスゾーン106−2及び徐冷ゾー
ン+06−3とされている。ブレスゾーン106−2に
おいて、上記シリンダ138のロッド134のド端には
成形り型部材130が固定されており、上記シリンダ1
40のロッド136のト端には成形用下型部材132が
固定されている。これら上を部材+30及び上型部材1
32は、上記第3図の本発明による型部材である。蒸着
室108内においては、蒸着物質145を収容した容器
142及び該容器を加熱するためのヒータ144が配置
されている。
ーン+06−1.ブレスゾーン106−2及び徐冷ゾー
ン+06−3とされている。ブレスゾーン106−2に
おいて、上記シリンダ138のロッド134のド端には
成形り型部材130が固定されており、上記シリンダ1
40のロッド136のト端には成形用下型部材132が
固定されている。これら上を部材+30及び上型部材1
32は、上記第3図の本発明による型部材である。蒸着
室108内においては、蒸着物質145を収容した容器
142及び該容器を加熱するためのヒータ144が配置
されている。
フリント系光学ガラス(SF14.中点5p=586℃
、ガラス転移点Tg=485℃)を所定の形状及び寸法
に相加Tして、成形のためのブランクを得た。
、ガラス転移点Tg=485℃)を所定の形状及び寸法
に相加Tして、成形のためのブランクを得た。
ガラスブランクをパレット120に装置し、取入れ置換
室104内の+20−+の位置へ入れ、該位置のパレッ
トをシリンダ124のロッド122により六方向に押し
てゲートバルブ112を越えて成形室106内の120
−2の位置へと搬送し、以下同様に所定のタイミングで
順次新たに取入れ1η換室104内にパレットを入れ、
このたびにパレットを成形室106内で120−2→・
・・・・−120−8の位置へと順次搬送した。この間
に、加熱ゾーン+06−1ではガラスブランクなヒータ
128により徐々に加熱し+20−4の位置で軟化立置
Fとした上で、ブレスゾーン106−2へと搬送し、こ
こでシリンダ138゜+40を作動させて上型部材+3
0及び上型部材132により10にg/cm′の圧力で
5分間ブレスし、その後加圧力を解除しガラス転移点量
トまで冷却し、その後シリンダ138.140を作動さ
せて上型部材+30及び下型部材132をガラス成形品
から離型した。該ブレスに際しては1記パレツトが成形
円胴型部材として利用された、しかる後に、徐冷ゾーン
+06−3ではガラス成形品を徐々に冷却した。
室104内の+20−+の位置へ入れ、該位置のパレッ
トをシリンダ124のロッド122により六方向に押し
てゲートバルブ112を越えて成形室106内の120
−2の位置へと搬送し、以下同様に所定のタイミングで
順次新たに取入れ1η換室104内にパレットを入れ、
このたびにパレットを成形室106内で120−2→・
・・・・−120−8の位置へと順次搬送した。この間
に、加熱ゾーン+06−1ではガラスブランクなヒータ
128により徐々に加熱し+20−4の位置で軟化立置
Fとした上で、ブレスゾーン106−2へと搬送し、こ
こでシリンダ138゜+40を作動させて上型部材+3
0及び上型部材132により10にg/cm′の圧力で
5分間ブレスし、その後加圧力を解除しガラス転移点量
トまで冷却し、その後シリンダ138.140を作動さ
せて上型部材+30及び下型部材132をガラス成形品
から離型した。該ブレスに際しては1記パレツトが成形
円胴型部材として利用された、しかる後に、徐冷ゾーン
+06−3ではガラス成形品を徐々に冷却した。
尚、成形室106内には不活性ガスを充満させた。
成形室106内において+20−8位置に到達したパレ
ットを2次の搬送でゲートバルブ114を越えて蒸着室
101+内の120−9位置へと搬送した6通常。
ットを2次の搬送でゲートバルブ114を越えて蒸着室
101+内の120−9位置へと搬送した6通常。
ここで真空蒸着性なうのであるが1本実施例では該蒸着
を行なわなかった。そして、次の搬送ではゲートバルブ
116を越えて取出し置換室110内の120−10の
位置へと搬送した。そして、次の搬送時にはシリンダ1
50を作動させてロッド148によりガラス成形品を成
形装置102外へと取出した。
を行なわなかった。そして、次の搬送ではゲートバルブ
116を越えて取出し置換室110内の120−10の
位置へと搬送した。そして、次の搬送時にはシリンダ1
50を作動させてロッド148によりガラス成形品を成
形装置102外へと取出した。
以上の様なブレス成形のn;1後における型部材130
、132の成形面の表面粗さ及び成形された光学素子の
光学面の表面粗さ、ならびに成形光学素子と型部材13
0.132との離を性について表4に示す。
、132の成形面の表面粗さ及び成形された光学素子の
光学面の表面粗さ、ならびに成形光学素子と型部材13
0.132との離を性について表4に示す。
次に融着が起きないNo、1.4について同1畳部材を
用いて連続1万回のブレス成形を行なった。この際の型
部材+3[1,132の成形面の表面粗さ及び[成形さ
れた光学素子の光学面の表面粗さについて表5に示す。
用いて連続1万回のブレス成形を行なった。この際の型
部材+3[1,132の成形面の表面粗さ及び[成形さ
れた光学素子の光学面の表面粗さについて表5に示す。
表5
以−1−7の様に本発明実施例においては、繰返しブレ
ス成形に使用しても良好な表面精度を十分に維持でき、
融着な生ずることなく良好な表面精度の光学素子が成j
じできた。
ス成形に使用しても良好な表面精度を十分に維持でき、
融着な生ずることなく良好な表面精度の光学素子が成j
じできた。
実施例3
使用した装置の概略図を第5図に示す。
図中、2Iは真空容器、22はイオン銃、23.2:3
’ はガス導入口、24は基板、25は排気[1,26
はタングステン、27は電子銃。
’ はガス導入口、24は基板、25は排気[1,26
はタングステン、27は電子銃。
28はマツチングボックス、29は高周波電源である。
実施例1と同じを1材を用い同様にしてAr”イオンビ
ームで基板(母材)24のクリーニングを行なった。そ
の後イオン中22にガス導入し]23よりメタンガスを
4×10−i’ o r r導入して加速電t−L+o
ov、イオン電流0.05mA/cm”でイオンビーム
を基板に照射した4図時に99.99%高純度タングス
テン26の近傍にガス導入し123°よりアルゴンガス
を4 X I O−’Torr導入し、13.56MI
IZ出力1kwの高周波を印加してタングステンのスパ
ッタ蒸着を行なった。基板温度は 150℃とし、中間
層を +、 ono入成膜した。
ームで基板(母材)24のクリーニングを行なった。そ
の後イオン中22にガス導入し]23よりメタンガスを
4×10−i’ o r r導入して加速電t−L+o
ov、イオン電流0.05mA/cm”でイオンビーム
を基板に照射した4図時に99.99%高純度タングス
テン26の近傍にガス導入し123°よりアルゴンガス
を4 X I O−’Torr導入し、13.56MI
IZ出力1kwの高周波を印加してタングステンのスパ
ッタ蒸着を行なった。基板温度は 150℃とし、中間
層を +、 ono入成膜した。
次に実施例1と同様にしてa−C:tll漠を形成し、
中間層と合わせた全体の膜1r7を6.0f10人とし
た。。
中間層と合わせた全体の膜1r7を6.0f10人とし
た。。
こうして得られた光学素子成形用型を用いて。
実施例1と同様に第7図の装置を用いて成形試験を持っ
たところ実例1の型No、4と同様に良hfな結果がi
H)られた。
たところ実例1の型No、4と同様に良hfな結果がi
H)られた。
実施例4
実施例コ3と同じ型IjJ材装置をJIIい、同様にし
てJ!仮のクリーニングを行った。その後イオン銃には
メタンガスを導入してイオンビームとして照り−1し、
同時にタングステンのスパッタを行なったが高周波出力
とイオン銃加速度゛、wr−cを第6図に示すように変
化させ、連続的に成膜した。全体の膜厚は5.500人
であった。基板411150℃、A「ガス4 X l
O−”Torr−h OTorr、高周波(1356M
1lZ+出力1 km−” t”) w 、メタンガス
4 X l O−’l’orr、加速電月己50 v
−= 500vとした。。
てJ!仮のクリーニングを行った。その後イオン銃には
メタンガスを導入してイオンビームとして照り−1し、
同時にタングステンのスパッタを行なったが高周波出力
とイオン銃加速度゛、wr−cを第6図に示すように変
化させ、連続的に成膜した。全体の膜厚は5.500人
であった。基板411150℃、A「ガス4 X l
O−”Torr−h OTorr、高周波(1356M
1lZ+出力1 km−” t”) w 、メタンガス
4 X l O−’l’orr、加速電月己50 v
−= 500vとした。。
こうして得られた九学克r成形jす1を用いて、実施例
2と同様に第8図の装置を用いて成形試験なtiっだと
ころ実施例2の型No、4と同様に良好な結果が?1−
られた。
2と同様に第8図の装置を用いて成形試験なtiっだと
ころ実施例2の型No、4と同様に良好な結果が?1−
られた。
[発明の効果]
本発明の光学素子成形用型!によれば、ガラスとの離I
H,l性に優れ、鏡面ω1磨がII)能で、繰り返し便
用しても従来の型に比較して表面の結果が極めて少ない
、
H,l性に優れ、鏡面ω1磨がII)能で、繰り返し便
用しても従来の型に比較して表面の結果が極めて少ない
、
第1図および第2図は本発明に係る尤学素r成形用Il
lの一実施聾様を示す断面図で、第1図はブレス成形前
の状態、第2図はブレス成形後の状態を示す。第3.5
図は本発明に係わる光学素子−成形用ノφの製造方法に
用いる装置を示す概略図である。第4.6図は中間層、
a−C:I−1膜を形成するときに変化させる主な条件
を示すもので、第4図は膜厚に対するイオン銃加速電圧
および電子銃電流値の関係図、第5図は膜厚に対するイ
オン銃加速゛屯圧および高周波出力関係図である。 第7図および第8図は本発明に係わる光学素子成形用型
を使用するレンズの成形装置を示す断面図で、第7図は
非連続成形タイプ、第8図は連続成形ターrブである6
第9図はレンズ成形の際の時間温度関係図である。 l 、、、 9のII材、2− a −C: 11膜、
3・・・ガラス素材、4・・・成IFFされたレンズ、
5・・・中間層、+1・・・真空容器、12・・・イオ
ン銃、13・・・ガス導入Ll、14・・・基&(母材
)、15−排気[1、+6・・・タングステン、17・
・・電子銃、 21 ・・・真空容器。 22 ・・・イオン銃、23.23°ガス導入口。 24−・・基&(母材)、25・・・排気0.26・・
・タングステン、27・・・電子銃、28 ・・・マツ
チングボックス、29−・・高周波電源、51・・・真
空槽本体、52・・・フタ、53・・・上型、54・・
・下型、55・・・上型おさえ、56・・・調型、 5
7−・・型ホルダ−58・・・ヒーター、59・・・つ
きトげ棒、60・・・エアシリンダ、61・・・油回転
ポンプ、62.63゜64・・・バルブ、65・・・流
入バイブ、66・・・バルブ、67 ・・・流出バイブ
、68 ・・・バルブ、69・・・温度センサ、70・
・・水冷バイブ、71・・・台、102・・・成形装置
、+04・・・取入れ用置換室、106・・・成形室、
108・・・蒸着室、+10−・・取出し用置換室、1
12・・・ゲートバルブ、+14・・・ゲートバルブ、
116・・・ゲートバルブ、118・・・レール、+2
0・・・パレット、122・・・ロッド、124−・・
シリンダ%+26 ・・・バルブ、+28 ・・・ヒー
タ、+30−・・上型、 +32 ・・・下型、+34
・・・ロッド、136・・・ロッド、 シリンダ、142・・・容器。 着物質、148・・・ロッド。 バルブ。 ・・・シリンダ、140・・・ ・・・ヒータ、+46・・・蒸 +50・・・シリンダ、+52・・・
lの一実施聾様を示す断面図で、第1図はブレス成形前
の状態、第2図はブレス成形後の状態を示す。第3.5
図は本発明に係わる光学素子−成形用ノφの製造方法に
用いる装置を示す概略図である。第4.6図は中間層、
a−C:I−1膜を形成するときに変化させる主な条件
を示すもので、第4図は膜厚に対するイオン銃加速電圧
および電子銃電流値の関係図、第5図は膜厚に対するイ
オン銃加速゛屯圧および高周波出力関係図である。 第7図および第8図は本発明に係わる光学素子成形用型
を使用するレンズの成形装置を示す断面図で、第7図は
非連続成形タイプ、第8図は連続成形ターrブである6
第9図はレンズ成形の際の時間温度関係図である。 l 、、、 9のII材、2− a −C: 11膜、
3・・・ガラス素材、4・・・成IFFされたレンズ、
5・・・中間層、+1・・・真空容器、12・・・イオ
ン銃、13・・・ガス導入Ll、14・・・基&(母材
)、15−排気[1、+6・・・タングステン、17・
・・電子銃、 21 ・・・真空容器。 22 ・・・イオン銃、23.23°ガス導入口。 24−・・基&(母材)、25・・・排気0.26・・
・タングステン、27・・・電子銃、28 ・・・マツ
チングボックス、29−・・高周波電源、51・・・真
空槽本体、52・・・フタ、53・・・上型、54・・
・下型、55・・・上型おさえ、56・・・調型、 5
7−・・型ホルダ−58・・・ヒーター、59・・・つ
きトげ棒、60・・・エアシリンダ、61・・・油回転
ポンプ、62.63゜64・・・バルブ、65・・・流
入バイブ、66・・・バルブ、67 ・・・流出バイブ
、68 ・・・バルブ、69・・・温度センサ、70・
・・水冷バイブ、71・・・台、102・・・成形装置
、+04・・・取入れ用置換室、106・・・成形室、
108・・・蒸着室、+10−・・取出し用置換室、1
12・・・ゲートバルブ、+14・・・ゲートバルブ、
116・・・ゲートバルブ、118・・・レール、+2
0・・・パレット、122・・・ロッド、124−・・
シリンダ%+26 ・・・バルブ、+28 ・・・ヒー
タ、+30−・・上型、 +32 ・・・下型、+34
・・・ロッド、136・・・ロッド、 シリンダ、142・・・容器。 着物質、148・・・ロッド。 バルブ。 ・・・シリンダ、140・・・ ・・・ヒータ、+46・・・蒸 +50・・・シリンダ、+52・・・
Claims (1)
- 1、ガラスよりなる光学素子のブレス成形に用いる光学
素子成形用型において、型母材の少なくとも成形面に、
母材成分の炭化物からなる中間層または母材成分と水素
化アモルファス炭素からなる中間層を介して、水素化ア
モルファス炭素膜が被覆されていることを特徴とする光
学素子成形用型。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63232234A JPH0729786B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 光学素子成形用型 |
US07/394,208 US5026415A (en) | 1988-08-16 | 1989-08-15 | Mold with hydrogenated amorphous carbon film for molding an optical element |
US07/683,537 US5202156A (en) | 1988-08-16 | 1991-04-10 | Method of making an optical element mold with a hard carbon film |
US07/999,124 US5382274A (en) | 1988-08-16 | 1992-12-31 | Mold with film of 0-5 atom % hydrogen and molding method utilizing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63232234A JPH0729786B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 光学素子成形用型 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0283221A true JPH0283221A (ja) | 1990-03-23 |
JPH0729786B2 JPH0729786B2 (ja) | 1995-04-05 |
Family
ID=16936077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63232234A Expired - Lifetime JPH0729786B2 (ja) | 1988-08-16 | 1988-09-19 | 光学素子成形用型 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0729786B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03237024A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-22 | Asahi Optical Co Ltd | 光学素子成形用の成形型の再生方法 |
US5427599A (en) * | 1987-06-09 | 1995-06-27 | International Business Machines Corporation | System for stamping an optical storage disk |
US5676723A (en) * | 1992-06-25 | 1997-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold for forming an optical element |
US5700307A (en) * | 1993-07-28 | 1997-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Die for press-molding optical elements |
US5759221A (en) * | 1993-07-28 | 1998-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of press molding glass optical elements |
CN112593213A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-04-02 | 岳阳市青方环保科技有限公司 | 一种自动倾斜器导筒表面的耐磨防腐工艺 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP63232234A patent/JPH0729786B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
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