JPH0279045A - Resist pattern forming method - Google Patents
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Landscapes
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジストパターンの形成法に関わり、特に多層
レジスト法による微細パターンの形成に関わるものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a method of forming a resist pattern, and particularly to the formation of a fine pattern by a multilayer resist method.
半導体集積回路では、その高密化に伴ってパターンの微
細化が進み、線幅と線間隔(line andspac
e)が0.5μm或いはそれ以下のパターンを形成する
りソグラフィ技術が要求されているが、−方、では配線
構造の多層化などのため基板表面の凹凸が著しく大とな
り、フォトレジストの微細なパターニングを困難なもの
にしている。In semiconductor integrated circuits, as the density of semiconductor integrated circuits increases, patterns become finer, and line width and line spacing (line and spacing) increase.
For e), lithography technology is required to form a pattern of 0.5 μm or less, but for e), the unevenness of the substrate surface becomes extremely large due to the multilayered wiring structure, and the photoresist has a fine structure. This makes patterning difficult.
即ち、凹凸のある表面に塗布したレジスト層は必然的に
厚さが大となるが、光学的に転写された像の分解能を高
めるには光学系の開口数を大にすることが必要であり、
開口数が大になると焦点深度が浅くなることから、厚い
レジスト層を深さ方向に均一に感光させることが不可能
になり、レジストパターンの寸法精度を高めることが出
来ないのである。In other words, a resist layer applied to an uneven surface will inevitably have a large thickness, but it is necessary to increase the numerical aperture of the optical system in order to increase the resolution of the optically transferred image. ,
As the numerical aperture becomes larger, the depth of focus becomes shallower, making it impossible to expose a thick resist layer uniformly in the depth direction, making it impossible to improve the dimensional accuracy of the resist pattern.
0.5μmルールを実現するにはl(λ−3650閤)
のステップアンドリピート露光に拠ることになるが、そ
の場合、開口数は0.45といった値になり、基板の凹
凸を解消する程度に厚いレジスト層に直接、寸法精度の
良いレジストパターンを形成することは殆ど不可能であ
る。To realize the 0.5μm rule, l (λ-3650)
In this case, the numerical aperture is 0.45, and a resist pattern with good dimensional accuracy is formed directly on a resist layer thick enough to eliminate the unevenness of the substrate. is almost impossible.
かかる状況に対処する方法として多層レジスト法と呼ば
れる処理法が開発されている。これは基板の凹凸が平坦
化される程度に厚く塗布した下層レジストに重ねて比較
的薄い上層レジストを塗布し、上層レジストに形成され
たパターンをマスクとして下層レジストをパターニング
するものである。A processing method called a multilayer resist method has been developed as a method to deal with this situation. In this method, a relatively thin upper resist layer is applied over a lower resist layer that has been applied thickly enough to flatten the unevenness of the substrate, and the lower resist layer is patterned using the pattern formed on the upper resist layer as a mask.
この処理法では、フォトリソグラフィによってパターニ
ングされる上層レジストを薄くすることが出来るため、
上層レジストのパターン形成精度が高くなり、これをマ
スクとして形成される下層レジストパターンも高精度に
なるという特徴がある。With this processing method, the upper layer resist patterned by photolithography can be made thinner, so
The pattern formation accuracy of the upper resist layer is high, and the lower layer resist pattern formed using this as a mask is also high precision.
多層レジスト法には被エツチング特性が異なる中間層を
介在させる3層方式と中間層を用いない2層方式とがあ
る。There are two types of multilayer resist methods: a three-layer method in which an intermediate layer having different etching characteristics is interposed, and a two-layer method in which no intermediate layer is used.
3層方弐では中間層にドライエツチング耐性のある材料
を用いることにより、下層レジストをRlEのような異
方性のドライエツチングでパターニングすることが可能
となるので、パターン精度は向上するが、工程が複雑で
ある。In the three-layer method, by using a material with dry etching resistance for the intermediate layer, it becomes possible to pattern the lower resist layer by anisotropic dry etching such as RIE, which improves pattern accuracy, but the process is complicated.
、2層方式は反対に処理工程が比較的簡易であるが、使
用材料や処理方法に制約があり、パターン精度もや一劣
る0本発明は2層方式の改善に関わるものであるから、
ここで、2層方式の従来技術について説明する。第3図
は公知の2層レジスト法の工程を示す断面模式図であり
、以下、該図面が参照される。On the other hand, the two-layer method has a relatively simple processing process, but there are restrictions on the materials and processing methods used, and the pattern accuracy is even worse.The present invention is related to the improvement of the two-layer method.
Here, the conventional technology of the two-layer method will be explained. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the steps of a known two-layer resist method, and this drawing will be referred to hereinafter.
同図(alに示されるように、基板lの表面に例えば多
結晶Si(ポリSi)層2が部分的に形成され、PSG
層3で被覆されたものに、下層レジスト4を段差が解消
する程度に厚く塗布して、表面を平坦にする。下層レジ
ストの厚さは2〜3μmになり、その材料は例えばポリ
メチルメタアクリレート(PMMA)系のポジ型レジス
トである。また230層は、後続の工程で形成される下
層レジストのパターンをマスクとして、選択エツチング
される。As shown in the same figure (al), for example, a polycrystalline Si (poly-Si) layer 2 is partially formed on the surface of the substrate l,
A lower resist 4 is applied thickly to the surface covered with the layer 3 so as to eliminate the difference in level, thereby making the surface flat. The thickness of the lower resist layer is 2 to 3 μm, and its material is, for example, a polymethyl methacrylate (PMMA)-based positive resist. Further, layer 230 is selectively etched using the lower resist pattern formed in the subsequent process as a mask.
下層レジストをベーキングした後、ポジ型の上層レジス
ト5をスピンコードで塗布して、フォトリソグラフィに
よりパターニングする。上層レジストにはノボラック系
のものが用いられ、その厚さは0.5〜1.0μmであ
る。After baking the lower resist layer, a positive upper resist layer 5 is applied using a spin code and patterned using photolithography. A novolac type resist is used for the upper layer resist, and its thickness is 0.5 to 1.0 μm.
次いで同図tb+に示されるように、超紫外光(DUV
)を全面に照射すると、吸収係数の大きい上層レジスト
がマスクとなって、パターンの無い部分の下層レジスト
が選択的に感光する。これを現像処理することにより、
同図(C1の如く下層レジストのパターンが形成される
。Next, as shown in tb+ of the same figure, ultra-ultraviolet light (DUV
) when the entire surface is irradiated, the upper layer resist with a large absorption coefficient acts as a mask, and the lower layer resist in areas without a pattern is selectively exposed. By developing this,
As shown in the same figure (C1), a pattern of the lower resist is formed.
上記の処理では、上層レジストも下層レジストも共に有
機高分子化合物であり、選択比の大きいドライエツチン
グが実施できないことから、下層レジストのパターニン
グは選択露光とウェット現像に依らざるを得す、パター
ン精度が低下することは避けられない。In the above process, both the upper layer resist and the lower layer resist are made of organic polymer compounds, and dry etching with a high selectivity cannot be performed, so patterning of the lower layer resist has to rely on selective exposure and wet development, which requires pattern accuracy. decline is inevitable.
本発明の目的は、ドライエツチングによって下層レジス
トをパターニングする2Nレジスト法を提供することで
あり、凹凸のある基板に対しても高精度のレジストパタ
ーンが形成される処理法を提供することである。An object of the present invention is to provide a 2N resist method for patterning a lower resist layer by dry etching, and to provide a processing method that can form a highly accurate resist pattern even on an uneven substrate.
上記目的を達成するため、本発明の−に於いては
基板表面に第1のレジストを表面が平坦になるように塗
布し、その上により薄い第2のレジスト層を塗布してパ
ターニングした後、該第2のレジストに架橋開始剤を含
浸せしめて紫外光を照射し、架橋反応が進行して強化さ
れた第2のレジストをマスクとして、前記第1のレジス
トを異方性ドライエツチング法により選択エツチングす
ることが行われる。In order to achieve the above object, in - of the present invention, a first resist is coated on the substrate surface so that the surface becomes flat, a thinner second resist layer is coated on top of the first resist layer, and then patterned. The second resist is impregnated with a crosslinking initiator and irradiated with ultraviolet light, and the first resist is selected by an anisotropic dry etching method using the second resist, which has been strengthened through crosslinking reaction, as a mask. Etching is performed.
また、本発明の他の−に於いては、
基板表面に第1のレジストを表面が平坦になるように塗
布し、その上により薄い第2のレジスト層を塗布してパ
ターニングした後、該第2のレジストに被覆されない部
分の前記第1のレジストに架橋開始剤を含浸せしめて紫
外光を照射し、架橋反応が進行して強化された部分の第
1のレジストをマスクとして、前記第1のレジストと前
記第2のレジストの積層体を異方性ドライエツチング法
により選択エツチングすることが行われる。In another aspect of the present invention, a first resist layer is applied to the substrate surface so that the surface becomes flat, a thinner second resist layer is applied thereon and patterned, and then the first resist layer is applied to the substrate surface so that the surface becomes flat. The portions of the first resist that are not covered by resist No. 2 are impregnated with a crosslinking initiator and irradiated with ultraviolet light, and using the portions of the first resist where the crosslinking reaction has progressed and strengthened as a mask, The laminated body of the resist and the second resist is selectively etched by an anisotropic dry etching method.
上記2種のレジストの中第2のレジストは比較的薄く塗
布されるので、後続工程で転写される転写元のパターン
をフォトリソグラフィにより高精度に形成することが出
来る。Since the second resist among the two types of resists described above is applied relatively thinly, the original pattern to be transferred in the subsequent process can be formed with high precision by photolithography.
架橋開始剤を含浸せしめるレジストとしてノボラック系
のレジストを用い、架橋開始剤として41アジドビフエ
ニルスルフイドを用いると、両者は共通の溶媒に溶解す
るものであり、4°アジドビフエニルスルフイドをノボ
ラック系のレジストに含浸せしめることが可能である。When a novolac resist is used as a resist impregnated with a crosslinking initiator and 41 azidobiphenyl sulfide is used as a crosslinking initiator, both dissolve in a common solvent, and 4°azidobiphenyl sulfide It is possible to impregnate a novolak resist.
これに紫外光を照射すると、4′アジドビフエニルスル
フイドの作用によりノボラック系のレジストに架橋反応
が進行し、酸素プラズマに対する耐性を持った強固な層
が形成されるので、該架橋層パターンをマスクとするR
IHにより、架橋反応の進行しなかったレジストをエツ
チングすることが可能となる。RIEは顕著な異方性を
持つので、上層パターンは精度良く下層レジストに転写
されることになる。When this is irradiated with ultraviolet light, a crosslinking reaction progresses in the novolak resist due to the action of 4'azidobiphenyl sulfide, forming a strong layer that is resistant to oxygen plasma, so that the crosslinked layer pattern R with mask
IH makes it possible to etch the resist in which the crosslinking reaction has not progressed. Since RIE has remarkable anisotropy, the upper layer pattern is accurately transferred to the lower resist.
本特許出願の第1の発明では、フォトリソグラフィによ
ってパターニングされたレジストに架橋反応を進行せし
め、これをRIBのマスクとして下層レジストを選択エ
ツチングし、本特許出願の第2の発明では、上層レジス
トのパターンを下層レジストに架橋開始剤を含浸せしめ
る際のマスクとして利用し、上層レジストのパターンに
対し相補的に形成される下層レジストの強化部分をRI
Eによる選択エツチングのマスクとして使用する。In the first invention of this patent application, a cross-linking reaction is caused to proceed on a resist patterned by photolithography, and this is used as a mask for RIB to selectively etch the lower resist. The pattern is used as a mask when impregnating the lower resist with a crosslinking initiator, and the reinforced portion of the lower resist formed complementary to the pattern of the upper resist is subjected to RI.
It is used as a mask for selective etching by E.
第1のレジストと第2のレジストは相互に混合しない組
み合わせが選ばれ、更に、架橋開始剤に対する挙動も異
なったものでなければならない。A combination of the first resist and the second resist is selected so that they do not mix with each other, and furthermore, their behavior toward the crosslinking initiator must be different.
即ち本発明は、架橋開始剤の含浸速度が大幅に異なるか
、或いは架橋反応の進行速度が大幅に異なることを利用
するものであるから、このような相違が明確でないレジ
ストどうしの組み合わせでは本発明の効果は生じないこ
とになる。That is, since the present invention utilizes the fact that the impregnation rate of the crosslinking initiator is significantly different or the progress rate of the crosslinking reaction is significantly different, the present invention cannot be applied to combinations of resists in which such differences are not clear. This effect will not occur.
架橋反応を進行せしめるレジストとしてノボラック樹脂
を用いる場合には、他方のレジストとして例えばPMM
A樹脂を使用すれば、上記の条件が満足され、RTEを
用いた高精度のレジストパターン形成が可能となる。When a novolac resin is used as a resist for the crosslinking reaction, for example, PMM is used as the other resist.
If resin A is used, the above conditions are satisfied and it becomes possible to form a resist pattern with high precision using RTE.
このようにして形成したレジストパターンをマスクとし
てPSG層などをエツチングする場合、例えば弗素系の
エツチングガスを用いても、PSGを速やかにエツチン
グする処理条件でこれ等の樹脂の被エツチング速度を小
にすることは可能であり、選択エツチングのマスクとし
て十分に機能することになる。When etching a PSG layer or the like using the resist pattern thus formed as a mask, for example, even if a fluorine-based etching gas is used, the etching speed of these resins can be reduced under processing conditions that quickly etch PSG. It is possible to do this, and it will function satisfactorily as a mask for selective etching.
第1図は本発明の請求項1に対応する第1の実施例の工
程を示す断面模式図である。以下該図面を参照しながら
実施例の工程を説明する。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the steps of a first embodiment corresponding to claim 1 of the present invention. The steps of the embodiment will be described below with reference to the drawings.
同図fatに示されるように、基板1の表面に例えばポ
リSi層2が部分的に形成され、PSG層3で被覆され
たものに、下層レジスト4を段差が解消する程度に厚く
塗布して、表面を平坦にする。As shown in the figure fat, for example, a poly-Si layer 2 is partially formed on the surface of a substrate 1 and covered with a PSG layer 3, and then a lower resist 4 is applied thickly enough to eliminate the step difference. , flatten the surface.
下層レジストの厚さは2〜3μmであり、その材料は例
えば非感光性のポリイミドである。またPSG層は、以
下の工程で形成される下層レジストのパターンをマスク
として、選択エツチングされる。The thickness of the lower resist layer is 2 to 3 μm, and the material thereof is, for example, non-photosensitive polyimide. Further, the PSG layer is selectively etched using the lower resist pattern formed in the following steps as a mask.
下層レジストを250〜300℃でベーキングした後、
上層レジスト5をスピンコードで塗布して、紫外光フォ
トリソグラフィによりバターニングする。該レジストは
紫外光に対する感光特性を有するものであって、例えば
ノボランク系のTSMR−8900(商品名、東京応化
製)が適しており、厚さは0.4〜1.0μmとする。After baking the lower resist at 250-300°C,
An upper resist 5 is applied using a spin code and patterned using ultraviolet photolithography. The resist has a photosensitive characteristic to ultraviolet light, and, for example, Novolanc-based TSMR-8900 (trade name, manufactured by Tokyo Ohka) is suitable, and the thickness is 0.4 to 1.0 μm.
続いて同図(blに示されるように、基板全表面をエチ
ルセルソルブアセテ−) (E CA)に溶解した4′
アジドビフエニルスルフイドで覆う0図面では架橋開始
剤6として示されている。この処理では、上記溶液を基
板上に滴下して表面張力で基板面に被着せしめてもよく
、或いは溶液中に浸してもよい。ECAはノボラック樹
脂の溶剤となるものであるから、この状態に保持するこ
とにより、4′アジドビフエニルスルフイドはパターニ
ングされたレジスト中に含浸される。一方、溶剤の異な
る下層レジストには殆ど含浸されることがない。Subsequently, as shown in the same figure (bl), the entire surface of the substrate was treated with 4′ dissolved in ethyl cell solve acetate (E CA).
Covered with azidobiphenyl sulfide 0 is shown as crosslinking initiator 6 in the drawing. In this treatment, the solution may be dropped onto the substrate to adhere to the substrate surface due to surface tension, or the solution may be immersed in the solution. Since ECA serves as a solvent for the novolak resin, by maintaining this state, 4'azidobiphenyl sulfide is impregnated into the patterned resist. On the other hand, the lower resist using a different solvent is hardly impregnated.
この処理の後、DUVを照射すると、4″アジドビフエ
ニルスルフイドを含浸したノボラック系レジスト層に架
橋反応が進行し、ドライエツチングに対する耐性の優れ
た強化層5′が形成される(同図(C1)、図ではバタ
ーニングされたレジスト層全体が強化層になるように描
かれているが、強化層の形成が上層レジストの全体に及
ぶことは必要ではなく、パターンの表面が完全に被覆さ
れれば良いものである。After this treatment, when irradiated with DUV, a crosslinking reaction progresses in the novolak resist layer impregnated with 4'' azidobiphenyl sulfide, forming a reinforced layer 5' with excellent resistance to dry etching (Fig. (C1) In the figure, the entire patterned resist layer is depicted as a reinforcing layer, but it is not necessary for the reinforcing layer to be formed over the entire upper resist, and the surface of the pattern is completely covered. It would be good if it were done.
上記の処理によって強化された上層レジストのパターン
をマスクとし、酸素プラズマによるRIEで下層レジス
トを選択エツチングする0強化層はこのドライエツチン
グに対する耐性が十分にあるので、異方性の顕著なRI
Hによって下層レジストに精度よくパターンが転写され
る(同図(di)。Using the pattern of the upper resist layer strengthened by the above process as a mask, the lower resist layer is selectively etched by RIE using oxygen plasma.The reinforced layer has sufficient resistance to this dry etching, so it can be etched by RIE with remarkable anisotropy.
The pattern is accurately transferred to the lower resist layer by H ((di) in the same figure).
この実施例ではパターニングされた上層レジスhのみを
架橋強化しているが、このように選択的に架橋反応を進
行させるには、架橋開始剤を選択的に含浸させるか、或
いは両方のレジストに含浸しても、一方では架橋開始剤
として機能しない組み合わせであれば良い、また、両方
のレジストに対する架橋開始剤の作用の差も、一方では
情無というほど極端である必要はなく、利用出来るほど
の差が生ずれば良い、これ等の点は次に述べる第2の実
施例に於いても同様である。In this example, only the patterned upper layer resist h is strengthened by crosslinking, but in order to selectively proceed with the crosslinking reaction in this way, it is necessary to selectively impregnate a crosslinking initiator or to impregnate both resists. However, on the other hand, it is sufficient if the combination does not function as a crosslinking initiator, and on the other hand, the difference in the effect of the crosslinking initiator on both resists does not have to be so extreme that it can be used. It is sufficient if there is a difference, and these points are the same in the second embodiment described below.
第2図に本発明の請求項2に対応する第2の実施例の工
程が模式的に示されている。以下、第2図を参照しなが
ら該実施例を説明する。FIG. 2 schematically shows the steps of a second embodiment corresponding to claim 2 of the present invention. This embodiment will be described below with reference to FIG.
同図ta+に示されるように、基板1の表面に例えばポ
リSi層2が部分的に形成され、PSG層3で被覆され
たものに、下層レジスト4を段差が解消する程度に厚(
塗布して、表面を平坦にする。As shown at ta+ in the same figure, for example, a poly-Si layer 2 is partially formed on the surface of the substrate 1, and covered with a PSG layer 3, the lower resist 4 is thickened to such an extent that the level difference is eliminated.
Apply and smooth the surface.
PSG層は、以下の工程で形成される下層レジストのパ
ターンをマスクとして、選択エツチングされる。これ等
の状況と下層レジストの厚さが2〜3μmである点は前
記第1の実施例と同じであるが、本実施例では下層レジ
ストに架橋開始剤を含浸せしめて強化するので、下層レ
ジストとしてはノボラック系のものが用いられる。The PSG layer is selectively etched using the lower resist pattern formed in the following process as a mask. These circumstances and the fact that the thickness of the lower layer resist is 2 to 3 μm are the same as in the first embodiment, but in this example, the lower resist is impregnated with a crosslinking initiator to strengthen it. A novolak type is used.
下層レジストを軽(加熱し、PMMA系のフォトレジス
トを0.4〜1.0μmの厚さにスピンコードし、DU
Vリソグラフィにより、パターニングされた上層レジス
ト5を形成する。下層レジストの加熱処理は上に塗布さ
れるPMMAレジストとの混合が抑制される程度に止め
るのが望ましい。Lightly heat the lower resist, spin code the PMMA photoresist to a thickness of 0.4 to 1.0 μm, and apply DU.
A patterned upper layer resist 5 is formed by V lithography. It is desirable to limit the heat treatment of the lower resist layer to such an extent that mixing with the PMMA resist coated above is suppressed.
続いて同図(blに示されるように、基板全表面をEC
Aに溶解した4′アジドビフエニルスルフイドで覆う、
該図面でもこれは架橋開始剤6と記されている。具体的
な処理は前記実施例と同じであり、滴下方式或いは浸漬
方式のいづれでも良い。Next, as shown in the same figure (bl), the entire surface of the substrate was subjected to EC.
covered with 4'azidobiphenyl sulfide dissolved in A;
This is also designated as crosslinking initiator 6 in the drawing. The specific treatment is the same as in the previous embodiment, and either a dropping method or a dipping method may be used.
第1の実施例と異なり、該実施例では4°アジドビフエ
ニルスルフイドは上層レジストであるPMMAには殆ど
含浸されず、EACに溶解するノボラック樹脂即ち下層
レジスト中に含浸されるが、その際、上層レジストが含
浸のマスクとして機能し、含浸は選択的に進行する。Unlike the first example, in this example, 4° azidobiphenyl sulfide is hardly impregnated into PMMA, which is the upper layer resist, but is impregnated into the novolac resin, that is, the lower layer resist, which is dissolved in EAC. At this time, the upper resist layer functions as a mask for impregnation, and impregnation proceeds selectively.
この処理の後、DUVを照射すると、4゛アジドビフエ
ニルスルフイドを含浸した下層レジストに架橋反応が進
行し、上層レジストに被覆されない部分のみに強化層4
′が形成される(同図(C))。After this treatment, when irradiated with DUV, a crosslinking reaction progresses to the lower resist impregnated with 4゛azidobiphenyl sulfide, and a reinforcing layer 4 is applied only to the portions not covered by the upper resist.
' is formed ((C) in the same figure).
強化層の厚さは含浸の深さにはり対応するので、0.5
μm程度に形成することは可能である。The thickness of the reinforcing layer corresponds to the depth of impregnation, so 0.5
It is possible to form it to about μm.
さらに続いて、酸素プラズマによるRIE処理を施すと
、上層レジスト及びその直下の下層レジストが比較的高
速にエツチングされるのに対し、下層レジスト表面に部
分的に形成された強化層はこのドライエツチングに対す
る耐性が十分にあるので、強化層直下の下層パターンは
エツチングされずに残る。即ち同図(dlの如く、上層
レジストのパターンを反転したパターンが下層レジスト
に形成される0本実施例でもRIBの異方性に因りパタ
ーン転写は精度よく行われる。Furthermore, when RIE processing using oxygen plasma is performed, the upper resist layer and the lower resist layer immediately below it are etched at a relatively high speed, whereas the reinforcing layer partially formed on the surface of the lower resist layer resists this dry etching. Since the resistance is sufficient, the lower layer pattern directly under the reinforcing layer remains without being etched. That is, even in this embodiment, in which a pattern that is an inversion of the pattern of the upper layer resist is formed on the lower layer resist, as shown in FIG.
以上説明したように、本発明では下層レジストの表面部
分に選択的に強化層を形成し、これをマスクとする異方
性エツチングによって下層レジストをパターニングする
ので、下層レジストが厚い場合にも高精度のパターニン
グが行われ、本発明の目的が達成される。As explained above, in the present invention, a reinforcing layer is selectively formed on the surface of the lower resist, and the lower resist is patterned by anisotropic etching using this as a mask. patterning is performed, and the object of the present invention is achieved.
第1図は第1の実施例の工程を示す断面模式図、第2図
は第2の実施例の工程を示す断面模式図、第3図は従来
技術の工程を示す断面模式図であって、
図に於いて
1は基板、
2はポリS i %
3はPSG。
4は下層レジスト、
4′は強化層、
5は上層レジスト、
5′は強化層、
6は架橋開始剤、
である。
第1の実施例の工程を示す断面模式図
第1図
第2の実施例の工程を示す断面模式図
第2図FIG. 1 is a schematic cross-sectional diagram showing the steps of the first embodiment, FIG. 2 is a schematic cross-sectional diagram showing the steps of the second embodiment, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional diagram showing the steps of the prior art. In the figure, 1 is the substrate, 2 is poly Si%, and 3 is PSG. 4 is a lower resist layer, 4' is a reinforcing layer, 5 is an upper resist layer, 5' is a reinforcing layer, and 6 is a crosslinking initiator. Fig. 1 is a schematic cross-sectional diagram showing the process of the first embodiment. Fig. 2 is a schematic cross-sectional diagram showing the process of the second embodiment.
Claims (3)
うに塗布する工程、 前記第1のレジスト層の上に、該第1のレジストと混合
しないように第2のレジストを塗布して、該第2のレジ
スト層をパターニングする工程、該第2のレジストに対
し架橋開始剤として機能する物質を、前記パターニング
された第2のレジスト層中に含浸せしめる工程、 エネルギ線を照射して、前記架橋開始剤を含浸した前記
第2のレジストに架橋反応を進行せしめる工程、および 前記架橋反応が進行した第2のレジスト層をマスクとし
て、前記第1のレジスト層を異方性のドライエッチング
法によりエッチングする工程を包含することを特徴とす
るレジストパターン形成法。(1) A step of applying a first resist to the substrate surface so that the surface is flat, and applying a second resist on the first resist layer so as not to mix with the first resist. , a step of patterning the second resist layer, a step of impregnating a substance that functions as a crosslinking initiator for the second resist into the patterned second resist layer, irradiating with an energy beam, A step of allowing the second resist impregnated with the crosslinking initiator to proceed with a crosslinking reaction, and using the second resist layer in which the crosslinking reaction has proceeded as a mask, the first resist layer is subjected to an anisotropic dry etching method. 1. A resist pattern forming method comprising a step of etching.
うに塗布する工程、 前記第1のレジスト層の上に、該第1のレジストと混合
しないように第2のレジストを塗布して、該第2のレジ
スト層をパターニングする工程、前記第1のレジストに
対し架橋開始剤として機能する物質を、前記パターニン
グされた第2のレジスト層に被覆されていない部分の前
記第1のレジスト層中に含浸せしめる工程、 エネルギ線を照射して、前記架橋開始剤を含浸した前記
第1のレジスト層に部分的に架橋反応を進行せしめる工
程、および 前記架橋反応が進行した部分の第1のレジスト層をマス
クとして、前記パターニングされた第2のレジスト層及
び該レジスト層に被覆された部分の前記第1のレジスト
層を異方性のドライエッチング法によりエッチングする
工程を包含することを特徴とするレジストパターン形成
法。(2) a step of applying a first resist to the substrate surface so that the surface is flat; applying a second resist on the first resist layer so as not to mix with the first resist; , patterning the second resist layer, adding a substance that functions as a crosslinking initiator to the first resist layer to a portion of the first resist layer that is not covered by the patterned second resist layer; a step of irradiating the first resist layer impregnated with the crosslinking initiator with an energy beam to cause a crosslinking reaction to proceed partially; The method is characterized by including a step of etching the patterned second resist layer and a portion of the first resist layer covered by the resist layer by an anisotropic dry etching method using the patterned second resist layer as a mask. Resist pattern formation method.
一方に優先的に含浸されるか又は化学的に架橋反応を促
進する作用を有するものである請求項第1又は第2に記
載のレジストパターン形成法。(3) The crosslinking initiator according to claim 1 or 2, wherein the crosslinking initiator is preferentially impregnated into one of the first or second resist or has the effect of chemically promoting the crosslinking reaction. Resist pattern formation method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23070988A JPH0279045A (en) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | Resist pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23070988A JPH0279045A (en) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | Resist pattern forming method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0279045A true JPH0279045A (en) | 1990-03-19 |
Family
ID=16912081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23070988A Pending JPH0279045A (en) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | Resist pattern forming method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0279045A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5175634A (en) * | 1990-01-08 | 1992-12-29 | Ricoh Company, Ltd. | Multiple station facsimile relay system |
US7582413B2 (en) | 2005-09-26 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate, method of exposing a substrate, machine readable medium |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP23070988A patent/JPH0279045A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5175634A (en) * | 1990-01-08 | 1992-12-29 | Ricoh Company, Ltd. | Multiple station facsimile relay system |
US7582413B2 (en) | 2005-09-26 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate, method of exposing a substrate, machine readable medium |
US7713682B2 (en) | 2005-09-26 | 2010-05-11 | Asml Netherlands B.V. | Substrate, method of exposing a substrate, machine readable medium |
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