JPH0276864U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0276864U JPH0276864U JP15686688U JP15686688U JPH0276864U JP H0276864 U JPH0276864 U JP H0276864U JP 15686688 U JP15686688 U JP 15686688U JP 15686688 U JP15686688 U JP 15686688U JP H0276864 U JPH0276864 U JP H0276864U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser element
- heat sink
- submount
- izumo
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の溝を有するサブマウントへの
半導体レーザ素子およびヒートシンクの接合状態
を示す模式断面図、第２図は同じく従来のサブマ
ウントへの接合状態を示す模式図である。 １：シリコン板（サブマウント）、２：接合層
、３：はんだ層、４：半導体レーザ素子、５：活
性層、６ａ，６ｂ：電極、７：リードワイヤー、
８：ヒートシンク（放熱体）、９：はんだしみ出
し部、１０：溝。
半導体レーザ素子およびヒートシンクの接合状態
を示す模式断面図、第２図は同じく従来のサブマ
ウントへの接合状態を示す模式図である。 １：シリコン板（サブマウント）、２：接合層
、３：はんだ層、４：半導体レーザ素子、５：活
性層、６ａ，６ｂ：電極、７：リードワイヤー、
８：ヒートシンク（放熱体）、９：はんだしみ出
し部、１０：溝。
Claims (1)
- 上下両面にいずも接合層とはんだ層を有し、半
導体レーザ素子と放熱体との間に介在してこれら
双方に接合される前記放熱体のサブマウントであ
つて、前記半導体レーザ素子の両側面が位置する
個所の周辺に、それぞれ前記半導体レーザ素子の
光出射方向と平行な方向全長にわたつて余剰はん
だの溜り部となる溝を設けたことを特徴とする半
導体レーザ素子放熱体のサブマウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15686688U JPH0276864U (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15686688U JPH0276864U (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276864U true JPH0276864U (ja) | 1990-06-13 |
Family
ID=31435793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15686688U Pending JPH0276864U (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0276864U (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168444A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Sony Corp | 半導体発光素子、その製造方法および配設基板 |
| JP2005005511A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Fanuc Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2021044468A (ja) * | 2019-09-13 | 2021-03-18 | シチズンファインデバイス株式会社 | サブマウント |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP15686688U patent/JPH0276864U/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168444A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Sony Corp | 半導体発光素子、その製造方法および配設基板 |
| JP2005005511A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Fanuc Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2021044468A (ja) * | 2019-09-13 | 2021-03-18 | シチズンファインデバイス株式会社 | サブマウント |