JPH0271122A - 赤外線イメージセンサ - Google Patents
赤外線イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0271122A JPH0271122A JP63223154A JP22315488A JPH0271122A JP H0271122 A JPH0271122 A JP H0271122A JP 63223154 A JP63223154 A JP 63223154A JP 22315488 A JP22315488 A JP 22315488A JP H0271122 A JPH0271122 A JP H0271122A
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- JP
- Japan
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- intensity distribution
- film
- image sensor
- luminous intensity
- erbium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(oxomethylidene)benzenesulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)N=C=O)C=C1 VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910021340 platinum monosilicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000000917 Erbium Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野1
光通信用に使用される波長1.55μmの半導体レーザ
からの光ビームの強度分布を測定する赤外線イメージセ
ンサに関する。 [発明の概要] この発明は、波長1.55μmの半導体レーザからの光
ビームの強度分布を安価に計測・記録することを目的と
して、固体撮像素子とファイバープレートとエルビウム
系蛍光体とから構成した安価なイメージセンサを得たも
のである。
からの光ビームの強度分布を測定する赤外線イメージセ
ンサに関する。 [発明の概要] この発明は、波長1.55μmの半導体レーザからの光
ビームの強度分布を安価に計測・記録することを目的と
して、固体撮像素子とファイバープレートとエルビウム
系蛍光体とから構成した安価なイメージセンサを得たも
のである。
従来、この種の発明に関してはPtSiショットキーバ
リアーダイオードアレイを液体窒素で冷却した赤外線イ
メージセンサが使用されていた。 〔発明が解決しようとする課題1 上記従来技術においては、PtSiショットキーバリア
ーダイオードアレイが高価であるという欠点があった。 1課題を解決するための手段] 本発明は上記の欠点をなくすためになされたもので、可
視および近赤外領域の一部に感度をもつ安価な固体撮像
素子とファイバープレートとエルビウム系蛍光膜とから
構成したので安価な赤外線イメージセンサを得ることが
できた。 〔作用l 上記構成の作用は先ず、エルビウム系蛍光膜が波長1.
55μmの近赤外線像を可視光像に変換する。エルビウ
ムを多量に含有した蛍光体が1゜55μmの近赤外線を
可視光に変換することは以前より知られている。(オー
ム社 蛍光体ハンドブック 1987) エルビウム系蛍光膜上の可視光像は、光ファイバーの束
であるファイバープレートによって、固体撮像素子の入
力面に伝送され、画像信号に変換される。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について、図面に基づいて説明す
る。 第1図は1本発明による赤外線イメージセンサ。 の一実施例を示す側断面図である。 基板7上に、可視光撮像用の25万画素のCOD素子か
らなる固体撮像素子3を配置する。固体撮像素子3の人
力面には、ファイバープレート2が光学接着剤を用いて
接着されている。ファイバープレート2の他面には、エ
ルビウム系蛍光膜lが、高周波スパッタリング法により
形成されている。このエルビウム系蛍光体としては、B
aEr2Fs 、Yo、a Ero、a Fs等が用い
られる。 更に、エルビウム系蛍光膜lの近赤外線入射面に、蒸着
によりシリコン膜4が形成されている。 半導体レーザからの1.55μmの光ビームが、シリコ
ン膜4を透過してエルビウム系蛍光膜1に入射する。エ
ルビウム系蛍光膜1上には、1855μmの近赤外線の
強度分布に対応した赤色の光強度分布が得られる。 エルビウム系蛍光膜l上の赤色の光強度分布が、ファイ
バープレート2を介して、固体撮像素子3の入力面に伝
送される。 固体撮像素子3は、赤色の光に感応し、入力した赤色の
光強度分布に対応する画像信号を、つまり、半導体レー
ザからの1.55μmの光ビームの情報に対応する画像
信号を出力するものである。 本実施例では、シリコン膜4を配置しており、このシリ
コン膜4が、1.2μmより短かい波長の光を通さない
ので、蛍光灯の照明の下でも、半導体レーザの1.55
LLmの光ビームの光強度分布を、効率よく測定できる
ものである。 [発明の効果] この発明は以上説明したように、固体撮像素子とファイ
バープレートとエルビウム系蛍光膜とから構成すること
により、安価な1.55μm用の赤外線イメージセンサ
を得たものである。
リアーダイオードアレイを液体窒素で冷却した赤外線イ
メージセンサが使用されていた。 〔発明が解決しようとする課題1 上記従来技術においては、PtSiショットキーバリア
ーダイオードアレイが高価であるという欠点があった。 1課題を解決するための手段] 本発明は上記の欠点をなくすためになされたもので、可
視および近赤外領域の一部に感度をもつ安価な固体撮像
素子とファイバープレートとエルビウム系蛍光膜とから
構成したので安価な赤外線イメージセンサを得ることが
できた。 〔作用l 上記構成の作用は先ず、エルビウム系蛍光膜が波長1.
55μmの近赤外線像を可視光像に変換する。エルビウ
ムを多量に含有した蛍光体が1゜55μmの近赤外線を
可視光に変換することは以前より知られている。(オー
ム社 蛍光体ハンドブック 1987) エルビウム系蛍光膜上の可視光像は、光ファイバーの束
であるファイバープレートによって、固体撮像素子の入
力面に伝送され、画像信号に変換される。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について、図面に基づいて説明す
る。 第1図は1本発明による赤外線イメージセンサ。 の一実施例を示す側断面図である。 基板7上に、可視光撮像用の25万画素のCOD素子か
らなる固体撮像素子3を配置する。固体撮像素子3の人
力面には、ファイバープレート2が光学接着剤を用いて
接着されている。ファイバープレート2の他面には、エ
ルビウム系蛍光膜lが、高周波スパッタリング法により
形成されている。このエルビウム系蛍光体としては、B
aEr2Fs 、Yo、a Ero、a Fs等が用い
られる。 更に、エルビウム系蛍光膜lの近赤外線入射面に、蒸着
によりシリコン膜4が形成されている。 半導体レーザからの1.55μmの光ビームが、シリコ
ン膜4を透過してエルビウム系蛍光膜1に入射する。エ
ルビウム系蛍光膜1上には、1855μmの近赤外線の
強度分布に対応した赤色の光強度分布が得られる。 エルビウム系蛍光膜l上の赤色の光強度分布が、ファイ
バープレート2を介して、固体撮像素子3の入力面に伝
送される。 固体撮像素子3は、赤色の光に感応し、入力した赤色の
光強度分布に対応する画像信号を、つまり、半導体レー
ザからの1.55μmの光ビームの情報に対応する画像
信号を出力するものである。 本実施例では、シリコン膜4を配置しており、このシリ
コン膜4が、1.2μmより短かい波長の光を通さない
ので、蛍光灯の照明の下でも、半導体レーザの1.55
LLmの光ビームの光強度分布を、効率よく測定できる
ものである。 [発明の効果] この発明は以上説明したように、固体撮像素子とファイ
バープレートとエルビウム系蛍光膜とから構成すること
により、安価な1.55μm用の赤外線イメージセンサ
を得たものである。
第1図は本発明による赤外線イメージセンサの一実施例
を示す側断面図である。 エルビウム系蛍光体 ファイバープレート 固体撮像素子 シリコン膜 ボンディングワイヤー リード 基板 第 1 図
を示す側断面図である。 エルビウム系蛍光体 ファイバープレート 固体撮像素子 シリコン膜 ボンディングワイヤー リード 基板 第 1 図
Claims (2)
- (1)固体撮像素子とファイバープレートとエルビウム
系蛍光膜とから構成されることを特徴とする赤外線イメ
ージセンサ。 - (2)エルビウム系蛍光膜の近赤外線入射側にシリコン
膜を形成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の赤外線イメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63223154A JPH0271122A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 赤外線イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63223154A JPH0271122A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 赤外線イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0271122A true JPH0271122A (ja) | 1990-03-09 |
Family
ID=16793638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63223154A Pending JPH0271122A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 赤外線イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0271122A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0354870A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 不可視光イメージ検出装置 |
US7326119B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-02-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Boot for constant velocity universal joint |
US7338383B2 (en) | 2004-02-27 | 2008-03-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Constant velocity joint boot |
JP2011163867A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Sony Corp | 撮像デバイス、撮像装置、スペクトル置換デバイス |
CN108489948A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-09-04 | 哈尔滨工程大学 | 一种u型双向光纤荧光辐射传感探头 |
-
1988
- 1988-09-06 JP JP63223154A patent/JPH0271122A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0354870A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 不可視光イメージ検出装置 |
US7338383B2 (en) | 2004-02-27 | 2008-03-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Constant velocity joint boot |
US7326119B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-02-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Boot for constant velocity universal joint |
JP2011163867A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Sony Corp | 撮像デバイス、撮像装置、スペクトル置換デバイス |
CN108489948A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-09-04 | 哈尔滨工程大学 | 一种u型双向光纤荧光辐射传感探头 |
CN108489948B (zh) * | 2018-03-23 | 2020-12-22 | 哈尔滨工程大学 | 一种u型双向光纤荧光辐射传感探头 |
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